TWI616553B - 自行定心處理屏蔽 - Google Patents

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Abstract

一種處理屏蔽，該處理屏蔽可包括伸長環形主體，該伸長環形主體具有外表面及內表面；唇，該唇自該主體之外表面(位於該主體之第一端附近)向外徑向延伸，使得該主體之第一部分向該第一端延伸超過該唇；複數個開口，該等複數個開口位於唇中；以及銷，該銷安置於該等複數個開口之每一者中，以在蓋置放於該處理屏蔽之頂部上時，使靶組件對準於該處理屏蔽之頂部上，其中該銷包含：伸長主體，該伸長主體具有：第一表面，該第一表面具有斜的周緣，其中該第一表面具有第一直徑；第二表面，該第二表面與第一表面相對，其中該第二表面具有第二直徑；及側壁，該側壁位於該第一表面與該第二表面之間，其中該側壁具有凹面部分，該凹面部分具有第三直徑。

Description

自行定心處理屏蔽
本發明之實施例一般而言係關於物理氣相沉積處理設備。
在當前的物理氣相沉積(PVD)腔室中，處理屏蔽通常安裝至PVD腔室之主體，與靶分離。該靶通常安裝於PVD腔室之可移動蓋上，且隨後下降至該腔室主體之上用於處理。然而，本發明人已發現，該配置可不理想地導致處理屏蔽不精確地對準該靶。本發明人已發現，當施加至該靶之射頻(RF)能量的頻率增加時，對於控制任何電漿不規則及電弧事件(該等事件可負面地影響PVD腔室內之沉積品質)，該靶與該屏蔽之間之對準變得更加重要。當前的PVD腔室使用與該靶及該處理屏蔽分離之特徵結構，以對準該兩個元件。然而，本發明人已注意到，該等特徵結構不能充分對準該靶及該處理屏蔽。
因此，本發明人已提供用於PVD處理之改良裝置。
本文提供用於物理氣相沉積之方法及裝置。在一些 實施例中，用於具有腔室蓋(該腔室蓋包含耦接至該腔室蓋之靶)之基板處理腔室中的處理屏蔽包括：伸長環形主體，該伸長環形主體具有外表面及內表面，該內表面界定該主體之中央開口；唇，該唇自該主體之外表面(該主體之第一端附近之外表面)向外徑向延伸，使得該主體之第一部分向該第一端延伸超過該唇；複數個開口，該等複數個開口位於唇中；以及銷，該銷安置於該等複數個開口之每一者中，以在蓋置放於該處理屏蔽之頂部上時使靶對準於該處理屏蔽之頂部上，其中該銷包含：伸長主體，該伸長主體具有：第一表面，該第一表面具有斜的周緣，其中該第一表面具有第一直徑；第二表面，該第二表面與第一表面相對，其中該第二表面具有第二直徑；及側壁，該側壁位於該第一表面與該第二表面之間，其中該側壁具有凹面部分，該凹面部分具有第三直徑。
在一些實施例中，本文提供處理屏蔽，該處理屏蔽用於在基板處理腔室中使用，該處理腔室具有腔室蓋，該腔室蓋包含耦接至該腔室蓋之靶。該處理屏蔽包含伸長環形主體，該伸長環形主體具有外表面及內表面，該內表面界定該主體之中央開口；唇，該唇自該主體之外表面(位於該主體之第一端附近之外表面)向外徑向延伸，使得該主體之第一部分向該第一端延伸超過該唇；三個開口，該三個開口位於唇中；以及銷，該銷安置於該三開口之每一者中，以在蓋置放於該處理屏蔽之頂部時，使靶對準於該處理屏蔽之頂部上，其中各銷包含：伸長主體，該伸長主體具有：第一表面， 該第一表面具有第一直徑與斜的周緣；第二表面，該第二表面與第一表面相對，且具有第二直徑；以及側壁，該側壁安置於該第一表面與該第二表面之間，其中該側壁具有凹面部分，該凹面部分具有第三直徑；其中該三個銷嚙合該靶，以使該靶之外緣對準為與該主體之內表面相距一第一距離。
