TWI679700B - 包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置 - Google Patents

包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI679700B
TWI679700B TW108101534A TW108101534A TWI679700B TW I679700 B TWI679700 B TW I679700B TW 108101534 A TW108101534 A TW 108101534A TW 108101534 A TW108101534 A TW 108101534A TW I679700 B TWI679700 B TW I679700B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
guide
substrate
exhaust gas
unit
chamber
Prior art date
Application number
TW108101534A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201933481A (zh
Inventor
鄭相坤
Sang Gon Chung
金亨源
Hyoung Won Kim
權赫俊
Hyuk Joon Kwon
鄭熙錫
Hee Seok Jung
Original Assignee
南韓商吉佳藍科技股份有限公司
Gigalane Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商吉佳藍科技股份有限公司, Gigalane Co., Ltd. filed Critical 南韓商吉佳藍科技股份有限公司
Publication of TW201933481A publication Critical patent/TW201933481A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI679700B publication Critical patent/TWI679700B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明有關於一種包括與在腔室的內部升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置。本發明包括：腔室，其包括處理物質形成區域、處理區域以及排出區域；夾盤，其使基板位於處理區域；引導部，其將處理物質引導至處理區域；排出部，其形成有排出處理物質的多個排氣孔；上升下降部，其在基板被搬入及搬出腔室時在腔室的內部使引導部上升，且在處理基板時在腔室的內部使引導部下降；驅動部，其向上升下降部提供驅動力；以及排氣調節部，其與上升下降部聯動而上升下降，上升下降部在上升下降的一部分區間使引導部和排氣調節部一同升降，且在上升下降的另外的一部分區間使排氣調節部升降來調節排出部的排出量。

Description

包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置
本發明有關於一種包括在腔室的內部將基板處理物質引導至處理區域的引導部的基板處理裝置。
基板處理裝置是執行半導體工程的裝置，詳細而言，是用處理物質處理基板的裝置。
此時，基板可以意指晶圓或安裝有晶圓的托盤，處理物質可以意指用於處理基板的氣體或等離子。
例如，基板處理裝置可以是用等離子執行刻蝕、蒸鍍以及灰化中的一個以上的裝置，或用金屬氣體執行蒸鍍的裝置。
這種基板處理裝置包括腔室。
在腔室的內部包括作為形成處理物質的區域的形成區域、作為用處理物質處理基板的區域的處理區域以及作為與泵連接而排出處理物質的區域的排出區域。
基板通過形成於形成區域與處理區域之間的基板出入口由機械臂移送，從腔室的外部被搬入腔室的內部而安放於夾盤的上部。
然而，為了進行基板處理，形成區域與處理區域之間接近，因而存在基板被搬入腔室內部的空間不足的問題。
尤其，當在腔室內部具備將基板處理物質引導至處理區域的機構性結構時，空間不足問題變得更大。
為解決這種問題，以往，通過夾盤升降來確保基板被搬入腔室內部的空間。
然而，由於夾盤包括用於固定基板和控制溫度的結構等多種結構，因而存在如下問題：為確保夾盤在腔室內部升降的空間，腔室的大小增加；因夾盤的重量，升降要求較多的動力；夾盤所包括的多種結構也要與夾盤一同升降。
另一方面，為進行處理物質的排氣，排出區域需要形成有多個排氣孔的擋板和用於調節排氣孔的開閉量來調節排出量的驅動機構。
這樣的排出量調節控制腔室內的處理物質的殘留時間和氣體流動等來控制，從而可以控制腔室內的基板處理的均一度。
用於調節排出量的驅動機構需要貫通腔室而設置，因而存在較多地佔據腔室空間，且要求另外的密封機構的問題。
另一方面，在腔室的內部可能會額外要求用於限制處理物質對基板外框部或基板的背面的處理的裝置。
這種裝置應固定設置於腔室的內部，因而要求夾盤的升降，此時，存在如上所述的問題。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：KR 10-1443792 B1（2014.09.17）
專利文獻2：KR 10-2014-0103872 A（2014.08.27）
專利文獻3：KR 10-2006-0013987 A（2006.02.14）
本發明的課題在於解決前述問題。
