JPH09176847A - スパッタリング装置及びスパッタリング装置用コリメータ - Google Patents
スパッタリング装置及びスパッタリング装置用コリメータInfo
- Publication number
- JPH09176847A JPH09176847A JP32723195A JP32723195A JPH09176847A JP H09176847 A JPH09176847 A JP H09176847A JP 32723195 A JP32723195 A JP 32723195A JP 32723195 A JP32723195 A JP 32723195A JP H09176847 A JPH09176847 A JP H09176847A
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- Japan
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- collimating member
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- wafer
- collimator
- sputtering apparatus
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コリメータの穴の詰まりによる成膜速度の低
下及び経時変化を防止することである。 【構成】 内部にチャンバ１２を有するハウジング１４
と、このハウジング１４の上部に配置されたターゲット
１６と、ウエハ２２をターゲット１６の下面に対して平
行に支持するウエハ支持ペディスタル２０と、ターゲッ
ト１６とウエハ支持ペディスタル２０との間に配置され
ている上部コリメート部材２６ａと、この上部コリメー
ト部材とウエハ支持ペディスタルとの間に配置されてい
る下部コリメート部材２６ｂとを備える。
下及び経時変化を防止することである。 【構成】 内部にチャンバ１２を有するハウジング１４
と、このハウジング１４の上部に配置されたターゲット
１６と、ウエハ２２をターゲット１６の下面に対して平
行に支持するウエハ支持ペディスタル２０と、ターゲッ
ト１６とウエハ支持ペディスタル２０との間に配置され
ている上部コリメート部材２６ａと、この上部コリメー
ト部材とウエハ支持ペディスタルとの間に配置されてい
る下部コリメート部材２６ｂとを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上に集積回
路を形成する場合等に用いられるスパッタリング装置及
び、スパッタリング装置に用いられるスパッタリング装
置用コリメータに関するものである。
路を形成する場合等に用いられるスパッタリング装置及
び、スパッタリング装置に用いられるスパッタリング装
置用コリメータに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング装置は、グロー放電中に
於て放電用ガスの正イオン、通常はアルゴンイオンを陰
極であるターゲットに衝突させ、そこからスパッタされ
るターゲット原子を陽極であるウェハ上に堆積させて成
膜を行うものである。
於て放電用ガスの正イオン、通常はアルゴンイオンを陰
極であるターゲットに衝突させ、そこからスパッタされ
るターゲット原子を陽極であるウェハ上に堆積させて成
膜を行うものである。
【０００３】このようなスパッタリング装置では、ター
ゲットからスパッタされるターゲット原子は、大きな角
度分布を持って飛散するため、ステップカバレッジが不
均一になる。従って、この問題点を解決するため、図２
に示すように、ターゲット５２とウエハ５４の間に１枚
のコリメータ５６を設置することでターゲット５２から
飛散するターゲット原子の飛散方向を揃えることによ
り、ウエハ５４上にはターゲット原子の垂直成分のみが
堆積するようにし、ステップカバレッジの良い成膜を行
うことができるスパッタリング装置５０が提案されてい
る。
ゲットからスパッタされるターゲット原子は、大きな角
度分布を持って飛散するため、ステップカバレッジが不
均一になる。従って、この問題点を解決するため、図２
に示すように、ターゲット５２とウエハ５４の間に１枚
のコリメータ５６を設置することでターゲット５２から
飛散するターゲット原子の飛散方向を揃えることによ
り、ウエハ５４上にはターゲット原子の垂直成分のみが
堆積するようにし、ステップカバレッジの良い成膜を行
うことができるスパッタリング装置５０が提案されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このスパッタ
リング装置によりウエハ上に成膜を行う場合には、コリ
メータの穴の内壁面にも成膜が行われるため次第にコリ
メータの穴が詰まり、ターゲット原子が通過する有効面
積が減少し、成膜速度が時間の経過にともない低下する
という問題があった。
リング装置によりウエハ上に成膜を行う場合には、コリ
メータの穴の内壁面にも成膜が行われるため次第にコリ
メータの穴が詰まり、ターゲット原子が通過する有効面
積が減少し、成膜速度が時間の経過にともない低下する
という問題があった。
【０００５】本発明の課題は、コリメータの穴の詰まり
による成膜速度の低下及び経時変化を防止することであ
る。
による成膜速度の低下及び経時変化を防止することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のスパッタ
リング装置は、内部にチャンバを有するハウジングと、
このハウジングの上部に配置されたターゲットと、ウエ
ハをターゲットの下面に対して平行に支持するウエハ支
持ペディスタルと、ターゲットとウエハ支持ペディスタ
ルとの間に配置されている上部コリメート部材と、この
上部コリメート部材とウエハ支持ペディスタルとの間に
配置されている下部コリメート部材とを備えることを特
徴とする。
リング装置は、内部にチャンバを有するハウジングと、
このハウジングの上部に配置されたターゲットと、ウエ
ハをターゲットの下面に対して平行に支持するウエハ支
持ペディスタルと、ターゲットとウエハ支持ペディスタ
ルとの間に配置されている上部コリメート部材と、この
上部コリメート部材とウエハ支持ペディスタルとの間に
配置されている下部コリメート部材とを備えることを特
徴とする。
【０００７】従って、ターゲットからスパッタされるタ
ーゲット原子は、上部コリメート部材及び下部コリメー
ト部材の二つのコリメート部材により、その飛散方向が
揃えられる。
ーゲット原子は、上部コリメート部材及び下部コリメー
ト部材の二つのコリメート部材により、その飛散方向が
揃えられる。
【０００８】また、請求項２記載のスパッタリング装置
は、請求項１記載のスパッタリング装置の下部コリメー
ト部材を昇降駆動されるクランプリングに設置したこと
を特徴とする。
は、請求項１記載のスパッタリング装置の下部コリメー
ト部材を昇降駆動されるクランプリングに設置したこと
を特徴とする。
【０００９】従って、上部コリメート部材と下部コリメ
ート部材との間隔を自由に変更することができる。
ート部材との間隔を自由に変更することができる。
【００１０】また、請求項３記載のスパッタリング装置
用コリメータは、ターゲットとウエハ支持ペディスタル
との間に配置される上部コリメート部材と、この上部コ
リメート部材とウエハ支持ペディスタルとの間に配置さ
る下部コリメート部材とを備えることを特徴とする。
用コリメータは、ターゲットとウエハ支持ペディスタル
との間に配置される上部コリメート部材と、この上部コ
リメート部材とウエハ支持ペディスタルとの間に配置さ
る下部コリメート部材とを備えることを特徴とする。
【００１１】従って、個々のコリメート部材の厚さを薄
くできると共にコリメート部材に設けられている穴の径
を大きくすることができる。
くできると共にコリメート部材に設けられている穴の径
を大きくすることができる。
【００１２】また、請求項４記載のスパッタリング装置
用コリメータは、請求項３記載のスパッタリング装置用
コリメータの上部コリメート部材を固定型とし、下部コ
リメート部材を可動型としたことを特徴とする。
用コリメータは、請求項３記載のスパッタリング装置用
コリメータの上部コリメート部材を固定型とし、下部コ
リメート部材を可動型としたことを特徴とする。
【００１３】従って、可動型の下部コリメート部材を上
昇または下降させることにより、上部コリメート部材と
下部コリメート部材との間隔を変更し、コリメータのア
スペクトレシオを変化させることができる。
昇または下降させることにより、上部コリメート部材と
下部コリメート部材との間隔を変更し、コリメータのア
スペクトレシオを変化させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図１を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００１５】図１は、本発明が適用可能なスパッタリン
グ装置１０の概略図である。このスパッタリング装置１
０は、内部にチャンバ１２を有するハウジング１４と、
ハウジング１４の上部に配置された円形のターゲット１
６及びターゲット１６の裏面を支持する蓋体１８とを備
えている。ハウジング１４内には、ウエハ支持ペディス
タル２０が設けられており、ウエハ２２はこのウエハ支
持ペディスタル２０上で支持され、ターゲット１６の下
面に対して平行に配置されている。更に、このウエハ２
２はクランプリング２４により、ウエハ支持ペディスタ
ル２０に固定されている。また、ターゲット１６とウエ
ハ２２との間には、ターゲット原子の漏出を防止すべく
シールド３０が設けられている。
グ装置１０の概略図である。このスパッタリング装置１
０は、内部にチャンバ１２を有するハウジング１４と、
ハウジング１４の上部に配置された円形のターゲット１
６及びターゲット１６の裏面を支持する蓋体１８とを備
えている。ハウジング１４内には、ウエハ支持ペディス
タル２０が設けられており、ウエハ２２はこのウエハ支
持ペディスタル２０上で支持され、ターゲット１６の下
面に対して平行に配置されている。更に、このウエハ２
２はクランプリング２４により、ウエハ支持ペディスタ
ル２０に固定されている。また、ターゲット１６とウエ
ハ２２との間には、ターゲット原子の漏出を防止すべく
シールド３０が設けられている。
【００１６】ターゲット１６とウエハ支持ペディスタル
２０の間には、円形の上部コリメート部材２６ａ及び同
様に円形の下部コリメート部材２６ｂより構成されるコ
リメータ２６が設けられている。
２０の間には、円形の上部コリメート部材２６ａ及び同
様に円形の下部コリメート部材２６ｂより構成されるコ
リメータ２６が設けられている。
【００１７】上述のクランプリング２４は、昇降駆動さ
れるものであり、その上面に下部コリメート部材２６ｂ
が設置されており、クランプリング２４の昇降に伴い下
部コリメート部材２６ｂも昇降するように構成されてい
る。
れるものであり、その上面に下部コリメート部材２６ｂ
が設置されており、クランプリング２４の昇降に伴い下
部コリメート部材２６ｂも昇降するように構成されてい
る。
【００１８】また、下部コリメート部材２６ｂの上方に
は、上部コリメート部材２６ａが、その円周部をシール
ド３０に接するように設置されている。
は、上部コリメート部材２６ａが、その円周部をシール
ド３０に接するように設置されている。
【００１９】ここで、上部コリメート部材２６ａ及び下
部コリメート部材２６ｂは、いずれも従来用いられてい
るコリメート部材に比べ１／３以下の厚さであり又、コ
リメート部材に設けられている穴の径も従来のものに比
べて大きな径で構成されている。
部コリメート部材２６ｂは、いずれも従来用いられてい
るコリメート部材に比べ１／３以下の厚さであり又、コ
リメート部材に設けられている穴の径も従来のものに比
べて大きな径で構成されている。
【００２０】このように構成されたスパッタリング装置
１０によりウエハ２２上に成膜を行う場合には、ターゲ
ット１６からスパッタされるターゲット原子は、まず上
部コリメート部材２６ａを通過し、更に下部コリメート
部材２６ｂを通過することにより飛散方向が揃えられ、
ウエハ２２に対して垂直方向からのターゲット原子のみ
がウエハ２２上に堆積し成膜が行われる。
１０によりウエハ２２上に成膜を行う場合には、ターゲ
ット１６からスパッタされるターゲット原子は、まず上
部コリメート部材２６ａを通過し、更に下部コリメート
部材２６ｂを通過することにより飛散方向が揃えられ、
ウエハ２２に対して垂直方向からのターゲット原子のみ
がウエハ２２上に堆積し成膜が行われる。
【００２１】なお、ウエハ上に成膜を行う場合の成膜速
度とステップカバレッジは、コリメータのアスペクトレ
シオで決定されるため、下部コリメート部材２６ｂを上
昇又は下降させ、上部コリメート部材２６ａ及び下部コ
リメート部材２６ｂの距離を変化させることにより、全
体としてのコリメータ２６のアスペクトレシオを変化さ
せることにより穴の詰まりに対する補正、即ち、成膜速
度及びステップカバレッジの補正を行うことができ、成
膜速度の低下及び経時変化を防止することができる。
度とステップカバレッジは、コリメータのアスペクトレ
シオで決定されるため、下部コリメート部材２６ｂを上
昇又は下降させ、上部コリメート部材２６ａ及び下部コ
リメート部材２６ｂの距離を変化させることにより、全
体としてのコリメータ２６のアスペクトレシオを変化さ
せることにより穴の詰まりに対する補正、即ち、成膜速
度及びステップカバレッジの補正を行うことができ、成
膜速度の低下及び経時変化を防止することができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、上部コリメート部材及
び下部コリメート部材の二つのコリメート部材によりタ
ーゲット原子の飛散方向が揃えられるため、個々のコリ
メート部材の厚さを薄くできると共に、コリメート部材
に設けられている穴の径も大きくすることができ、コリ
メート部材の穴を詰まりにくくすることができる。
び下部コリメート部材の二つのコリメート部材によりタ
ーゲット原子の飛散方向が揃えられるため、個々のコリ
メート部材の厚さを薄くできると共に、コリメート部材
に設けられている穴の径も大きくすることができ、コリ
メート部材の穴を詰まりにくくすることができる。
【００２３】また、上部コリメート部材及び下部コリメ
ート部材の距離を変化させることにより、全体としての
コリメータのアスペクトレシオを自由に変化させること
ができる。従って、コリメータのアスペクトレシオを変
化させることにより穴の詰まりに対する補正を行うこと
ができ、成膜速度の低下及び経時変化を防止することが
できる。
ート部材の距離を変化させることにより、全体としての
コリメータのアスペクトレシオを自由に変化させること
ができる。従って、コリメータのアスペクトレシオを変
化させることにより穴の詰まりに対する補正を行うこと
ができ、成膜速度の低下及び経時変化を防止することが
できる。
【００２４】また、同一のスパッタリング装置で、例え
ばＴｉ層（コンタクト層）、ＴｉＮ層（バリヤメタル
層）の成膜を行う場合に、それぞれの層に適したアスペ
クトレシオのコリメータで成膜を行うことができる等の
自由度が広がる。
ばＴｉ層（コンタクト層）、ＴｉＮ層（バリヤメタル
層）の成膜を行う場合に、それぞれの層に適したアスペ
クトレシオのコリメータで成膜を行うことができる等の
自由度が広がる。
【図１】本発明が適用可能なスパッタリング装置の概略
図である。
図である。
【図２】従来のスパッタリング装置の概略図である。
１０…スパッタリング装置、１２…チャンバ、１４…ハ
ウジング、１６…ターゲット、１８…蓋体、２０…ウエ
ハ支持ペディスタル、２２…ウエハ、２４…クランプリ
ング、２６ａ…上部コリメート部材、２６ｂ…下部コリ
メート部材、３０…シールド。
ウジング、１６…ターゲット、１８…蓋体、２０…ウエ
ハ支持ペディスタル、２２…ウエハ、２４…クランプリ
ング、２６ａ…上部コリメート部材、２６ｂ…下部コリ
メート部材、３０…シールド。
Claims (4)
- 【請求項１】 内部にチャンバを有するハウジングと、 このハウジングの上部に配置されたターゲットと、 ウエハをターゲットの下面に対して平行に支持するウエ
ハ支持ペディスタルと、 前記ターゲットと前記ウエハ
支持ペディスタルとの間に配置されている上部コリメー
ト部材と、 この上部コリメート部材と前記ウエハ支持ペディスタル
との間に配置されている下部コリメート部材とを備える
ことを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 前記下部コリメート部材は、昇降駆動さ
れるクランプリングに設置されていることを特徴とする
請求項１記載のスパッタリング装置。 - 【請求項３】 ターゲットとウエハ支持ペディスタルと
の間に配置される上部コリメート部材と、 この上部コリメート部材と前記ウエハ支持ペディスタル
との間に配置される下部コリメート部材とを備えること
を特徴とするスパッタリング装置用コリメータ。 - 【請求項４】 前記上部コリメート部材は固定型であ
り、前記下部コリメート部材は可動型であることを特徴
とする請求項３記載のスパッタリング装置用コリメー
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32723195A JPH09176847A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | スパッタリング装置及びスパッタリング装置用コリメータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32723195A JPH09176847A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | スパッタリング装置及びスパッタリング装置用コリメータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09176847A true JPH09176847A (ja) | 1997-07-08 |
Family
ID=18196792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32723195A Pending JPH09176847A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | スパッタリング装置及びスパッタリング装置用コリメータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09176847A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160086779A1 (en) * | 2014-09-22 | 2016-03-24 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and sputtering apparatus |
| WO2016072400A1 (ja) * | 2014-11-05 | 2016-05-12 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| JP6039117B1 (ja) * | 2016-01-25 | 2016-12-07 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| KR20180033580A (ko) * | 2016-03-14 | 2018-04-03 | 가부시끼가이샤 도시바 | 처리 장치 및 콜리메이터 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH083739A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | スパッタ装置 |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP32723195A patent/JPH09176847A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH083739A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | スパッタ装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9748081B2 (en) * | 2014-09-22 | 2017-08-29 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and sputtering apparatus |
| WO2016072400A1 (ja) * | 2014-11-05 | 2016-05-12 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| JP2016089224A (ja) * | 2014-11-05 | 2016-05-23 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| CN107075669A (zh) * | 2014-11-05 | 2017-08-18 | 株式会社东芝 | 处理装置和准直器 |
| US10147589B2 (en) | 2014-11-05 | 2018-12-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Processing apparatus and collimator |
| US10755904B2 (en) | 2014-11-05 | 2020-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Processing apparatus and collimator |
| JP6039117B1 (ja) * | 2016-01-25 | 2016-12-07 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| JP2017133047A (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| KR20180033580A (ko) * | 2016-03-14 | 2018-04-03 | 가부시끼가이샤 도시바 | 처리 장치 및 콜리메이터 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980407 |