KR20170067882A - 키트 수명을 개선하기 위한 고 압축 응력 막 증착을 위한 장치 - Google Patents

키트 수명을 개선하기 위한 고 압축 응력 막 증착을 위한 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170067882A
KR20170067882A KR1020177012957A KR20177012957A KR20170067882A KR 20170067882 A KR20170067882 A KR 20170067882A KR 1020177012957 A KR1020177012957 A KR 1020177012957A KR 20177012957 A KR20177012957 A KR 20177012957A KR 20170067882 A KR20170067882 A KR 20170067882A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
wall
process kit
concave
disposed
Prior art date
Application number
KR1020177012957A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102489441B1 (ko
Inventor
준퀴 웨이
키란쿠마르 사반다이아
아난트크리쉬나 주푸디
지타오 카오
예 솅 오우
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20170067882A publication Critical patent/KR20170067882A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102489441B1 publication Critical patent/KR102489441B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3288—Maintenance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

프로세스 키트 컴포넌트들의 프로세싱 수명들을 연장시키기 위한 방법들 및 장치가 개시된다. 몇몇 실시예들에서, 프로세스 키트는, 내측 직경을 정의하는 내측 벽, 외측 직경을 정의하는 외측 벽, 내측 벽과 외측 벽 사이의 상측 표면, 및 내측 벽과 외측 벽 사이의 대향하는 하측 표면을 갖는 제 1 링 ― 내측 벽 근방의 상측 표면의 제 1 부분은 오목하고, 상측 표면의 제 2 부분은 제 1 부분으로부터 수평으로 연장됨 ―; 및 상측 표면 및 대향하는 하측 표면을 갖는 제 2 링을 포함하며, 하측 표면의 제 1 부분은 제 1 링의 제 2 부분 상에 놓이도록 구성되고, 하측 표면의 제 2 부분은 볼록하고, 제 1 링의 상측 표면의 오목한 제 1 부분 내로 연장되지만 그러한 오목한 제 1 부분과 접촉하지 않는다.

Description

키트 수명을 개선하기 위한 고 압축 응력 막 증착을 위한 장치{APPARATUS FOR HIGH COMPRESSIVE STRESS FILM DEPOSITION TO IMPROVE KIT LIFE}
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 기판 프로세싱 시스템들에 관한 것이다.
[0002] 예컨대 티타늄-텅스텐(TiW) 합금 막들과 같은 고 응력 압축 막(high stress compressive film)들은 일반적으로, 실리콘(Si) 웨이퍼들과 같은 기판들 상에, 다른 프로세스들 중에서, 다양한 증착, 에칭, 및 열적 프로세스들을 수행하도록 적응된 프로세스 챔버들에서 증착된다. 이러한 프로세스들은 종종, 프로세스 키트들(예컨대, 가열 링들, 증착 링들, 보유 링들 등), 프로세스 실드(shield)들(열 실드들, 플라즈마 실드들 등) 등과 같은, 프로세싱 챔버들의 다양한 노출된 컴포넌트들의 표면들 상에 그러한 막들이 증착되게 하고, 여기에서, 막 재료의 일부 또는 전부가 컴포넌트 표면으로부터 박리(peel)될 수 있다. 따라서, 그러한 컴포넌트들은, 전형적으로, 설정된 유지보수 스케줄에 따라(예컨대, 제조 사이클들의 미리 결정된 수 후에) ― 주기적으로 검사되고, 개장되고(refurbish)(예컨대, 세정되고), 그리고/또는 교체되어, 프로세싱 지연들이 발생된다.
[0003] 따라서, 본 발명자들은 프로세스 키트 컴포넌트들의 프로세싱 수명을 연장시키기 위한 개선된 방법들 및 장치를 제공하였다.
[0004] 본 개시내용의 실시예들은 프로세스 키트 컴포넌트들의 프로세싱 수명을 연장시키기 위한 방법들 및 장치를 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 프로세스 키트는, 내측 직경을 정의하는 내측 벽, 외측 직경을 정의하는 외측 벽, 내측 벽과 외측 벽 사이에 배치된 상측 표면, 및 내측 벽과 외측 벽 사이에 배치된 대향하는 하측 표면을 갖는 제 1 링 ― 내측 벽 근방의 상측 표면의 제 1 부분은 오목하고, 상측 표면의 제 2 부분은 제 1 부분으로부터 수평으로 연장됨 ―; 및 상측 표면 및 대향하는 하측 표면을 갖는 제 2 링을 포함하며, 여기에서, 하측 표면의 제 1 부분은 제 1 링의 제 2 부분 상에 놓이도록 구성되고, 여기에서, 하측 표면의 제 2 부분은 볼록하고, 제 1 링의 상측 표면의 오목한 제 1 부분 내로 연장되지만 그러한 오목한 제 1 부분과 접촉하지 않는다.
[0005] 몇몇 실시예들에서, 물리 기상 증착 챔버는, 제 1 볼륨을 갖는 챔버 바디(body); 챔버 바디의 상단에 배치된 타겟 어셈블리를 포함하는 챔버 덮개; 제 1 볼륨 내에서 타겟 어셈블리의 맞은편에 배치되고, 기판 프로세싱 표면을 갖는 기판 지지부; 제 1 볼륨을 둘러싸도록 구성된 하나 또는 그 초과의 측벽들을 포함하는, 챔버 바디 내에 배치된 실드 ― 실드는 기판 지지부의 상단 표면 아래로 하방으로 연장되고, 기판 지지부의 상단 표면에 도달할 때 까지 상방으로 복귀되어, 실드의 바닥에서 u-형상 부분을 형성함 ―; 및 프로세스 키트를 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 프로세스 키트는, 내측 직경을 정의하는 내측 벽, 외측 직경을 정의하는 외측 벽, 내측 벽과 외측 벽 사이에 배치된 상측 표면, 및 내측 벽과 외측 벽 사이에 배치된 대향하는 하측 표면을 갖는 제 1 링 ― 내측 벽 근방의 상측 표면의 제 1 부분은 오목하고, 상측 표면의 제 2 부분은 제 1 부분으로부터 수평으로 연장됨 ―; 및 상측 표면 및 대향하는 하측 표면을 갖는 제 2 링을 포함할 수 있으며, 여기에서, 하측 표면의 제 1 부분은 제 1 링의 제 2 부분 상에 놓이도록 구성되고, 여기에서, 하측 표면의 제 2 부분은 볼록하고, 제 1 링의 상측 표면의 오목한 제 1 부분 내로 연장되지만 그러한 오목한 제 1 부분과 접촉하지 않고, 여기에서, 제 2 링의 하측 표면은, 제 2 링의 하측 표면으로부터 하방으로 연장되는, 제 1 돌출 표면 및 제 2 돌출 표면을 갖는 제 3 부분을 더 포함하고, 여기에서, 제 1 돌출 표면과 제 2 돌출 표면은 개구를 정의하도록 이격되고, 여기에서, 실드의 말단 부분은 제 2 링을 지지하도록 개구에 배치되고, 여기에서, 제 2 돌출 표면은 제 1 링의 외측 벽 근방에서 테이퍼링된(tapered) 부분을 포함하고, 여기에서, 테이퍼링된 부분은 제 2 링과 제 1 링을 정렬시키도록 구성된다.
