JP6859095B2 - 成膜方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 90
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 35
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 162
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 18
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
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Claims (3)
- 成膜室内に被処理基板とターゲットとを対向配置し、成膜室内にスパッタガスを導入し、ターゲットに電力投入してターゲットをスパッタリングし、被処理基板の表面にスパッタ粒子を付着、堆積させて所定の目標膜厚で成膜する成膜方法であって、
被処理基板からターゲットに向かう方向を上として、ターゲットのスパッタリング中、タ一ゲットの上方に配置される磁石ユニットによりターゲットの下方空間にトンネル状の漏洩磁場をターゲット中心からターゲットの周縁部側に偏在させて発生させると共に、この発生させた漏洩磁場をターゲットの中心回りに周回させるものにおいて、
ターゲットのスパッタリング開始時、被処理基板とターゲットとが正対する当該被処理基板の位置を基準位置とし、基準位置にて目標膜厚より薄い第1膜厚で成膜する工程と、
被処理基板の中心を回転中心として基準位置から所定の回転角で回転させた当該被処理基板の位置を補正位置とし、複数箇所の補正位置にて目標膜厚より薄い第2膜厚で成膜する工程とを有し、前記基準位置及び前記複数箇所の補正位置で成膜して目標膜厚とし、
前記複数箇所の補正位置のうち少なくとも一箇所の補正位置にて前記第1膜厚とは異なる前記第2膜厚で成膜することを特徴とする成膜方法。 - 前記回転角は、被処理基板を回転させることなく成膜したときに生じる膜厚分布に基づいて設定することを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記第1膜厚及び第2膜厚は、被処理基板を回転させることなく成膜したときに生じる膜厚分布に基づいて設定することを特徴とする請求項1または請求項2記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016250026A JP6859095B2 (ja) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016250026A JP6859095B2 (ja) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | 成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018104738A JP2018104738A (ja) | 2018-07-05 |
JP6859095B2 true JP6859095B2 (ja) | 2021-04-14 |
Family
ID=62786576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016250026A Active JP6859095B2 (ja) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | 成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6859095B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023100452A1 (ja) | 2021-12-03 | 2023-06-08 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
-
2016
- 2016-12-22 JP JP2016250026A patent/JP6859095B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018104738A (ja) | 2018-07-05 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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