TWI687997B - 包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置 - Google Patents
包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI687997B TWI687997B TW108100385A TW108100385A TWI687997B TW I687997 B TWI687997 B TW I687997B TW 108100385 A TW108100385 A TW 108100385A TW 108100385 A TW108100385 A TW 108100385A TW I687997 B TWI687997 B TW I687997B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- ascending
- descending
- substrate
- guide
- restricting
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本發明涉及一種包括與在腔室內部升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置。本發明包括:腔室,其包括處理物質的形成區域、處理區域以及排出區域;夾盤,其使所述基板位於所述處理區域;引導部,其將所述處理物質引導至所述處理區域;上升下降部,其在所述基板被搬入及搬出所述腔室時在所述腔室內部使所述引導部上升,並在處理所述基板時在所述腔室內部使所述引導部下降;驅動部,其向所述上升下降部提供驅動力;以及一個以上的聯動部,其與所述上升下降部聯動,所述上升下降部在上升下降的一部分區間使所述引導部和所述聯動部一同升降,且在上升下降的另外的一部分區間使所述引導部升降。
Description
本發明涉及一種包括在腔室內部將基板處理物質引導至處理區域的引導部的基板處理裝置。
基板處理裝置是執行半導體工程的裝置,詳細而言,是用處理物質處理基板的裝置。
此時,基板可以意指晶圓或安裝有晶圓的托盤,處理物質可以意指用於處理基板的氣體或電漿。
例如,基板處理裝置可以是用電漿執行刻蝕、蒸鍍以及灰化中的一個以上的裝置,或用金屬氣體執行蒸鍍的裝置。
這種基板處理裝置包括腔室。
在腔室的內部包括作為形成處理物質的區域的形成區域、作為用處理物質處理基板的區域的處理區域以及作為與泵連接而排出處理物質的區域的排出區域。
基板通過形成於形成區域與處理區域之間的基板出入口由機械臂移送,從腔室的外部被搬入腔室的內部而安放於夾盤的上部。
然而,為了進行基板處理,形成區域與處理區域之間接近,因而存在基板被搬入腔室內部的空間不足的問題。
尤其,當在腔室內部具備將基板處理物質引導至處理區域的機構性結構時,空間不足問題變得更大。
為解決這種問題,以往,藉由夾盤升降來確保基板被搬入腔室內部的空間。
然而,由於夾盤包括用於固定基板和控制溫度的結構等多種結構,因而存在如下問題:為確保夾盤在腔室內部升降的空間,腔室的大小增加;因夾盤的重量,升降要求較多的動力;夾盤所包括的多種結構也要與夾盤一同升降。
另一方面,在腔室內部可能會額外要求用於限制處理物質對基板外框部或基板的背面的處理的裝置。
這種裝置應固定設置於腔室內部,因而要求夾盤的升降,此時,存在如上所述的問題。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:KR 10-1443792 B1(2014.09.17)
專利文獻2:KR 10-2014-0103872 A(2014.08.27)
專利文獻3:KR 10-2006-0013987 A(2006.02.14)
本發明的課題在於解決前述問題。
本發明的目的在於提供一種在腔室內部包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,所述包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置能夠使限制基板外框的處理的裝置或將基板安放於夾盤的裝置與腔室內部的升降的引導部聯動而進行動作。
用於達成上述目的的本發明的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置包括:腔室,其包括作為形成處理物質的區域的形成區域、作為用所述處理物質處理基板的區域的處理區域以及作為與泵連接而排出所述處理物質的區域的排出區域;夾盤,其設置於所述腔室內部,且在上部安放所述基板以使所述基板位於所述處理區域;引導部,其將在所述形成區域形成的所述處理物質引導至所述處理區域;上升下降部,其貫通所述腔室而設置,在所述基板被搬入及搬出所述腔室時在所述腔室內部使所述引導部上升,並在處理所述基板時在所述腔室內部使所述引導部下降;驅動部,其設置於所述腔室外部而向所述上升下降部提供驅動力;以及一個以上的聯動部,其設置於所述引導部的下部而與所述上升下降部聯動,所述上升下降部在上升下降的一部分區間使所述引導部和所述聯動部一同升降,且在上升下降的另外的一部分區間使所述引導部升降。
較佳地,所述包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置還包括引導下降界線凸台,其從所述腔室內壁凸出,且形成於所述引導部下降的界線,所述引導部在所述上升下降部的升降時支撐於所述上升下降部的上