在一些實施例中，基板處理腔室包括：腔室主體；腔室蓋，該腔室蓋安置於該腔室主體之頂部，其中該腔室蓋包含旋轉軸，該旋轉軸經設置以將該腔室蓋旋轉至該腔室主體之上；靶組件，該靶組件安置於該腔室蓋之內，其中該靶組件包含耦接至背板之靶材料；以及處理屏蔽，該處理屏蔽安置於該腔室主體之內，且位於該靶組件之下，該處理屏蔽包含：伸長環形主體，該伸長環形主體具有外表面及及內表面，該內表面界定該主體之中央開口；唇，該唇自該主體之外表面(該主體之第一端附近之外表面)向外徑向延伸，使得該主體之第一部分向該第一端延伸超過該唇；複數個開口，該等複數個開口位於該唇中；以及銷，該銷安置於該等複數個開口之每一者中，以在該蓋置放於該處理屏蔽之頂部時，使靶組件對準於該處理屏蔽之頂部，其中該銷包含：伸長主體，該伸長主體具有第一表面，該第一表面具有斜的周緣，其中該第一表面具有第一直徑；第二表面，該第二表面與該第一表面相對，其中該第二表面具有第二直徑；及側壁，該側壁位於該第一表面與該第二表面之間，其中該側壁具有凹面部分，該凹面部分具有第三直徑。
以下將描述本發明之其他及另外的實施例。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧基板支撐底座
104‧‧‧基板
106‧‧‧靶材料
108‧‧‧殼壁
110‧‧‧饋送結構
112‧‧‧主體
114‧‧‧第一端
115‧‧‧中央開口
116‧‧‧第二端
118‧‧‧RF電源
120‧‧‧DC電源
122‧‧‧源分佈板材
124‧‧‧孔
125‧‧‧導電構件
126‧‧‧第一端
128‧‧‧面向靶之表面
130‧‧‧第二端
132‧‧‧面向源分配板之表面
134‧‧‧腔室蓋
136‧‧‧腔室主體
138‧‧‧靶組件
139‧‧‧絕緣縫隙
140‧‧‧接地屏蔽
142‧‧‧腔室配接器
146‧‧‧靶背板
150‧‧‧處理屏蔽
156‧‧‧唇
162‧‧‧銷
176‧‧‧第一支撐構件
186‧‧‧蓋環
188‧‧‧內部分
200‧‧‧緊固件開口
202‧‧‧第一部分
204‧‧‧開口
206‧‧‧第一端
208‧‧‧伸長環形主體
210‧‧‧外表面
212‧‧‧內表面
214‧‧‧中央開口
216‧‧‧銷
300‧‧‧伸長主體
302‧‧‧第一表面
304‧‧‧周緣
306‧‧‧第二表面
308‧‧‧側壁
310‧‧‧凹面部分
314‧‧‧第一直徑
316‧‧‧第二直徑
318‧‧‧第三直徑
400‧‧‧槽
600‧‧‧第一距離
602‧‧‧上表面
藉由參考附圖中描繪之本發明之說明性實施例，可瞭解以上簡短概括及以下更詳細論述之本發明之實施例。然而應注意，附圖僅圖示本發明之典型實施例，且因為本發明可承認其他同等有效之實施例，所以該等圖式並不欲視為本發明之範疇的限制。
第1圖圖示根據本發明之一些實施例之處理腔室的橫截面示意圖。
第2圖圖示根據本發明之一些實施例之處理屏蔽的示意圖。
第3圖圖示根據本發明之一些實施例之銷及周圍結構的示意圖。
第4A圖到第4B圖圖示根據本發明之一些實施例位於第一位置中的處理屏蔽及周圍結構之剖視圖。
第5A圖到第5B圖圖示根據本發明之一些實施例位於第二位置中的處理屏蔽及周圍結構之剖視圖。
第6A圖到第6B圖圖示根據本發明之一些實施例位於第三位置中的處理屏蔽及周圍結構之剖視圖。
為便於瞭解，相同元件符號儘可能用於指定諸圖共有之相同元件。該等圖式並未按比例描繪，且為達清晰可能簡化該等圖式。可設想，一個實施例中的元件及特徵可有利地併入其它實施例，而無需進一步敘述。
本文提供用於改良之物理氣相沉積處理設備的方法 及裝置。本發明提供改良之處理屏蔽設計，該等設計可與一些特高頻RF頻率及/或用於PVD腔室或其他電漿增強基板處理系統中濺射沉積之源材料一起使用。本發明之處理屏蔽的實施例可有利地減少或防止靶材料與處理屏蔽之間的電弧作用，且藉由提供該處理屏蔽與該靶材料之間改良之對準，改良晶圓沉積對稱性。如本文所使用，術語對準(align/alignment)代表該靶材料之外緣與該處理屏蔽主體之內表面的同心置放，該靶材料之外緣與該處理屏蔽主體之內表面(該處理屏蔽一端附近之內表面)相距一第一距離。