[0006] 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 아래에서 설명된다.
[0007] 앞서 간략히 요약되고 아래에서 더 상세히 논의되는 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 도면들에서 도시된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 본 개시내용의 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로, 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0008] 도 1은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부를 갖는 프로세스 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0009] 도 2는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 프로세스 키트 및 주위 컴포넌트들을 도시한다.
[0010] 도 3은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 프로세스 키트 및 주위 컴포넌트들을 도시한다.
[0011] 도 4는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 프로세스 키트 및 주위 컴포넌트들을 도시한다.
[0012] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시되지 않고, 명료성을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 설명 없이 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있다는 것이 고려된다.
[0013] 본 개시내용의 실시예들은 프로세스 키트 컴포넌트들의 프로세싱 수명을 연장시키기 위한 방법들 및 장치를 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버들에서 사용하기 위한, 예컨대 커버 링 및 증착 링으로 구성된 프로세스 키트가 개시된다. 물리 기상 증착 프로세스를 통해 고 압축 응력 막(예컨대, 티타늄-텅스텐(TiW) 합금 막)을 증착하는 경우에, 본원에서 설명되는 본 발명의 프로세스 키트들의 실시예들은 유리하게, TiW 막 증착 프로세스들, 뿐만 아니라, 다른 고 응력 압축 막 증착을 위한 프로세스 키트 수명을 개선하고, 툴 가동 시간(up time)을 개선하고, 프로세싱 비용들을 감소시킨다.
[0014] 도 1은 물리 기상 증착(PVD) 챔버(100)의 단순화된 단면도를 도시한다. PVD 챔버(100)는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부(106)를 포함한다. 본원에서 제공되는 교시들에 따른 변형에 대해 적합한 PVD 챔버들의 예들은 VHF(very high frequency) 소스들을 갖는 챔버들, ALPS® Plus 및 SIP ENCORE® PVD 프로세싱 챔버들을 포함하고, 그러한 챔버들 양자 모두는 캘리포니아, 산타클라라의 어플라이드 머티어리얼스 인코포레이티드로부터 상업적으로 입수가능하다. 어플라이드 머티어리얼스 인코포레이티드 또는 다른 제조자들로부터의 다른 프로세싱 챔버들이 또한, 본원에서 개시되는 본 발명의 장치에 따른 변형들로부터 이익을 얻을 수 있고, 본원에서 개시되는 본 발명의 방법들의 실시예들을 수행하기 위해 사용될 수 있다.
[0015] 본 개시내용의 몇몇 실시예들에서, PVD 챔버(100)는 챔버 바디(104)의 상단에 배치되고 챔버 바디(104)로부터 제거가능한 챔버 덮개(101)를 포함한다. 챔버 덮개(101)는 타겟 어셈블리(102) 및 접지 어셈블리(103)를 포함할 수 있다. 챔버 바디(104)는 기판(108)을 위에 수용하기 위한 기판 지지부(106)를 포함한다. 기판 지지부(106)는 챔버 바디(104)의 챔버 벽일 수 있는 하측 접지된 인클로저(enclosure) 벽(110) 내에 위치될 수 있다. 하측 접지된 인클로저 벽(110)은, 챔버 덮개(101) 위에 배치된 RF 전력 소스(182)에 RF 복귀 경로가 제공되도록, 챔버 덮개(101)의 접지 어셈블리(103)에 전기적으로 커플링될 수 있다. 대안적으로, 기판 지지부(106)로부터 프로세스 키트 실드(예컨대, 아래에서 논의되는 바와 같은 실드(138))를 통해 이동하고 궁극적으로 챔버 덮개(101)의 접지 어셈블리(103)로 되돌아가는 것들과 같은 다른 RF 복귀 경로들이 가능하다. RF 전력 소스(182)는 아래에서 논의되는 바와 같이 타겟 어셈블리(102)에 RF 전력을 제공할 수 있다.
[0016] 기판 지지부(106)는 타겟(114)(또는 소스 재료)의 주 표면과 대면하는 재료-수용 표면을 갖고, 타겟으로부터의 재료로 스퍼터 코팅될 기판(108)을 타겟(114)의 주 표면의 맞은편에 평면 포지션(position)으로 지지한다. 몇몇 실시예들에서, 기판(108)은 진공에 의해 기판 지지부(106) 상에 홀딩될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부(106)는 기판(108)을 위에 지지하기 위한 기판 프로세싱 표면(109)을 갖는 유전체 부재(105)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부(106)는, 유전체 부재(105) 아래에 배치되고 유전체 부재(105)에 인접한 유전체 부재 대면 표면(118)을 갖는 하나 또는 그 초과의 제 1 전도성 부재들(107)을 포함할 수 있다. 예컨대, 유전체 부재(105) 및 하나 또는 그 초과의 제 1 전도성 부재들(107)은 기판 지지부(106)에 척킹 또는 RF 전력을 제공하기 위해 사용될 수 있는 정전 척, RF 전극 등의 일부일 수 있다.
[0017] 기판 지지부(106)는 챔버 바디(104)의 제 1 볼륨(120)에서 기판(108)을 지지할 수 있다. 제 1 볼륨(120)은 기판(108)을 프로세싱하기 위해 사용되는, 챔버 바디(104)의 내측 볼륨의 일부일 수 있고, 기판(108)의 프로세싱 동안에 내측 볼륨의 나머지(예컨대, 비-프로세싱 볼륨)로부터 분리될 수 있다. 제 1 볼륨(120)은 프로세싱 동안의 기판 지지부(106) 위의 (예컨대, 프로세싱 포지션에 있는 경우의 타겟(114)과 기판 지지부(106) 사이의) 구역으로서 정의된다.
[0018] 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부(106)는 챔버 바디(104)의 하측 부분에서 로드 락 밸브 또는 개구(미도시)를 통해 기판(108)이 기판 지지부(106) 상에 이송되고, 그 후에, 특정한 애플리케이션을 위해 상승 또는 하강되게 허용하도록 수직으로 이동가능할 수 있다. 바닥 챔버 벽(124)에 연결된 벨로즈(122)는 챔버 바디(104)의 외부의 분위기로부터의 챔버 바디(104)의 내측 볼륨의 분리를 유지하기 위해 제공될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 가스들이 가스 소스(126)로부터 질량 유동 제어기(128)를 통해 챔버 바디(104)의 하측 부분 내로 공급될 수 있다. 배기 포트(130)가 제공될 수 있고, 챔버 바디(104)의 내부를 배기시키고 챔버 바디(104) 내부에서 미리 결정된 압력을 유지하는 것을 용이하게 하기 위해 밸브(132)를 통해 펌프(미도시)에 커플링될 수 있다.
[0019] 챔버 바디(104)는 프로세스 키트(142)를 더 포함한다. 프로세스 키트는 제 1 링(143)(즉, 증착 링) 및 제 2 링(144)(즉, 커버 링)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제 1 링(143)은 프로세스 증착물들로부터 기판 지지부(106)의 주변 에지 및 측벽을 실딩하기 위한, 기판 지지부(106) 주위의 환상 링이다. 몇몇 실시예들에서, 제 2 링(144)은 제 1 링(143) 위에 배치된 환상 링이고, 일반적으로, 기판 아래의 증착을 방지하고 기판의 에지에서의 또는 아래에서의 증착을 제어하는 것을 보조하기 위해 사용된다. 몇몇 실시예들에서, 제 1 링(143) 및 제 2 링(144)은 타원형 또는 정사각형과 같은 다른 적합한 구성들을 가질 수 있다.
[0020] 본 발명자들은 티타늄-텅스텐(TiW) 합금 막과 같은 고 압축 응력 막의 증착에 대한 중요한 관심사가 증착된 막과 그러한 막이 위에 증착된 프로세스 키트 표면 사이의 열 팽창 계수(CTE) 미스매치인 것을 관찰하였다. 전형적으로, 프로세스 키트 컴포넌트들의 재료는 세라믹 또는 스테인리스 스틸(SST)이다. 그러나, 본 발명자들은 티타늄의 CTE가 TiW의 CTE에 훨씬 더 근접하다는 것을 관찰하였다. 따라서, 몇몇 실시예들에서, 제 1 링(143) 및 제 2 링(144)은 티타늄으로 구성된다.
[0021] 도 2, 도 3, 및 도 4는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 프로세스 키트(142) 및 주위의 컴포넌트들을 도시한다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부(106)는 기판(108)을 지지하기 위한 기판 프로세싱 표면(109)을 갖는 유전체 부재(105)를 갖는다. 유전체 부재(105)는 기판(108)의 오버행잉(overhanging) 에지 아래에 놓인 둘레 측벽(242)을 갖는다. 기판 지지부(106)는 둘레 측벽(242)의 주변(circumference)을 둘러싸는 환상 레지(ledge)(244)를 포함한다. 도 2는 추가로, 제 1 링(143) 및 제 2 링(144)을 도시한다.
[0022] 제 1 링(143)은 제 1 링(143)의 내측 직경을 정의하는 내측 벽(200)을 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 제 1 링(143)의 내측 벽(200)은 기판 지지부(106)의 둘레 측벽(242)에 인접한다. 제 1 링(143)은 내측 벽(200) 근방에서 평탄한 내측 에지 표면(222)을 더 포함한다. 제 1 링(143)의 내측 직경은 프로세스 키트(142)를 포함하는 PVD 챔버(100)에서 프로세싱될 기판(108)의 직경보다 더 작다. 결과로서, 기판 프로세싱 표면(109)의 상단에 보유되는 기판(108)은 평탄한 내측 에지 표면(222) 및 제 1 링(143)의 내측 부분 위에서 오버행잉한다.
[0023] 제 1 링(143)은 외측 직경을 정의하는 외측 벽(202)을 더 포함한다. 상측 표면(204) 및 대향하는 하측 표면(206)이 내측 벽(200)과 외측 벽(202) 사이에 배치된다. 상측 표면(204)은 오목한, 내측 벽(200) 근방의 제 1 부분(208)(즉, 상측 표면(204)의 오목한 제 1 부분(208))을 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 상측 표면(204)의 오목한 제 1 부분(208)은 재료 수집 표면으로서 기능하고, 그러한 재료 수집 표면 상에서, 타겟으로부터의 스퍼터링된 재료가 증착물들을 형성하도록 축적된다. 본 발명자들은, 예컨대 약 2.86 인치 또는 그 초과의 반경을 갖는 평활한 오목한 프로파일 상으로 타겟으로부터 스퍼터링되는 재료가 실질적으로 어떠한 박리도 없이 그러한 표면에 부착되는 것을 관찰하였다. 따라서, 본원에서 설명되는 프로세스 키트의 기하형상은 유리하게, 스퍼터링된 타겟 재료가 위에 증착되도록, 예컨대 약 2.86 인치 초과의 큰 반경을 갖는 영역들에만 가시선(line of sight)을 제공한다.
[0024] 상측 표면(204)은, 오목한 제 1 부분(208)으로부터 수평으로 연장되고 외측 벽(202)에서 종단(terminating)되는 제 2 부분(210)을 더 포함한다. 제 1 링은 제 1 링(143)의 상측 표면(204)의 오목한 제 1 부분(208)과 평탄한 내측 에지 표면(222) 사이에 노치(224)를 더 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 노치(224)는 타겟으로부터의 스퍼터 재료가 평탄한 내측 에지 표면(222) 상에 증착되는 것을 방지하도록 구성된다. 몇몇 실시예들에서, 노치와 상측 표면(204)의 오목한 제 1 부분(208)의 교차부는 예컨대 약 0.01 인치의 반경을 갖는다. 제 1 링(143)의 하측 표면(206)은 내측 벽과 외측 벽 사이에 형성된, 제 1 리세스된(recessed) 부분(236) 및 제 2 리세스된 부분(238)을 더 포함한다. 제 1 링(143)은 기판 지지부(106)의 둘레 측벽(242)의 주변을 둘러싸는 환상 레지(244) 상에 지지된다.
[0025] 제 2 링(144)은 상측 표면(212) 및 대향하는 하측 표면(214)을 포함한다. 제 2 링(144)의 상측 표면(212)은 방사상 내측으로 기울어진 경사진 표면이다. 제 2 링(144)의 하측 표면(214)은 제 1 링(143)의 제 2 부분(210) 상에 놓이도록 구성된 제 1 부분(216)을 포함한다. 제 2 링(144)의 하측 표면(214)은 제 2 부분(218)을 더 포함한다. 제 2 부분(218)은 볼록하고(즉, 볼록한 제 2 부분(218)), 제 1 링(143)의 상측 표면(204)의 오목한 제 1 부분(208) 내로 연장되지만 그러한 오목한 제 1 부분(208)과 접촉하지 않는다. 제 2 링(144)의 하측 표면(214)의 제 2 부분(218)은 약 2.86 인치 미만의 반경을 갖는, 제 1 링(143)의 상측 표면(204)의 오목한 제 1 부분(208)의 부분들을 덮는다. 위에서 설명된 바와 같이, 그러한 작은 반경 영역들은 표면 상에 증착된 재료의 박리를 허용하는 표면을 제공한다. 제 1 링(143)의 작은 반경 부분을 덮는 것은 유리하게, 그러한 영역들 상으로의 재료의 증착을 방지하거나 또는 감소시키고, 그에 따라, 그러한 영역들로부터의 박리를 감소시킨다. 제 2 링(144)의 하측 표면(214)의 볼록한 제 2 부분(218)과 제 1 링(143)의 상측 표면(204)의 오목한 제 1 부분(208)은 갭(220)을 형성한다. 몇몇 실시예들에서, 갭(220)은 개구에서 약 0.053 인치 또는 그 미만이다. 몇몇 실시예들에서, 갭은 외측 벽(202)의 방향으로 예컨대 약 0.045 인치 또는 그 미만으로 감소된다. 몇몇 실시예들에서, 갭(220)의 사이즈는, 제 2 링의 하측 표면의 제 2 부분에 의해 가려지는, 상측 표면(204)의 오목한 제 1 부분(208)의 부분 상에 타겟으로부터의 스퍼터링된 재료가 증착되는 것을 감소시키거나 또는 실질적으로 제거한다.