端,或支撐於在所述上升下降部的中間形成的引導卡止部而升降,且藉由所述上升下降部的下降而支撐於所述引導下降界線凸台而固定。
較佳地,所述聯動部包括限制部,該限制部在內側插入位於所述夾盤的基板,且限制所述處理物質處理所述基板的外側。
較佳地,所述包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置還包括:
限制聯動孔,其垂直地貫通形成於所述限制部的外側;以及限制卡止部,其以直徑大於所述限制聯動孔的直徑形成於所述上升下降部的中間,所述上升下降部在上部區間使支撐於所述限制卡止部的所述限制部與所述引導部一同下降來將所述限制部固定於所述基板的上部,且在下部區間通過所述限制聯動孔的同時使所述引導部下降。
較佳地,所述聯動部包括放置部,該放置部上升而接收所述基板,並下降而將所述基板安放於所述夾盤的上部。
較佳地,所述包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置還包括:放置聯動孔,其垂直地貫通形成於所述放置部的外側;以及放置卡止部,其以直徑大於所述放置聯動孔的直徑形成於所述上升下降部的中間,所述上升下降部在上部區間使支撐於所述放置卡止部的所述放置部與所述引導部一同下降來將所述基板安放於所述夾盤的上部,並在下部區間通過所述放置聯動孔的同時使所述引導部下降。
較佳地,所述上升下降部還包括放置加壓部,該放置加壓部隔開而形成於所述放置卡止部的上部,當所述上升下降部在所述下部區間下降時,所述放置加壓部對所述放置部的上部加壓。
較佳地,所述放置加壓部在所述上升下降部在所述下部區間下降時使形成於所述放置聯動孔與所述上升下降部之間的縫隙密閉。
較佳地,所述聯動部還包括:放置部,其上升而接收所述基板,並下降而將所述基板安放於所述夾盤的上部;以及限制部,其設置於所述引導部與所述放置部之間,在內側插入安放於所述夾盤的基板,且限制所述處理物質處理所述基板的外側。
較佳地,所述上升下降部在上部區間使所述引導部、所述限制部以及所述放置部下降,在中間區間使所述引導部和所述限制部下降,並在下部區間使所述引導部下降。
較佳地,所述包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置還包括:限制聯動孔,其垂直地貫通形成於所述限制部的外側;限制卡止部,其以直徑大於所述限制聯動孔的直徑形成於所述上升下降部的中間;放置聯動孔,其垂直地貫通形成於所述放置部的外側;以及放置卡止部,其以直徑大於所述放置聯動孔的直徑形成於所述上升下降部的中間,所述上升下降部在上部區間使所述引導部、支撐於所述限制卡止部的所述限制部、以及支撐於所述放置卡止部的所述放置部下降來將所述基板安放於所述夾盤的上部,在中間區間通過所述放置聯動孔的同時使所述限制部下降來將所述限制部固定於所述基板的上部,且在下部區間通過所述限制聯動孔的同時使所述引導部下降。
較佳地,所述上升下降部還包括限制加壓部,該限制加壓部隔開而形成於所述限制卡止部的上部,當所述上升下降部在所述下部區間下降時,所述限制加壓部對所述限制部的上部加壓。
較佳地,所述限制加壓部在所述上升下降部在所述下部區間下降時使形成於所述限制聯動孔與所述上升下降部之間的縫隙密閉。
第一,引導部上升而確保形成區域與處理區域之間的空間,因而具有無需使夾盤上升即可將基板搬入腔室內部的優點。
第二,具有能夠限制引導部超出必要地升降的優點。
第三,具有第一導向部和第二導向部在引導部上升或下降時對引導部進行導向而防止向一側傾斜的優點。
第四,具備限制部,因而具有無需使夾盤上升即可限制處理物質對基板外框部分的處理的優點。
第五,具備放置部,因而具有無需為安放基板而升降的諸如升降銷的另外的結構的優點。
第六,限制部和/或放置部與引導部聯動,因而無需追加用於升降限制部和/或放置部的另外的結構,且具有處理基板時能夠根據需要來調節引導部與基板之間的間距的優點。
第七,具備對限制部加壓的限制加壓部,因而具有能夠堅固地固定基板,或使限制部與上升下降部之間的縫隙密閉來抑制生成異物的優點。
第八,具備對放置部加壓的放置加壓部,因而具有堅固地固定放置部或使放置部與上升下降部之間的縫隙密閉來抑制生成異物的優點。
10:基板
100:腔室
110:形成區域
120:處理區域
130:排出區域
200:夾盤
210:機械臂
220:升降銷
230:夾盤安放部
300:上升下降部
310:連接板
320:彈簧針
400:驅動部
500:引導部
510:引導孔
520:引導聯動孔
530:引導卡止部
540:引導上升界線凸台
550:引導下降界線凸台
560:第一導向部
570:第二導向部
600:限制部(聯動部)
610:限制處理部
620:限制聯動孔
630:限制卡止部
640:限制加壓部
700:放置部(聯動部)
710:放置安放孔
720:放置聯動孔
730:放置卡止部
740:放置加壓部
第1圖是示出本發明的引導部上升時的狀態的圖。
第2圖是示出本發明的引導部下降時的狀態的圖。
第3圖、第4圖是示出驅動部的實施例的圖。
第5圖是示出支撐引導部的上升下降部的實施例的圖。
第6圖、第7圖是示出第一導向部及第二導向部的實施例的圖。
第8圖至第10圖是示出限制部的實施例的圖。
第11圖是示出限制部的另一實施例的圖。
第12圖是示出支撐限制部的限制卡止部的實施例的圖。
第13圖、第14圖是示出放置部的實施例的圖。
第15圖至第17圖是同時具備限制部和引導部的實施例的圖。