本發明的目的在於提供一種包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置，所述包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置能夠使調節腔室內部的處理物質的排出量的排氣調節部與腔室內部的升降的引導部聯動而進行動作。
用於達成上述目的的本發明的包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置的特徵在於，包括：腔室，其包括作為形成處理物質的區域的形成區域、作為用所述處理物質處理基板的區域的處理區域以及作為與泵連接而排出所述處理物質的區域的排出區域；夾盤，其在上部安放所述基板以使所述基板位於所述處理區域；引導部，其將在所述形成區域形成的所述處理物質引導至所述處理區域；排出部，其設置於所述處理區域與所述排出區域的界線而形成有排出所述處理物質的多個排氣孔；上升下降部，其貫通所述腔室而設置，在所述基板被搬入及搬出所述腔室時在所述腔室的內部使所述引導部上升，並在處理所述基板時在所述腔室的內部使所述引導部下降；驅動部，其設置於所述腔室外部而向所述上升下降部提供驅動力；以及排氣調節部，其與所述上升下降部聯動而上升下降，所述上升下降部在上升下降的一部分區間使所述引導部和所述排氣調節部一同升降，且在上升下降的另外的一部分區間使所述排氣調節部升降來調節所述排出部的排出量。
較佳地，所述引導部包括引導孔，該引導孔以直徑向所述處理區域方向逐漸減小的方式貫通中央。
較佳地，所述包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置包括：第一導向部，其以上下較長地延伸的形狀位於所述腔室的內部；以及第二導向部，其形成於所述引導部，且形成為與所述第一導向部對應的形狀，以防止所述引導部升降時從所述第一導向部脫離。
較佳地，所述包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置的特徵在於，所述排出部包括：第一閥盤，其固定設置於所述腔室的內部，且形成有所述排氣孔；第二閥盤，其開閉所述排氣孔；以及彈性部，其設置於所述第一閥盤、第二閥盤之間而使所述第一閥盤、第二閥盤彈性地貼緊，所述排氣調節部使所述第一閥盤、第二閥盤的間距隔開來調節排出量。
較佳地，所述包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置的特徵在於，所述第二閥盤在與所述排氣孔相應的位置具備密封部而在與所述第一閥盤貼緊的狀態下密閉所述排氣孔。
較佳地，所述包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置的特徵在於，還包括：引導下降界線凸台，其從所述腔室內壁凸出，且形成於所述引導部下降的界線；以及長度可變部，其形成於所述上升下降部的中間，所述引導部固定於所述上升下降部的上端，在通過所述上升下降部的下降支撐於所述引導下降界線凸台的狀態改下，通過所述長度可變部的伸縮來調節所述排出部的排出量。
較佳地，所述包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置的特徵在於，還包括引導下降界線凸台，其從所述腔室內壁凸出，且形成於所述引導部下降的界線，所述引導部支撐於所述上升下降部的上端或支撐於在所述上升下降部的中間形成的引導卡止部，在通過所述上升下降部的下降支撐於所述引導下降界線凸台的狀態下，通過所述排氣調節部的上升下降來調節所述排出部的排出量。
較佳地，所述包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置的特徵在於，還包括限制部，其設置於所述引導部與所述排氣調節部之間，在內側插入位於所述夾盤的基板，且限制所述處理物質處理所述基板的外側。
較佳地，所述包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置的特徵在於，還包括：通道部，其形成於所述腔室與所述限制部之間或所述限制部，以使所述處理區域與所述排出區域連通；限制聯動孔，其垂直地貫通形成於所述限制部的外側；以及限制卡止部，其以大於所述限制聯動孔的直徑形成於所述上升下降部的中間，所述上升下降部在上部區間使支撐於所述限制卡止部的所述限制部與所述引導部一同下降來將所述限制部固定於所述基板的上部，且在下部區間通過所述限制聯動孔而使所述引導部的下降同時使所述排氣調節部下降來開放所述排出部。
較佳地，所述包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置還包括放置部，該放置部設置於所述引導部與所述排氣調節部之間，上升而接收所述基板，並下降而將所述基板安放於所述夾盤的上部。
較佳地，所述包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置的特徵在於，還包括：放置聯動孔，其垂直地貫通形成於所述放置部的外側；以及放置卡止部，其以大於所述放置聯動孔的直徑形成於所述上升下降部的中間，所述上升下降部在上部區間使支撐於所述放置卡止部的所述放置部與所述引導部一同下降來將所述基板安放於所述夾盤的上部，且在下部區間通過所述放置聯動孔而使所述引導部下降的同時使所述排氣調節部下降來開放所述排出部。
本發明的效果如下：
第一，引導部上升而確保形成區域與處理區域之間的空間，因而具有無需使夾盤上升即可將基板搬入腔室內部的優點。
第二，具有能夠限制引導部必要以上地升降的優點。
第三，具有第一導向部和第二導向部在引導部上升或下降時對引導部進行導向而防止向一側傾斜的優點。
第四，具備與引導部聯動的排氣調節部，從而無需用於調節排出量的另外的驅動機構即可調節處理物質及反應副產物的排出量。
第五，具備限制部，因而具有無需使夾盤上升即可限制處理物質對基板外框部分的處理的優點。
第六，具備放置部，因而具有無需為安放基板而升降的諸如升降銷的另外的結構的優點。
第七，限制部或放置部與引導部聯動，因而無需追加用於升降限制部或放置部的另外的結構，且具有處理基板時能夠根據需要來調節引導部與基板之間的間距的優點。
第八，具備對限制部加壓的限制加壓部，因而具有能夠堅固地固定基板，或使限制部與上升下降部之間的縫隙密閉來抑制生成異物的優點。
第九，具備對放置部加壓的放置加壓部，因而具有堅固地固定放置部或使放置部與上升下降部之間的縫隙密閉來抑制生成異物的優點。
由於夾盤200包括用於固定基板10和控制溫度的結構等多種結構，因而存在如下問題：為了確保夾盤200在腔室100的內部升降的空間，腔室100的大小增加；因夾盤200的重量，升降要求較多的動力；夾盤200所包括的多種結構也要與夾盤200一同升降。
為解決這種問題，如第1圖和第2圖所圖示，本發明的包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置包括腔室100、夾盤200、引導部500、上升下降部300以及驅動部400。
在腔室100的內部包括作為形成處理物質的區域的形成區域110、作為用處理物質處理基板10的區域的處理區域120以及作為與泵連接而排出處理物質的區域的排出區域130。
夾盤200設置於腔室100的內部，且在上部安放基板10以使基板10位於處理區域120。
引導部500在基板10被搬入或搬出腔室100時在腔室100的內部上升，在處理基板10時在腔室100的內部下降，且形成有以直徑向處理區域120方向逐漸減小的方式貫通中央的引導孔510，通過引導孔510，將在形成區域110形成的處理物質引導至處理區域120。
上升下降部300貫通腔室100而設置，且與引導部500聯動而升降引導部500。
驅動部400設置於腔室100的外部，且向上升下降部300提供驅動力以使上升下降部300升降。
驅動部400可以使用缸體或電機。
當驅動部400為伸縮的缸體時，上升下降部300可以是與驅動部400聯動而升降的棒形狀。
當驅動部400為旋轉的電機時，上升下降部300可以是與驅動部400聯動而旋轉的滾珠螺桿，引導部500可以連接於通過滾珠螺桿的旋轉升降的螺母殼體而升降。
驅動部400可以位於腔室100的下部，或者，如第3圖所圖示，驅動部400可以位於腔室100的上部。
驅動部400可以連接於連接板310而向多個上升下降部300同時提供驅動力，或者，如第4圖所圖示，驅動部400可以分別連接於上升下降部300而向各個上升下降部300提供驅動力。
引導部500可以固定於上升下降部300的一端而聯動。
此時，上升下降部300可以是結合的或延伸的。
或者，如第5圖的（a）、（b）所示，引導部500可以以不固定於上升下降部300，而是與上升下降部300接觸的狀態被支撐，或者，如第5圖的（c）、（d）所示，在以滑動結構結合的狀態下被支撐。
如第5圖的（a）所圖示，引導部500可以不固定於上升下降部300，而是與上升下降部300的一端接觸而與上升下降部300聯動。
如第5圖的（b）所圖示，引導部500可以與連接於上升下降部300的一端的彈簧針320接觸而與上升下降部300聯動。
如第5圖的（c）所圖示，可以是，引導部500形成有引導聯動孔520，上升下降部300形成有大於引導聯動孔520的直徑地凸出的引導卡止部530，引導部500通過引導聯動孔520與引導卡止部530的直徑差支撐於引導卡止部530而與上升下降部300聯動。
如第5圖的（d）所圖示，引導卡止部530可以由上升下降部300的直徑不同的區間連接而形成。
下面，分析本發明的動作。如第1圖所圖示，引導部500通過上升下降部300及驅動部400上升而確保形成區域110與處理區域120之間的空間。
之後，若基板10由機械臂210移送而被搬入腔室100的內部，則由升降銷220從機械臂210接收基板10並將基板10安放於夾盤200的上部。
之後，如第2圖所圖示，引導部500通過上升下降部300及驅動部400下降而重新縮小形成區域110與處理區域120之間的空間。
如此，由於引導部500上升而確保形成區域110與處理區域120之間的空間，因而具有無需使夾盤200上升即可將基板10搬入腔室100的內部的優點。
引導部500升降時，根據情況，會存在必要以上地升降的問題。
為解決這種問題，如第1圖和第2圖所圖示，在引導部500升降的界線可以形成有從腔室100的內壁凸出的引導上升界線凸台540及引導下降界線凸台550。
形成於引導部500的上升界線的引導上升界線凸台540限制引導部500向引導上升界線凸台540的上部上升，形成於引導部500的下降界線的引導下降界線凸台550限制引導部500向引導下降界線凸台550的下部下降。
引導上升界線凸台540及引導下降界線凸台550可以沿腔室100的內壁周面凸出，或沿腔室100的內壁周面部分地凸出。
如此，具有能夠限制引導部500必要以上地升降的優點。
因此，根據第4圖和第5圖，引導部500在上升下降部300的升降時支撐於上升下降部300的上端（參照第5圖的（a）、（b）），或支撐於在上升下降部300的中間形成的引導卡止部530（參照第5圖的（c）、（d））而升降。
另外，引導部500在上升下降部300下降時其下降限制於引導下降界線凸台550的同時，被支撐於引導下降界線凸台550的上部而固定。
另一方面，引導部500升降時，當驅動力偏向一側時，存在引導部500向一側傾斜的問題。
為解決這種問題，如第6圖和第7圖所圖示，包括第一導向部560及第二導向部570。
第一導向部560以上下較長地延伸的形狀位於腔室100的內部。
第二導向部570形成於引導部500，且形成為與第一導向部560對應的形狀，以防止引導部500升降時從第一導向部560脫離。
如第6圖所圖示，可以是，第一導向部560為棒形狀，第二導向部570為第一導向部560所貫通的孔。
另外，如第7圖所圖示，可以是，第一導向部560為從腔室100朝上下方向較長地凸出的棒形狀，第二導向部570為第一導向部560所貫通的槽。
另外，可以是，第一導向部560為從腔室100的上部向下部較長地形成的槽，第二導向部570為從插入於槽的引導部500凸出的突起。
如此，具有第一導向部560及第二導向部570在引導部500上升或下降時對引導部500進行導向來防止向一側傾斜的優點。
另一方面，除了引導部500外，上升下降部300還可以與排氣調節部900聯動而升降。
此處，排氣調節部900發揮調節形成有多個排氣孔814的排出部800的開閉量來調節處理物質的殘留氣體及反應副產物的排出量的功能。
由此，可以控制處理物質的殘留時間及氣體流動來控制基板處理的均一度。
上升下降部300在上升下降的一部分區間使引導部500和排氣調節部900一同升降，且在上升下降的另外的一部分區間解除聯動以使排氣調節部900升降。
下面區分除了引導部500外還追加設置排氣調節部900的實施例、追加設置排氣調節部900和限制部600的實施例、以及同時追加設置排氣調節部900和放置部700的實施例而進行說明。
＜追加設置排氣調節部900的實施例＞
除了引導部500外，上升下降部300還可以與排氣調節部900聯動而升降。
如第11圖所圖示，排出部800具備第一閥盤810、第二閥盤820、彈性部830。
第一閥盤810固定設置於腔室100的內部的處理區域120與排出區域130的界線，且形成有多個排氣孔814。
第二閥盤820以覆蓋排氣孔814整體的方式設置於第一閥盤810的下部。
彈性部830設置於第一閥盤810、第二閥盤820之間而使第一閥盤810、第二閥盤820彈性地貼緊。
因此，若向彈性部830施加外力，則第二閥盤820從固定的第一閥盤810隔開，若去除外力，則第二閥盤820貼緊於第一閥盤810。
第12圖的（a）示出在第一閥盤810、第二閥盤820之間結合有彈性部830的實施例。
第12圖的（b）示出另一實施例，第二閥盤820在與排氣孔814相應的位置具備密封部，在第二閥盤820與第一閥盤810貼緊的狀態下使排氣孔814密閉，從而提高氣密性。
排氣調節部900凸出形成於上升下降部300的中間，通過上升下降部300的升降調節第一閥盤810、第二閥盤820的隔開距離來調節處理物質的排出量。
具體而言，若比較直徑，則以形成於第二閥盤820的第二聯動孔822，排氣調節部900，形成於第一閥盤810的第一聯動孔812的順序變大。
當上升下降部300通過第一閥盤810、第二閥盤820時，排氣調節部900以支撐於第二聯動孔822的上部的狀態對第二閥盤820加壓。
因此，隨著彈性部830膨脹，第一閥盤810、第二閥盤820的間距擴大，且形成於第一閥盤810的排氣孔814被開放以使處理物質向排出區域130排出。
因此，可以調節隨上升下降部300的升降而升降的排氣調節部900的升降量來調節處理物質的排出量。
另一方面，若將引導部500固定於上升下降部300的上端，當在處理基板10的同時為了調節排出量而使上升下降部300升降時，引導部500會一同上升下降，因而處理物質的流動變更，從而將無法均勻地處理基板10。
為解決這種問題，如第8圖至第10圖所圖示，本發明的包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置包括排氣調節部900和長度可變部910。
長度可變部910形成於上升下降部300的中間，在引導部500固定於引導下降界線凸台550的狀態下，若使上升下降部300進一步下降，則開放排氣孔814（參照第9圖）。
在該狀態下，若使上升下降部300上升，則關閉排氣孔814（參照第10圖）。
這種長度可變部910可以構成為在內部具備彈簧的彈簧針。
因此，本發明具有無需追加另外的結構，排氣調節部900即可與引導部500聯動而升降的優點。
由此，通過調節排氣調節部900的排出量，可以控制處理物質的殘留時間及氣體流動來控制腔室100內的基板處理的均一度。
＜追加設置排氣調節部900及限制部600的實施例＞
除了引導部500外，上升下降部300還可以與排氣調節部900及限制部600聯動而升降。
相對於上述追加設置排氣調節部900的實施例，本實施例在引導部500與排氣調節部900之間追加性地設置限制部600。
接下來，對與上述實施例重複的部分，將省略說明，並以發明的特徵部為中心進行說明。
限制部600可以固定於上升下降部300的一側，與上升下降部300聯動而升降。
然而，若限制部600固定於上升下降部300的一側，則存在處理基板10時無法根據需要來調節引導部500與基板10之間的間距的問題。
為解決這種問題，如第13圖至第15圖所圖示，本發明的包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置還包括限制部600、限制處理部610、限制聯動孔620以及限制卡止部630。
限制部600在內側插入基板10，且限制處理物質處理基板10。
限制處理部610從限制部600的內側延伸而形成。
限制處理部610形成為覆蓋基板10的外框部的形狀。
根據另一實施例，雖然未圖示，限制處理部610可以是高於基板10的高度地凸出而圍繞基板10的外側的形狀。
限制聯動孔620形成於限制部600。
限制卡止部630以大於限制聯動孔620的直徑形成於上升下降部300的一側，且凸出而形成於上升下降部300的一側。
根據另一實施例，雖然未圖示，限制卡止部630可以由上升下降部300的直徑不同的區間連接而形成。
上升下降部300的規定區間以小於限制聯動孔620的直徑形成，在升降時通過限制聯動孔620，若限制部600卡止於限制卡止部630，則與上升下降部300聯動而升降。
即，上升下降部300在用於搬入或搬出基板10的位置（參照第13圖）開始下降，並在上部區間使支撐於限制卡止部630的限制部600與引導部500一同下降來將限制部600固定於基板10的上部。
之後，上升下降部300在下部區間在解除與限制部600的聯動的狀態下通過限制聯動孔620而使引導部500下降的同時，使排氣調節部900下降來開放排出部800（參照第14圖）。
之後，當有必要減少排出量時，可以使上升下降部300上升規定高度以縮小第一閥盤810、第二閥盤820的間距來減少排出量（參照第15圖）。
限制加壓部640以大於限制聯動孔620的直徑的大小凸出形成於上升下降部300的外周，且隔開而形成於限制卡止部630的上部。
若引導部500支撐於引導下降界線凸台550的同時被限制下降，則限制加壓部640對限制部600加壓來將基板10堅固地支撐於夾盤200的上部。
限制部600在其與腔室100之間具備通道部，以使處理處理區域120與排出區域130連通。
如第16圖所圖示，這種通道部可以形成於突出於限制處理部610的外框的多個連接片650之間。
或者，雖然未圖示，通道部可以以多個貫通的孔形成於限制部600。
此外，除了支撐基板10的功能外，限制加壓部640還發揮使形成於限制聯動孔620與上升下降部300之間的縫隙密閉來抑制從縫隙流入的處理物質所產生的異物的生成的功能。
這種限制加壓部640可以由彈性體構成，從而進一步提高密封效果。
另一方面，作為本發明的另一實施例，如第5圖的（c）、第17圖至第19圖所圖示，引導部500形成有引導聯動孔520，上升下降部300形成有引導卡止部530，引導部500可以通過引導聯動孔520與引導卡止部530的直徑差支撐於引導卡止部530而與上升下降部300聯動。
雖然未圖示，引導部500與上升下降部300發連接或結合部分也可以如前述第5圖的（a）、（b）、（d）所示構成。
因此，本發明具有無需追加另外的結構，限制部600即可與引導部500聯動而升降的優點，且具有處理基板10時能夠根據需要來調節引導部500與基板10之間的間距的優點。
此外，限制加壓部640能夠抑制因等離子等發生的基板10的振動來均勻地處理基板10，且具有抑制生成異物的優點。
＜追加設置排氣調節部900及放置部700的實施例＞
除了引導部500外，上升下降部300還可以與排氣調節部900及放置部700聯動而升降。
相對於上述追加設置排氣調節部900的實施例，本實施例在引導部500與排氣調節部900之間追加性地設置放置部700。
接下來，對與上述實施例重複的部分，將省略說明，並以發明的特徵部為中心進行說明。
除了引導部500外，上升下降部300還可以與放置部700聯動而升降。
放置部700可以固定於上升下降部300的一側，與上升下降部300聯動而升降。
然而，若放置部700固定於上升下降部300的一側，則存在處理基板10時無法根據需要來調節引導部500與基板10之間的間距的問題。
為解決這種問題，如本發明的第20圖至第22圖所圖示，本發明的包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置包括放置部700、放置安放孔710、夾盤安放部230、放置聯動孔720以及放置卡止部730。
放置部700上升而代替升降銷220從機械臂210接收基板10，並下降而將基板10安放於夾盤200的上部。
放置安放孔710以小於基板10的直徑形成於放置部700的內側。
夾盤安放部230作為從夾盤200凸出的結構插入於放置安放孔710，且上面與基板10的背面接觸而用靜電固定基板10。
放置聯動孔720形成於放置部700。
放置卡止部730以大於放置聯動孔720的直徑形成於上升下降部300的一側。
如同第12圖的限制卡止部630，放置卡止部730可以由上升下降部300的直徑不同的區間連接而形成，或者，放置卡止部730可以凸出而形成於上升下降部300的一側。
上升下降部300的一側區間可以以小於放置部700的聯動孔的直徑形成，在升降時通過放置聯動孔720，若放置部700支撐於放置卡止部730，則與上升下降部300聯動而升降。
即，上升下降部300在用於搬入或搬出基板10的位置（參照第20圖）開始下降，並在上部區間使支撐於放置卡止部730的放置部700與引導部500一同下降來將基板10安放於夾盤200的上部。
之後，上升下降部300在下部區間在解除與限制部600的聯動的狀態下通過限制聯動孔620的同時使引導部500下降。
即，上升下降部300的上部區間被解除與放置部700的聯動，只有引導部500升降，當為了搬入或搬出基板10而需要升降放置部700時，放置部700與引導部500一同升降。
放置加壓部740以大於放置聯動孔720的直徑的大小凸出形成於上升下降部300的外周，且隔開而形成於放置卡止部730的上部。
若引導部500支撐於引導下降界線凸台550的同時被限制下降，則放置加壓部740對放置部700加壓來將放置部700堅固地支撐於夾盤200的上部（參照第21圖）。
由此，能夠防止安放於夾盤200的上部的放置部700的振動被傳遞至基板10。
雖然未圖示，放置部700可以如同前述追加設置限制部600的實施例在其與腔室100之間具備通道部，以使處理處理區域120與排出區域130連通。
此外，除了支撐放置部700的功能外，放置加壓部740還發揮使形成於放置聯動孔720與上升下降部300之間的縫隙密閉來抑制處理物質通過縫隙被排出至排出區域130的同時所發生的異物的生成的功能。
這種放置加壓部740可以由彈性體構成，從而進一步提高密封效果。
因此，本發明具有無需追加另外的結構，放置部700即可與引導部500聯動而升降的優點，且具有處理基板10時能夠根據需要來調節引導部500與基板10之間的間距的優點。
此外，放置加壓部740能夠抑制因等離子等發生的放置部700的振動來均勻地處理基板10，且具有抑制生成異物的優點。
另一方面，除了上述實施例外，雖然未圖示，但也可以在引導部500與排氣調節部900之間追加設置限制部600和放置部700。
10‧‧‧基板
100‧‧‧腔室
110‧‧‧形成區域
120‧‧‧處理區域
130‧‧‧排出區域
200‧‧‧夾盤
210‧‧‧機械臂
220‧‧‧升降銷
230‧‧‧夾盤安放部
300‧‧‧上升下降部
310‧‧‧連接板
320‧‧‧彈簧針
400‧‧‧驅動部
500‧‧‧引導部
510‧‧‧引導孔
520‧‧‧引導聯動孔
530‧‧‧引導卡止部
540‧‧‧引導上升界線凸台
550‧‧‧引導下降界線凸台
560‧‧‧第一導向部
570‧‧‧第二導向部
600‧‧‧限制部
610‧‧‧限制處理部
620‧‧‧限制聯動孔
630‧‧‧限制卡止部
640‧‧‧限制加壓部
650‧‧‧連接片
700‧‧‧放置部
710‧‧‧放置安放孔
720‧‧‧放置聯動孔
730‧‧‧放置卡止部
740‧‧‧放置加壓部
800‧‧‧排出部
810‧‧‧第一閥盤
812‧‧‧第一聯動孔
814‧‧‧排氣孔
820‧‧‧第二閥盤
822‧‧‧第二聯動孔
830‧‧‧彈性部
900‧‧‧排氣調節部
910‧‧‧長度可變部
第1圖是示出本發明的引導部上升時的狀態的圖。 第2圖是示出本發明的引導部下降時的狀態的圖。 第3圖、第4圖是示出驅動部的實施例的圖。 第5圖是示出支撐引導部的上升下降部的實施例的圖。 第6圖、第7圖是示出第一導向部及第二導向部的實施例的圖。 第8圖至第10圖是示出排氣調節部的實施例的圖。 第11圖是示出對排出部進行導向的上升下降部的圖。 第12圖是示出第一閥盤及第二閥盤的實施例的圖。 第13圖至第15圖是示出同時具備排氣調節部和限制部的實施例的圖。 第16圖是示出對排出部和限制部進行導向的上升下降部的圖。 第17圖至第19圖是示出同時具備排氣調節部和限制部的另一實施例的圖。 第20圖至第22圖是示出同時具備排氣調節部和放置部的實施例的圖。

Claims (11)

  1. 一種包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置，其包括： 腔室，其包括作為形成處理物質的區域的形成區域、作為用該處理物質處理基板的區域的處理區域以及作為與泵連接而排出該處理物質的區域的排出區域； 夾盤，其在上部安放該基板以使該基板位於該處理區域； 引導部，其將在該形成區域形成的該處理物質引導至該處理區域； 排出部，其設置於該處理區域與該排出區域的界線而形成有排出該處理物質的多個排氣孔； 上升下降部，其貫通該腔室而設置，在該基板被搬入及搬出該腔室時在該腔室的內部使該引導部上升，並在處理該基板時在該腔室的內部使該引導部下降； 驅動部，其設置於該腔室外部而向該上升下降部提供驅動力；以及 排氣調節部，其與該上升下降部聯動而上升下降， 該上升下降部在上升下降的一部分區間使該引導部和該排氣調節部一同升降，且在上升下降的另外的一部分區間使該排氣調節部升降來調節該排出部的排出量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置，其中該引導部包括引導孔，該引導孔以直徑向該處理區域方向逐漸減小的方式貫通中央。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置，其更包括： 第一導向部，其以上下較長地延伸的形狀位於該腔室的內部；以及 第二導向部，其形成於該引導部，且形成為與該第一導向部對應的形狀，以防止該引導部升降時從該第一導向部脫離。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置，其中該排出部包括： 第一閥盤，其固定設置於該腔室的內部，且形成有該排氣孔； 第二閥盤，其開閉該排氣孔；以及 彈性部，其設置於該第一閥盤、該第二閥盤之間而使該第一閥盤、該第二閥盤彈性地貼緊，該排氣調節部使該第一閥盤、該第二閥盤的間距隔開來調節排出量。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置，其中該第二閥盤在與該排氣孔相應的位置具備密封部而在與該第一閥盤貼緊的狀態下密閉該排氣孔。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置，其更包括： 引導下降界線凸台，其從該腔室內壁凸出，且形成於該引導部下降的界線；以及 長度可變部，其形成於該上升下降部的中間，該引導部固定於該上升下降部的上端，在通過該上升下降部的下降支撐於該引導下降界線凸台的狀態改下，通過該長度可變部的伸縮來調節該排出部的排出量。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置，其更包括引導下降界線凸台，其從該腔室內壁凸出，且形成於該引導部下降的界線，該引導部支撐於該上升下降部的上端或支撐於在該上升下降部的中間形成的引導卡止部，在通過該上升下降部的下降支撐於該引導下降界線凸台的狀態下，通過該排氣調節部的上升下降來調節該排出部的排出量。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置，其更包括限制部，其設置於該引導部與該排氣調節部之間，在內側插入位於該夾盤的基板，且限制該處理物質處理該基板的外側。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置，其更包括： 通道部，其形成於該腔室與該限制部之間或該限制部，以使該處理區域與該排出區域連通； 限制聯動孔，其垂直地貫通形成於該限制部的外側；以及 限制卡止部，其以大於該限制聯動孔的直徑的直徑形成於該上升下降部的中間， 該上升下降部在上部區間使支撐於該限制卡止部的該限制部與該引導部一同下降來將該限制部固定於該基板的上部，且在下部區間通過該限制聯動孔而使該引導部的下降同時使該排氣調節部下降來開放該排出部。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置，其更包括放置部，其設置於該引導部與該排氣調節部之間，上升而接收該基板，並下降而將該基板安放於該夾盤的上部。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置，其更包括： 放置聯動孔，其垂直地貫通形成於該放置部的外側；以及 放置卡止部，其以大於該放置聯動孔的直徑的直徑形成於該上升下降部的中間，該上升下降部在上部區間使支撐於該放置卡止部的該放置部與該引導部一同下降來將該基板安放於該夾盤的上部，且在下部區間通過該放置聯動孔而使該引導部下降的同時使該排氣調節部下降來開放該排出部。
TW108101534A 2018-01-24 2019-01-15 包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置 TWI679700B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180008852A KR101987577B1 (ko) 2018-01-24 2018-01-24 승강하는 유도부와 연동하는 배기조절부를 포함하는 기판 처리 장치
KR10-2018-0008852 2018-01-24
??10-2018-0008852 2018-01-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201933481A TW201933481A (zh) 2019-08-16
TWI679700B true TWI679700B (zh) 2019-12-11

Family

ID=65778167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108101534A TWI679700B (zh) 2018-01-24 2019-01-15 包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101987577B1 (zh)
CN (1) CN109524329B (zh)
TW (1) TWI679700B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102634033B1 (ko) * 2019-04-05 2024-02-08 주식회사 디엠에스 기판처리유닛의 간격조절장치 및 이를 이용한 기판처리장치
KR102634034B1 (ko) * 2019-04-05 2024-02-08 주식회사 디엠에스 기판처리장치
KR102497494B1 (ko) * 2021-06-03 2023-02-08 주식회사 기가레인 기판 배치 유닛
KR102372101B1 (ko) * 2021-06-08 2022-03-10 주식회사 기가레인 리프트 구동 어셈블리
KR102478349B1 (ko) * 2022-07-07 2022-12-16 주식회사 기가레인 기판 처리 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100239756A1 (en) * 2007-09-28 2010-09-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and gas exhaust method
CN107546098A (zh) * 2016-06-28 2018-01-05 吉佳蓝科技股份有限公司 调节排气流路的尺寸的等离子处理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817168B2 (ja) * 1988-02-15 1996-02-21 東京エレクトロン株式会社 被処理基板の処理方法
JP2001267248A (ja) * 2000-03-15 2001-09-28 Shibaura Mechatronics Corp 半導体処理装置
JP4330315B2 (ja) * 2002-03-29 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20060013987A (ko) 2004-08-09 2006-02-14 삼성전자주식회사 건식식각장비
JP4708217B2 (ja) * 2006-02-28 2011-06-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および昇降装置
US8017168B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-13 The Coca-Cola Company High-potency sweetener composition with rubisco protein, rubiscolin, rubiscolin derivatives, ace inhibitory peptides, and combinations thereof, and compositions sweetened therewith
KR101397124B1 (ko) * 2007-02-28 2014-05-19 주성엔지니어링(주) 기판지지프레임 및 이를 포함하는 기판처리장치, 이를이용한 기판의 로딩 및 언로딩 방법
JP5256866B2 (ja) * 2008-02-05 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR101460557B1 (ko) * 2008-12-29 2014-11-14 주식회사 케이씨텍 플라즈마 처리장치
KR200453917Y1 (ko) * 2008-12-30 2011-06-02 주식회사 테스 기판 처리 장치
US9095038B2 (en) * 2011-10-19 2015-07-28 Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia ICP source design for plasma uniformity and efficiency enhancement
KR101955575B1 (ko) * 2012-06-08 2019-03-08 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
US9997381B2 (en) 2013-02-18 2018-06-12 Lam Research Corporation Hybrid edge ring for plasma wafer processing
KR101443792B1 (ko) 2013-02-20 2014-09-26 국제엘렉트릭코리아 주식회사 건식 기상 식각 장치
JP6650841B2 (ja) * 2016-06-27 2020-02-19 東京エレクトロン株式会社 基板昇降機構、基板載置台および基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100239756A1 (en) * 2007-09-28 2010-09-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and gas exhaust method
CN107546098A (zh) * 2016-06-28 2018-01-05 吉佳蓝科技股份有限公司 调节排气流路的尺寸的等离子处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201933481A (zh) 2019-08-16
KR101987577B1 (ko) 2019-06-10
CN109524329A (zh) 2019-03-26
CN109524329B (zh) 2023-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI679700B (zh) 包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置
US9576824B2 (en) Etching chamber with subchamber
KR101535576B1 (ko) 반도체 가공 챔버의 오염을 최소화하기 위한 방법 및 장치
JP6398761B2 (ja) 基板処理装置
JP4630994B1 (ja) 真空用ゲートバルブ
CN101097844B (zh) 半导体处理装置
KR20070091332A (ko) 웨이퍼 지지핀 어셈블리
KR100932121B1 (ko) 반도체 제조설비의 슬릿 도어 밸브
KR102418315B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI687997B (zh) 包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置
TWI659499B (zh) 包括升降之引導部之基板處理裝置
KR100979688B1 (ko) 게이트 밸브
KR102677584B1 (ko) 진자식 컨트롤밸브
KR101256485B1 (ko) 기판처리장치의 공정챔버
TW202117919A (zh) 基板處理裝置
KR20160062626A (ko) 이중 배기 구조의 프로세스챔버와 이를 포함하는 기판제조장치 및 기판제조방법
KR101045247B1 (ko) 리프트 핀 승강장치
KR102637091B1 (ko) 진자식 컨트롤밸브
JP2020136477A (ja) 基板保持装置及び基板保持方法
CN113994128B (zh) 真空泵装置
KR100444147B1 (ko) 박막증착장치
JP2004186552A (ja) 基板処理装置
KR20040000103A (ko) 반도체 설비용 슬릿 도어 장치
KR101587130B1 (ko) 아이솔레이션 밸브 및 그 제어 방법
CN115136290A (zh) 基板处理设备