[0026] 제 2 링(144)의 하측 표면(214)은 제 3 부분(226)을 더 포함한다. 제 3 부분(226)은 제 1 돌출 표면(228) 및 제 2 돌출 표면(230)을 포함한다. 제 1 돌출 표면(228) 및 제 2 돌출 표면(230)은 제 2 링(144)의 하측 표면(214)으로부터 하방으로 연장된다. 제 1 돌출 표면(228)과 제 2 돌출 표면(230)은 개구(232)를 정의하도록 이격된다. 제 2 돌출 표면(230)은 제 1 링(143)의 외측 벽(202) 근방에서 테이퍼링된 부분(234)을 포함한다. 테이퍼링된 부분(234)은 제 1 링(143)의 상단에 제 2 링(144)을 정렬시킨다.
[0027] 챔버 바디(104)는, 챔버 바디(104)의 프로세싱 또는 제 1 볼륨을 둘러싸고 프로세싱으로부터의 손상 및/또는 오염으로부터 다른 챔버 컴포넌트들을 보호하기 위한 프로세스 키트 실드 또는 실드(138)를 더 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 실드(138)는 챔버 바디(104)의 상측 접지된 인클로저 벽(116)의 레지(140)에 연결된 접지된 실드일 수 있다. 도 1에서 예시된 바와 같이, 챔버 덮개(101)는 상측 접지된 인클로저 벽(116)의 레지(140) 상에 놓일 수 있다. 하측 접지된 인클로저 벽(110)과 유사하게, 상측 접지된 인클로저 벽(116)은 챔버 덮개(101)의 접지 어셈블리(103)와 하측 접지된 인클로저 벽(116) 사이에 RF 복귀 경로의 부분을 제공할 수 있다. 그러나, 접지된 실드(138)을 통하는 것과 같은 다른 RF 복귀 경로들이 가능하다.
[0028] 실드(138)는 하방으로 연장되고, 제 1 볼륨(120)을 둘러싸도록 구성된 하나 또는 그 초과의 측벽들(139)을 포함할 수 있다. 실드(138)는 상측 접지된 인클로저 벽(116) 및 하측 접지된 인클로저 벽(110)의 벽들을 따라 하방으로 기판 지지부(106)의 상단 표면 아래까지 연장되고, 기판 지지부(106)의 상단 표면에 도달할 때까지 상방으로 복귀된다(예컨대, 실드(138)의 바닥에서 u-형상 부분을 형성한다). 제 2 링(144)은 실드(138)의 u-형상 부분의 상단 상에 놓인다. 실드(138)의 말단 부분(240)은 제 2 링(144)을 지지하도록 개구(232)에 배치된다. 몇몇 실시예들에서, 도 1에서 도시된 바와 같이, 실드(138)의 측벽들(139)은, 실드의 측벽들(139)에 부착될 수 있는 스퍼터링된 타겟 재료의 박리를 방지하기 위해, 큰 반경을 갖는 평탄한 영역을 제공하도록 실질적으로 수직이다.
[0029] 도 1로 돌아가면, 그리고 몇몇 실시예들에서, 자석(152)이 타겟(114)과 기판 지지부(106) 사이에 자기장을 선택적으로 제공하기 위해 챔버 바디(104) 주위에(about) 배치될 수 있다. 예컨대, 도 1에서 도시된 바와 같이, 자석(152)은, 프로세싱 포지션에 있는 경우의 기판 지지부(106)의 바로 위의 구역에서 하측 접지된 인클로저 벽(110)의 외부 주위에 배치될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 자석(152)은 부가적으로 또는 대안적으로, 예컨대 상측 접지된 인클로저 벽(116) 근처와 같은 다른 위치들에 배치될 수 있다. 자석(152)은 전자석일 수 있고, 전자석에 의해 생성되는 자기장의 크기를 제어하기 위해 전력 소스(미도시)에 커플링될 수 있다.
[0030] 챔버 덮개(101)는 일반적으로, 타겟 어셈블리(102) 주위에 배치된 접지 어셈블리(103)를 포함한다. 접지 어셈블리(103)는, 타겟 어셈블리(102)의 배면측에 대해 대체로 평행할 수 있고 그러한 배면측의 맞은편에 있을 수 있는 제 1 표면(157)을 갖는 접지 플레이트(156)를 포함할 수 있다. 접지 실드(112)가 접지 플레이트(156)의 제 1 표면(157)으로부터 연장될 수 있고, 타겟 어셈블리(102)를 둘러쌀 수 있다. 접지 어셈블리(103)는 접지 어셈블리(103) 내에서 타겟 어셈블리(102)를 지지하기 위한 지지 부재(175)를 포함할 수 있다.
[0031] 몇몇 실시예들에서, 지지 부재(175)는 지지 부재(175)의 외측 주변 에지 근방에서 접지 실드(112)의 하측 단부에 커플링될 수 있고, 밀봉 링(181), 타겟 어셈블리(102), 및 선택적으로, 암흑부(dark space) 실드(179)를 지지하도록 방사상 내측으로 연장된다. 밀봉 링(181)은 링일수 있거나, 또는 미리 결정된 단면을 갖는 다른 환상 형상일 수 있다. 밀봉 링(181)은, 밀봉 링(181)의 제 1 측 상에서 타겟 어셈블리(102), 예컨대 배킹 플레이트(162)와 인터페이싱(interfacing)하고, 밀봉 링(181)의 제 2 측 상에서 지지 부재(175)와 인터페이싱하는 것을 용이하게 하도록, 2개의 대향하는 평면의 그리고 대체로 평행한 표면들을 포함할 수 있다. 밀봉 링(181)은 세라믹과 같은 유전체 재료로 제조될 수 있다. 밀봉 링(181)은 접지 어셈블리(103)로부터 타겟 어셈블리(102)를 절연시킬 수 있다.