由於夾盤200包括用於固定基板10和控制溫度的結構等多種結構,因而存在如下問題:為了確保夾盤200在腔室100的內部升降的空間,腔室100的大小增加;因夾盤200的重量,升降要求較多的動力;夾盤200所包括的多種結構也要與夾盤200一同升降。
為解決這種問題,如第1圖和第2圖所圖示,本發明的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置包括腔室100、夾盤200、引導部500、上升下降部300以及驅動部400。
在腔室100的內部包括作為形成處理物質的區域的形成區域110、作為用處理物質處理基板10的區域的處理區域120以及作為與泵連接而排出處理物質的區域的排出區域130。
夾盤200設置於腔室100的內部,且在上部安放基板10以使基板10位於處理區域120。
引導部500在基板10被搬入或搬出腔室100時在腔室100的內部上升,在處理基板10時在腔室100的內部下降,且形成有以直徑向處理區域120方向逐漸減小的方式貫通中央的引導孔510,通過引導孔510,將在形成區域110形成的處理物質引導至處理區域120。
上升下降部300貫通腔室100而設置,且與引導部500聯動而升降引導部500。
驅動部400設置於腔室100的外部,且向上升下降部300提供驅動力以使上升下降部300升降。
驅動部400可以使用缸體或電機。
當驅動部400為伸縮的缸體時,上升下降部300可以是與驅動部400聯動而升降的棒形狀。
當驅動部400為旋轉的電機時,上升下降部300可以是與驅動部400聯動而旋轉的滾珠螺桿,引導部500可以連接於藉由滾珠螺桿的旋轉升降的螺母殼體而升降。
驅動部400可以位於腔室100的下部,或者,如第3圖所圖示,驅動部400可以位於腔室100的上部。
驅動部400可以連接於連接板310而向多個上升下降部300同時提供驅動力,或者,如第4圖所圖示,驅動部400可以分別連接於上升下降部300而向各個上升下降部300提供驅動力。
引導部500可以固定於上升下降部300的一端而聯動。
此時,上升下降部300可以是結合的或延伸的。
或者,如第5圖(a)、第5圖(b)所示,引導部500可以以不固定於上升下降部300,而是與上升下降部300接觸的狀態被支撐,或者,如第5圖(c)、第5圖(d)所示,在以滑動結構結合的狀態下被支撐。
如第5圖(a)所圖示,引導部500可以不固定於上升下降部300,而是與上升下降部300的一端接觸而與上升下降部300聯動。
如第5圖的(b)所圖示,引導部500可以與連接於上升下降部300的一端的彈簧針320接觸而與上升下降部300聯動。
如第5圖的(c)所圖示,可以是,引導部500形成有引導聯動孔520,上升下降部300形成有大於引導聯動孔520的直徑地凸出的引導卡止部530,引導部500藉由引導聯動孔520與引導卡止部530的直徑差支撐於引導卡止部530而與上升下降部300聯動。
如第5圖(d)所圖示,引導卡止部530可以由上升下降部300的直徑不同的區間連接而形成。
下面,分析本發明的動作。如第1圖所圖示,引導部500藉由上升下降部300及驅動部400上升而確保形成區域110與處理區域120之間的空間。
之後,若基板10由機械臂210移送而被搬入腔室100的內部,則由升降銷220從機械臂210接收基板10並將基板10安放於夾盤200的上部。
之後,如第2圖所圖示,引導部500藉由上升下降部300及驅動部400下降而重新縮小形成區域110與處理區域120之間的空間。
如此,由於引導部500上升而確保形成區域110與處理區域120之間的空間,因而具有無需使夾盤200上升即可將基板10搬入腔室100的內部的優點。
引導部500升降時,根據情況,會存在超出必要地升降的問題。
為解決這種問題,如第1圖和第2圖所圖示,在引導部500升降的界線可以形成有從腔室100的內壁凸出的引導上升界線凸台540及引導下降界線凸台550。
形成於引導部500的上升界線的引導上升界線凸台540限制引導部500向引導上升界線凸台540的上部上升,形成於引導部500的下降界線的引導下降界線凸台550限制引導部500向引導下降界線凸台550的下部下降。
引導上升界線凸台540及引導下降界線凸台550可以沿腔室100的內壁周面凸出,或沿腔室100的內壁周面部分地凸出。
如此,具有能夠限制引導部500超出必要地升降的優點。
因此,根據第4圖和第5圖,引導部500在上升下降部300的升降時支撐於上升下降部300的上端(參照第5圖(a)、第5圖(b)),或支撐於在上升下降部300的中間形成的引導卡止部530(參照第5圖(c)、第5圖(d))而升降。
另外,引導部500在上升下降部300下降時其下降限制於引導下降界線凸台550的同時,被支撐於引導下降界線凸台550的上部而固定。
另一方面,引導部500升降時,當驅動力偏向一側時,存在引導部500向一側傾斜的問題。
為解決這種問題,如第6圖和第7圖所圖示,包括第一導向部560及第二導向部570。
第一導向部560以上下較長地延伸的形狀位於腔室100的內部。
第二導向部570形成於引導部500,且形成為與第一導向部560對應的形狀,以防止引導部500升降時從第一導向部560脫離。
如第6圖所圖示,可以是,第一導向部560為棒形狀,第二導向部570為第一導向部560所貫通的孔。
另外,如第7圖所圖示,可以是,第一導向部560為從腔室100朝上下方向較長地凸出的棒形狀,第二導向部570為第一導向部560所貫通的槽。
