CN112011776B - 半导体工艺设备及其工艺腔室 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。工艺腔室包括：腔体及设置于腔体内的准直器；准直器包括固定部及活动部，固定部及活动部均呈环状，其上均设置有多个沿腔体轴向延伸的开口，固定部与腔体连接，活动部可移动地嵌套于固定部内，并且活动部能在固定部的轴向上选择性定位，以调节活动部的顶面与固定部的顶面之间的距离。本申请实施例实现了在靶材的任意寿命周期内，晶圆上沉积薄膜的均匀性均满足工艺需求，从而大幅提高了半导体工艺设备的正常运行时间，进而降低了应用成本。

Description

半导体工艺设备及其工艺腔室

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备及其工艺腔室。

背景技术

目前，集成电路芯片制备的后道工序中，物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)技术中的磁控溅射工艺是使用最广泛的技术之一。随着芯片的特征尺寸越来越小，互连线中的后段互连电阻电容(Resistor Capacitor，简称RC)延迟与电迁移引起的可靠性问题成为影响集成电路速度的主要问题。基于这两个原因，铜逐渐替代铝成为金属互连中的主流技术。由于铜很难刻蚀，因此铜互连技术中大量使用双嵌入式工艺，又称双大马士革工艺(Dual Damascene)，简而言之就是在晶圆上通过光刻技术形成沟槽与通孔，然后在通孔中通过PVD沉积上氮化钽或钽(TaN/Ta)材质的阻挡层(Barrier Layer)和铜籽晶层(Seed Layer)，然后通过电镀将沟槽与通孔填满。

现有技术中的半导体工艺设备为了改进晶圆的均匀性以及沟槽与通孔的台阶覆盖率，需要保证磁控溅射过程中粒子以接近垂直的方向入射晶圆，因此在腔室中设置了准直器，准直器距离靶材较近，可以滤掉角度较大的粒子，使角度较小或者平行于准直器的粒子通过准直器，沉积到晶圆表面。但是现有的准直器在靶材寿命周期的初期能保证晶圆的均匀性，但随着靶材的消耗准直器表面会沉积上很多金属，而且是中部区域沉积的厚度要多于边缘区域，由于中部区域沉积过多的金属，从而导致中部区域过滤和阻挡掉更多的粒子，使晶圆中部区域的厚度偏薄，当靶材消耗至寿命周期的二分之一时，现有的准直器已经不能满足晶圆均匀性的要求。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺设备及其工艺腔室，用以解决现有技术中存在的靶材寿命周期内不能满足晶圆均匀性的要求的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括：腔体及设置于所述腔体内的准直器；所述准直器包括固定部及活动部，所述固定部及所述活动部均呈环状，其上均设置有多个沿所述腔体轴向延伸的开口，所述固定部与所述腔体连接，所述活动部可移动地嵌套于所述固定部内，并且所述活动部能在所述固定部的轴向上选择性定位，以调节所述活动部的顶面与所述固定部的顶面之间的距离。

于本申请的一实施例中，所述活动部包括第一活动部及第二活动部，所述第一活动部可移动地嵌套于所述固定部内，并且所述第一活动部能在所述固定部的轴向上选择性定位，所述第二活动部可移动地嵌套于所述第一活动部内，并且所述第二活动部能在所述第一活动部的轴向上选择性定位。

于本申请的一实施例中，所述固定部及所述第一活动部及所述第二活动部均包括内周壁、外周壁及多个侧板，所述内周壁及所述外周壁嵌套设置，多个所述侧板沿径向均匀地设置于所述内周壁及所述外周壁之间，用于与所述内周壁及外周壁合围形成多个所述开口。

于本申请的一实施例中，所述固定部的内周壁与所述第一活动部的外周壁之间具有多个第一定位结构，多个所述第一定位结构沿所述第一活动部轴向均匀分布；所述第一活动部的内周壁与所述第二活动部的外周壁之间具有多个第二定位结构，多个所述第二定位结构沿所述第二活动部的轴向均匀分布。

