KR101856689B1 - 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101856689B1
KR101856689B1 KR1020170137606A KR20170137606A KR101856689B1 KR 101856689 B1 KR101856689 B1 KR 101856689B1 KR 1020170137606 A KR1020170137606 A KR 1020170137606A KR 20170137606 A KR20170137606 A KR 20170137606A KR 101856689 B1 KR101856689 B1 KR 101856689B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
interlocking
chamber
elevating
guide
Prior art date
Application number
KR1020170137606A
Other languages
English (en)
Inventor
정상곤
김형원
권혁준
정희석
Original Assignee
주식회사 기가레인
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 기가레인 filed Critical 주식회사 기가레인
Priority to KR1020170137606A priority Critical patent/KR101856689B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101856689B1 publication Critical patent/KR101856689B1/ko
Priority to CN201811173490.XA priority patent/CN109698155B/zh
Priority to TW107136352A priority patent/TWI659499B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 챔버 내부에서 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명의 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치는 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 상기 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 상기 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되고, 상부에 상기 기판을 안착하여 상기 처리영역에 상기 기판이 위치되도록 하는 척; 및 상기 기판이 상기 챔버에 반입 및 반출할 때는 챔버 내부에서 상승하고, 상기 기판을 처리할 때는 상기 챔버 내부에서 하강하며, 상기 처리영역 방향으로 직경이 점차 감소되도록 중앙을 관통하는 유도홀이 형성되고, 상기 유도홀을 통해 상기 형성영역에서 형성된 상기 처리물질을 상기 처리영역으로 유도하는 유도부; 를 포함한다.

Description

승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치{Substrate processing apparatus including an elevating induced part}
본 발명은 챔버 내부에서 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치는 반도체 공정을 수행하는 장치로서, 상세하게는 기판을 처리물질로 처리하는 장치이다.
이때, 기판은 웨이퍼 또는 웨이퍼가 장착된 트레이를 의미할 수 있고, 처리물질은 기판을 처리하기 위한 기체 또는 플라즈마를 의미할 수 있다.
예를 들어, 기판 처리 장치는 플라즈마로 식각, 증착 및 에싱 중 하나 이상을 수행하는 장치이거나, 금속 기체로 증착을 수행하는 장치일 수 있다.
이러한 기판 처리 장치는 챔버를 포함한다.
챔버 내부에는 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함한다.
기판은 형성영역 및 처리영역 사이에 형성된 기판 출입구를 통해 로봇암으로 이송되어 챔버 외부로부터 챔버 내부에 반입되어 척의 상부에 안착된다.
그러나 형성영역 및 처리영역 사이는 기판 처리를 위해 근접하므로 기판이 챔버 내부에 반입되는 공간이 부족한 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 종래에는 척이 승강하여 기판이 챔버 내부에 반입되는 공간을 확보하였다.
그러나 척은 기판의 고정 및 온도 제어를 위한 구성 등 다양한 구성을 포함하고 있어 챔버 내부에서 척이 상강하는 공간 확보를 위해 챔버의 크기가 증가되고, 척의 무게로 인해 승강에 많은 동력을 요구되며, 척이 포함하는 다양한 구성도 척과 함께 승강해야 되는 문제점이 있다.
KR 10-1443792 B1 (2014.09.17) KR 10-2014-0103872 A (2014.08.27) KR 10-2006-0013987 A (2006.02.14)
전술한 문제점을 해결하고자 하는 것이 본 발명의 과제이다.
본 발명은 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 상기 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 상기 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되고, 상부에 상기 기판을 안착하여 상기 처리영역에 상기 기판이 위치되도록 하는 척; 및 상기 기판이 상기 챔버에 반입 및 반출할 때는 챔버 내부에서 상승하고, 상기 기판을 처리할 때는 상기 챔버 내부에서 하강하며, 상기 처리영역 방향으로 직경이 점차 감소되도록 중앙을 관통하는 유도홀이 형성되고, 상기 유도홀을 통해 상기 형성영역에서 형성된 상기 처리물질을 상기 처리영역으로 유도하는 유도부; 를 포함한다.