另外,可以是,第一導向部560為從腔室100的上部向下部較長地形成的槽,第二導向部570為從插入於槽的引導部500凸出的突起。
如此,具有第一導向部560及第二導向部570在引導部500上升或下降時對引導部500進行導向來防止向一側傾斜的優點。
另一方面,除了引導部500外,上升下降部300還可以與限制部600和/或放置部700聯動而升降,為便於說明,作為籠括(enconpass)限制部600和放置部700的概念,使用術語“聯動部”。
此處,限制部600發揮覆蓋基板10的外框部而限制處理物質對基板10的外框部的處理的功能。
放置部700發揮支撐基板10的下部而安放於夾盤200的上部的功能。
上升下降部300在上升下降的一部分區間使引導部500和聯動部600和/或700一同升降,且在上升下降的另外的一部分區間解除聯動以使引導部500升降。
下面區分除了引導部500外還追加設置限制部600的實施例、追加設置放置部700的實施例、以及同時追加設置限制部600和放置部700的實施例而進行說明。
<追加設置限制部600的實施例>
除了引導部500外,上升下降部300還可以與限制部600聯動而升降。
限制部600可以固定於上升下降部300的一側,與上升下降部300聯動而升降。
然而,若限制部600固定於上升下降部300的一側,則存在處理基板10時無法根據需要來調節引導部500與基板10之間的間距的問題。
為解決這種問題,如第8圖至第10圖所圖示,本發明的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置包括限制部600、限制處理部610、限制聯動孔620以及限制卡止部630。
限制部600在內側插入基板10,且限制處理物質處理基板10。
限制處理部610從限制部600的內側延伸而形成。
限制處理部610形成為覆蓋基板10的外框部的形狀。
根據另一實施例,如第11圖所圖示,限制處理部610可以是高於基板10的高度地凸出而圍繞基板10的外側的形狀。
限制聯動孔620形成於限制部600。
限制卡止部630以直徑大於限制聯動孔620的直徑形成於上升下降部300的一側。
如第12圖(a)所圖示,限制卡止部630可以由上升下降部300的直徑不同的區間連接而形成。
如第12圖(b)所圖示,限制卡止部630可以凸出而形成於上升下降部300的一側。
上升下降部300的規定區間以直徑小於限制聯動孔620的直徑形成,在升降時通過限制聯動孔620,若限制部600卡止於限制卡止部630,則與上升下降部300聯動而升降。
即,上升下降部300在用於搬入或搬出基板10的位置(參照第8圖)開始下降,並在上部區間使支撐於限制卡止部630的限制部600與引導部500一同下降來將限制部600固定於基板10的上部(參照第9圖)。
之後,上升下降部300在下部區間在解除與限制部600的聯動的狀態下通過限制聯動孔620的同時使引導部500下降(參照第10圖)。
限制加壓部640以大於限制聯動孔620的直徑的大小凸出形成於上升下降部300的外周,且隔開而形成於限制卡止部630的上部。
若引導部500支撐於引導下降界線凸台550的同時被限制下降,則限制加壓部640對限制部600加壓來將基板10堅固地支撐於夾盤200的上部。
此外,除了支撐基板10的功能外,限制加壓部640還發揮使形成於限制聯動孔620與上升下降部300之間的縫隙密閉來抑制處理物質通過縫隙被排出至排出區域130的同時所發生的異物的生成的功能。
這種限制加壓部640可以由彈性體構成,從而進一步提高密封效果。
因此,本發明具有無需追加另外的結構,限制部600即可與引導部500聯動而升降的優點,且具有處理基板10時能夠根據需要來調節引導部500與基板10之間的間距的優點。
此外,限制加壓部640能夠抑制因電漿等發生的基板10的振動來均勻地處理基板10,且具有抑制生成異物的優點。
<追加設置放置部700的實施例>
除了引導部500外,上升下降部300還可以與放置部700聯動而升降。
放置部700可以固定於上升下降部300的一側,與上升下降部300聯動而升降。
然而,若放置部700固定於上升下降部300的一側,則存在處理基板10時無法根據需要來調節引導部500與基板10之間的間距的問題。
為解決這種問題,如本發明的第13圖和第14圖所圖示,本發明的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置包括放置部700、放置安放孔710、夾盤安放部230、放置聯動孔720以及放置卡止部730。
放置部700上升而代替升降銷220從機械臂210接收基板10,並下降而將基板10安放於夾盤200的上部。
放置安放孔710以小於基板10的直徑形成於放置部700的內側。
夾盤安放部230作為從夾盤200凸出的結構插入於放置安放孔710,且上面與基板10的背面接觸而用靜電固定基板10。
放置聯動孔720形成於放置部700。
放置卡止部730以直徑大於放置聯動孔720的直徑形成於上升下降部300的一側。
如同第12圖的限制卡止部630,放置卡止部730可以由上升下降部300的直徑不同的區間連接而形成,或者,放置卡止部730可以凸出而形成於上升下降部300的一側。
上升下降部300的一側區間可以直徑小於放置部700的放置聯動孔720的直徑形成,在升降時通過放置聯動孔720,若放置部700支撐於放置卡止部730,則與上升下降部300聯動而升降。
即,上升下降部300在用於搬入或搬出基板10的位置(參照第13圖)接收基板10後開始下降,並在上部區間使支撐於放置卡止部730的放置部700與引導部500一同下降來將基板10安放於夾盤200的上部。
之後,上升下降部300在下部區間在解除與放置部700的聯動的狀態下通過放置聯動孔720的同時使引導部500下降(參照第14圖)。
即,上升下降部300的上部區間被解除與放置部700的聯動,只有引導部500升降,當為了搬入或搬出基板10而需要升降放置部700時,放置部700與引導部500一同升降。
放置加壓部740以大於放置聯動孔720的直徑的大小凸出形成於上升下降部300的外周,且隔開而形成於放置卡止部730的上部。
若引導部500支撐於引導下降界線凸台550的同時被限制下降,則放置加壓部740對放置部700加壓來將放置部700堅固地支撐於夾盤200的上部。
由此,能夠防止安放於夾盤200的上部的放置部700的振動被傳遞至基板10。
此外,除了支撐放置部700的功能外,放置加壓部740還發揮使形成於放置聯動孔720與上升下降部300之間的縫隙密閉來抑制處理物質通過縫隙被排出至排出區域130的同時所發生的異物的生成的功能。
這種放置加壓部740可以由彈性體構成,從而進一步提高密封效果。
因此,本發明具有無需追加另外的結構,放置部700即可與引導部500聯動而升降的優點,且具有處理基板10時能夠根據需要來調節引導部500與基板10之間的間距的優點。
此外,放置加壓部740能夠抑制因電漿等發生的放置部700的振動來均勻地處理基板10,且具有抑制生成異物的優點。
<追加設置限制部600及放置部700的實施例>
除了引導部500外,上升下降部300還可以與限制部600及放置部700聯動而升降。
相對於上述追加設置放置部700的實施例,本實施例在引導部500與放置部700之間追加性地設置限制部600。
接下來,對與上述實施例重複的部分,將省略說明,並以發明的特徵部為中心進行說明。
當僅具備放置部700時,為了限制對安放於夾盤200的上部的基板10的外框部的處理,要求另外的裝置,然而,當要將這種裝置設置於腔室100的內部時,存在空間上受限制的問題。
為解決這種問題,如本發明的第15圖至第17圖所圖示,本發明的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置將限制部600設置於引導部500與放置部700之間。
即,相對於追加設置放置部700的實施例,還包括限制部600、限制處理部610、限制聯動孔620、限制卡止部630以及限制加壓部640。
對於這種結構,前面已對追加設置限制部600的實施例進行說明。
若對比形成於限制部600的限制聯動孔620、形成於放置部700的放置聯動孔720、隔開而形成於上升下降部300的中間、上部、下部的限制卡止部630和放置卡止部730的直徑,則以限制聯動孔620、限制卡止部630、放置聯動孔720及放置卡止部730的順序直徑變大。
可以將上升下降部300從上部向下部下降的區間分為上部區間、中間區間及下部區間。
如第15圖至第17圖所圖示,上升下降部300在上部區間使所述引導部500、所述限制部600以及所述放置部700下降,在中間區間使所述引導部500和所述限制部600下降,並在下部區間使所述引導部500下降。
下面按各個區間對上升下降部的動作進行具體說明。
首先,在上部區間,上升下降部300使引導部500、支撐於限制卡止部630的限制部600以及支撐於放置卡止部730的放置部700下降來將基板10安放於夾盤200的上部(參照第16圖)。
在中間區間,上升下降部300在解除與放置部700的聯動的狀態下通過放置聯動孔720的同時使限制部600下降來將限制部600固定於被放置部700安放於夾盤200的上部的基板10的上部(參照第17圖)。
最後,在下部區間,上升下降部300在解除與放置部700及限制部600的聯動的狀態下通過限制聯動孔620的同時使引導部500下降。
因此,本發明具有無需追加另外的結構,限制部600及放置部700即可與引導部500聯動而升降的優點,且具有處理基板10時能夠根據需要來調節引導部500與基板10之間的間距的優點。
10:基板
100:腔室
110:形成區域
120:處理區域
130:排出區域
200:夾盤
210:機械臂
220:升降銷
300:上升下降部
310:連接板
400:驅動部
500:引導部
510:引導孔
540:引導上升界線凸台
550:引導下降界線凸台
Claims (12)
- 一種包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,其包括:腔室,其包括作為形成處理物質的區域的形成區域、作為用該處理物質處理基板的區域的處理區域以及作為與泵連接而排出該處理物質的區域的排出區域;夾盤,其設置於該腔室內部,且在上部安放該基板以使該基板位於該處理區域;引導部,其將在該形成區域形成的該處理物質引導至該處理區域;上升下降部,其貫通該腔室而設置,在該基板被搬入及搬出該腔室時在該腔室內部使該引導部上升,並在處理該基板時在該腔室內部使該引導部下降;驅動部,其設置於該腔室外部而向該上升下降部提供驅動力;以及一個以上的聯動部,其設置於該引導部的下部而與該上升下降部聯動;其中,該上升下降部在上升下降的一部分區間使該引導部和該聯動部一同升降,且在上升下降的另外的一部分區間使該引導部升降。
- 如申請專利範圍第1項所述的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,其進一步包括: 引導下降界線凸台,其從該腔室內壁凸出,且形成於該引導部下降的界線;其中,該引導部固定於該上升下降部的上端,或者支撐於該上升下降部的上端或支撐於在該上升下降部的中間形成的引導卡止部,藉由該上升下降部的下降而支撐於該引導下降界線凸台而固定。
- 如申請專利範圍第1項所述的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,其中:該聯動部包括限制部,該限制部在內側插入位於該夾盤的該基板,且限制該處理物質處理該基板的外側。
- 如申請專利範圍第3項所述的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,其進一步包括:限制聯動孔,其垂直地貫通形成於該限制部的外側;以及限制卡止部,其以直徑大於該限制聯動孔的直徑形成於該上升下降部的中間;其中,該上升下降部在上部區間使支撐於該限制卡止部的該限制部與該引導部一同下降來將該限制部固定於該基板的上部,且在下部區間通過該限制聯動孔的同時使該引導部下降。
- 如申請專利範圍第4項所述的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,其中:該上升下降部進一步包括限制加壓部,該限制加壓部隔開而形成於該限制卡止部的上部; 當該上升下降部在該下部區間下降時,該限制加壓部與該限制部的上部接觸而加壓。
- 如申請專利範圍第1項所述的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,其中:該聯動部包括放置部,該放置部上升而接收該基板,並下降而將該基板安放於該夾盤的上部。
- 如申請專利範圍第6項所述的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,其進一步包括:放置聯動孔,其垂直地貫通形成於該放置部的外側;以及放置卡止部,其以直徑大於該放置聯動孔的直徑形成於該上升下降部的中間;其中,該上升下降部在上部區間使支撐於該放置卡止部的該放置部與該引導部一同下降來將該基板安放於該夾盤的上部,並在下部區間通過該放置聯動孔的同時使該引導部下降。
- 如申請專利範圍第7項所述的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,其中:該上升下降部還包括放置加壓部,該放置加壓部隔開而形成於該放置卡止部的上部,當該上升下降部在該下部區間下降時,該放置加壓部與該放置部的上部接觸而加壓。
- 如申請專利範圍第1項所述的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,其中,該聯動部包括: 放置部,其上升而接收該基板,並下降而將該基板安放於該夾盤的上部;以及限制部,其設置於該引導部與該放置部之間,在內側插入安放於該夾盤的該基板,且限制該處理物質處理該基板的外側。
- 如申請專利範圍第9項所述的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,其中:該上升下降部在上部區間使該引導部、該限制部以及該放置部下降,在中間區間使該引導部和該限制部下降,並在下部區間使該引導部下降。
- 如申請專利範圍第9項所述的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,其進一步包括:限制聯動孔,其垂直地貫通形成於該限制部的外側;限制卡止部,其以直徑大於該限制聯動孔的直徑形成於該上升下降部的中間;放置聯動孔,其垂直地貫通形成於該放置部的外側;以及放置卡止部,其以直徑大於該放置聯動孔的直徑形成於該上升下降部的中間;其中,該上升下降部在上部區間使該引導部、支撐於該限制卡止部的該限制部、以及支撐於該放置卡止部的該放置部下降來將該基板安放於該夾盤的上部,在中間區間通過該放置聯動孔的同時使該限制部下降來將該限制部固定於該基板的上 部,且在下部區間通過該限制聯動孔的同時使該引導部下降。
- 如申請專利範圍第11項所述的包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置,其中:該上升下降部進一步包括限制加壓部,該限制加壓部隔開而形成於該限制卡止部的上部,當該上升下降部在該下部區間下降時,該限制加壓部與該限制部的上部接觸而加壓。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
??10-2018-0008851 | 2018-01-24 | ||
KR10-2018-0008851 | 2018-01-24 | ||
KR1020180008851A KR101987576B1 (ko) | 2018-01-24 | 2018-01-24 | 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201933480A TW201933480A (zh) | 2019-08-16 |
TWI687997B true TWI687997B (zh) | 2020-03-11 |
Family
ID=65673635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108100385A TWI687997B (zh) | 2018-01-24 | 2019-01-04 | 包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101987576B1 (zh) |
CN (1) | CN109473383B (zh) |
TW (1) | TWI687997B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102078364B1 (ko) * | 2019-04-25 | 2020-02-17 | 주식회사 기가레인 | 배출흐름조절부 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200819555A (en) * | 2000-09-08 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | Shower head structure, device and method for film formation, and method for cleaning |
TW201532170A (zh) * | 2014-02-14 | 2015-08-16 | Psk Inc | 基板處理設備及基板處理方法 |
TW201614091A (en) * | 2014-10-14 | 2016-04-16 | Applied Materials Inc | Apparatus for high compressive stress film deposition to improve kit life |
TW201740501A (zh) * | 2016-02-16 | 2017-11-16 | 蘭姆研究公司 | 晶圓傳送用的晶圓升降環系統 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817168B2 (ja) * | 1988-02-15 | 1996-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板の処理方法 |
JP3172268B2 (ja) * | 1992-06-22 | 2001-06-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | ペレット突き上げ針の設定方法及びペレットボンディング装置 |
KR20060013987A (ko) | 2004-08-09 | 2006-02-14 | 삼성전자주식회사 | 건식식각장비 |
JP5264050B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 昇降機構および搬送装置 |
US8017168B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-09-13 | The Coca-Cola Company | High-potency sweetener composition with rubisco protein, rubiscolin, rubiscolin derivatives, ace inhibitory peptides, and combinations thereof, and compositions sweetened therewith |
TW200935506A (en) * | 2007-11-16 | 2009-08-16 | Panasonic Corp | Plasma dicing apparatus and semiconductor chip manufacturing method |
KR101465766B1 (ko) * | 2008-07-02 | 2014-12-01 | 주성엔지니어링(주) | 기판지지프레임을 가지는 기판처리장치 |
US9095038B2 (en) * | 2011-10-19 | 2015-07-28 | Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia | ICP source design for plasma uniformity and efficiency enhancement |
KR101512560B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2015-04-15 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판처리장치 |
KR101406172B1 (ko) * | 2013-01-08 | 2014-06-12 | (주)에스티아이 | 반도체 웨이퍼의 연속 처리 장치 및 방법 |
US9997381B2 (en) | 2013-02-18 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Hybrid edge ring for plasma wafer processing |
KR101443792B1 (ko) | 2013-02-20 | 2014-09-26 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 건식 기상 식각 장치 |
KR101680850B1 (ko) * | 2016-06-28 | 2016-11-29 | 주식회사 기가레인 | 배기유로의 크기가 조절되는 플라즈마 처리 장치 |
-
2018
- 2018-01-24 KR KR1020180008851A patent/KR101987576B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-16 CN CN201811368339.1A patent/CN109473383B/zh active Active
-
2019
- 2019-01-04 TW TW108100385A patent/TWI687997B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200819555A (en) * | 2000-09-08 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | Shower head structure, device and method for film formation, and method for cleaning |
TW201532170A (zh) * | 2014-02-14 | 2015-08-16 | Psk Inc | 基板處理設備及基板處理方法 |
TW201614091A (en) * | 2014-10-14 | 2016-04-16 | Applied Materials Inc | Apparatus for high compressive stress film deposition to improve kit life |
TW201740501A (zh) * | 2016-02-16 | 2017-11-16 | 蘭姆研究公司 | 晶圓傳送用的晶圓升降環系統 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109473383B (zh) | 2021-12-03 |
TW201933480A (zh) | 2019-08-16 |
KR101987576B1 (ko) | 2019-06-10 |
CN109473383A (zh) | 2019-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI679700B (zh) | 包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置 | |
TWI437659B (zh) | A substrate stage and a substrate processing device | |
JP6650841B2 (ja) | 基板昇降機構、基板載置台および基板処理装置 | |
TWI567863B (zh) | Plasma processing device, substrate unloading device and method | |
KR100711729B1 (ko) | 냉각 플레이트 및 베이크 장치 | |
KR102642283B1 (ko) | 운반 장치 및 반도체 반응 챔버 | |
TWI687997B (zh) | 包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置 | |
CN111710641B (zh) | 基片升降机构、基片支承器和基片处理装置 | |
CN101038889A (zh) | 基板载置台及基板处理装置 | |
KR20150040888A (ko) | 다른 크기의 워크피스를 취급하기 위한 장치 및 방법 | |
KR20090130786A (ko) | 진공처리장치의 리프트장치 및 그 제어방법 | |
TWI659499B (zh) | 包括升降之引導部之基板處理裝置 | |
KR20220027005A (ko) | 기판처리장치 | |
US11387121B2 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating system including pin lift mechanism below cooling base and heat plate | |
CN218004788U (zh) | 一种半导体设备的反应腔室 | |
JP2685006B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
KR102644510B1 (ko) | 기판 처리 설비의 레벨링 장치 | |
KR100422452B1 (ko) | 로드락 챔버용 스토리지 엘리베이터 샤프트의 실링장치 | |
TW202117919A (zh) | 基板處理裝置 | |
KR102677584B1 (ko) | 진자식 컨트롤밸브 | |
KR101045247B1 (ko) | 리프트 핀 승강장치 | |
KR20000030996A (ko) | 반도체 건식 식각설비 | |
KR20030014841A (ko) | 웨이퍼 리프트 설비 | |
US20220336259A1 (en) | Substrate support assembly and substrate processing apparatus | |
KR101403327B1 (ko) | 기판 처리장치 및 방법 |