于本申请的一实施例中，所述第一定位结构包括第一定位孔、第二定位孔及第一定位件，所述固定部的内周壁上沿轴向均匀设置有多个所述第一定位孔，对应于所述第一定位孔，所述第一活动部的外周壁上沿轴向均匀设置有多个所述第二定位孔；所述第一定位件穿设于所述第一定位孔及所述第二定位孔内，将所述第一活动部定位于所述固定部上。

于本申请的一实施例中，所述第二定位结构包括第三定位孔、第四定位孔及第二定位件，所述第一活动部的内周壁上沿轴向均匀设置有多个所述第三定位孔，对应于所述第三定位孔，所述第二活动部的外周壁上沿轴向均匀设置有多个所述第四定位孔；所述第二定位件穿设于所述第三定位孔及所述第四定位孔内，将所述第二活动部定位于所述第一活动部上。

于本申请的一实施例中，所述第一定位件及所述第二定位件均包括本体及定位销，所述定位销间隔设置在所述本体上，所述第一定位件的两个所述定位销的轴间距与任意两个相邻的所述第一定位孔的轴间距相同，所述第二定位件的两个所述定位销的轴间距与任意两个相邻的所述第三定位孔的轴间距相同。

于本申请的一实施例中，所述第一活动部的顶面与所述固定部的顶面之间的距离为3～15毫米，所述第二活动部的顶面与所述固定部的顶面之间的距离为5～20毫米。

于本申请的一实施例中，所述固定部、所述第一活动部及所述第二活动部均呈圆环状，所述第一活动部半径的数值范围为152～155毫米，所述第二活动部半径的数值范围为76～80毫米。

第二个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括如第一个方面提供的工艺腔室。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例通过活动部相对于固定部轴向上位置的变化，使得活动部沉积金属的厚度始终低固定部的顶面，以保证较多的粒子沉积到晶圆的中部区域，使得晶圆中部区域的厚度不会随着靶材的消耗而变薄，从而保证在靶材的寿命周期内晶圆均匀性的变化均能满足工艺需求。另外，由于在靶材的任意寿命周期内，晶圆上沉积薄膜的均匀性均满足工艺需求，从而大幅提高了半导体工艺设备的正常运行时间，进而降低了应用成本。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种工艺腔室的剖视示意图；

图2为本申请实施例提供的一种准直器的俯视示意图；

图3为本申请实施例提供的一种准直器的局部剖视状态的立体示意图；

图4为本申请实施例提供的一种准直器的局部剖视示意图；

图5为本申请实施例提供的一种准直器分解状态示意图；

图6为本申请实施例提供的一种准直器剖视状态的立体示意图；

图7为本申请实施例提供的另一种准直器剖视示意图；

图8为本申请实施例提供的一种第一定位件及第二定位件的侧视示意图；

图9为本申请实施例提供的工艺腔室内的晶圆均匀性变化示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的工艺腔室，该工艺腔室的结构示意图如图1至图5所示，包括：腔体1及设置于腔体1内的准直器2；准直器2包括固定部21及活动部22，固定部21及活动部22均呈环状，其上均设置有多个沿腔体1轴向延伸的开口，固定部21与腔体1连接，活动部22可移动地嵌套于固定部21内，并且活动部22能在固定部21的轴向上选择性定位，以调节活动部22的顶面与固定部21的顶面之间的距离。

如图1至图5所示，半导体工艺设备的工艺腔室可以应用于物理气相沉积或者化学气相沉积，本申请实施例将以磁控溅射设备的工艺腔室进行举例说明，其中溅射的是金属材料，例如该金属材料可以是铜、钽、钛、铝等材料，但本申请实施例并不以此为限。腔体1的顶部设置有磁控管11及靶材12等部件，底部设置有用于承载晶圆100的基座13，准直器2设置于靶材12和基座13之间。准直器2具体可以是金属材质，准直器2整体可以沿水平方向延伸布置于腔体1内，并且靠近腔体1的顶部设置。固定部21的外缘可以与腔体1的内衬连接，活动部22可移动地嵌套于固定部21内，活动部22能在固定部21的轴向上移动并且定位，从而调整活动部22的顶面与固定部21的顶面之间的距离。固定部21及活动部22上均设置有多个沿腔体1轴向延伸的开口23，即沿垂直方向延伸的开口23，在执行磁控溅射工艺时实现对大角度的粒子进行过滤。在实际应用中，随着靶材12寿命周期的消耗，可以通过调整活动部22在固定部21轴向上的位置，以使得活动部22的顶面与固定部21的顶面之间的距离变大，即使活动部22的顶面低于固定部21的顶面，从而避免由于活动部22上沉积金属较多而造成晶圆100中部区域厚度不均匀的情况发生。

