KR100444147B1

KR100444147B1 - 박막증착장치

Info

Publication number: KR100444147B1
Application number: KR1020030100499A
Authority: KR
Inventors: 박영훈; 황희; 서강진; 임홍주; 이상규; 서태욱; 장호승
Original assignee: 주식회사 아이피에스
Priority date: 2003-12-30
Filing date: 2003-12-30
Publication date: 2004-08-11

Abstract

본 발명은 반응가스들의 화학반응을 이용하는 박막증착장치에 관한 것으로서, 공정가스를 분사하는 샤워헤드(12)와, 웨이퍼(w)가 유출입되는 웨이퍼유출입포트(13)를 가지는 상부챔버(10); 상부챔버(10)의 하방에 밀봉되게 결합되며 그 하부가 적어도 하나 이상이 펌핑포트(21)가 형성된 하부챔버(20); 상부를 증착공간(D)으로 하부를 배기공간(P)으로 분리하는 기판가열부(31)와 그 기판가열부(31)를 지지하는 샤프트(32)로 구성되는 웨이퍼블럭(30); 샤프트(32) 주위를 감싸도록 하부챔버(20) 내부에 설치되는 상부쉴드(41)(141)와, 상부쉴드(41)(141)의 하단에 결합되어 하부챔버(20) 밖으로 뻗어있으며 샤프트(32)를 감싸는 하부쉴드(42)(142)와, 샤프트(32)의 밑면을 밀봉하며 하부쉴드(42)(142)와 연결되는 밀봉부(43)(143)를 포함하는 웨이퍼블럭지지부(40)(140); 기판가열부(31)를 관통하며 웨이퍼(w)를 그 기판가열부(31)에 안착 또는 승강시키기 위한 리프트핀(51)(151);를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

박막증착장치{Reactor for depositing thin film on a wafer}

본 발명은 웨이퍼에 박막을 증착하는 박막증착장치에 관한 것이다.

박막증착장치는 배기 방식으로 구분하였을 때, 배기가스를 챔버 측면으로 배기하는 방식과, 챔버 하부로 배기하는 방식으로 구분할 수 있다.

배기가스를 챔버 측면으로 배기하는 방식의 경우, 어쩔수 없이 챔버 하부 전체에 데드존(dead zone), 즉, 파우더가 퇴적되기 쉬운 데드존을 가질 수 밖에 없으며, 이러한 파우더 퇴적문제를 해결하기 위하여, 외부로부터 데드존으로 고압의 불활성 가스를 불어넣음으로써 파우더가 퇴적되는 것을 방지하였다. 그러나, 데드존으로 불활성가스를 불어넣는다 하더라도, 공정 종류에 따라서 파우더 방지가 유명무실해 질 수 있으며, 경우에 따라서는 리프트핀에 과다한 파우더가 퇴적되어 급기야 챔버를 오픈하고 wet 클리닝을 자주 실시하여야 하는 일이 발생하였다. 또한, 상기한 방식에 있어서, 공정가스가 웨이퍼상으로 고르게 흘러야 하고 일정한 온도대역을 형성하여야 하기 때문에 많은 툴키트를 필요로 하며, 이에 따라 챔버 구조가 매우 복잡해진다라는 단점이 발생한다.

공정가스를 챔버 하부로 배기하는 방식의 박막증착장치의 경우에는 배기 가스가 챔버 하부의 펌핑포트로 배기되게 함으로써 챔버 하부에 파우더가 퇴적되는 것을 최소화할 수 있었다. 즉, 배기가스가 웨이퍼블럭의 샤프트를 스쳐지난 후 펌핑포트를 거쳐 배기되는 것이다. 그러나, 이 경우 배기가스에 의하여 웨이퍼블럭의 열손실이 커지고, 더 나아가 샤프트에 파우더가 퇴적되어 결국 챔버를 오픈하고 wet 클리닝을 하여야 하였다.

이와 같이, 배기가스가 챔버 측면으로 배기되는 방식이든, 챔버 하부로 배기되는 방식이든간에 불필요한 파우더가 퇴적되는 것을 방지할 수 없었다.