第1圖圖示根據本發明之一些實施例之物理氣相沈積腔室，或處理腔室100之橫截面示意圖。適當的PVD腔室之實例包括ENDURA® PVD處理腔室，該PVD處理腔室可購自加利福尼亞州聖克拉拉市應用材料公司。來自應用材料公司或其他製造商之其他處理腔室亦可受益於本文所揭示之發明設備。
在一些實施例中，處理腔室100具有腔室蓋134，腔室蓋134安置於腔室主體136之頂部。在一些實施例中，腔室蓋134可從腔室主體136之頂部旋轉地(例如圍繞水平軸旋轉)打開，例如以安裝或置換靶，或用於在處理腔室100上執行維護。在一些實施例中，腔室蓋134可圍繞水平旋轉軸移動，以至少從如第1圖所示之關閉位置移動至打開位置。腔室蓋134圍繞該關閉位置與該打開位置之間的旋轉軸呈弧形移動。
在一些實施例中，腔室蓋134包括靶組件138。在 一些實施例中，靶組件138包含靶材料106及靶背板146。靶材料106包含在濺射期間待沉積於基板104之上的材料，諸如金屬或金屬氧化物。在一些實施例中，背板146可包含導電材料(諸如銅鋅合金、銅鉻合金或與靶同樣之材料)，使得RF及DC電源可經由背板146耦接至靶材料106。或者，背板146可為非導電的，且可包括導電元件(未圖示)，諸如饋電引線或類似元件。
處理腔室100進一步包含處理屏蔽150，處理屏蔽150安置於腔室主體136之內且位於靶組件138之下。處理屏蔽150防止濺射之靶材料沉積於上腔室配接器142之側壁上。如第1圖所示，藉由停置於第一支撐構件176之頂部的唇156，將處理屏蔽150支撐於腔室主體136之內。在一些實施例中，第一支撐構件可為上腔室配接器142之突出部分。如以下相對於第2圖到第6B圖詳細描述，處理屏蔽包含複數個銷162，該等複數個銷162經設置以在腔室蓋位於第1圖圖示之關閉位置時，偏移整個靶組件138至對準處理屏蔽150之頂部。
第2圖圖示根據本發明之一些實施例之處理屏蔽150的示意圖。處理屏蔽150包含伸長環形主體208，伸長環形主體208具有外表面210及內表面212，內表面212界定伸長環形主體208之中央開口214。在一些實施例中，伸長環形主體208由介電材料(諸如陶瓷)組成。藉由提供介電伸長環形主體208，可能避免或最小化伸長環形主體208與鄰近的RF熱元件之間的電弧作用。中央開口214具有比靶材料106 之直徑大足夠量之直徑，以防止如上論述之電弧作用。
唇156自伸長環形主體208之外表面210(位於伸長環形主體208之第一端206附近)向外徑向延伸，使得伸長環形主體208之第一部分202向第一端206延伸超過唇156。在一些實施例中，如第1圖所示，在腔室主體136內，唇156在第一支撐構件176之頂部上支撐處理屏蔽150。在一些實施例中，處理屏蔽150藉由複數個緊固件(諸如螺釘或類似緊固件)耦接至第一支撐構件176，該等複數個緊固件經安置穿過複數個緊固件開口200，該等複數個緊固件開口200經安置穿過唇156。
如以下相對於第5B圖描述，伸長環形主體208之第一部分202自中央開口214傾斜，以在腔室蓋134在腔室主體136之頂部關閉時，有利地防止靶材料106接觸處理屏蔽150之第一部分202。
返回至第2圖，唇156包含複數個開口204。銷216安置於開口204之每一者中。在一些實施例中，銷216為陶瓷的(例如氧化鋁)，以使RF熱靶組件138與接地處理屏蔽150電絕緣。將銷216壓入配合至開口204中且無法將銷216從該等開口中移除。在一些實施例中，銷216及屏蔽可經熱控制，以在室溫下易於組裝及改良配合及將銷216保持在屏蔽之開口204中。如以下相對於第6B圖論述，當腔室蓋134旋轉至關閉位置中時，銷216偏移整個靶組件138至對準處理屏蔽之頂部，以使得靶材料106之外緣有利地安置為與伸長環形主體208之內表面212(位於第一端206附近)相距第 一距離600，以便減少電弧作用且增強沉積製程之均勻性。視製程條件(諸如腔室壓力、使用之RF頻率及類似條件)而定，第一距離600之大小可不同。
在一些實施例中，如第2圖所示，該等複數個開口204為三個開口204，其中各開口204具有安置於每一開口204中之銷216，但是在其他實施例中亦可提供其他數目之開口204(具有安置於各開口204中之銷216)。在具有三個銷之一些實施例中，第一銷及第二銷比第三銷更接近腔室蓋134之旋轉軸，進而允許在第三銷嚙合靶組件138之前，使第一銷、第二銷先嚙合靶組件138。第一銷及第二銷實質上同時嚙合靶組件138。當腔室蓋134下降至腔室主體136之頂部時，此舉有利地允許該兩個銷分擔腔室蓋134之重量。靶組件138與第一銷及第二銷之該初始嚙合之步驟開始對準靶組件138。在腔室蓋134在腔室主體136之頂部關閉之前，第三銷與靶組件之嚙合有利地提供了靶組件138之最終對準。如以下相對於第6B圖論述，靶組件138之最終對準使靶材料106之外緣對準為與伸長環形主體208之內表面212(位於第一端206附近)相距第一距離600。在具有三個銷216之一些實施例中，第一銷及第二銷可經配置使得第一銷及第二銷安置於與該蓋之水平旋轉軸平行的一條線上，且第三銷經安置與第一銷及第二銷距離相等。例如，在一些實施例中，第一銷之中心位於與第二銷之中心約成115度之位置，而第二銷之中心位於與第三銷之中心成約115度之位置。因此，第一銷之中心與第三銷之中心彼此定位成約130度。在具有三個銷之 一些實施例中，該等銷之中心可定位為彼此成大於或小於約115度。
如第3圖所示，銷216包含伸長主體300，伸長主體300具有：第一表面302，第一表面302具有斜的或彎曲的周緣304，其中第一表面302具有第一直徑314；第二表面306，第二表面306與第一表面302相對，其中該第二表面具有第二直徑316；及側壁308，側壁308位於第一表面302與第二表面306之間，其中側壁具有凹面部分310，凹面部分310具有第三直徑318。在一些實施例中，第一直徑314及第二直徑316實質相等，而第三直徑318小於第一直徑及第二直徑。如以下相對於第5A圖到第5B圖所述，當腔室蓋134在腔室主體136之頂部關閉時，銷216之形狀助於靶組件138滑動至銷216之上。
第4A圖圖示靶組件138與銷216之間嚙合之前的靶組件138、銷216及周圍結構。腔室蓋134位於部分關閉位置。銷216安置於處理屏蔽150之唇156中的開口204內。銷216可自唇156之開口204的底部以實質垂直的方向延伸。如上所述，銷216可經壓入配合至或者緊固於唇156之開口204中。
在一些實施例中，靶組件138可包含對準特徵結構，該等對準特徵結構與處理屏蔽150中之銷216介面連接，或配合至處理屏蔽150中之銷216中。在一些實施例中，如第4A圖所示，靶組件138之背板146可包含槽400，槽400經設置以嚙合銷216。背板146中槽400之數目與處理屏蔽 150中銷216之數目相等。背板146中槽400之置放鏡面對稱於處理屏蔽150中銷216之置放，以允許銷216嚙合槽400，且對準靶組件138與處理屏蔽150。舉例而言，在具有三個銷216之實施例中，其中第一銷之中心位於與第二銷之中心成約115度之位置，而第二銷之中心位於與第三銷之中心成約115度之位置；背板146將具有三個槽400，其中第一槽之中心位於與第二槽之中心成約115度之位置，第二槽之中心位於與第三槽之中心成約115度之位置。如第4B圖所示，在靶組件138與銷216嚙合之前，靶材料106安置於處理屏蔽150之上。
在具有三個槽及三個銷之一些實施例中，如上論述之槽的中心至中心位置及銷的中心至中心位置可彼此相距大於或小於115度。提供中心位於>115°之位置的槽及銷導致更垂直之元件(亦即，在蓋更垂直時該等銷與該等槽嚙合)，且因此導致更多的正面對背面未對準。提供中心位於<115°之位置的槽及銷導致較不垂直之元件(亦即在蓋較不垂直時該等銷與該等槽嚙合)，且因此導致較少的正面對背面未對準。然而，將需要更大的力量來克服O型環摩擦。儘管該等圖式中顯示三個槽及三個銷，亦可使用更多的銷及槽(亦即大於3個)，以提供更高的對準，第5A圖圖示靶組件138與銷216之一者(距離腔室蓋134之旋轉軸最近之一者)接觸時的靶組件138、銷216及周圍結構。在一些實施例中，如第5A圖所示，銷216之斜的周緣304接觸槽400之外緣。斜的周緣304有利地允許槽400沿著斜的周緣304向下滑，且滑至側壁308(側壁308在 唇156之頂表面上延伸)之一部分之上。如第5B圖所示，當銷216接觸槽400時，靶材料106進入位於第一端206附近的處理屏蔽150之中央開口214。如第5B圖所示，伸長環形主體208之第一部分202之內表面212自中央開口214傾斜，以在靶組件138旋轉至處理屏蔽150之上時，防止靶材料106接觸處理屏蔽150，且刮掉至處理屏蔽150之上。在一些實施例中，第一部分202之內表面212與中央開口214之斜度為約10度至約15度。
第6A圖圖示靶組件138與處理屏蔽150對準時之靶組件138、銷216及周圍結構。在一些實施例中，如第6A圖所示，包含第一表面302、斜的周緣304與側壁308之第一部分之銷216的第一部分嚙合於槽400內。銷216之第一表面302不接觸槽400之上表面602。如第6B圖所示，一旦銷216與靶組件138中之槽400完全嚙合，則靶材料106經有利地對準為與伸長環形主體208的內表面212(位於第一端206附近)相距第一距離600，以便防止或最小化靶材料106與處理屏蔽150之間的電弧作用，且增強沉積製程之均勻性。此外，一旦銷216與靶組件138中之槽400完全嚙合，僅有靶材料106(而非背板146)在第一距離600(亦稱為暗區)內，第一距離600為靶材料106之外緣與伸長環形主體208之內表面212(位於第一端206附近)之間的距離。背板146不在暗區內有利地避免背板材料之濺射。
返回至第1圖，在一些實施例中，饋送結構110將RF及DC能量(視需要)耦接至靶組件138。儘管以下描述 了特定之饋送結構110，亦可使用具有其他配置之其他饋送結構。在一些實施例中，饋送結構110可包括主體112，主體112具有第一端114，第一端114可耦接至RF電源118及DC電源120(視需要)，RF電源118及DC電源120可分別用於將RF能量及DC能量提供至靶組件138。饋送結構110之第二端116(與第一端114相對)耦接至腔室蓋134。在一些實施例中，主體112進一步包括中央開口115，中央開口115經安置從第一端114穿過主體112至第二端116。饋送結構110可由適當的導電材料製成，以傳導來自RF電源118及DC電源120之RF能量及DC能量。
在一些實施例中，腔室蓋134可進一步包括源分佈板材122，以經由導電構件125將經由饋送結構110施加之能量分佈至靶組件138的周緣。因而，在一些實施例中，主體112之第二端116可耦接至源分佈板材122。源分佈板材包括孔124，孔124經安置穿過源分佈板材122且與主體112之中央開口115對準。源分佈板材122可由適當的導電材料製成，以傳導來自饋送結構110之RF能量及DC能量。
導體構件125可為管狀構件，導體構件125之第一端126耦接至源分佈板材122之面向靶之表面128，第一端126位於源分佈板材122之周緣附近。導電構件125進一步包括第二端130，第二端130耦接至靶材料106之面向源分配板的表面132(或耦接至靶材料106之背板146)，第二端130位於靶材料106之周緣附近。
可提供接地屏蔽140以覆蓋腔室蓋134之外表面。 舉例而言，接地屏蔽140可例如經由腔室主體136之接地連接而耦接至地面。在一些實施例中，接地屏蔽140可具有中央開口，以允許饋送結構110通過接地屏蔽140，從而耦接至源分佈板材122。接地屏蔽140可包含任何適當的導電材料，諸如鋁、銅或類似材料。在接地屏蔽140與源分佈板材122之外表面、導電構件125及靶材料106(及/或背板146)之間提供絕緣縫隙139，以防止將RF能量及DC能量直接導引至地面。該絕緣縫隙可充滿空氣或其他一些適當的介電材料(諸如陶瓷、塑膠或類似材料)。
腔室主體136含有基板支撐底座102用於將基板104接收於基板支撐底座102之上。基板支撐底座102可位於接地殼壁108內，接地殼壁108可為腔室壁(如圖所示)或接地屏蔽。接地屏蔽140可覆蓋處理腔室100之位於靶材料106之上的至少一些部分。
處理屏蔽150沿上腔室配接器142之壁及殼壁108向下延伸至低於基板支撐底座102之頂表面以下，且向上折返直至到達基板支撐底座102之頂表面。當基板支撐底座102位於基板支撐底座102之下方加載位置時，蓋環186停置於處理屏蔽150之向上延伸之內部分188的頂部上，但是，當基板支撐底座102位於基板支撐底座102之上方沉積位置時，蓋環186停置於基板支撐底座102之外周上，以保護基板支撐底座102免受濺射沉積。
儘管前述內容係針對本發明之實施例，但在不脫離本發明之基本範疇的情況下，可設計本發明之其他及另外之 實施例。
150‧‧‧處理屏蔽
156‧‧‧唇
200‧‧‧緊固件開口
202‧‧‧第一部分
204‧‧‧開口
206‧‧‧第一端
208‧‧‧伸長環形主體
210‧‧‧外表面
212‧‧‧內表面
214‧‧‧中央開口
216‧‧‧銷

Claims (19)

  1. 一種用於在一基板處理腔室中使用之處理屏蔽，該基板處理腔室具有一腔室蓋，該腔室蓋包含耦接至該腔室蓋之一靶，該處理屏蔽包含：一伸長環形主體，該伸長環形主體具有一外表面及一內表面，該內表面界定該主體之一中央開口；一唇，該唇自該主體之一第一端附近的該主體之該外表面向外徑向延伸，以使得該主體之一第一部分向該第一端延伸超過該唇；複數個開口，該複數個開口位於該唇中；及一銷，該銷安置於該複數個開口之至少三個開口之每一者中且自該唇突出，以在該腔室蓋置放於該處理屏蔽之頂部上時，使該靶對準於該處理屏蔽之頂部上，其中一第一銷之一中心位於與一第二銷之一中心成約115度之一第一角度處，該第二銷之該中心位於與一第三銷之一中心成約115度之一第二角度處，及該第一銷之該中心位於與該第三銷之該中心成約130度之一第三角度處。
  2. 如請求項1所述之處理屏蔽，其中位於該第一端附近之該主體之該內表面圍繞該靶安置，且與該靶間隔一第一距離。
  3. 如請求項2所述之處理屏蔽，其中當該腔室蓋呈弧形旋轉至該處理屏蔽之上時，位於該第一端附近之該主體之該內表面經設置以避免接觸該靶。
  4. 如請求項1所述之處理屏蔽，其中該等複數個開口為三個開口。
  5. 如請求項1所述之處理屏蔽，其中在該第三銷嚙合該靶之前，該第一銷及該第二銷先嚙合該靶。
  6. 如請求項5所述之處理屏蔽，其中該第一銷、該第二銷及該第三銷嚙合該靶，以使該靶之一外緣對準為與該主體之一內表面相距一第一距離。
  7. 如請求項1至4及5-6之任一項所述之處理屏蔽，其中無法將每一銷從該等複數個開口之每一者移除。
  8. 如請求項1至4及5-6之任一項所述之處理屏蔽，其中每個銷為陶瓷的。
  9. 如請求項1所述之處理屏蔽，其中該銷包含：一伸長主體，該伸長主體具有：一第一表面，該第一表面具有一斜的周緣，其中該第一表面具有一第一直徑；一第二表面，該第二表面與該第一表面相對，其中該第二表面具有一第二直徑；及一側壁，該側壁位於該第一表面與該第二表面之間，其中該側壁具有一凹面部分，該凹面部分具有一第三直徑。
  10. 一種用於在一基板處理腔室中使用之處理屏蔽，該處理腔室具有一腔室蓋，該腔室蓋包含耦接至該腔室蓋之一靶，該處理屏蔽包含：一伸長環形主體，該伸長環形主體具有一外表面及一內表面，該內表面界定該主體之一中央開口；一唇，該唇自該主體之一第一端附近的該主體的該外表面向外徑向延伸，以使得該主體之一第一部分向該第一端延伸超過該唇；三個開口，該三個開口位於該唇中；及一銷，該銷安置於該三個開口之每一者中且自該唇突出，以在該腔室蓋置放於該處理屏蔽之頂部上時，使該靶對準於該處理屏蔽之頂部上，其中一第一銷之一中心位於與一第二銷之一中心成約115度之一第一角度處，該第二銷之該中心位於與一第三銷之一中心成約115度之一第二角度處，及該第一銷之該中心位於與該第三銷之該中心成約130度之一第三角度處，其中每一銷包含：一伸長主體，該伸長主體具有一第一表面，該第一表面具有一第一直徑及一斜的周緣；一第二表面，該第二表面與該第一表面相對，且具有一第二直徑；及一側壁，該側壁安置於該第一表面與該第二表面之間，其中該側壁具有一凹面部分，該凹面部分具有一第三直徑，及 其中每個銷嚙合該靶，以使該靶之一外緣對準為與該主體之一內表面相距一第一距離。
  11. 一種基板處理腔室，該基板處理腔室包含：一腔室主體；一腔室蓋，該腔室蓋安置於該腔室主體之頂部上，其中該腔室蓋包含一旋轉軸，該旋轉軸經設置將該腔室蓋旋轉至該腔室主體之上；一靶組件，該靶組件安置於該腔室蓋之內部，其中該靶組件包含耦接至一背板之一靶材料；及一處理屏蔽，該處理屏蔽安置於該腔室主體內，且位於該靶組件之下，該處理屏蔽包含：一伸長環形主體，該伸長環形主體具有一外表面及一內表面，該內表面界定該主體之一中央開口；一唇，該唇自該主體之一第一端附近的該主體之該外表面向外徑向延伸，以使得該主體之一第一部分向該第一端延伸超過該唇；複數個開口，該複數個開口位於該唇中；及一銷，該銷安置於該複數個開口之至少三個開口之之每一者中且自該唇突出，以在該腔室蓋置放於該處理屏蔽之頂部上時，使該靶組件對準於該處理屏蔽頂部上，其中一第一銷之一中心位於與一第二銷之一中心成約115度之一第一角度處，該第二銷之該中心位於與一第三銷之一中心成約115度之一第二角度處，及該第一銷之該中心位於 與該第三銷之該中心成約130度之一第三角度處，及其中，該銷包含一伸長主體，該伸長主體具有：一第一表面，該第一表面具有一斜的周緣，其中該第一表面具有一第一直徑；一第二表面，該第二表面與該第一表面相對，其中該第二表面具有一第二直徑；及一側壁，該側壁位於該第一表面與該第二表面之間，其中該側壁具有一凹面部分，該凹面部分具有一第三直徑。
  12. 如請求項11所述之基板處理腔室，其中該唇由該基板處理腔室之一第一支撐構件支撐，以支撐該基板處理腔室內之該處理屏蔽。
  13. 如請求項11所述之基板處理腔室，其中該旋轉軸經設置以呈弧形將該腔室蓋旋轉至腔室主體之上。
  14. 如請求項11所述之基板處理腔室，其中每個銷為陶瓷的。
  15. 如請求項11至14之任一者所述之基板處理腔室，其中位於該第一端附近之該主體之該內表面圍繞該靶材料安置，且與該靶材料間隔一第一距離。
  16. 如請求項15所述之基板處理腔室，其中當該靶組件旋轉至該處理屏蔽之上時，該第一端附近之該主體之該內表面避免與該靶材料接觸。
  17. 如請求項11至14之任一項所述之基板處理腔室，其中該複數個開口為三個開口，每一開口具有一銷安置於該開口中。
  18. 如請求項11所述之基板處理腔室，其中該第一銷及該第二銷比該第三銷距離該旋轉軸更近，且其中在該第三銷嚙合該靶組件之前，該第一銷及該第二銷先嚙合該靶組件。
  19. 如請求項18所述之基板處理腔室，其中該第一銷、該第二銷及該第三銷嚙合該靶組件，以使該靶材料之一外緣對準為與該第一端附近之該主體之一內表面相距一第一距離。
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