本申请实施例通过活动部相对于固定部轴向上位置的变化，使得活动部沉积金属的厚度始终低固定部的顶面，以保证较多的粒子沉积到晶圆的中部区域，使得晶圆中部区域的厚度不会随着靶材的消耗而变薄，从而保证在靶材的寿命周期内晶圆均匀性的变化均能满足工艺需求。另外，由于在靶材的任意寿命周期内，晶圆上沉积薄膜的均匀性均满足工艺需求，从而大幅提高了半导体工艺设备的正常运行时间，进而降低了应用成本。

于本申请的一实施例中，如图1至图5所示，活动部22包括第一活动部24及第二活动部25，第一活动部24可移动地嵌套于固定部21内，并且第一活动部24能在固定部21的轴向上选择性定位，第二活动部25可移动地嵌套于第一活动部24内，并且第二活动部25能在第一活动部24的轴向上选择性定位。

如图1至图5所示，活动部22具体可以包括第一活动部24及第二活动部25。第一活动部24可移动地嵌套于固定部21内，而第二活动部25可移动地嵌套于第一活动部24内。当第一活动部24定位于固定部21内时，第二活动部25可以在第一活动部24轴向上移动并定位，或者第一活动部24及第二活动部25可以同时在固定部21的轴向上移动并定位，因此本申请实施例并不以此为限。采用上述设计，由于设置有两个活动部，使得本申请实施例的调节更加灵活，从而更好的适用于靶材12寿命周期的各阶段，并且还能适用于不同规格的晶圆，进而大幅提高晶圆沉积薄膜的均匀性。

需要说明的是，本申请实施例并不限定活动部22的具体数量，例如活动部22的数量可以为两个以上。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请一实施例中，如图1至图5所示，固定部21及第一活动部24及第二活动部25均包括内周壁31、外周壁32及多个侧板33，内周壁31及外周壁32嵌套设置，多个侧板33沿径向均匀地设置于内周壁31及外周壁32之间，用于与内周壁31及外周壁32合围形成多个开口23。

如图1至图5所示，内周壁31及外周壁32均可以为采用金属材质制成的环形结构，内周壁31嵌套于外周壁32内侧，并且两者之间具有间距。侧板33采用金属材质制成的板状结构，多个侧板33沿径向均匀地设置于内周壁31与外周壁32之间的间距内，并且与两者采用焊接方式固定连接。多个侧板33与内周壁31和外周壁32共同合围形成多个开口23。采用上述设计，使得本申请实施结构简单，可以有效降低应用及维护成本。但是本申请实施例并不以此为限，例如固定部21、第一活动部24及第二活动部25还可以采用一体成形的方式制成。因此本申请实施例对此并不限定，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图5至图7所示，固定部21的内周壁31与第一活动部24的外周壁32之间具有多个第一定位结构4，多个第一定位结构4沿第一活动部24轴向均匀分布；第一活动部24的内周壁31与第二活动部25的外周壁32之间具有多个第二定位结构5，多个第二定位结构5沿第二活动部25的轴向均匀分布。具体来说，固定部21的内周壁31与第一活动部24的外周壁32贴合设置，多个第一定位结构4可以沿第一活动部24的轴向均匀分布，以使得第一活动部24可以在固定部21的轴向上选择性定位。第一活动部24的内周壁31与第二活动部25的外周壁32贴合设置，多个第二定位结构5可以沿第二活动部25的轴向均匀分布，以使得第二活动部25可以在第一活动部24的轴向上选择性定位。采用上述设计，由于固定部21、第一活动部24及第二活动部25采用两两定位的方式进行定位，使得第一活动部24及第二活动部25的调节过程较为简单快捷，从而大幅提高工作效率。可选地，多个第一定位结构4具体可以设置四组，四组第一定位结构4可以沿第一活动部24的圆周方向上均匀分布；多个第二定位结构5具体可以设置四组，四组第二定位结构5可以沿第二活动部25的圆周方向上均匀分布。采用上述设计，由于设置有多组第一定位结构4及第二定位结构5，使得各部件之间定位更加稳定，避免第一活动部24及第二活动部25发生倾斜。但是本申请实施例并不以此为限，多个第一定位结构4及多个第二定位结构5均可以设置一组或者一组以上。

需要说明的是，本申请实施例并不限定第一定位结构4及第二定位结构5是否相同，两者可以采用相同结构或者不同结构。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图5至图7所示，第一定位结构4包括第一定位孔41、第二定位孔43及第一定位件42，固定部21的内周壁31上沿轴向均匀设置有多个第一定位孔41，对应于第一定位孔41，第一活动部24的外周壁32上沿轴向均匀设置有多个第二定位孔43；第一定位件42穿设于第一定位孔41及第二定位孔43内，将第一活动部24定位于固定部21上。

如图5至图7所示，固定部21的内周壁31上开设有多个第一定位孔41，并且多个第一定位孔41沿固定部21的轴向均匀排布。第一活动部24的外周壁32上对应位置开设有多个沿轴向排布的第二定位孔43。第一定位件42依次穿过固定部21上的第一定位孔41以及第一活动部24上的第二定位孔42内，从而将第一活动部24定位于固定部21上。当需要调节第一活动部24的位置时，只需将第一定位件42取下，然后通将第一活动部24相对于固定部21升降至预设位置，最后将第一定位件42依次穿设于第一定位孔41及第二定位孔43内即可。可选地，第一定位孔41及第二定位孔43的孔径介于2至10毫米之间，但是本申请实施例并不以此为限。采用上述设计，使得本申请实施例结构简单，从而大幅降低应用及维护成本。

于本申请的一实施例中，如图5至图7所示，第二定位结构5包括第三定位孔51、第四定位孔53及第二定位件52，第一活动部24的内周壁31上沿轴向均匀设置有多个第三定位孔51，对应于第三定位孔51，第二活动部25的外周壁32上对应设置有多个第四定位孔53；第二定位件52依次穿设于第三定位孔51及第四定位孔53内，用于将第二活动部25定位于第一活动部24上。具体来说，第二定位结构5与第一定位结构4基本相同，不同之处仅在于两者的设置位置不同，因此不再赘述。需要说明的是，本申请实施并不限定第一定位结构4及第二定位结构5具体实施方式，例如两者均采用弹簧柱塞与定位孔配合的结构进行定位。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图6及图8所示，第一定位件42及第二定位件52均包括本体61及定位销62，定位销62间隔设置在本体61上，第一定位件42的两个定位销62的轴间距与任意两个相邻的第一定位孔41的轴间距相同，第二定位件52的两个定位销62的轴间距与任意两个相邻的第三定位孔51的轴间距相同。具体来说，本体61具体可以采用金属材质制成的板状结构，本体61的两端一体成型有两个圆柱形定位销62。第一定位件42的两个定位销62的轴间距与任意两个相邻的第一定位孔41的轴间距相同；第二定位件52的两个定位销62与任意两个相邻的第三定位孔51的轴间距相同。采用上述设计，不仅便于第一定位件42及第二定位件52的拆装，而且能大幅降低加工制造难度。另外，由于采用两个定位销62的结构，可以确保任意两相邻的内周壁31及外周壁32在轴向上保持垂直状态，以避免准直器2的开口23发生倾斜而造成大角度粒子穿过开口23。需要说明的是，本申请实施例并不限定位销62与本体61的连接方式，例如两者还可以采用螺接或者卡接等方式。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1至5所示，固定部21、第一活动部24及第二活动部25均与腔体1同轴设置，多个开口23以固定部21、第一活动部24及第二活动部25的轴心呈环形辐射分布。具体来说，固定部21、第一活动部24及第二活动部25在垂直方向上均与腔体1同轴设置，开口23与腔体1在垂直方向上同样采用同轴设置，采用该设计，使得本申请实施例可以确保将大角度的粒子过滤掉，从而可以有效提高本申请实施例的过滤效果，进而提高晶圆沉积薄膜的均匀性。而多个开口23可以在水平方向上，以固定部21、第一活动部24及第二活动部25的轴心为中心点呈环状辐射分布。采用该设计，可以确保粒子均匀的穿过多个开口23，以保证晶圆各处接收到的粒子较为均匀，从而可以提高晶圆沉积薄膜的均匀性。需要说明的是，本申请实施例并不以此为限，开口23也可以采用其它方式进行排布，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1、图3至图4所示，第一活动部24的顶面与固定部21的顶面之间的距离为3～15毫米，第二活动部25的顶面与固定部21的顶面之间的距离为5～20毫米。具体来说，通过对现有技术中的准直器2进行测量，在整个靶材12的寿命周期完成后，准直器2的中部区域沉积金属的厚度能达到5～7毫米；而边缘区域沉积的金属的厚度能达到2～3毫米；中部区域与边缘区域之间的区域沉积金属的厚度能达到3～5毫米。基于上述测量结果，可以将第二活动部25的顶面与固定部21的顶面之间的距离设置为5～20毫米；将第一活动部24的顶面与固定部21的顶面之间的距离设置为3～15毫米；由于固定部21位于晶圆100边缘的外部区域，其并不会对晶圆100均匀性造成影响，因此可将固定部21固定设置于腔体1内。由于本申请实施例设置的距离远大于现有技术中准直器2上沉积金属的厚度，因此能避免由于靶材12的寿命周期后期对晶圆的均匀性产生影响，从而大幅提高晶圆的均匀性。另外，设置较大的数值范围使得本申请实施例适用于多种类型的靶材，从而大幅提高适用范围及适用性。需要说明的是，本申请实施例并不限定上述具体数值，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图2及图5所示，固定部21、第一活动部24及第二活动部25均呈圆环状，第一活动部24半径的数值范围为152～155毫米，第二活动部25半径的数值范围为76～80毫米。具体来说，当晶圆的半径为300毫米时，根据晶圆的半径对固定部21、第一活动部24及第二活动部25的半径进行相应设置。固定部21的半径可以为216.5毫米，但是本申请实施例并不以此为限，固定部21的半径可以与腔体1(或者说其中的内衬)尺寸对应设置即可。第一活动部24的半径为152～155毫米，第二活动部25的半径为76～80毫米。上述各部件的半径具体可以是各部件内径，即各部件的外周壁32内侧至圆心之间的距离。采用上述设计，通过对各部件的半径进行限定，使得第二活动部25对应于晶圆的中部区域，而第一活动部24则对应于晶圆的边缘区域，从而解决晶圆的中部区域随着靶材12寿命周期的消耗而产生均匀性不佳的问题。需要说明的是，本申请实施例并不限定上述各部件的具体尺寸，本领域技术人员可以根据腔体1及晶圆的规格对上述具体尺寸进行调整。

为了进一步说明本申请实施例的技术效果，以下结合一具体实施方式进行说明。具体来说，结合参照图1至7所示，将晶圆100传送至腔体1内的基座13上，然后以分体式铜靶材12为例，并且晶圆均匀性要求小于4.5％。根据上述要求对晶圆执行磁控溅射工艺，待工艺完成后对晶圆进行检测，检测结果具体参照如图9所示。图9为本申请实施例提供的工艺腔室内的晶圆均匀性变化示意图，其中靶材寿命(KWH)表示靶材12的使用寿命，RSU表示晶圆的均匀性，LCL表示晶圆均匀性要求的下限值，UCL表示晶圆均匀性要求的上限值，超过UCL值就表示晶圆的均匀性不达标。通过检测结果可知，本申请实施例提供的工艺腔室可以保证整个靶材12的寿命周期内，通过调整活动部22的位置，使得活动部22的顶面始终低于固定部21的顶面，保证较多的粒子沉积到晶圆的中部区域，使得晶圆中部区域的厚度不会随着靶材12的消耗而变薄，从而保证在整个靶材12的寿命周期内晶圆100均匀性的变化均能满足工艺需求。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括如上述各实施例提供的工艺腔室。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例通过活动部相对于固定部轴向上位置的变化，使得活动部沉积金属的厚度始终低固定部的顶面，以保证较多的粒子沉积到晶圆的中部区域，使得晶圆中部区域的厚度不会随着靶材的消耗而变薄，从而保证在靶材的寿命周期内晶圆均匀性的变化均能满足工艺需求。另外，由于在靶材的任意寿命周期内，晶圆上沉积薄膜的均匀性均满足工艺需求，从而大幅提高了半导体工艺设备的正常运行时间，进而降低了应用成本。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，包括腔体及设置于所述腔体内的准直器；

所述准直器包括固定部及活动部，所述固定部及所述活动部均呈环状，其上均设置有多个沿所述腔体轴向延伸的开口，所述固定部与所述腔体连接，所述活动部可移动地嵌套于所述固定部内，并且所述活动部能在所述固定部的轴向上选择性定位，以调节所述活动部的顶面与所述固定部的顶面之间的距离。

2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述活动部包括第一活动部及第二活动部，所述第一活动部可移动地嵌套于所述固定部内，并且所述第一活动部能在所述固定部的轴向上选择性定位，所述第二活动部可移动地嵌套于所述第一活动部内，并且所述第二活动部能在所述第一活动部的轴向上选择性定位。

3.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述固定部及所述第一活动部及所述第二活动部均包括内周壁、外周壁及多个侧板，所述内周壁及所述外周壁嵌套设置，多个所述侧板沿径向均匀地设置于所述内周壁及所述外周壁之间，用于与所述内周壁及外周壁合围形成多个所述开口。

4.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述固定部的内周壁与所述第一活动部的外周壁之间具有多个第一定位结构，多个所述第一定位结构沿所述第一活动部轴向均匀分布；所述第一活动部的内周壁与所述第二活动部的外周壁之间具有多个第二定位结构，多个所述第二定位结构沿所述第二活动部的轴向均匀分布。

5.如权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一定位结构包括第一定位孔、第二定位孔及第一定位件，所述固定部的内周壁上沿轴向均匀设置有多个所述第一定位孔，对应于所述第一定位孔，所述第一活动部的外周壁上沿轴向均匀设置有多个所述第二定位孔；所述第一定位件穿设于所述第一定位孔及所述第二定位孔内，将所述第一活动部定位于所述固定部上。

6.如权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二定位结构包括第三定位孔、第四定位孔及第二定位件，所述第一活动部的内周壁上沿轴向均匀设置有多个所述第三定位孔，对应于所述第三定位孔，所述第二活动部的外周壁上沿轴向均匀设置有多个所述第四定位孔；所述第二定位件穿设于所述第三定位孔及所述第四定位孔内，将所述第二活动部定位于所述第一活动部上。

7.如权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一定位件及所述第二定位件均包括本体及定位销，所述定位销间隔设置在所述本体上，所述第一定位件的两个所述定位销的轴间距与任意两个相邻的所述第一定位孔的轴间距相同，所述第二定位件的两个所述定位销的轴间距与任意两个相邻的所述第三定位孔的轴间距相同。

8.如权利要求2-7任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一活动部的顶面与所述固定部的顶面之间的距离为3～15毫米，所述第二活动部的顶面与所述固定部的顶面之间的距离为5～20毫米。

9.如权利要求2-7任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述固定部、所述第一活动部及所述第二活动部均呈圆环状，所述第一活动部半径的数值范围为152～155毫米，所述第二活动部半径的数值范围为76～80毫米。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括如权利要求1至9的任意一项所述的工艺腔室。

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