JP6916789B2 - マルチターゲットを同時スパッタリングするための方法および装置 - Google Patents
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Description
したがって、本発明者らは、PVD処理システムにおける複数のターゲット材料の改善された同時スパッタリングのための方法および装置の実施形態を提供した。
一部の実施形態では、物理的気相堆積(PVD)チャンバは、基板を支持する基板支持体と、基板支持体に相対して配置され、それぞれのターゲットが基板上にスパッタリングされる材料を含む、複数のターゲットと、基板支持体と複数のターゲットとの間に回転自在に配置されたシールドであって、複数のターゲットのうちの2つ以上の組を同時に露出させ、一方で複数のターゲットの残りをカバーするようにサイズが調整され位置づけられた2つ以上の孔を含み、複数のターゲットのうちの2つ以上の異なる組を露出させることができ、一方でシールドの回転位置を選択することによって複数のターゲットの残りをカバーする、シールドと、を含む。
一部の実施形態では基板を処理する方法は、シールドの2つ以上の孔を介して複数のターゲットの第1の組を露出させるステップであって、シールドが、基板を支持する基板支持体の上方に配置されたキャリアに回転自在に結合されている、ステップと、複数のターゲットの第1の組を同時スパッタリングするステップと、を含む。
本開示の他のおよびさらなる実施形態が以下に記載される。
上で簡単に要約され、以下でより詳細に論じられる本開示の実施形態は、添付図面に表される本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解され得る。しかしながら、添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、範囲を限定していると考えられるべきではなく、その理由は本開示が他の等しく効果的な実施形態を受け入れることができるためである。
複数のターゲット材料を同時スパッタリングするための方法および装置の実施形態が本明細書で提供される。開示された方法および装置は、有利には、複数のターゲットの同時スパッタリングを可能にし、一方でターゲット間の相互汚染を実質的に最小化または排除することができる。
複数のカソード102は、異なる材料を基板108上にスパッタリングするために使用されてもよい。一部の実施形態では、基板108は、集積回路の製造に使用される半導体材料を有する構造体である。例えば、基板108は、ウエハを含む半導体構造体を表わすことができる。
カソード102は、基板支持体110上の基板108の上に配置された回転シールド106の開口部または孔104を介して露出する。カソード102からの材料は、孔104を介して基板108(例えば、図1に示すような材料103)上に堆積することができる。
基板108がチャンバの中にまたは外に移動する前に、基板108は、プロセスチャンバの下方部分に配置された円錐形のシールド118の下を移動することができる。伸縮式カバーリング120が円錐形のシールド118の上に配置され、基板108を取り囲む。基板支持体110が下方に移動すると、基板108は、基板108がチャンバから外に移動する前に、ロボットアームで持ち上げられてもよい。
図3は、複数のターゲットを同時スパッタリングする方法を表す流れ図である。302で、複数のターゲットの第1の組をプロセスシールド(例えば、回転シールド106)の2つ以上の孔を介して露出させ、一方で残りのターゲットをシールドによってカバーする。
任意選択で、304で、第1の組とは異なるターゲットの別の組がスパッタリングされる場合、シールド106を回転させて、複数のターゲットの第2の組を露出させ、一方で残りのターゲット(すなわち、ターゲットの第1の組および/または複数のターゲットのさらなる組)をカバーする。
前述の事項は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のおよびさらなる実施形態が本開示の基本的な範囲から逸脱せずに考案されてもよい。
Claims (14)
- 基板を支持する基板支持体と、
キャリアに結合され、前記基板上にスパッタリングされる対応する複数のターゲットを有する複数のカソードと、
前記キャリアに結合され、前記複数のターゲットの隣接する対の間に延在するプロセスシールドと、
を備え、
前記プロセスシールドは、垂直方向に移動し、前記複数のカソードに対して回転するように構成される、プロセスチャンバ。 - 前記プロセスシールドが星形である、請求項1に記載のプロセスチャンバ。
- 前記複数のターゲットのすべてが露出されている、請求項1に記載のプロセスチャンバ。
- 前記プロセスシールドの高さが前記複数のターゲットのそれぞれの直径に比例する、請求項1から3までのいずれか1項に記載のプロセスチャンバ。
- それぞれが前記複数のターゲットの対応する1つを取り囲む複数のシュラウド、
をさらに備える、請求項1から3までのいずれか1項に記載のプロセスチャンバ。 - 前記複数のシュラウドのそれぞれが約1インチの高さを有する、請求項5に記載のプロセスチャンバ。
- 前記複数のシュラウドがアルミニウムで形成されている、請求項5に記載のプロセスチャンバ。
- 基板を支持する基板支持体と、
キャリアに結合され、前記基板上にスパッタリングされる対応する複数のターゲットを有する複数のカソードと、
前記キャリアに結合され、前記複数のターゲットの隣接する対の間に延在するシールドであって、垂直方向に移動し、前記複数のカソードに対して回転するように構成されるシールドと、を備えた物理的気相堆積(PVD)チャンバであって、
前記複数のターゲットは、前記シールドを介して露出され、
物理的気相堆積(PVD)チャンバは、更に、
前記複数のターゲットの対応する1つをそれぞれが取り囲む複数のシュラウドを備えた、物理的気相堆積(PVD)チャンバ。 - 前記複数のシュラウドがアルミニウムで形成されている、請求項8に記載のPVDチャンバ。
- 前記複数のシュラウドが、前記複数のシュラウドの粒子接着を改善するためにテクスチャ加工されている、請求項9に記載のPVDチャンバ。
- 前記複数のシュラウドのそれぞれが約5インチ〜約6インチの高さを有する、請求項8から10までのいずれか1項に記載のPVDチャンバ。
- 前記シールドに結合され、前記複数のターゲットの隣接する対の間に延在するプロセスシールド、
をさらに備える、請求項8から10までのいずれか1項に記載のPVDチャンバ。 - シールドの孔を介して複数のターゲットを露出させるステップであって、前記シールドが、基板を支持する基板支持体の上方に配置されたキャリアに結合されており、前記シールドが、前記複数のターゲットの隣接する対の間に延在しており、垂直方向に移動し、前記複数のターゲットに対して回転するように構成される、ステップと、
前記複数のターゲットの第1の組を同時スパッタリングするステップと、
を含む、基板を処理するための方法。 - 前記第1の組とは異なる前記複数のターゲットの第2の組を露出させるために前記シールドを回転させるステップと、
前記複数のターゲットの前記第2の組を同時スパッタリングするステップと、
をさらに含む、請求項13に記載の方法。
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US11639544B2 (en) * | 2019-03-01 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition system and processes |
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WO2021016620A1 (en) * | 2019-07-25 | 2021-01-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | Pulsed dc sputtering systems and methods |
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US11479847B2 (en) * | 2020-10-14 | 2022-10-25 | Alluxa, Inc. | Sputtering system with a plurality of cathode assemblies |
US11545347B2 (en) * | 2020-11-05 | 2023-01-03 | Applied Materials, Inc. | Internally divisible process chamber using a shutter disk assembly |
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DE3821207A1 (de) * | 1988-06-23 | 1989-12-28 | Leybold Ag | Anordnung zum beschichten eines substrats mit dielektrika |
EP0837491A3 (en) | 1996-10-21 | 2000-11-15 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Composite sputtering cathode assembly and sputtering apparatus with such composite sputtering cathode assembly |
JP3808148B2 (ja) * | 1996-10-21 | 2006-08-09 | 株式会社アルバック | 複合スパッタリングカソード、そのカソードを用いたスパッタリング装置 |
EP0954620A4 (en) | 1997-01-16 | 2002-01-02 | Bottomfield Layne F | COMPONENTS FOR VACUUM EVAPORATION METALLIZATION AND RELATED METHODS |
JP4137277B2 (ja) | 1999-04-15 | 2008-08-20 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
US20020144903A1 (en) * | 2001-02-09 | 2002-10-10 | Plasmion Corporation | Focused magnetron sputtering system |
JP4437290B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2010-03-24 | シーワイジー技術研究所株式会社 | スパッタ装置 |
JP4494047B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2010-06-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 多元スパッタ成膜装置の二重シャッタ制御方法 |
US7785455B2 (en) * | 2005-04-14 | 2010-08-31 | Tango Systems, Inc. | Cross-contaminant shield in sputtering system |
US8771483B2 (en) | 2007-09-05 | 2014-07-08 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial process system |
JP5584409B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2014-09-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置およびその制御方法 |
TW201224185A (en) | 2010-09-10 | 2012-06-16 | Ulvac Inc | Sputtering apparatus |
JP5632072B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2014-11-26 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置 |
US20130014700A1 (en) | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Hariharakeshava Sarpangala Hegde | Target shield designs in multi-target deposition system. |
WO2013136384A1 (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | 締結部材および真空装置 |
US20140272684A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor |
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