상기 챔버를 관통하여 설치되고, 상기 유도부와 연동되어 상기 유도부를 승강하는 연동부; 및 상기 챔버 외부에 설치되고, 상기 연동부가 승강하도록 상기 연동부에 구동력을 제공하는 구동부; 를 포함한다.
상기 챔버 내벽으로부터 돌출되고, 상기 유도부가 하강하는 경계에 형성된 유도 하강 경계턱; 을 포함한다.
상하로 길게 연장된 형상으로 상기 챔버 내부에 위치하는 제 1 가이드부; 및
상기 유도부에 형성되고, 상기 유도부가 승강할때 상기 제 1 가이드부로 부터 이탈되는 것을 방지하도록 상기 제 1 가이드부에 대응되는 형상으로 형성되는 제 2 가이드부; 를 포함한다.
내측에 기판이 삽입되고, 상기 처리물질이 상기 기판을 처리하는 것을 제한하는 제한부; 상기 제한부에 형성된 제한 연동홀; 및 상기 제한 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 연동부의 일측에 형성되는 제한 걸림부; 를 포함하고, 상기 연동부의 일정 구간은 상기 제한 연동홀의 직경보다 작은 직경으로 형성되어 승강할 때 상기 제한 연동홀을 통과하고, 상기 제한 걸림부에 걸리면 상기 연동부에 연동되어 승강하는 것을 특징으로 한다.
상기 제한부의 내측에 형성된 제한 처리부; 를 포함하고, 상기 제한 처리부는 상기 기판의 외측 일부를 덮는 형상이거나, 상기 기판의 높이보다 더 높게 돌출되어 상기 기판의 외측을 둘러싸는 형상인 것을 특징으로 한다.
상승하여 상기 기판을 인계 받고, 하강하여 상기 척의 상부에 상기 기판을 안착하는 거치부; 상기 거치부에 형성된 거치 연동홀; 및 상기 거치 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 연동부의 일측에 형성되는 거치 걸림부; 를 포함하고, 상기 연동부의 일정 구간은 상기 거치 연동홀의 직경보다 작은 직경으로 형성되어 승강할 때 상기 거치 연동홀을 통과하고, 상기 거치 걸림부에 걸리면 상기 연동부에 연동되어 승강하는 것을 특징으로 한다.
상기 거치부의 내측에 기판보다 작은 직경으로 형성된 거치 안착홀; 상기 척으로부터 돌출된 구성으로 상기 거치 안착홀에 삽입되고, 상면이 상기 기판의 배면에 접촉되어 상기 기판을 정전기로 고정하는 척 안착부; 를 포함한다.
첫째, 유도부가 상승하여 형성영역 및 처리영역 사이의 공간을 확보하므로 척의 상승없이 챔버 내부에 기판을 반입할 수 있는 이점이 있다.
둘째, 필요 이상으로 유도부가 승강하는 것을 제한할 수 있는 이점이 있다.
셋째, 제 1 가이드부 및 제 2 가이드부는 유도부가 상승 또는 하강할 때 유도부를 가이드하여 한쪽으로 기우는 것을 방지하는 이점이 있다.
넷째, 구성의 추가 없이 유도부와 연동되어 제한부가 승강하는 이점이 있고, 기판을 처리할 때 유도부와 기판 사이의 간격을 필요에 따라 조절할 수 있는 이점이 있다.
다섯째, 별도의 구성의 추가 없이 유도부와 연동되어 거치부가 승강하는 이점이 있고, 기판을 처리할 때 유도부와 기판 사이의 간격을 필요에 따라 조절할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 유도부가 상승했을 때의 모습을 나타낸 도면,
도 2는 본 발명의 유도부가 하강했을 때의 모습을 나타낸 도면,
도 3 및 도 4는 구동부의 실시예를 나타낸 도면,
도 5는 연동부의 실시예를 나타낸 도면,
도 6 및 도 7은 제 1 가이드 및 제 2 가이드의 실시예를 나타낸 도면,
도 8 내지 도 11는 제한부의 실시예를 나타낸 도면,
도 12는 제한 걸림부의 실시예를 나타낸 도면,
도 13 및 도 14는 거치부의 실시예를 나타낸 도면이다.