[0032] 암흑부 실드(179)는 일반적으로, 타겟(114)의 외측 에지 주위에, 예컨대 타겟(114)의 소스 재료(113)의 외측 에지 주위에 배치된다. 몇몇 실시예들에서, 밀봉 링(181)은 암흑부 실드(179)의 외측 에지 근처에 (즉, 암흑부 실드(179)로부터 방사상 외측에) 배치된다. 몇몇 실시예들에서, 암흑부 실드(179)는 세라믹과 같은 유전체 재료로 제조된다. 유전체 암흑부 실드(179)를 제공함으로써, 암흑부 실드와 RF 핫(RF hot)인 인접한 컴포넌트들 사이의 아킹(arcing)이 회피될 수 있거나 또는 최소화될 수 있다. 대안적으로, 몇몇 실시예들에서, 암흑부 실드(179)는 스테인리스 스틸, 알루미늄 등과 같은 전도성 재료로 제조된다. 전도성 암흑부 실드(179)를 제공함으로써, PVD 챔버(100) 내에서 더 균일한 전기장이 유지될 수 있고, 그에 따라, 유리하게, 기판들의 더 균일한 프로세싱을 촉진할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 암흑부 실드(179)의 하측 부분은 전도성 재료로 제조될 수 있고, 암흑부 실드(179)의 상측 부분은 유전체 재료로 제조될 수 있다.
[0033] 지지 부재(175)는 타겟(114) 및 암흑부 실드(179)를 수용하기 위해 중앙 개구를 갖는 대체로 평면인 부재일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 지지 부재(175)는 형상이 원형 또는 디스크-형일 수 있지만, 형상은 챔버 덮개의 대응하는 형상 및/또는 PVD 챔버(100)에서 프로세싱될 기판의 형상에 따라 변화될 수 있다. 사용 시에, 챔버 덮개(101)가 개방 또는 폐쇄되는 경우에, 지지 부재(175)는 타겟(114)에 대하여 적절한 정렬로 암흑부 실드(179)를 유지하여, 유리하게, 챔버 어셈블리로 인한 또는 챔버 덮개(101)를 개방 및 폐쇄하는 것으로 인한 오정렬의 리스크를 최소화한다.
[0034] 타겟 어셈블리(102)는, 타겟(114)의 배면측의 맞은편에 있고 타겟(114)의 주변 에지를 따라 타겟(114)에 전기적으로 커플링된 소스 분배 플레이트(158)를 포함할 수 있다. 타겟(114)은 금속, 금속 산화물, 금속 합금 등과 같은, 스퍼터링 동안에 기판(108)과 같은 기판 상에 증착될 소스 재료(113)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 타겟(114)은 소스 재료(113)를 지지하기 위한 배킹 플레이트(162)를 포함할 수 있다. 소스 재료(113)는, 도 1에서 예시된 바와 같이, 배킹 플레이트(162)의 기판 지지부 대면 측 상에 배치될 수 있다. 배킹 플레이트(162)는, RF 및 DC 전력이 배킹 플레이트(162)를 통해 소스 재료(113)에 커플링될 수 있도록, 전도성 재료, 예컨대 구리-아연, 구리-크롬, 또는 타겟과 동일한 재료를 포함할 수 있다. 대안적으로, 배킹 플레이트(162)는 비-전도성일 수 있고, 전기 피드스루(feedthrough)들 등과 같은 전도성 엘리먼트들(미도시)을 포함할 수 있다.
[0035] 전도성 부재(164)가 소스 분배 플레이트로부터 타겟(114)의 주변 에지로 RF 에너지를 전파하기 위해 타겟(114)의 배면측과 소스 분배 플레이트 사이에 배치될 수 있다. 전도성 부재(164)는 원통형일 수 있고, 제 1 단부(166)는 소스 분배 플레이트(158)의 주변 에지 근방에서 소스 분배 플레이트(158)의 타겟-대면 표면에 커플링되고, 제 2 단부(168)는 타겟(114)의 주변 에지 근방에서 타겟(114)의 소스 분배 플레이트-대면 표면에 커플링된다. 몇몇 실시예들에서, 제 2 단부(168)는 배킹 플레이트(162)의 주변 에지 근방에서 배킹 플레이트(162)의 소스 분배 플레이트 대면 표면에 커플링된다.
[0036] 타겟 어셈블리(102)는 소스 분배 플레이트(158)와 타겟(114)의 배면측 사이에 배치된 공동(170)을 포함할 수 있다. 공동(170)은 아래에서 논의되는 바와 같은 마그네트론 어셈블리(196)를 적어도 부분적으로 하우징(house)할 수 있다. 공동(170)은 전도성 부재(164)의 내측 표면, 소스 분배 플레이트(158)의 타겟 대면 표면, 및 타겟(114)(또는 배킹 플레이트(162))의 소스 분배 플레이트 대면 표면(예컨대, 배면측)에 의해 적어도 부분적으로 정의된다. 몇몇 실시예들에서, 공동(170)은 물(H2O) 등과 같은 냉각 유체(192)로 적어도 부분적으로 충전될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 아래에서 논의되는 바와 같이, 분할기(194)가 공동(170)의 미리 결정된 부분(예컨대, 도시된 바와 같이, 하측 부분)에 냉각 유체(192)를 포함시키고, 냉각 유체(192)가 분할기(194)의 다른 측 상에 배치된 컴포넌트들에 도달하는 것을 방지하기 위해 제공될 수 있다.
[0037] 절연성 갭(180)이 소스 분배 플레이트(158), 전도성 부재(164), 및 타겟(114)(및/또는 배킹 플레이트(162))의 외측 표면들과 접지 플레이트(156) 사이에 제공된다. 절연성 갭(180)은 공기 또는 몇몇 다른 적합한 유전체 재료, 예컨대 세라믹, 플라스틱 등으로 충전될 수 있다. 접지 플레이트(156)와 소스 분배 플레이트(158) 사이의 거리는 접지 플레이트(156)와 소스 분배 플레이트(158) 사이의 유전체 재료에 따라 좌우된다. 유전체 재료가 주로 공기인 경우에, 접지 플레이트(156)와 소스 분배 플레이트(158) 사이의 거리는 5 mm 내지 40 mm이어야 한다.
[0038] 접지 어셈블리(103)와 타겟 어셈블리(102)는, 밀봉 링(181)에 의해, 그리고 타겟 어셈블리(102)의 배면측, 예컨대 소스 분배 플레이트(158)의 비-타겟 대면 측과 접지 플레이트(156)의 제 1 표면(157) 사이에 배치된 절연체들(160) 중 하나 또는 그 초과에 의해 전기적으로 분리될 수 있다.
[0039] 타겟 어셈블리(102)는 전극(154)(예컨대, RF 피드 구조)에 연결된 RF 전력 소스(182)를 갖는다. RF 전력 소스(182)는 RF 생성기, 및 예컨대 동작 동안에 RF 생성기로 반사되는 반사된 RF 에너지를 최소화하기 위한 매칭 회로를 포함할 수 있다. 예컨대, RF 전력 소스(182)에 의해 공급되는 RF 에너지는 약 13.56 MHz 내지 약 162 MHz 또는 그 초과의 주파수의 범위에 있을 수 있다. 예컨대, 13.56 MHz, 27.12 MHz, 60 MHz, 또는 162 MHz와 같은 비-제한적인 주파수들이 사용될 수 있다.
[0040] 몇몇 실시예들에서, 제 2 에너지 소스(183)가 프로세싱 동안에 타겟(114)에 부가적인 에너지를 제공하기 위해 타겟 어셈블리(102)에 커플링될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제 2 에너지 소스(183)는, 예컨대, 타겟 재료의 스퍼터링 레이트(그리고 따라서, 기판 상의 증착 레이트)를 향상시키기 위해 DC 에너지를 제공하기 위한 DC 전력 소스일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제 2 에너지 소스(183)는, 예컨대, RF 전력 소스(182)에 의해 제공되는 RF 에너지의 제 1 주파수와 상이한 제 2 주파수로 RF 에너지를 제공하기 위한, RF 전력 소스(182)와 유사한 제 2 RF 전력 소스일 수 있다. 제 2 에너지 소스(183)가 DC 전력 소스인 실시예들에서, 제 2 에너지 소스는, 타겟(114), 예컨대 전극(154) 또는 몇몇 다른 전도성 부재(예컨대, 아래에서 논의되는 소스 분배 플레이트(158))에 DC 에너지를 전기적으로 커플링시키는데 적합한 임의의 위치에서 타겟 어셈블리(102)에 커플링될 수 있다. 제 2 에너지 소스(183)가 제 2 RF 전력 소스인 실시예들에서, 제 2 에너지 소스는 전극(154)을 통해 타겟 어셈블리(102)에 커플링될 수 있다.
[0041] 전극(154)은 원통형일 수 있거나 또는 그렇지 않으면 봉-형(rod-like)일 수 있고, PVD 챔버(100)의 중앙 축(186)과 정렬될 수 있다(예컨대, 전극(154)은 중앙 축(186)과 일치하는, 타겟의 중앙 축과 일치하는 포인트에서 타겟 어셈블리에 커플링될 수 있다). PVD 챔버(100)의 중앙 축(186)과 정렬된 전극(154)은 축대칭 방식으로 RF 전력 소스(182)로부터 타겟(114)으로 RF 에너지를 인가하는 것을 용이하게 한다(예컨대, 전극(154)은 PVD 챔버의 중앙 축과 정렬된 "단일 포인트"에서 타겟에 RF 에너지를 커플링시킬 수 있다). 전극(154)의 중앙 포지션은 기판 증착 프로세스들에서의 증착 비대칭을 제거하거나 또는 감소시키는 것을 돕는다. 전극(154)은 임의의 적합한 직경을 가질 수 있지만, 전극(154)의 직경이 더 작을수록, RF 에너지 인가가 진정한 단일 포인트에 더 접근하게 된다. 예컨대, 다른 직경들이 사용될 수 있지만, 몇몇 실시예들에서, 전극(154)의 직경은 약 0.5 내지 약 2 인치일 수 있다. 전극(154)은 일반적으로, PVD 챔버의 구성에 따라 임의의 적합한 길이를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 전극은 약 0.5 내지 약 12 인치의 길이를 가질 수 있다. 전극(154)은 알루미늄, 구리, 은 등과 같은 임의의 적합한 전도성 재료로 제작될 수 있다.
[0042] 전극(154)은 접지 플레이트(156)를 통과할 수 있고, 소스 분배 플레이트(158)에 커플링된다. 접지 플레이트(156)는 알루미늄, 구리 등과 같은 임의의 적합한 전도성 재료를 포함할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 절연체들(160) 사이의 개방된 공간들은 소스 분배 플레이트(158)의 표면을 따르는 RF 파 전파를 허용한다. 몇몇 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 절연체들(160)은 PVD 챔버(100)의 중앙 축(186)에 대하여 대칭적으로 포지셔닝될 수 있다. 그러한 포지셔닝은 소스 분배 플레이트(158)의 표면을 따르는, 그리고 궁극적으로, 소스 분배 플레이트(158)에 커플링된 타겟(114)으로의 대칭적인 RF 파 전파를 용이하게 할 수 있다. 적어도 부분적으로 전극(154)의 중앙 포지션으로 인해, 종래의 PVD 챔버들과 비교하여 더 대칭적이고 균일한 방식으로 RF 에너지가 제공될 수 있다.
[0043] 마그네트론 어셈블리(196)의 하나 또는 그 초과의 부분들은 공동(170) 내에 적어도 부분적으로 배치될 수 있다. 마그네트론 어셈블리는 챔버 바디(104) 내의 플라즈마 프로세싱을 보조하기 위해 타겟 근방에서 회전 자기장을 제공한다. 몇몇 실시예들에서, 마그네트론 어셈블리(196)는 모터(176), 모터 샤프트(174), 기어 박스(178), 기어 박스 샤프트(184), 및 회전가능한 자석(예컨대, 자석 지지 부재(172)에 커플링된 복수의 자석들(188))을 포함할 수 있다.
[0044] 몇몇 실시예들에서, 마그네트론 어셈블리(196)는 공동(170) 내에서 회전된다. 예컨대, 몇몇 실시예들에서, 모터(176), 모터 샤프트(174), 기어 박스(178), 및 기어 박스 샤프트(184)가 자석 지지 부재(172)를 회전시키기 위해 제공될 수 있다. 마그네트론들을 갖는 종래의 PVD 챔버들에서, 마그네트론 구동 샤프트가 전형적으로, 챔버의 중앙 축을 따라 배치되어, 챔버의 중앙 축과 정렬된 포지션에서의 RF 에너지의 커플링을 방지한다. 반대로, 본 개시내용의 실시예들에서, 전극(154)은 PVD 챔버의 중앙 축(186)과 정렬된다. 따라서, 몇몇 실시예들에서, 마그네트론의 모터 샤프트(174)는 접지 플레이트(156)에서 중심에서 벗어난 개구를 통해 배치될 수 있다. 접지 플레이트(156)로부터 돌출된 모터 샤프트(174)의 단부는 모터(176)에 커플링된다. 모터 샤프트(174)는 추가로, 소스 분배 플레이트(158)를 통하는 대응하는 중심에서 벗어난 개구(예컨대, 제 1 개구(146))를 통해 배치되고, 기어 박스(178)에 커플링된다. 몇몇 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 제 2 개구들(198)이 소스 분배 플레이트(158)를 따르는 축대칭적인 RF 분배를 유리하게 유지하기 위해 제 1 개구(146)에 대해 대칭적인 관계로 소스 분배 플레이트(158)를 통해 배치될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제 2 개구들(198)은 또한, 광학 센서들 등과 같은 아이템들을 위한 공동(170)으로의 액세스(access)를 허용하기 위해 사용될 수 있다.