한편, 한 장의 웨이퍼로부터 더욱 많은 소자를 생산하기 위하여, 업계는 대구경 웨이퍼를 채용함과 동시에 더욱 협소한 디자인룰을 적용하기 위한 노력을 지속적으로 기울이고 있다. 이를 위하여, 웨이퍼상에 공정가스가 고르게 플로우되는 것과 함께, 공정 이후 챔버내 잔존 가스가 보다 빠른 속도로 배기되어야 하였다.

본 발명은 상기와 같은 추세를 반영하기 위하여 창출된 것으로서, 공정 이후의 나머지 공정가스와 부산물가스가 한번에 배기될 수 있도록 그 구조가 개선된 박막증착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 다른 목적은, 대구경 웨이퍼의 박막증착공정을 수행할 수 있도록 개선된 박막특성과, 넓은 공정윈도우, 보다 빠른 웨이퍼처리속도를 제공할 수 있는박막증착장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 웨이퍼블럭의 샤프트를 열손실로부터 보호할 수 있는 박막증착장치를 제공하는 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 박막증착장치의 제1실시예를 정면에서 본 단면도,

도 2는 도 1의 박막증착장치를 측면에서 본 단면도,

도 3은 본 발명에 따른 박막증착장치의 제2실시예를 정면에서 본 단면도,

도 4는 도 3의 박막증착장치를 측면에서 본 부분단면도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10 ... 상부챔버 11 ... 탑리드

12 ... 샤워헤드 13 ... 웨이퍼유출입포트

14 ... 퍼지가스유입공 20 ... 하부챔버

20a ... 만곡면벽 20b ... 수직면

20c ... 경사면 20d ... 바닥면

21 ... 펌핑포트 30 ... 웨이퍼블럭

31 ... 기판가열부 32 ... 샤프트

36 ... z-모션셔틀 37 ... 승강부

37a ... 모터 37b ... 기어박스

37c ... 구동스크류 38 ... 슬라이드바아

40 ... 웨이퍼블럭지지부 41 ... 상부쉴드

42 ... 하부쉴드 43 ... 밀봉부

51 ... 리프트핀 52 ... 고정리프트핀홀더

140 ... 웨이퍼블럭지지부 141 ... 상부쉴드

142 ... 하부쉴드 143 ... 밀봉부

151 ... 리프트핀 152 ... 승강리프트핀홀더

153 ... z-모션블럭 154 ... 실린더

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 다른 박막증착장치는, 공정가스를 분사하는 샤워헤드(12)와, 웨이퍼(w)가 유출입되는 웨이퍼유출입포트(13)를 가지는 상부챔버(10); 상기 상부챔버(10)의 하방에 밀봉되게 결합되며 그 하부가 적어도 하나 이상이 펌핑포트(21)가 형성된 하부챔버(20); 상부를 증착공간(D)으로 하부를 배기공간(P)으로 분리하는 기판가열부(31)와 그 기판가열부(31)를 지지하는 샤프트(32)로 구성되는 웨이퍼블럭(30); 상기 샤프트(32) 주위를 감싸도록 상기 하부챔버(20) 내부에 설치되는 상부쉴드(41)와, 상기 상부쉴드(41)의 하단에 결합되어 상기 하부챔버(20) 밖으로 뻗어있으며 상기 샤프트(32)를 감싸는 하부쉴드(42)와, 상기 샤프트(32)의 밑면을 밀봉하며 상기 하부쉴드(42)와 연결되는 밀봉부(43)를 포함하는 웨이퍼블럭지지부(40); 상기 기판가열부(31)를 관통하며 상기 웨이퍼(w)를 그 기판가열부(31)에 안착 또는 승강시키기 위한 리프트핀(51);를 포함하고, 상기 리프트핀(51)은 상기 상부쉴드(41)의 상부에 설치된 고정리프트핀홀더(52)에 의하여 지지되고, 상기 웨이퍼블럭(30)은 상기 하부챔버(20)에 설치된 블록승강부에 의하여 승강되며, 상기 하부쉴드(42)는 상기 웨이퍼블럭(30)의 승강중에 상기 밀봉부(43)와 상기 하부챔버(20) 사이에 밀봉이 유지되도록 하는 벨로우즈이다.이때, 상기 블록승강부는 상기 밀봉부(43)의 하단이 결합되는 Z-모션셔틀(36)과, 상기 하부챔버(20)에 고정되어 상기 Z-모션셔틀(36)을 승강시키는 승강부(37)를 포함한다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 다른 박막증착장치는, 공정가스를 분사하는 샤워헤드(12)와, 웨이퍼(w)가 유출입되는 웨이퍼유출입포트(13)를 가지는 상부챔버(10); 상기 상부챔버(10)의 하방에 밀봉되게 결합되며 그 하부가 적어도 하나 이상이 펌핑포트(21)가 형성된 하부챔버(20); 상부를 증착공간(D)으로 하부를 배기공간(P)으로 분리하는 기판가열부(31)와 그 기판가열부(31)를 지지하는 샤프트(32)로 구성되는 웨이퍼블럭(30); 상기 샤프트(32) 주위를 감싸도록 상기 하부챔버(20) 내부에 설치되는 상부쉴드(141)와, 상기 상부쉴드(141)의 하단에 결합되어 상기 하부챔버(20) 밖으로 뻗어있으며 상기 샤프트(32)를 감싸는 하부쉴드(142)와, 상기 샤프트(32)의 밑면을 밀봉하며 상기 하부쉴드(142)와 연결되는 밀봉부(143)를 포함하는 웨이퍼블럭지지부(140); 상기 기판가열부(31)를 관통하며 상기 웨이퍼(w)를 그 기판가열부(31)에 안착 또는 승강시키기 위한 리프트핀(151);를 포함하고, 상기 리프트핀(151)은, 상기 상부쉴드(141)의 외주에 설치되는 승강리프트핀홀더(152)에 의하여 연동되고, 그 승강리프트핀홀더(152)는 상기 하부챔버(20)에 설치되는 핀승강부에 의하여 승강된다. 이때. 상기 핀승강부는, 상기 하부챔버(20)의 하단에 설치되어 상방으로 승강되는 Z-모션블럭(153)과, 그 Z-모션블럭(153)을 승강시키기 위한 실린더(154)를 포함한다.

본 발명에 있어서, 상기 유출입포트(13)에는 퍼지가스가 유입되는 퍼지가스유입공(14)이 형성된다.

본 발명에 있어서, 가스의 원활한 배기를 위하여, 상기 하부챔버(20) 내측에는 상기 펌핑포트(21)까지 연결되는 만곡면벽(20a)이 형성된다.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 박막증착장치를 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 박막증착장치의 제1실시예를 정면에서 본 단면도이고, 도 2는 도 1의 박막증착장치를 측면에서 본 단면도이다.

도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막증착장치의 제1실시예는, 박막 증착용 공정가스를 웨이퍼(w) 상부로 분사하는 상부챔버(10)와, 상부챔버(10)의 하방에 밀봉되게 결합되어 가스를 효과적으로 배기할 수 있는 구조의 하부챔버(20)와, 웨이퍼(w)가 안착되며 z 방향으로 승강되며 웨이퍼(w)가 안착되는 웨이퍼블럭(30)과,웨이퍼블럭(30)을 하부챔버(20) 중심부에서 그 하부챔버(20)와 밀봉상태가 유지되도록 하는 웨이퍼블럭지지부(40)와, 웨이퍼블럭(30)을 관통하며 웨이퍼(w)를 그 웨이퍼블럭(30) 상부에 안착 또는 승강시키기 리프트핀(51)을 포함한다.

상부챔버(10)는, 상부에 밀봉되게 결합되는 탑리드(11)와, 탑리드(11)의 하단에 설치되어 공정가스를 분사하는 샤워헤드(12)와, 웨이퍼(w)가 유출입되는 웨이퍼유출입포트(13)를 가진다. 이때, 웨이퍼유출입포트(13)에는 퍼지가스가 유입되는 퍼지가스유입공(14)이 형성되어 있다. 퍼지가스유입공(14)은 챔버(10,20) 안쪽으로 퍼지가스인 불활성가스를 유입시킴으로써 웨이퍼유출입포트(13) 주위에 파우더가 퇴적되는 것을 최소화할 수 있다.

하부챔버(20)는, 하부에는 공정 가스 및 반응 부산물 가스가 배기되기 위한 적어도 하나 이상의 펌핑포트(21)가 형성되어 있으며, 하부챔버 내벽에는 공정 가스가 펌핑포트(21)로 잘 흐를 수 있도록 그 펌핑포트(21)까지 연결되는 만곡면벽(20a)이 형성된다.

또, 하부챔버(20)의 외부에는 다수개의 면, 즉 다수개의 수직면(20b), 다수개의 경사면(20c), 하나의 바닥면(20d)이 형성되고, 이들 면에는 도 1에 도시된 바와 같이 히터(h) 또는 열전소자와 쿨링블록으로 구성된 열전소자어셈블리(f)가 결합된다. 이들 면등에 히터 및 열전소자어셈블리가 결합됨으로써, 챔버 내부의 온도를 용이하게 제어할 수 있다.

웨이퍼블럭(30)은 웨이퍼(w)가 안착되는 기판가열부(31)와, 그 기판가열부(31)를 지지하며 하부챔버(20) 밖으로 연장되어 있는 샤프트(32)로 구성된다. 기판가열부(31)는 그를 기준으로 상부를 증착공간(D)으로 그리고 하부를 배기공간(P)으로 분리하며, 그 내부에는 웨이퍼(w)를 가열시키는 히터(미도시)가 내장된다. 또, 샤프트(32) 내부에는 히터에 전원을 인가하기 위한 전원라인이 설치된다.

웨이퍼블럭(30)은 하부챔버(20)에 설치되는 블럭승강부에 의하여 z 방향으로 승강된다. 이러한 블럭승강부는, 후술할 샤프트 하단의 밀봉부(43)가 결합되는 Z-모션셔틀(36)과, 하부챔버(20)의 소정부에 고정되어 Z-모션셔틀(36)을 승강시키는 승강부(37)를 포함한다. 이때, 승강부(37)는 모터(37a)와, 그 모터(37a)와의 기어 비를 조정하는 기어박스(37b)와, 기어박스(37b)에 의하여 회전되는 구동스크류(37c)로 구성되는 승강부(37)로 구성된다. 이때, z-모션셔틀(36)의 일측은 하부챔버(20)의 일측에 고정되는 슬라이드바아(38)에 슬라이딩되게 결합되고, 타측은 구동스크류(37c)에 스크류 결합된다.

웨이퍼블럭지지부(40)는, 샤프트(32) 주위를 감싸도록 상기 하부챔버(20) 내부에 설치되는 상부쉴드(41)와, 상부쉴드(41)의 하단에 결합되며 샤프트(32)를 감싸는 하부쉴드(42)와, 샤프트(32)의 밑면을 밀봉하며 하부쉴드(42)와 연결되는 밀봉부(43)를 포함한다.

웨이퍼블럭(30)이 승강되는 동안 웨이퍼블럭(30)과 하부챔버(20) 사이의 밀봉이 유지되어야 한다. 이를 위하여, 하부쉴드(42)의 위 쪽은 상부쉴드(41)와 밀봉되게 연결되고, 하부쉴드(42)의 아래쪽은 밀봉부(43)와 밀봉되게 연결되며 한다. 이러한 하부쉴드(42)는 웨이퍼블록(30)의 승강시 늘어졌다 줄어드는 벨로우즈인 것이 바람직하다.

리프트핀(51)은 기판가열부(31)를 관통하는 핀홀에 살짝 얹혀진 상태에서 그 단부가 상부쉴드(41)의 상부에 설치된 고정리프트핀홀더(52)에 지지되며, 이러한 리프트핀(51)은 총 3 개로 이루어진다.

상기한 구조에 의하여, 상부챔버(10)를 통하여 피딩되는 공정가스는 증착공간(P)을 향하는 웨이퍼(w) 상에 박막을 증착한다. 공정 완료후, 미 반응된 공정가스와 부산물가스는 배기공간(P)의 펌핑포트(21)를 거쳐 외부로 배기된다. 이때, 하부챔버(20)는 충분한 체적을 가지며 내벽에는 만곡면이 형성되어 있으므로, 배기가스는 와류가 생기지 않고 빠른 속도로 배기되므로 배기 효율이 높아진다.

한편, 구동스크류(37c)가 회전되면 Z-모션셔틀(36)은 상하 방향으로 승강되면서 웨이퍼블럭(30)을 승강시킨다. 이때, 리프트핀(51)은 기판가열부(31)의 핀홀에 살짝 얹혀져 있는 상태이므로, 웨이퍼블럭(30)이 상승할 때 웨이퍼가 안착되고, 웨이퍼블럭(30)이 하강할 때 리프트핀(51)에 의하여 안착된 웨이퍼가 분리된다.

다음, 본 발명에 따른 박막증착장치의 제2실시예를 설명한다.

도 3은 본 발명에 따른 박막증착장치의 제2실시예를 정면에서 본 단면도이고, 도 4는 도 3의 박막증착장치를 측면에서 본 부분단면도이다. 여기서, 제1실시예에서와 동일한 참조 부호는 동일 기능을 하는 동일 부재이다.

도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막증착장치의 제2실시예는, 상부챔버(10)와, 상부챔버(10)의 하방에 밀봉되게 결합되어 공정 가스를 효과적으로 배기할 수 있는 구조의 하부챔버(20)와, 웨이퍼(w)가 안착되는 웨이퍼블럭(30)과, 웨이퍼블럭(30)과 하부챔버(20) 사이를 밀봉하는 웨이퍼블럭지지부(140)와, 웨이퍼블럭(30)상에서 웨이퍼를 승강시키는 3 개의 리프트핀(151)을 포함한다. 여기서, 상부챔버(10), 하부챔버(20), 웨이퍼유출입포트(13)에 형성된 퍼지가스유입공(14)은 제1실시예에서 설명된 것과 거의 유사하므로 더 이상의 상세한 설명은 생략한다.

웨이퍼블럭(30)은 웨이퍼(w)가 안착되는 기판가열부(31)와, 그 기판가열부(31)를 지지하며 하부챔버(20) 밖으로 연장되어 있는 샤프트(32)로 구성되며, 하부챔버(20)에 대하여 고정된다.

웨이퍼블럭지지부(140)는, 샤프트(32) 주위를 감싸도록 하부챔버(20) 내부에 설치되는 상부쉴드(141)와, 상부쉴드(141)의 하단에 결합되며 샤프트(32)를 감싸는 하부쉴드(142)와, 샤프트(32)의 밑면을 밀봉하며 하부쉴드(142)와 연결되는 밀봉부(143)를 포함한다.

리프트핀(151)은, 기판가열부(31)를 관통하는 핀홀에 살짝 얹혀진 상태에서 그 단부가 상부쉴드(141)의 외주에 설치되는 승강리프트핀홀더(152)에 의하여 지지되고, 그 승강리프트핀홀더(152)는 하부챔버(20)에 설치되는 핀승강부에 의하여 승강된다. 이때, 핀승강부는, 하부챔버(20)의 하단에 설치되어 상방으로 승강되는 Z-모션블럭(153)과, 그 Z-모션블럭(153)을 승강시키기 위한 실린더(154)를 포함한다.

이러한 구조에 의하여, 실린더(154)가 작동됨에 따라 Z-모션블럭(153)은 리프트핀(151)을 승강시키거나 하강시키고, 이에 따라 웨이퍼(w)는 웨이퍼블럭(30)에 안착되거나 상승된다.

상기한 챔버의 제1실시예와 제2실시예 모두에 있어서, 상부쉴드(41)는 웨이퍼블럭의 샤프트(32)를 감싸고 있으며, 따라서, 배기되는 가스에 의한 샤프트의 열손실을 방지할 수 있다.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 박막증착장치에 따르면, 하부챔버에 충분한 체적을 가지는 배기공간이 형성되고 그 배기공간에 만곡면이 형성됨으로써 공정 이후의 나머지 공정가스와 부산물가스가 빠르게 배기될 수 있어 배기효율이 높다.

또한, 웨이퍼블럭의 샤프트를 상부쉴드가 감싸는 구조이므로, 배기되는 가스에 의하여 샤프트로로부터 열이 발산되는 것을 방지할 수 있다는 효과가 있다.

Claims

삭제
공정가스를 분사하는 샤워헤드(12)와, 웨이퍼(w)가 유출입되는 웨이퍼유출입포트(13)를 가지는 상부챔버(10);

상기 상부챔버(10)의 하방에 밀봉되게 결합되며 그 하부가 적어도 하나 이상이 펌핑포트(21)가 형성된 하부챔버(20);

상부를 증착공간(D)으로 하부를 배기공간(P)으로 분리하는 기판가열부(31)와 그 기판가열부(31)를 지지하는 샤프트(32)로 구성되는 웨이퍼블럭(30);

상기 샤프트(32) 주위를 감싸도록 상기 하부챔버(20) 내부에 설치되는 상부쉴드(41)와, 상기 상부쉴드(41)의 하단에 결합되어 상기 하부챔버(20) 밖으로 뻗어있으며 상기 샤프트(32)를 감싸는 하부쉴드(42)와, 상기 샤프트(32)의 밑면을 밀봉하며 상기 하부쉴드(42)와 연결되는 밀봉부(43)를 포함하는 웨이퍼블럭지지부(40);

상기 기판가열부(31)를 관통하며 상기 웨이퍼(w)를 그 기판가열부(31)에 안착 또는 승강시키기 위한 리프트핀(51);를 포함하고,

상기 리프트핀(51)은 상기 상부쉴드(41)의 상부에 설치된 고정리프트핀홀더(52)에 의하여 지지되고, 상기 웨이퍼블럭(30)은 상기 하부챔버(20)에 설치된 블록승강부에 의하여 승강되며, 상기 하부쉴드(42)는 상기 웨이퍼블럭(30)의 승강중에 상기 밀봉부(43)와 상기 하부챔버(20) 사이에 밀봉이 유지되도록 하는 벨로우즈인 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제2항에 있어서,

상기 블록승강부는 상기 밀봉부(43)의 하단이 결합되는 Z-모션셔틀(36)과,상기 하부챔버(20)에 고정되어 상기 Z-모션셔틀(36)을 승강시키는 승강부(37)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
공정가스를 분사하는 샤워헤드(12)와, 웨이퍼(w)가 유출입되는 웨이퍼유출입포트(13)를 가지는 상부챔버(10);

상기 상부챔버(10)의 하방에 밀봉되게 결합되며 그 하부가 적어도 하나 이상이 펌핑포트(21)가 형성된 하부챔버(20);

상부를 증착공간(D)으로 하부를 배기공간(P)으로 분리하는 기판가열부(31)와 그 기판가열부(31)를 지지하는 샤프트(32)로 구성되는 웨이퍼블럭(30);

상기 샤프트(32) 주위를 감싸도록 상기 하부챔버(20) 내부에 설치되는 상부쉴드(141)와, 상기 상부쉴드(141)의 하단에 결합되어 상기 하부챔버(20) 밖으로 뻗어있으며 상기 샤프트(32)를 감싸는 하부쉴드(142)와, 상기 샤프트(32)의 밑면을 밀봉하며 상기 하부쉴드(142)와 연결되는 밀봉부(143)를 포함하는 웨이퍼블럭지지부(140);

상기 기판가열부(31)를 관통하며 상기 웨이퍼(w)를 그 기판가열부(31)에 안착 또는 승강시키기 위한 리프트핀(151);를 포함하며,

상기 리프트핀(151)은, 상기 상부쉴드(141)의 외주에 설치되는 승강리프트핀홀더(152)에 의하여 연동되고, 그 승강리프트핀홀더(152)는 상기 하부챔버(20)에 설치되는 핀승강부에 의하여 승강되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제4항에 있어서,

상기 핀승강부는, 상기 하부챔버(20)의 하단에 설치되어 상방으로 승강되는 Z-모션블럭(153)과, 그 Z-모션블럭(153)을 승강시키기 위한 실린더(154)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제2항 또는 제4항에 있어서,

상기 유출입포트(13)에는 퍼지가스가 유입되는 퍼지가스유입공(14)이 형성된 것을 특징으로 하는 박막증착장치
제2항 또는 제4항에 있어서,

가스의 원활한 배기를 위하여, 상기 하부챔버(20) 내측에는 상기 펌핑포트(21)까지 연결되는 만곡면벽(20a)이 형성된 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제2항 또는 제4항에 있어서,

상기 하부챔버(20)의 외부는 다수개의 면이 형성되고, 상기한 면들에는 히터(h) 또는 냉각소자(f)가 결합되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.