KR101987576B1 - 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

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김형원
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Abstract

본 발명은 챔버 내부에서 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명은 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 상기 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 상기 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되고, 상부에 상기 기판을 안착하여 상기 처리영역에 상기 기판이 위치되도록 하는 척; 상기 형성영역에서 형성된 상기 처리물질을 상기 처리영역으로 유도하는 유도부; 상기 챔버를 관통하여 설치되어, 상기 기판이 상기 챔버에 반입 및 반출할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 상승시키고, 상기 기판을 처리할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 하강시키는 승하강부; 상기 챔버 외부에 설치되어, 상기 승하강부에 구동력을 제공하는 구동부; 상기 유도부 하부에 설치되어, 상기 승하강부와 연동되는 1 이상의 연동부; 및 상기 챔버 내벽으로부터 돌출되고, 상기 유도부가 하강하는 경계에 형성된 유도 하강 경계턱; 을 포함하고, 상기 승하강부는 승하강하는 일부 구간에서 상기 유도부와 상기 연동부를 함께 승강시키고, 승하강하는 다른 일부 구간에서 상기 유도부만을 승강시키고, 상기 유도부는, 상기 승하강부의 상단에 고정되거나, 상기 승하강부의 상단에 지지 또는 상기 승하강부의 일측에 형성된 유도 걸림부에 지지되어, 상기 승하강부의 하강에 의해 상기 유도 하강 경계턱에 지지되어 고정된다.

Description

승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치{Substrate processing apparatus including an interlocking part linked with an elevating inducing part}
본 발명은 챔버 내부에서 기판 처리물질을 처리영역으로 유도하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치는 반도체 공정을 수행하는 장치로서, 상세하게는 기판을 처리물질로 처리하는 장치이다.
이때, 기판은 웨이퍼 또는 웨이퍼가 장착된 트레이를 의미할 수 있고, 처리물질은 기판을 처리하기 위한 기체 또는 플라즈마를 의미할 수 있다.
예를 들어, 기판 처리 장치는 플라즈마로 식각, 증착 및 에싱 중 하나 이상을 수행하는 장치이거나, 금속 기체로 증착을 수행하는 장치일 수 있다.
이러한 기판 처리 장치는 챔버를 포함한다.
챔버 내부에는 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함한다.
기판은 형성영역 및 처리영역 사이에 형성된 기판 출입구를 통해 로봇암으로 이송되어 챔버 외부로부터 챔버 내부에 반입되어 척의 상부에 안착된다.
그러나 형성영역 및 처리영역 사이는 기판 처리를 위해 근접하므로 기판이 챔버 내부에 반입되는 공간이 부족한 문제점이 있다.
특히 기판 처리물질을 처리영역으로 유도하는 기구적인 구성을 챔버 내부에 구비하는 하는 경우 공간 부족 문제가 더욱 커지게 된다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 종래에는 척이 승강하여 기판이 챔버 내부에 반입되는 공간을 확보하였다.
그러나 척은 기판의 고정 및 온도 제어를 위한 구성 등 다양한 구성을 포함하고 있어 챔버 내부에서 척이 승강하는 공간 확보를 위해 챔버의 크기가 증가되고, 척의 무게로 인해 승강에 많은 동력을 요구되며, 척이 포함하는 다양한 구성도 척과 함께 승강해야 되는 문제점이 있다.
한편, 챔버 내부에는 처리물질에 의한 기판 외곽부 또는 기판의 이면 처리를 제한하기 위한 장치가 별도로 요구될 수 있다.
이러한 장치는 챔버 내부에 고정 설치되어야 하므로 척의 승강이 요구되며, 이 경우 상술한 바와 같은 문제점이 있다.
KR 10-1443792 B1 (2014.09.17) KR 10-2014-0103872 A (2014.08.27) KR 10-2006-0013987 A (2006.02.14)
전술한 문제점을 해결하고자 하는 것이 본 발명의 과제이다.
본 발명은 챔버 내부에 기판 외곽의 처리를 제한하는 장치나, 기판을 척에 안착시키는 장치를 챔버 내부의 승강하는 유도부와 연동하여 동작시킬 수 있는 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치는, 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 상기 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 상기 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되고, 상부에 상기 기판을 안착하여 상기 처리영역에 상기 기판이 위치되도록 하는 척; 상기 형성영역에서 형성된 상기 처리물질을 상기 처리영역으로 유도하는 유도부; 및 상기 챔버를 관통하여 설치되어, 상기 기판이 상기 챔버에 반입 및 반출할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 상승시키고, 상기 기판을 처리할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 하강시키는 승하강부; 상기 챔버 외부에 설치되어, 상기 승하강부에 구동력을 제공하는 구동부; 및 상기 유도부 하부에 설치되어, 상기 승하강부와 연동되는 1 이상의 연동부;를 포함하고, 상기 승하강부는 승하강하는 일부 구간에서 상기 유도부와 상기 연동부를 함께 승강시키고, 승하강하는 다른 일부 구간에서 상기 유도부만을 승강시킨다.
바람직하게, 상기 챔버 내벽으로부터 돌출되고, 상기 유도부가 하강하는 경계에 형성된 유도 하강 경계턱; 을 더 포함하고, 기 유도부는 상기 승하강부의 승강시 상기 승하강부의 상단에 지지되거나, 상기 승하강부의 일단 및 타단 사이에 형성된 유도 걸림부에 지지되어 승강하되, 상기 승하강부의 하강에 의해 상기 유도 하강 경계턱에 지지되어 고정된다.
바람직하게, 상기 연동부는, 내측에 상기 척에 위치한 기판이 삽입되고, 상기 처리물질이 상기 기판의 외측을 처리하는 것을 제한하는 제한부를 포함한다.
바람직하게, 상기 제한부의 외측에 수직하게 관통 형성된 제한 연동홀; 및
상기 제한 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 승하강부의 일단 및 타단 사이에 형성되는 제한 걸림부;를 더 포함하고, 상기 승하강부는, 상부 구간에서 상기 제한 걸림부에 지지된 상기 제한부를 상기 유도부와 함께 하강시켜 상기 제한부를 상기 기판 상부에 고정시키고, 하부 구간에서 상기 제한 연동홀을 통과하면서 상기 유도부를 하강시킨다.
바람직하게, 상기 연동부는, 상승하여 상기 기판을 인계 받고, 하강하여 상기 척의 상부에 상기 기판을 안착하는 거치부;를 포함한다.
바람직하게, 상기 거치부의 외측에 수직하게 관통 형성된 거치 연동홀; 및 상기 거치 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 승하강부의 일단 및 타단 사이에 형성되는 거치 걸림부;를 더 포함하고, 상기 승하강부는, 상부 구간에서 상기 거치 걸림부에 지지된 상기 거치부를 상기 유도부와 함께 하강시켜 상기 기판을 상기 척의 상부에 안착시키고, 하부 구간에서 상기 거치 연동홀을 통과하면서 상기 유도부를 하강시킨다.
삭제
바람직하게, 상기 승하강부는 상기 거치 걸림부의 상부에 이격하여 형성되는 거치 가압부;를 더 포함하고, 상기 승하강부가 상기 하부 구간에서 하강시 상기 거치 가압부가 상기 거치부 상부를 가압한다.
바람직하게, 상기 거치 가압부는, 상기 승하강부가 상기 하부 구간에서 하강시 상기 거치 연동홀과 상기 승하강부 사이에 형성된 틈을 밀폐시킨다.
바람직하게, 상기 연동부는, 상승하여 상기 기판을 인계 받고, 하강하여 상기 척의 상부에 상기 기판을 안착하는 거치부; 및 상기 유도부와 상기 거치부 사이에 설치되어, 내측에 상기 척에 안착된 기판이 삽입되고, 상기 처리물질이 상기 기판의 외측을 처리하는 것을 제한하는 제한부;를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 승하강부는, 상부 구간에서 상기 유도부, 상기 제한부 및 상기 거치부를 하강시키고, 중간 구간에서 상기 유도부와 상기 제한부를 하강시키고, 하부 구간에서 상기 유도부를 하강시킨다.
바람직하게, 상기 제한부의 외측에 수직하게 관통 형성된 제한 연동홀; 및 상기 제한 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 승하강부의 일단 및 타단 사이에 형성되는 제한 걸림부; 상기 거치부의 외측에 수직하게 관통 형성된 거치 연동홀; 및 상기 거치 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 승하강부의 일단 및 타단 사이에 형성되는 거치 걸림부;를 더 포함하고, 상기 승하강부는, 상부 구간에서 상기 유도부, 상기 제한 걸림부에 지지된 상기 제한부, 및 상기 거치 걸림부에 지지된 상기 거치부를 하강시켜 상기 기판을 상기 척의 상부에 안착시키고, 중간 구간에서 상기 거치 연동홀을 통과하면서 상기 제한부를 하강시킴으로써 상기 기판 상부에 상기 제한부를 고정시키며, 하부 구간에서 상기 제한 연동홀을 통과하면서 상기 유도부를 하강시킨다.
바람직하게, 상기 승하강부는 상기 제한 걸림부의 상부에 이격하여 형성되는 제한 가압부;를 더 포함하고, 상기 승하강부가 상기 하부 구간에서 하강시 상기 제한 가압부가 상기 제한부 상부를 가압한다.
바람직하게, 상기 제한 가압부는, 상기 승하강부가 상기 하부 구간에서 하강시 상기 제한 연동홀과 상기 승하강부 사이에 형성된 틈을 밀폐시킨다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치는, 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 상기 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 상기 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되고, 상부에 상기 기판을 안착하여 상기 처리영역에 상기 기판이 위치되도록 하는 척; 상기 형성영역에서 형성된 상기 처리물질을 상기 처리영역으로 유도하는 유도부; 상기 챔버를 관통하여 설치되어, 상기 기판이 상기 챔버에 반입 및 반출할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 상승시키고, 상기 기판을 처리할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 하강시키는 승하강부; 상기 챔버 외부에 설치되어, 상기 승하강부에 구동력을 제공하는 구동부; 상기 유도부 하부에 설치되어, 상기 승하강부와 연동되는 1 이상의 연동부; 상기 연동부의 외측에 수직하게 관통 형성된 연동홀; 및 상기 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 승하강부의 일측에 형성되는 걸림부;를 포함하고, 상기 승하강부는 승하강하는 일부 구간에서 상기 유도부와 상기 연동부를 함께 승강시키고, 승하강하는 다른 일부 구간에서 상기 유도부만을 승강시키고, 상기 승하강부는, 상부 구간에서 상기 걸림부에 지지된 상기 연동부를 상기 유도부와 함께 하강시키고, 하부 구간에서 상기 연동홀을 통과하면서 상기 유도부를 하강시키는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함한다.
바람직하게, 상기 승하강부는 상기 연동부의 상부에 이격하여 형성되는 가압부;를 더 포함하고, 상기 승하강부가 상기 하부 구간에서 하강시 상기 가압부가 상기 연동부 상부에 접촉되어 가압한다.
첫째, 유도부가 상승하여 형성영역 및 처리영역 사이의 공간을 확보하므로 척의 상승없이 챔버 내부에 기판을 반입할 수 있는 이점이 있다.
둘째, 필요 이상으로 유도부가 승강하는 것을 제한할 수 있는 이점이 있다.
셋째, 제 1 가이드부 및 제 2 가이드부는 유도부가 상승 또는 하강할 때 유도부를 가이드하여 한쪽으로 기우는 것을 방지하는 이점이 있다.
넷째, 제한부를 구비하여 척의 상승 없이 처리물질에 의한 기판 외곽 부분에 대한 처리를 제한할 수 있는 이점이 있다.
다섯째, 거치부를 구비하여 기판 안착을 위해 승강하는 리프트핀과 같은 별도의 구성이 필요 없다는 이점이 있다.
여섯째, 제한부 및/또는 거치부가 유도부와 연동되어 제한부 및/또는 거치부를 승강시키기 위한 별도 구성의 추가가 필요 없으며, 기판을 처리할 때 유도부와 기판 사이의 간격을 필요에 따라 조절할 수 있는 이점이 있다.
일곱째, 제한부를 가압하는 제한 가압부를 구비하여 기판을 견고하게 고정하거나, 제한부와 승하강부 사이의 틈을 밀폐하여 파티클 발생을 억제하는 이점이 있다.
여덟째, 거치부를 가압하는 거치 가압부를 구비하여 거치부를 견고하게 고정하거나, 거치부와 승하강부 사이의 틈을 밀폐하여 파티클 발생을 억제하는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 유도부가 상승했을 때의 모습을 나타낸 도면,
도 2는 본 발명의 유도부가 하강했을 때의 모습을 나타낸 도면,
도 3, 도 4는 구동부의 실시예를 나타낸 도면,
도 5는 유도부를 지지하는 승하강부의 실시예를 나타낸 도면,
도 6, 도 7은 제 1 가이드 및 제 2 가이드의 실시예를 나타낸 도면,
도 8 내지 도 10는 제한부의 실시예를 나타낸 도면,
도 11은 제한부의 다른 실시예를 나타낸 도면,
도 12는 제한부를 지지하는 제한 걸림부의 실시예를 나타낸 도면,
도 13, 도 14는 거치부의 실시예를 나타낸 도면,
도 15 내지 도 17은 제한부와 유도부를 함께 구비한 실시예를 나타낸 도면이다.
척(200)은 기판(10)의 고정 및 온도 제어를 위한 구성 등 다양한 구성을 포함하고 있어 챔버(100) 내부에서 척(200)이 승강하는 공간 확보를 위해 챔버(100)의 크기가 증가되고, 척(200)의 무게로 인해 승강에 많은 동력을 요구되며, 척(200)이 포함하는 다양한 구성도 척(200)과 함께 승강해야 되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치는, 챔버(100), 척(200), 유도부(500), 승하강부(300) 및 구동부(400)를 포함한다.
챔버(100) 내부에는 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역(110), 처리물질로 기판(10)이 처리되는 영역인 처리영역(120) 및 펌프와 연결되어 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역(130)을 포함한다.
척(200)은 챔버(100) 내부에 설치되고, 상부에 기판(10)을 안착하여 처리영역(120)에 기판(10)이 위치되도록 한다.
유도부(500)는 기판(10)이 챔버(100)에 반입 또는 반출할 때는 챔버(100) 내부에서 상승하고, 기판(10)을 처리할 때는 챔버(100) 내부에서 하강하며, 처리영역(120) 방향으로 직경이 점차 감소되도록 중앙을 관통하는 유도홀(510)이 형성되고, 유도홀(510)을 통해 형성영역(110)에서 형성된 처리물질을 처리영역(120)으로 유도한다.
승하강부(300)는 챔버(100)를 관통하여 설치되고, 유도부(500)와 연동되어 유도부(500)를 승강한다.
구동부(400)는 챔버(100) 외부에 설치되고, 승하강부(300)가 승강하도록 승하강부(300)에 구동력을 제공한다.
구동부(400)는 실린더 또는 모터를 사용할 수 있다.
구동부(400)가 신축하는 실린더인 경우, 승하강부(300)는 구동부(400)에 연동되어 승강하는 막대 형상일 수 있다.
구동부(400)가 회전하는 모터인 경우, 승하강부(300)는 구동부(400)에 연동되어 회전하는 볼스크류일 수 있고, 유도부(500)는 볼스크류의 회전으로 승강되는 너트 하우징에 연결되어 승강될 수 있다.
구동부(400)는 챔버(100) 하부에 위치되거나, 도 3에 도시된 바와 같이, 구동부(400)는 챔버(100) 상부에 위치될 수 있다.
구동부(400)는 연결판(310)에 연결되어 다수의 승하강부(300)에 구동력을 동시에 제공하거나, 도 4에 도시된 바와 같이, 구동부(400)는 승하강부(300)에 각각 연결되어 각각의 승하강부(300)에 구동력을 제공할 수 있다.
유도부(500)는 승하강부(300) 일단에 고정되어 연동될 수 있다.
이때, 승하강부(300)는 결합된 것이거나 연장된 것일 수 있다.
또는 유도부(500)는 아래의 도 5a, 도 5b와 같이 승하강부(300)에 고정되지 않고 접촉된 상태로 지지되거나, 도 5c, 도 5d와 같이 슬라이딩 구조로 결합된 상태에서 지지될 수 있다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 유도부(500)는 승하강부(300)에 고정되지 않고 승하강부(300) 일단에 접촉되어 승하강부(300)와 연동될 수 있다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 유도부(500)는 승하강부(300) 일단에 연결된 포고핀(320)에 접촉되어 승하강부(300)와 연동될 수 있다.
도 5c에 도시된 바와 같이, 유도부(500)는 유도 연동홀(520)이 형성되고, 승하강부(300)는 유도 연동홀(520)의 직경보다 크게 돌출된 유도 걸림부(530)가 형성되며, 유도 연동홀(520) 및 유도 걸림부(530)의 직경 차이에 의해 유도부(500)는 유도 걸림부(530)에 지지되어 승하강부(300)와 연동될 수 있다.
도 5d에 도시된 바와 같이, 유도 걸림부(530)는 승하강부(300)의 직경이 다른 구간이 이어져 형성될 수 있다.
본 발명의 동작을 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이, 유도부(500)는 승하강부(300) 및 구동부(400)에 의해 상승되어 형성영역(110) 및 처리영역(120) 사이의 공간을 확보한다.
이후, 기판(10)이 로봇암(210)으로 이송되어 챔버(100) 내부에 반입되면, 리프트핀(220)이 로봇암(210)으로부터 기판(10)을 인계받아 척(200)의 상부에 기판(10)을 안착한다.
이후, 도 2에 도시된 바와 같이, 유도부(500)는 승하강부(300) 및 구동부(400)에 의해 하강되어 형성영역(110) 및 처리영역(120) 사이의 공간을 다시 좁히게 된다.
이와 같이, 유도부(500)가 상승하여 형성영역(110) 및 처리영역(120) 사이의 공간을 확보하므로 척(200)의 상승없이 챔버(100) 내부에 기판(10)을 반입할 수 있는 이점이 있다.
유도부(500)가 승강할 때 경우에 따라 필요 이상으로 승강하는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 유도부(500)가 승강하는 경계에는 챔버(100) 내벽으로부터 돌출된 유도 상승 경계턱(540) 및 유도 하강 경계턱(550)이 형성될 수 있다.
유도부(500)의 상승 경계에 형성된 유도 상승 경계턱(540)은 유도부(500)가 유도 상승 경계턱(540) 상부로 상승하는 것을 제한하고, 유도부(500)의 하강 경계에 형성된 유도 하강 경계턱(550)은 유도부(500)가 유도 하강 경계턱(550) 하부로 하강하는 것을 제한한다.
유도 상승 경계턱(540) 및 유도 하강 경계턱(550)은 챔버(100) 내벽 둘레를 따라 돌출되거나, 챔버(100) 내벽 둘레를 따라 부분적으로 돌출될 수 있다.
이와 같이, 필요 이상으로 유도부(500)가 승강하는 것을 제한할 수 있는 이점이 있다.
따라서 도 4와 도 5에 의하면, 유도부(500)는 승하강부(300)의 승강시 승하강부(300)의 상단에 지지(도 5a, 도 5b 참조)되거나, 승하강부(300)의 일단 및 타단 사이에 형성된 유도 걸림부(530)에 지지(도 5a, 도 5d 참조)되어 승강한다.
그리고 유도부(500)는 승하강부(300)의 하강시 유도 하강 경계턱(550)에 하강이 제한됨과 동시에, 유도 하강 경계턱(550)의 상부에 지지되어 고정된다.
한편, 유도부(500)가 승강할 때 일측으로 구동력이 치우칠 경우, 유도부(500)가 일측으로 기우는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 가이드부(560) 및 제 2 가이드부(570)를 포함한다.
제 1 가이드부(560)는 상하로 길게 연장된 형상으로 챔버(100) 내부에 위치한다.
제 2 가이드부(570)는 유도부(500)에 형성되고, 유도부(500)가 승강할 때 제 1 가이드부(560)로 부터 이탈되는 것을 방지하도록 제 1 가이드부(560)에 대응되는 형상으로 형성된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 가이드부(560)는 막대 형상이고, 제 2 가이드부(570)는 제 1 가이드부(560)가 관통하는 홀일 수 있다.
그리고 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 가이드부(560)는 챔버(100)에서 상하방향으로 길게 돌출된 막대 형상이고, 제 2 가이드부(570)는 제 1 가이드부(560)가 관통하는 홈일 수 있다.
그리고 제 1 가이드부(560)는 챔버(100) 상부에서 하부로 길게 형성된 홈이고, 제 2 가이드부(570)는 홈에 삽입되는 유도부(500)로부터 돌출된 돌기일 수 있다.
이와 같이, 제 1 가이드부(560) 및 제 2 가이드부(570)는 유도부(500)가 상승 또는 하강할 때 유도부(500)를 가이드하여 한쪽으로 기우는 것을 방지하는 이점이 있다.
한편, 승하강부(300)는 유도부(500) 외에도 제한부(600) 및/또는 거치부(700)와 연동되어 승강할 수 있는데, 설명의 편의상 제한부(600)와 거치부(700)를 포괄하는 개념으로서 '연동부'라는 용어를 사용한다.
여기서 제한부(600)는 기판(10) 외곽부를 덮어 처리물질의 기판(10)의 외곽부에 대한 처리를 제한하는 기능을 한다.
거치부(700)는 기판(10)의 하부를 지지하여 척(200) 상부에 안착시키는 기능을 한다.
승하강부(300)는 승하강하는 일부 구간에서 유도부(500)와 연동부(600 및/또는 700)를 함께 승강시키고, 승하강하는 다른 일부 구간에서 연동을 해제하여 유도부(500)를 승강시킨다.
이하에서는 유도부(500) 외에 제한부(600)를 추가 구성한 실시예와, 거치부(700)를 추가 구성한 실시예와, 제한부(600)와 거치부(700)를 함께 추가 구성한 실시예를 나누어 설명한다.
< 제한부 (600) 추가 구성에 따른 실시예 >
승하강부(300)는 유도부(500) 외에도 제한부(600)와 연동되어 승강할 수 있다.
제한부(600)는 승하강부(300)의 일측에 고정되어 승하강부(300)와 연동되어 승강할 수 있다.
그러나 제한부(600)가 승하강부(300)의 일측에 고정되면, 기판(10)을 처리할 때 유도부(500)와 기판(10) 사이의 간격을 필요에 따라 조절하지 못하는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치는, 제한부(600), 제한 처리부(610), 제한 연동홀(620) 및 제한 걸림부(630)를 포함한다.
제한부(600)는 내측에 기판(10)이 삽입되고, 처리물질이 기판(10)을 처리하는 것을 제한한다.
제한 처리부(610)는 제한부(600)의 내측으로부터 연장되어 형성된다.
제한 처리부(610)는 기판(10)의 외곽부를 덮는 형상으로 이루어진다.
다른 실시예에 의하면, 도 11에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 높이보다 더 높게 돌출되어 기판(10)의 외측을 둘러싸는 형상일 수 있다.
제한 연동홀(620)은 제한부(600)에 형성된다.
제한 걸림부(630)는 제한 연동홀(620)의 직경보다 큰 직경으로 승하강부(300)의 일측에 형성된다.
도 12a에 도시된 바와 같이, 제한 걸림부(630)는 승하강부(300)의 직경이 다른 구간이 이어져 형성될 수 있다.
도 12b에 도시된 바와 같이, 제한 걸림부(630)는 승하강부(300)의 일측에 돌출되어 형성될 수 있다.
승하강부(300)의 일정 구간은 제한 연동홀(620)의 직경보다 작은 직경으로 형성되어 승강할 때 제한 연동홀(620)을 통과하고, 제한부(600)가 제한 걸림부(630)에 지지되면 승하강부(300)에 연동되어 승강한다.
즉, 승하강부(300)는, 기판(10)의 반입 또는 반출을 위한 위치(도 8 참조)에서 하강을 시작하며, 상부 구간에서 제한 걸림부(630)에 지지된 제한부(600)를 유도부(500)와 함께 하강시켜 제한부(600)를 기판(10) 상부에 고정시킨다(도 9 참조).
그 후 승하강부(300)는 하부 구간에서 제한부(600)와의 연동이 해제된 상태에서 제한 연동홀(620)을 통과하면서 유도부(500)를 하강시킨다(도 10 참조).
제한 가압부(640)는 승하강부(300)의 둘레에 제한 연동홀(620)의 직경보다 큰 크기로 돌출 형성되어 있으며, 제한 걸림부(630) 상부에 이격하여 형성된다.
유도부(500)가 유도 하강 경계턱(550)에 지지되면서 하강이 제한되면, 제한 가압부(640)는 제한부(600)을 가압하여 기판(10)을 척(200) 상부에 견고히 지지한다.
또한 제한 가압부(640)는 기판(10) 지지 기능 이외에 제한 연동홀(620)과 승하강부(300) 사이에 형성된 틈을 밀폐시킴으로써 처리물질이 틈을 통하여 배출영역(130)으로 배출되면서 발생하는 파티클 생성을 억제하는 기능도 수행한다.
이러한 제한 가압부(640)는 탄성체로 구성함으로써 실링 효과를 더욱 높일 수 있다.
따라서 본 발명은 별도 구성의 추가 없이 제한부(600)가 유도부(500)와 연동하여 승강하는 이점이 있고, 기판(10)을 처리할 때 유도부(500)와 기판(10) 사이의 간격을 필요에 따라 조절할 수 있는 이점이 있다.
또한 제한 가압부(640)는 플라즈마 등으로 인해 발생하는 기판(10)의 진동을 억제함으로써 기판(10)을 균일하게 처리할 수 있고, 파티클 생성을 억제하는 이점이 있다.
< 거치부(700) 추가 구성에 따른 실시예 >
승하강부(300)는 유도부(500) 외에도 거치부(700)와 연동되어 승강할 수 있다.
거치부(700)는 승하강부(300)의 일측에 고정되어 승하강부(300)와 연동되어 승강할 수 있다.
그러나 거치부(700)가 승하강부(300)의 일측에 고정되면, 기판(10)을 처리할 때 유도부(500)와 기판(10) 사이의 간격을 필요에 따라 조절하지 못하는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치는, 거치부(700), 거치 안착홀(710), 척 안착부(230), 거치 연동홀(720) 및 거치 걸림부(730)를 포함한다.
거치부(700)는 상승하여 리프트핀(220) 대신 로봇암(210)으로부터 기판(10)을 인계 받고, 하강하여 척(200)의 상부에 기판(10)을 안착한다.
거치 안착홀(710)은 거치부(700)의 내측에 기판(10)보다 작은 직경으로 형성된다.
척 안착부(230)는 척(200)으로부터 돌출된 구성으로 거치 안착홀(710)에 삽입되고, 상면이 기판(10)의 배면에 접촉되어 기판(10)을 정전기로 고정한다.
거치 연동홀(720)은 거치부(700)에 형성된다.
거치 걸림부(730)는 거치 연동홀(720)의 직경보다 큰 직경으로 승하강부(300)의 일측에 형성된다.
거치 걸림부(730)는, 도 12의 제한 걸림부(630)와 마찬가지로, 승하강부(300)의 직경이 다른 구간이 이어져 형성되거나, 거치 걸림부(730)는 승하강부(300)의 일측에 돌출되어 형성될 수 있다.
승하강부(300)의 일측 구간은 거치부(700) 연동홀의 직경보다 작은 직경으로 형성되어 승강할 때 거치 연동홀(720)을 통과하고, 거치부(700)가 거치 걸림부(730)에 지지되면 승하강부(300)에 연동되어 승강한다.
즉, 승하강부(300)는, 기판(10)의 반입 또는 반출을 위한 위치(도 13 참조)에서 기판(10)을 인계 받은 후 하강을 시작하며, 상부 구간에서 거치 걸림부(730)에 지지된 거치부(700)를 유도부(500)와 함께 하강시켜 척(200)의 상부에 기판(10)을 안착시킨다.
그 후 승하강부(300)는 하부 구간에서 거치부(700)와의 연동이 해제된 상태에서 거치 연동홀(720)을 통과하면서 유도부(500)를 하강시킨다(도 14 참조).
즉, 승하강부(300)가 상부 구간은 거치부(700)와 연동이 해제되어 유도부(500)만 승강하고, 기판(10)의 반입 또는 반출을 위해 거치부(700)의 승강이 필요한 경우 거치부(700)가 유도부(500)와 함께 승강한다.
거치 가압부(740)는 승하강부(300)의 둘레에 거치 연동홀(720)의 직경보다 큰 크기로 돌출 형성되어 있으며, 거치 걸림부(730) 상부에 이격하여 형성된다.
유도부(500)가 유도 하강 경계턱(550)에 지지되면서 하강이 제한되면, 거치 가압부(740)는 거치부(700)을 가압하여 거치부(700)를 척(200) 상부에 견고히 지지한다.
이로부터 척(200) 상부에 안착된 거치부(700)의 진동이 기판(10)에 전달되는 것을 방지할 수 있다.
또한 거치 가압부(740)는 거치부(700) 지지 기능 이외에 거치 연동홀(720)과 승하강부(300) 사이에 형성된 틈을 밀폐시킴으로써 처리물질이 틈을 통하여 배출영역(130)으로 배출되면서 발생하는 파티클 생성을 억제하는 기능도 수행한다.
이러한 거치 가압부(740)는 탄성체로 구성함으로써 실링 효과를 더욱 높일 수 있다.
따라서 본 발명은 별도의 구성의 추가 없이 유도부(500)와 연동되어 거치부(700)가 승강하는 이점이 있고, 기판(10)을 처리할 때 유도부(500)와 기판(10) 사이의 간격을 필요에 따라 조절할 수 있는 이점이 있다.
또한 거치 가압부(740)는 플라즈마 등으로 인해 발생하는 거치부(700)의 진동을 억제함으로써 기판(10)을 균일하게 처리할 수 있고, 파티클 생성을 억제하는 이점이 있다.
< 제한부 (600) 및 거치부(700) 추가 구성에 따른 실시예 >
승하강부(300)는 유도부(500) 외에 제한부(600) 및 거치부(700)와 연동되어 승강할 수 있다.
본 실시예는 상술한 거치부(700) 추가 구성의 실시예에 대하여, 유도부(500)와 거치부(700) 사이에 제한부(600)가 추가적으로 설치된다.
이하에서는, 상술한 실시예들과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하고, 발명의 특징부를 중심으로 설명한다.
거치부(700)만을 구비하는 경우, 척(200) 상부에 안착된 기판(10) 외곽부에 대한 처리를 제한하기 위해서는 별도의 장치를 요구되는데, 이러한 장치를 챔버(100) 내부에 설치하고자 하는 경우 공간상이 제약이 따른다는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 도 15 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치는, 제한부(600)를 유도부(600)와 거치부(700) 사이에 설치한다.
즉, 거치부(700) 추가 구성의 실시예에 대하여, 제한부(600), 제한 처리부(610), 제한 연동홀(620), 제한 걸림부(630) 및 제한 가압부(640)을 더 포함한다.
이러한 구성들에 대해서는 앞서 제한부(600) 추가 구성의 실시예에 대하여 설명하였다.
제한부(600)에 형성된 제한 연동홀(620), 거치부(700)에 형성된 거치 연동홀(720), 승하강부(300)의 일단 및 타단 사이에서 상, 하부로 이격된어 형성된 제한 걸림부(630)와 거치 걸림부(730)의 직경을 대비하면, 제한 연동홀(620), 제한 걸림부(630), 거치 연동홀(720), 거치 걸림부(730) 순으로 직경이 커진다.
승하강부(300)가 상부에서 하부로 하강하는 구간을 상부 구간, 중간 구간 및 하부 구간으로 나눌 수 있다.
승하강부(300)는 도 15 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 상부 구간에서 상기 유도부, 상기 제한부 및 상기 거치부를 하강시키고, 중간 구간에서 상기 유도부와 상기 제한부를 하강시키고, 하부 구간에서 상기 유도부를 하강시킨다.
이하에서는 각 구간 별로 승하강부의 동작에 대하여 구체적으로 설명한다.
먼저 상부 구간에서 승하강부(300)는, 유도부(500), 제한 걸림부(630)에 지지된 제한부(600), 및 거치 걸림부(730)에 지지된 거치부(700)를 하강시켜 기판(10)을 척(200)의 상부에 안착시킨다(도 16 참조).
중간 구간에서 승하강부(300)는, 거치부(700)와의 연동이 해제된 상태에서 거치 연동홀(720)을 통과하면서 제한부(600)를 하강시킴으로써 거치부(700)에 의하여 척(200) 상부에 안착된 기판(10) 상부에 제한부(600)를 고정시킨다(도 17 참조).
마지막으로, 하부 구간에서 승하강부(300)는, 거치부(700) 및 제한부(600)와의 연동이 해제된 상태에서 제한 연동홀(620)을 통과하면서 유도부(500)를 하강시킨다.
따라서 본 발명은 별도의 구성의 추가 없이 유도부(500)와 연동되어 제한부(600) 및 거치부(700)가 승강하는 이점이 있고, 기판(10)을 처리할 때 유도부(500)와 기판(10) 사이의 간격을 필요에 따라 조절할 수 있는 이점이 있다.
10 : 기판 100 : 챔버
110 : 형성영역 120 : 처리영역
130 : 배출영역 200 : 척
300 : 승하강부 400 : 구동부
500 : 유도부 600 : 제한부
700 : 거치부

Claims (14)

  1. 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 상기 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 상기 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 설치되고, 상부에 상기 기판을 안착하여 상기 처리영역에 상기 기판이 위치되도록 하는 척;
    상기 형성영역에서 형성된 상기 처리물질을 상기 처리영역으로 유도하는 유도부;
    상기 챔버를 관통하여 설치되어, 상기 기판이 상기 챔버에 반입 및 반출할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 상승시키고, 상기 기판을 처리할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 하강시키는 승하강부;
    상기 챔버 외부에 설치되어, 상기 승하강부에 구동력을 제공하는 구동부;
    상기 유도부 하부에 설치되어, 상기 승하강부와 연동되는 1 이상의 연동부; 및
    상기 챔버 내벽으로부터 돌출되고, 상기 유도부가 하강하는 경계에 형성된 유도 하강 경계턱; 을 포함하고,
    상기 승하강부는 승하강하는 일부 구간에서 상기 유도부와 상기 연동부를 함께 승강시키고, 승하강하는 다른 일부 구간에서 상기 유도부만을 승강시키고,
    상기 유도부는, 상기 승하강부의 상단에 고정되거나, 상기 승하강부의 상단에 지지 또는 상기 승하강부의 일측에 형성된 유도 걸림부에 지지되어, 상기 승하강부의 하강에 의해 상기 유도 하강 경계턱에 지지되어 고정되는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 챔버 내벽으로부터 돌출되고, 상기 유도부가 상승하는 경계에 형성된 유도 상승 경계턱; 을 더 포함하고,
    상기 유도부는 상기 승하강부의 상승에 의해 상기 유도 상승 경계턱에 지지되어 고정되는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 상기 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 상기 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 설치되고, 상부에 상기 기판을 안착하여 상기 처리영역에 상기 기판이 위치되도록 하는 척;
    상기 형성영역에서 형성된 상기 처리물질을 상기 처리영역으로 유도하는 유도부;
    상기 챔버를 관통하여 설치되어, 상기 기판이 상기 챔버에 반입 및 반출할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 상승시키고, 상기 기판을 처리할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 하강시키는 승하강부;
    상기 챔버 외부에 설치되어, 상기 승하강부에 구동력을 제공하는 구동부;
    상기 유도부 하부에 설치되어, 상기 승하강부와 연동되는 1 이상의 연동부;
    상기 연동부의 외측에 수직하게 관통 형성된 연동홀; 및
    상기 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 승하강부의 일측에 형성되는 걸림부;를 포함하고,
    상기 승하강부는 승하강하는 일부 구간에서 상기 유도부와 상기 연동부를 함께 승강시키고, 승하강하는 다른 일부 구간에서 상기 유도부만을 승강시키고,
    상기 승하강부는,
    상부 구간에서 상기 걸림부에 지지된 상기 연동부를 상기 유도부와 함께 하강시키고,
    하부 구간에서 상기 연동홀을 통과하면서 상기 유도부만을 하강시키는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 승하강부는 상기 연동부의 상부에 이격하여 형성되는 가압부;를 더 포함하고,
    상기 승하강부가 상기 하부 구간에서 하강시 상기 가압부가 상기 연동부 상부에 접촉되어 가압하는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 상기 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 상기 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 설치되고, 상부에 상기 기판을 안착하여 상기 처리영역에 상기 기판이 위치되도록 하는 척;
    상기 형성영역에서 형성된 상기 처리물질을 상기 처리영역으로 유도하는 유도부;
    상기 챔버를 관통하여 설치되어, 상기 기판이 상기 챔버에 반입 및 반출할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 상승시키고, 상기 기판을 처리할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 하강시키는 승하강부;
    상기 챔버 외부에 설치되어, 상기 승하강부에 구동력을 제공하는 구동부; 및
    상기 유도부 하부에 설치되어, 상기 승하강부와 연동되는 1 이상의 연동부;를 포함하고,
    상기 승하강부는 승하강하는 일부 구간에서 상기 유도부와 상기 연동부를 함께 승강시키고, 승하강하는 다른 일부 구간에서 상기 유도부만을 승강시키는 것을 특징으로 하고,
    상기 연동부는, 내측에 상기 척에 위치한 기판이 삽입되고, 상기 처리물질이 상기 기판의 외측을 처리하는 것을 제한하는 제한부를 포함하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제한부의 외측에 수직하게 관통 형성된 제한 연동홀; 및
    상기 제한 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 승하강부의 일측에 형성되는 제한 걸림부;를 더 포함하고,
    상기 승하강부는,
    상부 구간에서 상기 제한 걸림부에 지지된 상기 제한부를 상기 유도부와 함께 하강시켜 상기 제한부를 상기 기판 상부에 고정시키고,
    하부 구간에서 상기 제한 연동홀을 통과하면서 상기 유도부만을 하강시키는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 승하강부는 상기 제한 걸림부의 상부에 이격하여 형성되는 제한 가압부;를 더 포함하고,
    상기 승하강부가 상기 하부 구간에서 하강시 상기 제한 가압부가 상기 제한부 상부에 접촉되어 가압하는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 상기 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 상기 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 설치되고, 상부에 상기 기판을 안착하여 상기 처리영역에 상기 기판이 위치되도록 하는 척;
    상기 형성영역에서 형성된 상기 처리물질을 상기 처리영역으로 유도하는 유도부;
    상기 챔버를 관통하여 설치되어, 상기 기판이 상기 챔버에 반입 및 반출할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 상승시키고, 상기 기판을 처리할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 하강시키는 승하강부;
    상기 챔버 외부에 설치되어, 상기 승하강부에 구동력을 제공하는 구동부; 및
    상기 유도부 하부에 설치되어, 상기 승하강부와 연동되는 1 이상의 연동부;를 포함하고,
    상기 승하강부는 승하강하는 일부 구간에서 상기 유도부와 상기 연동부를 함께 승강시키고, 승하강하는 다른 일부 구간에서 상기 유도부만을 승강시키는 것을 특징으로 하고,
    상기 연동부는, 상승하여 상기 기판을 인계 받고, 하강하여 상기 척의 상부에 상기 기판을 안착하는 거치부;를 포함하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 거치부의 외측에 수직하게 관통 형성된 거치 연동홀; 및
    상기 거치 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 승하강부의 일단 및 타단 사이에 형성되는 거치 걸림부;를 더 포함하고,
    상기 승하강부는,
    상부 구간에서 상기 거치 걸림부에 지지된 상기 거치부를 상기 유도부와 함께 하강시켜 상기 기판을 상기 척의 상부에 안착시키고,
    하부 구간에서 상기 거치 연동홀을 통과하면서 상기 유도부만을 하강시키는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 승하강부는 상기 거치 걸림부의 상부에 이격하여 형성되는 거치 가압부;를 더 포함하고,
    상기 승하강부가 상기 하부 구간에서 하강시 상기 거치 가압부가 상기 거치부 상부에 접촉되어 가압하는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 상기 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 상기 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 설치되고, 상부에 상기 기판을 안착하여 상기 처리영역에 상기 기판이 위치되도록 하는 척;
    상기 형성영역에서 형성된 상기 처리물질을 상기 처리영역으로 유도하는 유도부;
    상기 챔버를 관통하여 설치되어, 상기 기판이 상기 챔버에 반입 및 반출할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 상승시키고, 상기 기판을 처리할 때는 상기 챔버 내부에서 상기 유도부를 하강시키는 승하강부;
    상기 챔버 외부에 설치되어, 상기 승하강부에 구동력을 제공하는 구동부; 및
    상기 유도부 하부에 설치되어, 상기 승하강부와 연동되는 1 이상의 연동부;를 포함하고,
    상기 승하강부는 승하강하는 일부 구간에서 상기 유도부와 상기 연동부를 함께 승강시키고, 승하강하는 다른 일부 구간에서 상기 유도부만을 승강시키는 것을 특징으로 하고,
    상기 연동부는,
    상승하여 상기 기판을 인계 받고, 하강하여 상기 척의 상부에 상기 기판을 안착하는 거치부; 및
    상기 유도부와 상기 거치부 사이에 설치되어, 내측에 상기 척에 안착된 기판이 삽입되고, 상기 처리물질이 상기 기판의 외측을 처리하는 것을 제한하는 제한부;를 포함하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 승하강부는,
    상부 구간에서 상기 유도부, 상기 제한부 및 상기 거치부를 하강시키고,
    중간 구간에서 상기 유도부와 상기 제한부를 하강시키고,
    하부 구간에서 상기 유도부만을 하강시키는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 제한부의 외측에 수직하게 관통 형성된 제한 연동홀; 및
    상기 제한 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 승하강부의 일단 및 타단 사이에 형성되는 제한 걸림부;
    상기 거치부의 외측에 수직하게 관통 형성된 거치 연동홀; 및
    상기 거치 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 승하강부의 일단 및 타단 사이에 형성되는 거치 걸림부;를 더 포함하고,
    상기 승하강부는,
    상부 구간에서 상기 유도부, 상기 제한 걸림부에 지지된 상기 제한부, 및 상기 거치 걸림부에 지지된 상기 거치부를 하강시켜 상기 기판을 상기 척의 상부에 안착시키고,
    중간 구간에서 상기 거치 연동홀을 통과하면서 상기 제한부를 하강시킴으로써 상기 기판 상부에 상기 제한부를 고정시키며,
    하부 구간에서 상기 제한 연동홀을 통과하면서 상기 유도부를 하강시키는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 승하강부는 상기 제한 걸림부의 상부에 이격하여 형성되는 제한 가압부;를 더 포함하고,
    상기 승하강부가 상기 하부 구간에서 하강시 상기 제한 가압부가 상기 제한부 상부에 접촉되어 가압하는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102078364B1 (ko) * 2019-04-25 2020-02-17 주식회사 기가레인 배출흐름조절부 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060013987A (ko) 2004-08-09 2006-02-14 삼성전자주식회사 건식식각장비
KR20090107511A (ko) * 2007-11-16 2009-10-13 파나소닉 주식회사 플라즈마 다이싱 장치 및 반도체 칩의 제조 방법
KR20100003947A (ko) * 2008-07-02 2010-01-12 주성엔지니어링(주) 기판지지프레임을 가지는 기판처리장치
US8017168B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-13 The Coca-Cola Company High-potency sweetener composition with rubisco protein, rubiscolin, rubiscolin derivatives, ace inhibitory peptides, and combinations thereof, and compositions sweetened therewith
JP2013089972A (ja) * 2011-10-19 2013-05-13 Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai プラズマ均一性および効果を改良するための誘導結合プラズマ源の設計
KR20140103872A (ko) 2013-02-18 2014-08-27 램 리써치 코포레이션 플라즈마 웨이퍼 처리를 위한 하이브리드 에지 링
KR101443792B1 (ko) 2013-02-20 2014-09-26 국제엘렉트릭코리아 주식회사 건식 기상 식각 장치
KR101680850B1 (ko) * 2016-06-28 2016-11-29 주식회사 기가레인 배기유로의 크기가 조절되는 플라즈마 처리 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817168B2 (ja) * 1988-02-15 1996-02-21 東京エレクトロン株式会社 被処理基板の処理方法
JP3172268B2 (ja) * 1992-06-22 2001-06-04 芝浦メカトロニクス株式会社 ペレット突き上げ針の設定方法及びペレットボンディング装置
US6905079B2 (en) * 2000-09-08 2005-06-14 Tokyo Electron Limited Shower head structure and cleaning method thereof
JP5264050B2 (ja) * 2005-09-02 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 昇降機構および搬送装置
KR101512560B1 (ko) * 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
KR101406172B1 (ko) * 2013-01-08 2014-06-12 (주)에스티아이 반도체 웨이퍼의 연속 처리 장치 및 방법
KR101552663B1 (ko) * 2014-02-14 2015-09-11 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US10115573B2 (en) * 2014-10-14 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Apparatus for high compressive stress film deposition to improve kit life
US10438833B2 (en) * 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060013987A (ko) 2004-08-09 2006-02-14 삼성전자주식회사 건식식각장비
US8017168B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-13 The Coca-Cola Company High-potency sweetener composition with rubisco protein, rubiscolin, rubiscolin derivatives, ace inhibitory peptides, and combinations thereof, and compositions sweetened therewith
KR20090107511A (ko) * 2007-11-16 2009-10-13 파나소닉 주식회사 플라즈마 다이싱 장치 및 반도체 칩의 제조 방법
KR20100003947A (ko) * 2008-07-02 2010-01-12 주성엔지니어링(주) 기판지지프레임을 가지는 기판처리장치
JP2013089972A (ja) * 2011-10-19 2013-05-13 Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai プラズマ均一性および効果を改良するための誘導結合プラズマ源の設計
KR20140103872A (ko) 2013-02-18 2014-08-27 램 리써치 코포레이션 플라즈마 웨이퍼 처리를 위한 하이브리드 에지 링
KR101443792B1 (ko) 2013-02-20 2014-09-26 국제엘렉트릭코리아 주식회사 건식 기상 식각 장치
KR101680850B1 (ko) * 2016-06-28 2016-11-29 주식회사 기가레인 배기유로의 크기가 조절되는 플라즈마 처리 장치

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