[0045] 기어 박스(178)는 임의의 적합한 수단에 의해, 예컨대, 소스 분배 플레이트(158)의 바닥 표면에 커플링되는 것에 의해 지지될 수 있다. 기어 박스(178)는, 유전체 재료로 기어 박스(178)의 적어도 상측 표면을 제작하는 것에 의해, 또는 기어 박스(178)와 소스 분배 플레이트(158) 사이에 절연체 층(190)을 개재시키는 것에 의해, 또는 기타 등등에 의해, 소스 분배 플레이트(158)로부터 절연될 수 있다. 기어 박스(178)는 추가로, 모터(176)에 의해 제공되는 회전 모션을 자석 지지 부재(172)(그리고 따라서, 복수의 자석들(188))에 전달하기 위해 기어 박스 샤프트(184)를 통해 자석 지지 부재(172)에 커플링된다.
[0046] 자석 지지 부재(172)는 복수의 자석들(188)을 견고하게 지지하도록 적절한 기계적인 강도를 제공하는데 적합한 임의의 재료로 구성될 수 있다. 예컨대, 몇몇 실시예들에서, 자석 지지 부재(172)는 비-자기 금속, 예컨대 비-자기 스테인리스 스틸로 구성될 수 있다. 자석 지지 부재(172)는 복수의 자석들(188)이 미리 결정된 포지션에서 자석 지지 부재(172)에 커플링되게 허용하는데 적합한 임의의 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 몇몇 실시예들에서, 자석 지지 부재(172)는 플레이트, 디스크, 크로스 멤버 등을 포함할 수 있다. 복수의 자석들(188)은 미리 결정된 형상 및 강도를 갖는 자기장을 제공하기 위한 임의의 방식으로 구성될 수 있다.
[0047] 대안적으로, 자석 지지 부재(172)는, 예컨대 공동(170)에서의 냉각 유체(192)(존재하는 경우)로 인한, 자석 지지 부재(172) 및 부착된 복수의 자석들(188) 상에 야기되는 드래그(drag)를 극복하기에 충분한 토크로 임의의 다른 수단에 의해 회전될 수 있다. 예컨대, 몇몇 실시예들(미도시)에서, 마그네트론 어셈블리(196)는, 공동(170) 내에 배치되고 (예컨대, 팬케이크 모터와 같이) 자석 지지 부재(172)에 직접적으로 연결된 모터(176) 및 모터 샤프트(174)를 사용하여 공동(170) 내에서 회전될 수 있다. 모터(176)는 공동(170) 내에, 또는 분할기(194)가 존재하는 경우에 공동(170)의 상측 부분 내에 피팅되기에 충분하게 크기설정된다. 모터(176)는 전기 모터, 공압식 또는 유압식 드라이브, 또는 충분한 토크를 제공할 수 있는 임의의 다른 프로세스-양립가능 메커니즘일 수 있다.
[0048] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있다.

Claims (15)

  1. 프로세스 키트로서,
    내측 직경을 정의하는 내측 벽, 외측 직경을 정의하는 외측 벽, 상기 내측 벽과 상기 외측 벽 사이에 배치된 상측 표면, 및 상기 내측 벽과 상기 외측 벽 사이에 배치된 대향하는 하측 표면을 갖는 제 1 링 ― 상기 내측 벽 근방의 상기 상측 표면의 제 1 부분은 오목하고, 상기 상측 표면의 제 2 부분은 상기 제 1 부분으로부터 수평으로 연장됨 ―; 및
    상측 표면 및 대향하는 하측 표면을 갖는 제 2 링
    을 포함하며,
    상기 하측 표면의 제 1 부분은 상기 제 1 링의 제 2 부분 상에 놓이도록 구성되고, 상기 하측 표면의 제 2 부분은 볼록하고, 상기 제 1 링의 상측 표면의 오목한 제 1 부분 내로 연장되지만 상기 오목한 제 1 부분과 접촉하지 않는,
    프로세스 키트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하측 표면의 제 2 부분과 상기 제 1 링의 상측 표면의 오목한 제 1 부분은 0.053 인치 또는 그 미만의 갭을 형성하는,
    프로세스 키트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 링은 티타늄인,
    프로세스 키트.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 링은 티타늄인,
    프로세스 키트.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 상측 표면의 오목한 제 1 부분은 약 2.86 인치 또는 그 초과의 반경에 의해 정의되는,
    프로세스 키트.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 링의 내측 직경은 상기 프로세스 키트를 포함하는 프로세싱 챔버에서 프로세싱될 기판의 직경보다 더 작은,
    프로세스 키트.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 링은 상기 내측 벽 근방에서 평탄한 내측 에지 표면을 더 포함하는,
    프로세스 키트.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 링의 상측 표면의 오목한 제 1 부분과 상기 평탄한 내측 에지 표면 사이에 노치를 더 포함하는,
    프로세스 키트.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 링의 하측 표면은, 상기 제 2 링의 하측 표면으로부터 하방으로 연장되는, 제 1 돌출 표면 및 제 2 돌출 표면을 갖는 제 3 부분을 더 포함하고, 상기 제 1 돌출 표면과 상기 제 2 돌출 표면은 개구를 정의하도록 이격되는,
    프로세스 키트.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 돌출 표면은 상기 제 1 링의 외측 벽 근방에서 테이퍼링된(tapered) 부분을 포함하고, 상기 테이퍼링된 부분은 상기 제 2 링과 상기 제 1 링을 정렬시키도록 구성되는,
    프로세스 키트.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 링의 하측 표면은, 상기 내측 벽과 상기 외측 벽 사이에 형성된, 제 1 리세스된(recessed) 부분 및 제 2 리세스된 부분을 포함하는,
    프로세스 키트.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 링의 상측 표면은 방사상 내측으로 기울어진 경사진 표면인,
    프로세스 키트.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 링의 하측 표면의 제 2 부분은, 약 2.86 인치 미만의 반경을 갖는, 상기 제 1 링의 상측 표면의 오목한 제 1 부분의 부분들을 덮는,
    프로세스 키트.
  14. 물리 기상 증착 챔버로서,
    제 1 볼륨을 갖는 챔버 바디(body);
    상기 챔버 바디의 상단에 배치된 타겟 어셈블리를 포함하는 챔버 덮개;
    상기 제 1 볼륨 내에서 상기 타겟 어셈블리의 맞은편에 배치되고, 기판 프로세싱 표면을 갖는 기판 지지부;
    상기 제 1 볼륨을 둘러싸도록 구성된 하나 또는 그 초과의 측벽들을 포함하는, 상기 챔버 바디 내에 배치된 실드(shield) ― 상기 실드는 상기 기판 지지부의 상단 표면 아래로 하방으로 연장되고, 상기 기판 지지부의 상단 표면에 도달할 때까지 상방으로 복귀되어, 상기 실드의 바닥에서 u-형상 부분을 형성함 ―; 및
    프로세스 키트
    를 포함하며,
    상기 프로세스 키트는,
    내측 직경을 정의하는 내측 벽, 외측 직경을 정의하는 외측 벽, 상기 내측 벽과 상기 외측 벽 사이에 배치된 상측 표면, 및 상기 내측 벽과 상기 외측 벽 사이에 배치된 대향하는 하측 표면을 갖는 제 1 링 ― 상기 내측 벽 근방의 상기 상측 표면의 제 1 부분은 오목하고, 상기 상측 표면의 제 2 부분은 상기 제 1 부분으로부터 수평으로 연장됨 ―; 및
    상측 표면 및 대향하는 하측 표면을 갖는 제 2 링
    을 포함하고,
    상기 하측 표면의 제 1 부분은 상기 제 1 링의 제 2 부분 상에 놓이도록 구성되고, 상기 하측 표면의 제 2 부분은 볼록하고, 상기 제 1 링의 상측 표면의 오목한 제 1 부분 내로 연장되지만 상기 오목한 제 1 부분과 접촉하지 않고, 상기 제 2 링의 하측 표면은, 상기 제 2 링의 하측 표면으로부터 하방으로 연장되는, 제 1 돌출 표면 및 제 2 돌출 표면을 갖는 제 3 부분을 더 포함하고, 상기 제 1 돌출 표면과 상기 제 2 돌출 표면은 개구를 정의하도록 이격되고, 상기 실드의 말단 부분은 상기 제 2 링을 지지하도록 개구에 배치되고, 상기 제 2 돌출 표면은 상기 제 1 링의 외측 벽 근방에서 테이퍼링된 부분을 포함하고, 상기 테이퍼링된 부분은 상기 제 2 링과 상기 제 1 링을 정렬시키도록 구성되는,
    물리 기상 증착 챔버.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 하측 표면의 제 2 부분과 상기 제 1 링의 상측 표면의 오목한 제 1 부분은 약 0.053 인치 또는 그 미만의 갭을 형성하는,
    물리 기상 증착 챔버.
KR1020177012957A 2014-10-14 2015-09-29 키트 수명을 개선하기 위한 고 압축 응력 막 증착을 위한 장치 KR102489441B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462063926P 2014-10-14 2014-10-14
US62/063,926 2014-10-14
US14/864,031 US10115573B2 (en) 2014-10-14 2015-09-24 Apparatus for high compressive stress film deposition to improve kit life
US14/864,031 2015-09-24
PCT/US2015/052803 WO2016060837A1 (en) 2014-10-14 2015-09-29 Apparatus for high compressive stress film deposition to improve kit life

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170067882A true KR20170067882A (ko) 2017-06-16
KR102489441B1 KR102489441B1 (ko) 2023-01-16

Family

ID=55655942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177012957A KR102489441B1 (ko) 2014-10-14 2015-09-29 키트 수명을 개선하기 위한 고 압축 응력 막 증착을 위한 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10115573B2 (ko)
KR (1) KR102489441B1 (ko)
CN (1) CN106796864B (ko)
TW (1) TWI680199B (ko)
WO (1) WO2016060837A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI633197B (zh) 2016-05-24 2018-08-21 美商伊麥傑公司 高精準度蔽蔭遮罩沉積系統及其方法
CN109642309B (zh) * 2017-05-17 2021-08-17 埃马金公司 高精准度蔽荫掩模沉积系统及其方法
KR101987576B1 (ko) * 2018-01-24 2019-06-10 주식회사 기가레인 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치
CN111243934B (zh) * 2020-03-03 2023-02-03 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种环件连接部的翻新方法
JP7398988B2 (ja) * 2020-03-13 2023-12-15 東京エレクトロン株式会社 スパッタ装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0963464A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Toshiba Corp 電界放出型冷陰極およびその製造方法
KR20010043955A (ko) * 1998-06-01 2001-05-25 로버트 에이. 바쎄트 경사진 스퍼터링 타겟
KR20040005836A (ko) * 2000-10-13 2004-01-16 램 리서치 코포레이션 플라즈마 공정의 균일성 향상을 위한 돌출부가 있는 상부전극
WO2010038729A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20120000231U (ko) * 2010-06-30 2012-01-05 램 리써치 코포레이션 플라즈마 처리 챔버를 위한 ｃ-형상 한정 링

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4422295B2 (ja) * 2000-05-17 2010-02-24 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
JP2007295001A (ja) * 2001-06-01 2007-11-08 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
WO2002099863A1 (fr) 2001-06-01 2002-12-12 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement de plasma
US9127362B2 (en) * 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US20070283884A1 (en) 2006-05-30 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Ring assembly for substrate processing chamber
SG177902A1 (en) * 2006-12-19 2012-02-28 Applied Materials Inc Non-contact process kit
US8221602B2 (en) * 2006-12-19 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Non-contact process kit
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US8435379B2 (en) 2007-05-08 2013-05-07 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods
US8118940B2 (en) * 2008-02-07 2012-02-21 Asm Japan K.K. Clamping mechanism for semiconductor device
KR20140101996A (ko) * 2013-02-13 2014-08-21 삼성전자주식회사 기판 지지유닛 및 이를 구비한 플라즈마 식각장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0963464A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Toshiba Corp 電界放出型冷陰極およびその製造方法
KR20010043955A (ko) * 1998-06-01 2001-05-25 로버트 에이. 바쎄트 경사진 스퍼터링 타겟
KR20040005836A (ko) * 2000-10-13 2004-01-16 램 리서치 코포레이션 플라즈마 공정의 균일성 향상을 위한 돌출부가 있는 상부전극
WO2010038729A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20120000231U (ko) * 2010-06-30 2012-01-05 램 리써치 코포레이션 플라즈마 처리 챔버를 위한 ｃ-형상 한정 링

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016060837A1 (en) 2016-04-21
TWI680199B (zh) 2019-12-21
US20160104603A1 (en) 2016-04-14
CN106796864B (zh) 2019-09-13
CN106796864A (zh) 2017-05-31
US10115573B2 (en) 2018-10-30
TW201614091A (en) 2016-04-16
KR102489441B1 (ko) 2023-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9404176B2 (en) Substrate support with radio frequency (RF) return path
US9303311B2 (en) Substrate processing system with mechanically floating target assembly
US9593410B2 (en) Methods and apparatus for stable substrate processing with multiple RF power supplies
KR102489441B1 (ko) 키트 수명을 개선하기 위한 고 압축 응력 막 증착을 위한 장치
US8647485B2 (en) Process kit shield for plasma enhanced processing chamber
US9957601B2 (en) Apparatus for gas injection in a physical vapor deposition chamber
US8795487B2 (en) Physical vapor deposition chamber with rotating magnet assembly and centrally fed RF power
KR102131218B1 (ko) 플라즈마­제한 갭을 갖는 프로세스 키트
KR101771604B1 (ko) 무선 주파수(ｒｆ) 리턴 경로를 갖는 기판 지지부
US20200312640A1 (en) Methods and apparatus for reducing sputtering of a grounded shield in a process chamber
US9255322B2 (en) Substrate processing system having symmetric RF distribution and return paths
US11508563B1 (en) Methods and apparatus for processing a substrate using improved shield configurations
TWI537406B (zh) 具有旋轉磁性組件與中央饋送射頻能量之物理氣相沉積腔室
CN116802338A (zh) 用于使用改进的屏蔽件配置处理基板的方法及设备

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant