JPH07307288A - コリメーター - Google Patents
コリメーターInfo
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- JPH07307288A JPH07307288A JP6311930A JP31193094A JPH07307288A JP H07307288 A JPH07307288 A JP H07307288A JP 6311930 A JP6311930 A JP 6311930A JP 31193094 A JP31193094 A JP 31193094A JP H07307288 A JPH07307288 A JP H07307288A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体素子の金属薄膜を堆積するス
パッタリング工程で金属ソースであるターゲットと基板
との間に設置されるコリメーターに関し、微細な開口内
にも被覆性よく安定スパック膜を形成する手段を提供す
る。 【構成】 一つのコリメーター内でコリメーターホール
の直径と高さの比である段差比を各部位別に異なり形成
する。半導体素子の均一な金属薄膜を形成して段差被覆
性が向上されるので半導体装置の信頼性が向上される利
点がある。
パッタリング工程で金属ソースであるターゲットと基板
との間に設置されるコリメーターに関し、微細な開口内
にも被覆性よく安定スパック膜を形成する手段を提供す
る。 【構成】 一つのコリメーター内でコリメーターホール
の直径と高さの比である段差比を各部位別に異なり形成
する。半導体素子の均一な金属薄膜を形成して段差被覆
性が向上されるので半導体装置の信頼性が向上される利
点がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の均一な金
属薄膜を形成するためのスパッタリング工程の際に、半
導体基板上方部に設けられるコリメーターに関し、特に
一つのコリメーター内において、位置により側壁の高さ
及びホールの口径が互いに異なるようコリメーターホー
ルを形成し、金属薄膜の段差被覆性を向上させることが
できるコリメーターに関する。
属薄膜を形成するためのスパッタリング工程の際に、半
導体基板上方部に設けられるコリメーターに関し、特に
一つのコリメーター内において、位置により側壁の高さ
及びホールの口径が互いに異なるようコリメーターホー
ルを形成し、金属薄膜の段差被覆性を向上させることが
できるコリメーターに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、金属薄膜を堆積するスパッタリ
ング工程は、アルゴン（Ａｒ）ガスをプラズマ化しアル
ゴンイオン等を金属ソース（Ｓｏｕｒｃｅ）に衝突させ
て飛び出す金属原子等が基板に堆積して金属薄膜を形成
することになる。
ング工程は、アルゴン（Ａｒ）ガスをプラズマ化しアル
ゴンイオン等を金属ソース（Ｓｏｕｒｃｅ）に衝突させ
て飛び出す金属原子等が基板に堆積して金属薄膜を形成
することになる。
【０００３】前記ソースから飛び出す金属原子等は、基
板に対し多様な角度を持って到達することになるため、
半導体素子の高集積化による高段差比を有するコンタク
トホールでは金属薄膜の段差被覆性が不良になる。
板に対し多様な角度を持って到達することになるため、
半導体素子の高集積化による高段差比を有するコンタク
トホールでは金属薄膜の段差被覆性が不良になる。
【０００４】したがって、最近のスパッタリング工程で
はコリメーターという金属網をソースと基板との間に設
け、基板に対し低い角度で入射する金属原子等はコリメ
ーターに堆積するようにし、基板に対し高い角度、即ち
垂直に入射する金属原子等だけが達するようにして段差
被覆性を向上させる研究が進められており、一部実用化
されている。
はコリメーターという金属網をソースと基板との間に設
け、基板に対し低い角度で入射する金属原子等はコリメ
ーターに堆積するようにし、基板に対し高い角度、即ち
垂直に入射する金属原子等だけが達するようにして段差
被覆性を向上させる研究が進められており、一部実用化
されている。
【０００５】現在開発され使用、研究中のコリメーター
は、蜂の巣状の正六角型や円形ホールが形成されている
金属網が主流をなしており、コリメーター内の孔の大き
さと高さは一定に形成されている。
は、蜂の巣状の正六角型や円形ホールが形成されている
金属網が主流をなしており、コリメーター内の孔の大き
さと高さは一定に形成されている。
【０００６】従来のコリメーターを図１乃至図６を参照
して考察して見れば次の通りである。
して考察して見れば次の通りである。
【０００７】先ず、それぞれのコリメーター（１０）、
（１２）、（１４）、（１６）、（１８）、（２０）
は、それぞれコリメーター直径がｘ又はｙのホール（１
１）、（１３）、（１５）、（１７）、（１９）、（２
１）がそれぞれａ、ｂ又はｃのコリメーター高さに連続
的に形成されている金属網等である。
（１２）、（１４）、（１６）、（１８）、（２０）
は、それぞれコリメーター直径がｘ又はｙのホール（１
１）、（１３）、（１５）、（１７）、（１９）、（２
１）がそれぞれａ、ｂ又はｃのコリメーター高さに連続
的に形成されている金属網等である。
【０００８】前記従来のコリメーターは、それぞれのホ
ール（１１）、（１３）、（１５）、（１７）、（１
９）、（２１）のコリメーター直径（ｘ，ｙ）に対する
コリメーター孔の高さの比であるコリメーターホールの
段差比ａ／ｘ、ｂ／ｘ、ｃ／ｘあるいは、ａ／ｙ、ｂ／
ｙ、ｃ／ｙが同じ値を有する。
ール（１１）、（１３）、（１５）、（１７）、（１
９）、（２１）のコリメーター直径（ｘ，ｙ）に対する
コリメーター孔の高さの比であるコリメーターホールの
段差比ａ／ｘ、ｂ／ｘ、ｃ／ｘあるいは、ａ／ｙ、ｂ／
ｙ、ｃ／ｙが同じ値を有する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
コリメーターは、コリメーターホールの段差比が同じ値
を有するためにスパッタリング金属ソースの均一な消
耗、即ち、均一なエロージョン（ｅｒｏｓｉｏｎ）が生
じなければコリメーターを用いても使用しない時よりも
一層不均一な金属薄膜が形成される問題点がある。
コリメーターは、コリメーターホールの段差比が同じ値
を有するためにスパッタリング金属ソースの均一な消
耗、即ち、均一なエロージョン（ｅｒｏｓｉｏｎ）が生
じなければコリメーターを用いても使用しない時よりも
一層不均一な金属薄膜が形成される問題点がある。
【００１０】このような問題を解決するために、新規な
スパッタリング装置の提供が求められるが、今だ完璧に
均一なソースのエロージョンを発生させるスパッタリン
グ装置を製造することは大変困難である。
スパッタリング装置の提供が求められるが、今だ完璧に
均一なソースのエロージョンを発生させるスパッタリン
グ装置を製造することは大変困難である。
【００１１】本発明は上述のような問題点を解決するた
めのものであり、本発明の目的はコリメーター内の位置
に応じてホールの口径及び高さが異なるコリメーターを
用いることにより、金属薄膜を堆積する際に金属ソース
の均一なエロージョンが発生しなくても、スパッタリン
グ装置を交換することなく、容易に基板に均一な金属薄
膜を堆積できるコリメーターを提供することにある。
めのものであり、本発明の目的はコリメーター内の位置
に応じてホールの口径及び高さが異なるコリメーターを
用いることにより、金属薄膜を堆積する際に金属ソース
の均一なエロージョンが発生しなくても、スパッタリン
グ装置を交換することなく、容易に基板に均一な金属薄
膜を堆積できるコリメーターを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明によるコリメーターは、半導体素子に
金属薄膜を堆積するスパッタリング工程の中で、金属ソ
ースであるターゲット（Ｔａｒｇｅｔ）と基板との間に
置かれる、半導体素子の均一な金属薄膜を形成するコリ
メーターにおいて、一つのコリメーター内にコリメータ
ー孔の直径を変化させて一定高さを有するコリメーター
高さに対する段差比を変化させたコリメーターホールを
形成したり、コリメーター孔の直径と高さを同時に変化
させて段差比がコリメーター内で異なるようにコリメー
ターホールを形成することにある。
るために、本発明によるコリメーターは、半導体素子に
金属薄膜を堆積するスパッタリング工程の中で、金属ソ
ースであるターゲット（Ｔａｒｇｅｔ）と基板との間に
置かれる、半導体素子の均一な金属薄膜を形成するコリ
メーターにおいて、一つのコリメーター内にコリメータ
ー孔の直径を変化させて一定高さを有するコリメーター
高さに対する段差比を変化させたコリメーターホールを
形成したり、コリメーター孔の直径と高さを同時に変化
させて段差比がコリメーター内で異なるようにコリメー
ターホールを形成することにある。
【００１３】
【作用】一つのコリメーター内で、各々異なるコリメー
ター段差比を持つ複数のコリメーターホールを有する本
発明のコリメーターは、ソースのエロージョン形態に合
うように、いろいろな形態に変形製作して用いれば均一
な金属薄膜を得ることができる。
ター段差比を持つ複数のコリメーターホールを有する本
発明のコリメーターは、ソースのエロージョン形態に合
うように、いろいろな形態に変形製作して用いれば均一
な金属薄膜を得ることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明によるコリメーターに関し、添
付した図面を参照して詳細に説明する。
付した図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】図７乃至図１２は、本発明によるコリメー
ター（２２）、（２４）、（２６）、（２８）、（３
０）、（３２）の断面図であり、円形ホール（２３）、
（２５）、（２７）、（２９）、（３１）、（３３）が
連続形成されている例である。
ター（２２）、（２４）、（２６）、（２８）、（３
０）、（３２）の断面図であり、円形ホール（２３）、
（２５）、（２７）、（２９）、（３１）、（３３）が
連続形成されている例である。
【００１６】先ず、図７及び図８は中央部分が高い段差
比を有するコリメーター（２２）および（２４）であ
り、基板（図示せず）の中央部位に堆積される金属層の
厚さが薄く形成される。即ち、金属ソースのエロージョ
ンが中央部位で多く生じる場合に対し、コリメーター
（２２）または（２４）を用いると均一な薄膜を得るこ
とができる。
比を有するコリメーター（２２）および（２４）であ
り、基板（図示せず）の中央部位に堆積される金属層の
厚さが薄く形成される。即ち、金属ソースのエロージョ
ンが中央部位で多く生じる場合に対し、コリメーター
（２２）または（２４）を用いると均一な薄膜を得るこ
とができる。
【００１７】また、図９及び図１０は前記図７及び図８
とは逆に中央部分の段差比が小さいコリメーター（２
６）および（２８）であり、これらは基板の縁の部位に
堆積される金属層の厚さを薄くすることができるコリメ
ーターである。
とは逆に中央部分の段差比が小さいコリメーター（２
６）および（２８）であり、これらは基板の縁の部位に
堆積される金属層の厚さを薄くすることができるコリメ
ーターである。
【００１８】また、図１１は金属ソース縁側部位のエロ
ージョンが非常に激しく生じる場合に対し、コリメータ
ー（３０）のホール（３１）の直径及び高さを同時に変
化させ部位別段差比を大きくすることで均一な金属薄膜
を得ることができる。
ージョンが非常に激しく生じる場合に対し、コリメータ
ー（３０）のホール（３１）の直径及び高さを同時に変
化させ部位別段差比を大きくすることで均一な金属薄膜
を得ることができる。
【００１９】また、図１２は図１１とは反対の目的で金
属ソース中央部位のエロージョンが甚だしい場合に用い
られるコリメーター（３２）である。
属ソース中央部位のエロージョンが甚だしい場合に用い
られるコリメーター（３２）である。
【００２０】ここで、ｘ1 、ｘ2 、ｘ3 、ｘ4 は互いに
直径が異なるコリメーターのホールの直径を示し、ａ、
ａ1 、ａ2 、ａ3 とｂ、ｂ1 、ｂ2 、ｂ3 は互いに異な
るコリメーターホールの高さを示す。
直径が異なるコリメーターのホールの直径を示し、ａ、
ａ1 、ａ2 、ａ3 とｂ、ｂ1 、ｂ2 、ｂ3 は互いに異な
るコリメーターホールの高さを示す。
【００２１】したがって、本発明によるコリメーターは
一つのコリメーター内にコリメーターホールの直径とホ
ールの高さの比である段差比を望む部位別に異なるよう
形成する。
一つのコリメーター内にコリメーターホールの直径とホ
ールの高さの比である段差比を望む部位別に異なるよう
形成する。
【００２２】
【発明の効果】上記のように、本発明により形成された
コリメーターは、スパッタリング装備の交換を行うこと
なく、堆積される金属薄膜厚さの不均一度を解消するこ
とができ、半導体装置の信頼度を向上させることができ
る利点がある。
コリメーターは、スパッタリング装備の交換を行うこと
なく、堆積される金属薄膜厚さの不均一度を解消するこ
とができ、半導体装置の信頼度を向上させることができ
る利点がある。
【図１】従来のコリメーター等の断面図。
【図２】従来のコリメーター等の断面図。
【図３】従来のコリメーター等の断面図。
【図４】従来のコリメーター等の断面図。
【図５】従来のコリメーター等の断面図。
【図６】従来のコリメーター等の断面図。
【図７】本発明によるコリメーター等の断面図
【図８】本発明によるコリメーター等の断面図
【図９】本発明によるコリメーター等の断面図
【図１０】本発明によるコリメーター等の断面図
【図１１】本発明によるコリメーター等の断面図
【図１２】本発明によるコリメーター等の断面図
１０，１２，１４，１６，１８，２０，２２，２４，２
６，２８，３０，３２…コリメーター、１１，１３，１
５，１７，１９，２１，２３，２５，２７，２９，３
１，３３…ホール。
６，２８，３０，３２…コリメーター、１１，１３，１
５，１７，１９，２１，２３，２５，２７，２９，３
１，３３…ホール。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子に金属薄膜を堆積するスパッ
タリング工程で、金属ソースのターゲットと基板との間
に置かれるコリメーターにおいて、 一つのコリメーター内に複数のコリメーターホールを形
成し、各コリメーターホールを、その直径に対する高さ
の比である段差比が各部位別に異なるよう形成して、半
導体素子の均一な金属薄膜を形成することができるコリ
メーター。 - 【請求項２】 前記コリメーターは、コリメーターホー
ルの高さを固定し、部位別コリメーターホールの直径を
変化させてコリメーターホールの段差比を調節したもの
であることを特徴とする請求項１記載のコリメーター。 - 【請求項３】 前記コリメーターは、コリメーターホー
ルの高さと部位別コリメーターホールの直径を同時に変
化させ、コリメーターホールの段差比を調節したもので
あることを特徴とする請求項１記載のコリメーター。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR93-27759 | 1993-12-15 | ||
| KR1019930027759A KR970003828B1 (ko) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 콜리메이터 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307288A true JPH07307288A (ja) | 1995-11-21 |
| JP2648111B2 JP2648111B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=19371011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6311930A Expired - Fee Related JP2648111B2 (ja) | 1993-12-15 | 1994-12-15 | コリメーター |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2648111B2 (ja) |
| KR (1) | KR970003828B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2749699A1 (fr) * | 1996-06-06 | 1997-12-12 | Sopha Medical Vision Internati | Collimateur a champ de vue multiple et systeme d'imagerie medicale comportant un tel collimateur |
| WO2005101472A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-27 | Renesas Technology Corp. | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2010514940A (ja) * | 2007-01-02 | 2010-05-06 | オーツェー エルリコン バルツェルス アクチェンゲゼルシャフト | 陰極スパッタリングによって方向性を有する層を形成する方法、および上記方法を実施するための装置 |
| US20160086779A1 (en) * | 2014-09-22 | 2016-03-24 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and sputtering apparatus |
| KR20180106896A (ko) * | 2017-03-17 | 2018-10-01 | 가부시끼가이샤 도시바 | 콜리메이터 및 처리 장치 |
-
1993
- 1993-12-15 KR KR1019930027759A patent/KR970003828B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-12-15 JP JP6311930A patent/JP2648111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2749699A1 (fr) * | 1996-06-06 | 1997-12-12 | Sopha Medical Vision Internati | Collimateur a champ de vue multiple et systeme d'imagerie medicale comportant un tel collimateur |
| US5917189A (en) * | 1996-06-06 | 1999-06-29 | Smv International | Collimator with multiple field of view and a medical imaging system including a collimator of this type |
| WO2005101472A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-27 | Renesas Technology Corp. | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2010514940A (ja) * | 2007-01-02 | 2010-05-06 | オーツェー エルリコン バルツェルス アクチェンゲゼルシャフト | 陰極スパッタリングによって方向性を有する層を形成する方法、および上記方法を実施するための装置 |
| US20160086779A1 (en) * | 2014-09-22 | 2016-03-24 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and sputtering apparatus |
| JP2016063187A (ja) * | 2014-09-22 | 2016-04-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法およびスパッタリング装置 |
| US9748081B2 (en) * | 2014-09-22 | 2017-08-29 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and sputtering apparatus |
| KR20180106896A (ko) * | 2017-03-17 | 2018-10-01 | 가부시끼가이샤 도시바 | 콜리메이터 및 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950020982A (ko) | 1995-07-26 |
| KR970003828B1 (ko) | 1997-03-22 |
| JP2648111B2 (ja) | 1997-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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