척(200)은 기판(10)의 고정 및 온도 제어를 위한 구성 등 다양한 구성을 포함하고 있어 챔버(100) 내부에서 척(200)이 상강하는 공간 확보를 위해 챔버(100)의 크기가 증가되고, 척(200)의 무게로 인해 승강에 많은 동력을 요구되며, 척(200)이 포함하는 다양한 구성도 척(200)과 함께 승강해야 되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치는, 챔버(100), 척(200), 유도부(500), 연동부(300) 및 구동부(400)를 포함한다.
챔버(100) 내부에는 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역(110), 처리물질로 기판(10)이 처리되는 영역인 처리영역(120) 및 펌프와 연결되어 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역(130)을 포함한다.
척(200)은 챔버(100) 내부에 설치되고, 상부에 기판(10)을 안착하여 처리영역(120)에 기판(10)이 위치되도록 한다.
유도부(500)는 기판(10)이 챔버(100)에 반입 또는 반출할 때는 챔버(100) 내부에서 상승하고, 기판(10)을 처리할 때는 챔버(100) 내부에서 하강하며, 처리영역(120) 방향으로 직경이 점차 감소되도록 중앙을 관통하는 유도홀(510)이 형성되고, 유도홀(510)을 통해 형성영역(110)에서 형성된 처리물질을 처리영역(120)으로 유도한다.
연동부(300)는 챔버(100)를 관통하여 설치되고, 유도부(500)와 연동되어 유도부(500)를 승강한다.
구동부(400)는 챔버(100) 외부에 설치되고, 연동부(300)가 승강하도록 연동부(300)에 구동력을 제공한다.
구동부(400)는 실린더 및 모터를 의미할 수 있다.
구동부(400)가 신축하는 실린더인 경우, 연동부(300)는 구동부(400)에 연동되어 승강하는 막대 형상일 수 있다.
구동부(400)가 회전하는 모터인 경우, 연동부(300)는 구동부(400)에 연동되어 회전하는 볼스크류일 수 있고, 유도부(500)는 볼스크류의 회전으로 승강되는 너트 하우징에 연결되어 승강될 수 있다.
구동부(400)는 챔버(100) 하부에 위치되거나, 도 3에 도시된 바와 같이, 구동부(400)는 챔버(100) 상부에 위치될 수 있다.
구동부(400)는 연결판(310)에 연결되어 다수의 연동부(300)에 구동력을 동시에 제공하거나, 도 4에 도시된 바와 같이, 구동부(400)는 연동부(300)에 각각 연결되어 각각의 연동부(300)에 구동력을 제공할 수 있다.
연동부(300) 일단에 유도부(500)가 고정되어 연동될 수 있다.
이때, 연동부(300)는 결합된 것이거나 연장된 것일 수 있다.
그리고 도 5a에 도시된 바와 같이, 유도부(500)는 연동부(300)에 고정되지 않고 연동부(300) 일단에 접촉되어 연동부(300)와 연동될 수 있다.
그리고 도 5b에 도시된 바와 같이, 유도부(500)는 연동부(300) 일단에 연결된 포고핀(320)에 접촉되어 연동부(300)와 연동될 수 있다.
그리고 도 5c에 도시된 바와 같이, 유도부(500)는 유도 연동홀(520)이 형성되고, 연동부(300)는 유도 연동홀(520)의 직경보다 크게 돌출된 유도 걸림부(530)가 형성되며, 유도부(500)는 유도 연동홀(520) 및 유도 걸림부(530)의 직경차이에 의해 걸려서 연동부(300)와 연동될 수 있다.
이때, 유도 걸림부(530)는 연동부(300)에 결합된 것이거나, 연장된 것일 수 있다.
본 발명의 동작을 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이, 유도부(500)는 연동부(300) 및 구동부(400)에 의해 상승되어 형성영역(110) 및 처리영역(120) 사이의 공간을 확보한다.
이후, 기판(10)이 로봇암(210)으로 이송되어 챔버(100) 내부에 반입되면, 리프트핀(220)이 로봇암(210)으로부터 기판(10)을 인계받아 척(200)의 상부에 기판(10)을 안착한다.
이후, 도 2에 도시된 바와 같이, 유도부(500)는 연동부(300) 및 구동부(400)에 의해 하강되어 형성영역(110) 및 처리영역(120) 사이의 공간을 다시 좁히게 된다.
이와 같이, 유도부(500)가 상승하여 형성영역(110) 및 처리영역(120) 사이의 공간을 확보하므로 척(200)의 상승없이 챔버(100) 내부에 기판(10)을 반입할 수 있는 이점이 있다.
유도부(500)가 승강할 때 경우에 따라 필요 이상으로 승강하는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 유도부(500)가 승강하는 경계에는 챔버(100) 내벽으로부터 돌출된 유도 상승 경계턱(540) 및 유도 하강 경계턱(550)이 형성될 수 있다.
유도부(500)의 상승 경계에 형성된 유도 상승 경계턱(540)은 유도부(500)가 유도 상승 경계턱(540) 상부로 상승하는 것을 제한하고, 유도부(500)의 하강 경계에 형성된 유도 하강 경계턱(550)은 유도부(500)가 유도 하강 경계턱(550) 하부로 하강하는 것을 제한한다.
유도 상승 경계턱(540) 및 유도 하강 경계턱(550)은 챔버(100) 내벽 둘레를 따라 돌출되거나, 챔버(100) 내벽 둘레를 따라 부분적으로 돌출될 수 있다.
이와 같이, 필요 이상으로 유도부(500)가 승강하는 것을 제한할 수 있는 이점이 있다.
유도부(500)가 승강할 때 일측으로 구동력이 치우칠 경우, 유도부(500)가 일측으로 기우는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 가이드부(560) 및 제 2 가이드부(570)를 포함한다.
제 1 가이드부(560)는 상하로 길게 연장된 형상으로 챔버(100) 내부에 위치한다.
제 2 가이드부(570)는 유도부(500)에 형성되고, 유도부(500)가 승강할 때 제 1 가이드부(560)로 부터 이탈되는 것을 방지하도록 제 1 가이드부(560)에 대응되는 형상으로 형성된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 가이드부(560)는 막대 형상이고, 제 2 가이드부(570)는 제 1 가이드부(560)가 관통하는 홀일 수 있다.
그리고 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 가이드부(560)는 챔버(100)에서 상하방향으로 길게 돌출된 막대 형상이고, 제 2 가이드부(570)는 제 1 가이드부(560)가 관통하는 홈일 수 있다.
그리고 제 1 가이드부(560)는 챔버(100) 상부에서 하부로 길게 형성된 홈이고, 제 2 가이드부(570)는 홈에 삽입되는 유도부(500)로부터 돌출된 돌기일 수 있다.
이와 같이, 제 1 가이드부(560) 및 제 2 가이드부(570)는 유도부(500)가 상승 또는 하강할 때 유도부(500)를 가이드하여 한쪽으로 기우는 것을 방지하는 이점이 있다.
<제한부(600) 추가 구성에 따른 실시예>
연동부(300)는 유도부(500) 외에도 제한부(600)와 연동되어 승강할 수 있다.
제한부(600)는 연동부(300)의 일측에 고정되어 연동부(300)와 연동되어 승강할 수 있다.
그러나 제한부(600)가 연동부(300)의 일측에 고정되면, 기판(10)을 처리할 때 유도부(500)와 기판(10) 사이의 간격을 필요에 따라 조절하지 못하는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치는, 제한부(600), 제한 처리부(610), 제한 연동홀(620) 및 제한 걸림부(630)를 포함한다.
제한부(600)는 내측에 기판(10)이 삽입되고, 처리물질이 기판(10)을 처리하는 것을 제한한다.
제한 처리부(610)는 제한부(600)의 내측으로부터 연장되어 형성된다.
제한 처리부(610)는 기판(10)의 외측 일부를 덮는 형상이거나, 도 11에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 높이보다 더 높게 돌출되어 기판(10)의 외측을 둘러싸는 형상일 수 있다.
제한 연동홀(620)은 제한부(600)에 형성된다.
제한 걸림부(630)는 제한 연동홀(620)의 직경보다 큰 직경으로 연동부(300)의 일측에 형성된다.
도 12a에 도시된 바와 같이, 제한 걸림부(630)는 연동부(300)의 직경이 다른 구간이 이어져 형성될 수 있다.
도 12b에 도시된 바와 같이, 제한 걸림부(630)는 연동부(300)의 일측에 돌출되어 형성될 수 있다.
연동부(300)의 일정 구간은 제한 연동홀(620)의 직경보다 작은 직경으로 형성되어 승강할 때 제한 연동홀(620)을 통과하고, 제한 걸림부(630)에 걸리면 연동부(300)에 연동되어 승강한다.
즉, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 유도부(500)가 승강하는 일부 구간은 제한부(600)와 연동이 해제되어 유도부(500)만 승강하고, 도 8에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 반입 또는 반출을 위해 제한부(600)의 승강이 필요한 경우 제한부(600)가 유도부(500)와 함께 승강한다.
이와 같이, 구성의 추가 없이 유도부(500)와 연동되어 제한부(600)가 승강하는 이점이 있고, 기판(10)을 처리할 때 유도부(500)와 기판(10) 사이의 간격을 필요에 따라 조절할 수 있는 이점이 있다.
<거치부(700) 추가 구성에 따른 실시예>
연동부(300)는 유도부(500) 외에도 거치부(700)와 연동되어 승강할 수 있다.
거치부(700)는 연동부(300)의 일측에 고정되어 연동부(300)와 연동되어 승강할 수 있다.
그러나 거치부(700)가 연동부(300)의 일측에 고정되면, 기판(10)을 처리할 때 유도부(500)와 기판(10) 사이의 간격을 필요에 따라 조절하지 못하는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치는, 거치부(700), 거치 안착홀(710), 척 안착부(230), 거치 연동홀(720) 및 거치 걸림부(730)를 포함한다.
거치부(700)는 상승하여 리프트핀(220) 대신 로봇암(210)으로부터 기판(10)을 인계 받고, 하강하여 척(200)의 상부에 기판(10)을 안착한다.
거치 안착홀(710)은 거치부(700)의 내측에 기판(10)보다 작은 직경으로 형성된다.
척 안착부(230)는 척(200)으로부터 돌출된 구성으로 거치 안착홀(710)에 삽입되고, 상면이 기판(10)의 배면에 접촉되어 기판(10)을 정전기로 고정한다.
거치 연동홀(720)은 거치부(700)에 형성된다.
거치 걸림부(730)는 거치 연동홀(720)의 직경보다 큰 직경으로 연동부(300)의 일측에 형성된다.
거치 걸림부(730)는 연동부(300)의 직경이 다른 구간이 이어져 형성되거나, 거치 걸림부(730)는 연동부(300)의 일측에 돌출되어 형성될 수 있다.
연동부(300)의 일측 구간은 거치부(700) 연동홀의 직경보다 작은 직경으로 형성되어 승강할 때 거치 연동홀(720)을 통과하고, 거치 걸림부(730)에 걸리면 연동부(300)에 연동되어 승강한다.
즉, 연동부(300)가 승강하는 일부 구간은 거치부(700)와 연동이 해제되어 유도부(500)만 승강하고, 기판(10)의 반입 또는 반출을 위해 거치부(700)의 승강이 필요한 경우 거치부(700)가 유도부(500)와 함께 승강한다.
이와 같이, 별도의 구성의 추가 없이 유도부(500)와 연동되어 거치부(700)가 승강하는 이점이 있고, 기판(10)을 처리할 때 유도부(500)와 기판(10) 사이의 간격을 필요에 따라 조절할 수 있는 이점이 있다.
10 : 기판 100 : 챔버
110 : 형성영역 120 : 처리영역
130 : 배출영역 200 : 척
300 : 연동부 400 : 구동부
500 : 유도부 600 : 제한부
700 : 거치부

Claims (9)

  1. 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 상기 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 상기 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함하는 챔버;
    상부에 상기 기판을 안착하여 상기 처리영역에 상기 기판이 위치되도록 하는 척;
    상기 기판이 상기 챔버에 반입 및 반출할 때는 챔버 내부에서 상승하고, 상기 기판을 처리할 때는 상기 챔버 내부에서 하강하며, 상기 형성영역에서 형성된 상기 처리물질을 상기 처리영역으로 유도하는 유도부;
    상기 유도부와 연동되어 상기 유도부를 승강하는 연동부;
    상기 연동부가 승강하도록 상기 연동부에 구동력을 제공하는 구동부; 및
    내측에 상기 기판이 삽입되고, 상기 처리물질이 상기 기판을 처리하는 것을 제한하는 제한부;를 포함하고,
    상기 연동부는 승강하는 일부 구간에서 상기 유도부를 승강시키고, 승강하는 나머지 일부 구간에서 상기 유도부와 상기 제한부를 함께 승강시키는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제한부에 형성된 제한 연동홀; 및
    상기 제한 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 연동부의 일측에 형성되는 제한 걸림부; 를 포함하고,
    상기 연동부는 상기 제한 연동홀의 직경보다 작은 직경으로 형성되어 상기 일부 구간에서 상승할 때 상기 제한 연동홀을 통과하여 상기 유도부를 상승시키고, 상기 나머지 일부 구간에서 상승할 때 상기 제한 걸림부가 상기 제한 연동홀에 걸려 상기 유도부와 상기 제한부를 함께 상승시키는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 챔버 내벽으로부터 돌출되고, 상기 유도부가 하강하는 경계에 형성된 유도 하강 경계턱; 을 포함하는, 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상하로 길게 연장된 형상으로 상기 챔버 내부에 위치하는 제 1 가이드부; 및
    상기 유도부에 형성되고, 상기 유도부가 승강할 때 상기 제 1 가이드부로 부터 이탈되는 것을 방지하도록 상기 제 1 가이드부에 대응되는 형상으로 형성되는 제 2 가이드부; 를 포함하는, 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제한부의 내측에 형성된 제한 처리부; 를 포함하고,
    상기 제한 처리부는 상기 기판의 외측 일부를 덮는 형상이거나, 상기 기판의 높이보다 더 높게 돌출되어 상기 기판의 외측을 둘러싸는 형상인 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 처리물질이 형성되는 영역인 형성영역, 상기 처리물질로 기판이 처리되는 영역인 처리영역 및 펌프와 연결되어 상기 처리물질이 배출되는 영역인 배출영역을 포함하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 설치되고, 상부에 상기 기판을 안착하여 상기 처리영역에 상기 기판이 위치되도록 하는 척;
    상기 기판이 상기 챔버에 반입 및 반출할 때는 챔버 내부에서 상승하고, 상기 기판을 처리할 때는 상기 챔버 내부에서 하강하며, 상기 형성영역에서 형성된 상기 처리물질을 상기 처리영역으로 유도하는 유도부;
    상기 챔버를 관통하여 설치되고, 상기 유도부와 연동되어 상기 유도부를 승강하는 연동부;
    상기 챔버 외부에 설치되고, 상기 연동부가 승강하도록 상기 연동부에 구동력을 제공하는 구동부; 및
    상승하여 상기 기판을 인계 받고, 하강하여 상기 척의 상부에 상기 기판을 안착하는 거치부;를 포함하고,
    상기 연동부는 승강하는 일부 구간에서 상기 유도부를 승강시키고, 승강하는 나머지 일부 구간에서 상기 유도부와 상기 거치부를 함께 승강시키는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 거치부에 형성된 거치 연동홀; 및
    상기 거치 연동홀의 직경보다 큰 직경으로 상기 연동부의 일측에 형성되는 거치 걸림부; 를 포함하고,
    상기 연동부는 상기 거치 연동홀의 직경보다 작은 직경으로 형성되어 상기 일부 구간에서 상승할 때 상기 거치 연동홀을 통과하여 상기 유도부를 상승시키고, 상기 나머지 일부 구간에서 상승할 때 상기 거치 걸림부가 상기 거치 연동홀에 걸려 상기 유도부와 상기 거치부를 함께 승강시키는 것을 특징으로 하는, 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 거치부의 내측에 기판보다 작은 직경으로 형성된 거치 안착홀;
    상기 척으로부터 돌출된 구성으로 상기 거치 안착홀에 삽입되고, 상면이 상기 기판의 배면에 접촉되어 상기 기판을 정전기로 고정하는 척 안착부; 를 포함하는, 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 청구항 1 또는 청구항 6에 있어서,
    상기 유도부는 상기 처리영역 방향으로 직경이 점차 감소되도록 중앙을 관통하는 유도홀을 포함하는, 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치.
KR1020170137606A 2017-10-23 2017-10-23 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치 KR101856689B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170137606A KR101856689B1 (ko) 2017-10-23 2017-10-23 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치
CN201811173490.XA CN109698155B (zh) 2017-10-23 2018-10-09 包括升降的引导部的基板处理装置
TW107136352A TWI659499B (zh) 2017-10-23 2018-10-16 包括升降之引導部之基板處理裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170137606A KR101856689B1 (ko) 2017-10-23 2017-10-23 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101856689B1 true KR101856689B1 (ko) 2018-05-14

Family

ID=62188232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170137606A KR101856689B1 (ko) 2017-10-23 2017-10-23 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101856689B1 (ko)
CN (1) CN109698155B (ko)
TW (1) TWI659499B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102114891B1 (ko) * 2019-11-18 2020-05-26 주식회사 기가레인 플라즈마 처리 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267248A (ja) * 2000-03-15 2001-09-28 Shibaura Mechatronics Corp 半導体処理装置
JP2013089972A (ja) * 2011-10-19 2013-05-13 Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai プラズマ均一性および効果を改良するための誘導結合プラズマ源の設計

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685434B1 (ko) * 2004-12-14 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 기판정렬수단을 갖는 기판처리장치
KR101465766B1 (ko) * 2008-07-02 2014-12-01 주성엔지니어링(주) 기판지지프레임을 가지는 기판처리장치
CN102355792B (zh) * 2011-10-19 2016-04-06 中微半导体设备(上海)有限公司 改进等离子均匀性和效率的电感耦合等离子装置
JP6596362B2 (ja) * 2015-12-02 2019-10-23 東京エレクトロン株式会社 減圧された空間において被加工物を処理する処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267248A (ja) * 2000-03-15 2001-09-28 Shibaura Mechatronics Corp 半導体処理装置
JP2013089972A (ja) * 2011-10-19 2013-05-13 Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai プラズマ均一性および効果を改良するための誘導結合プラズマ源の設計

Also Published As

Publication number Publication date
CN109698155B (zh) 2020-02-11
CN109698155A (zh) 2019-04-30
TWI659499B (zh) 2019-05-11
TW201917819A (zh) 2019-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100711729B1 (ko) 냉각 플레이트 및 베이크 장치
KR101987577B1 (ko) 승강하는 유도부와 연동하는 배기조절부를 포함하는 기판 처리 장치
US8317450B2 (en) Tactile wafer lifter and methods for operating the same
KR100725592B1 (ko) 기판 지지 방법 및 장치
WO2013104942A1 (en) Elevator travelling cable protection
KR101856689B1 (ko) 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치
CN107481955B (zh) 应用于半导体设备的组装装置
KR102657929B1 (ko) 기판 처리 설비의 레벨링 장치
TWI737526B (zh) 電漿處理裝置及容器裝配體
KR101987576B1 (ko) 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치
KR102239477B1 (ko) 리프트 핀 지지 어셈블리
KR102644510B1 (ko) 기판 처리 설비의 레벨링 장치
KR101810142B1 (ko) 기판 처리공간의 높이 측정 장치
KR20070119379A (ko) 평판 디스플레이 장치 제조용 리프트 장치
KR20060120730A (ko) 반도체 웨이퍼 지지장치
KR102478349B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20060032088A (ko) 반도체 제조장치의 웨이퍼 리프트 유닛
KR101147907B1 (ko) 기판분리장치
CN113161280B (zh) 顶针机构和除气腔室
KR20230099298A (ko) 리프트핀 어셈블리
KR101403327B1 (ko) 기판 처리장치 및 방법
KR20040009247A (ko) 반도체소자 제조설비의 웨이퍼 리프팅장치
JP2008192777A (ja) 載置装置
KR200198467Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 노광장비용 제트-스테이지의 리테이너 설치구조
KR20070033570A (ko) 반도체 제조설비의 리프팅 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant