KR20220156842A - 플라스마 처리 장치 - Google Patents

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KR20220156842A
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슌스케 다시로
šœ스케 다시로
셩난 위
다카시 우에무라
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주식회사 히타치하이테크
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Abstract

배기의 컨덕턴스를 미조정할 수 있고, 고정밀도로 처리실 내의 압력 제어가 가능한 플라스마 처리 장치를 제공한다. 처리실과, 상기 처리실에 연결되는 배기 개구가 형성된 베이스 플레이트와, 상기 배기 개구에 대향하여 상기 처리실 내에 배치된 배기부 덮개와, 상기 배기 개구를 통해 상기 처리실 내의 가스를 배기하는 배기 장치와, 상기 배기부 덮개를 구동하는 액추에이터를 갖는 플라스마 처리 장치에 있어서, 상기 배기 개구의 축선은, 상기 처리실의 중심축에 일치해 있고, 상기 배기부 덮개는, 원판부와, 상기 원판부로부터 상기 배기 개구 측으로 돌출한 볼록 형상부를 갖고, 상기 배기부 덮개는, 상기 액추에이터에 의해 구동되어, 상기 볼록 형상부와 상기 배기 개구가 축선 방향으로 이간한 제1 위치와, 상기 볼록 형상부가 상기 배기 개구와 축선 방향 위치가 겹치는 제2 위치와, 상기 원판부가 상기 베이스 플레이트에 맞닿는 제3 위치 중 어느 하나의 위치로 이동 가능하다.

Description

플라스마 처리 장치
본 발명은, 플라스마 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 시료를 처리하는 플라스마 처리 장치에 있어서는, 미세하고 고정밀도의 처리를 실현하기 위해, 처리실 내에서 보다 고밀도이고 보다 균일한 플라스마를 형성하는 것이 요구되고 있다. 이러한 고밀도의 플라스마를 안정되게 형성하기 위해, 진공 용기 내의 처리실의 압력을 보다 높은 진공도(보다 낮은 압력)에서 안정화시키는 것이 중요하다.
종래의 플라스마 처리 장치에서는, 진공 용기 내부에 배치된 처리실에는, 그 내측의 가스나 플라스마, 혹은 처리에 수반해서 생성된 생성물 등의 입자를 배기하기 위해, 진공 펌프 등의 배기 장치가 연결되어 있다.
또한, 처리실 내로부터 진공 펌프의 입구를 향하는 배기 통로 상에는, 단위 시간당의 배기량을 조정하는 조정 장치가 배치되고, 이 조정 장치에 의해 상기 처리실 내부의 가스나 입자의 배기량을 조절함에 의해, 플라스마가 형성되는 처리실의 내부의 압력이 조절된다.
보다 구체적으로는, 종래의 플라스마 처리 장치에 있어서, 진공 용기 내의 처리실 하부의 배기구와 진공 펌프의 입구를 연통하는 통로에, 배기구로부터 입구로 배출되는 가스의 흐름의 저항이나 흐름 용이함(컨덕턴스)을 조절하는 조절 수단을 배설(配設)하고 있고, 그에 따라 진공 용기로부터 배출되는 가스량을 조절하여 진공 용기 내부 압력을 조절하고 있었다.
이러한 흐름의 저항이나 흐름 용이함을 조절하는 조절 수단으로서, 통로 또는 입구나 배기구의 개구의 크기나 면적을 변화시키는 밸브가 개발되어 있고, 이러한 밸브의 회전이나 관로의 축을 횡절(橫切)하는 방향으로의 이동에 의해, 개구의 크기나 면적을 조절하는 것이 알려져 있다.
이러한 밸브의 예가, 예를 들면 특허문헌 1에 개시되어 있다. 이 종래기술에서는, 게이트를 통과하는 가스의 흐름의 저항이나 흐름 용이함을 조정하기 위해, 슬라이딩식으로 개폐 가능한 게이트 밸브가 구비되어 있다. 게이트 밸브에 의해, 가스가 통과하는 게이트의 면적을 가변되게 조정하여, 진공 용기 내부 압력을 조정할 수 있다.
일본국 특개2012-054491호 공보 일본국 특개2017-010624호 공보
그러나, 상기 특허문헌 1의 기술에서는, 처리실 내에 있어서의 보다 고압 영역에서 고정밀도의 압력 제어를 행할 경우에, 밀폐 상태와 근소한 개방 상태 사이(극저개도(極低開度)라 함)에서 게이트 밸브의 조정이 곤란하고, 그 때문에 배기량의 컨덕턴스차가 커지기 쉽고, 압력 제어의 정밀도가 저하한다는 과제가 있었다.
이에 대해, 특허문헌 2에는, 리프터에 의해 승강 가능하게 배치한 배기부 덮개에 O링을 마련하고, 배기부 덮개를 O링을 개재해서 베이스 플레이트에 가압함에 의해, 베이스 플레이트를 통과하는 가스의 흐름을 차단하고, 또한 배기부 덮개를 베이스 플레이트로부터 이간함으로써, 베이스 플레이트를 통과하는 가스의 흐름을 허용하는 구성이 개시되어 있다.
특허문헌 2의 기술에 따르면, 배기부 덮개에는, 베이스 플레이트가 갖는 원통 형상의 배기 개구보다 대경(大徑)의 홈이 설치되고, 당해 홈에 O링이 매립되어 있다. 이 때문에, 개도 0에서 베이스 플레이트와 O링이 접촉함에 의해, 컨덕턴스가 0이 되므로, 진공 용기를 밀폐하는 것이 가능하다.
그러나, 특허문헌 2의 기술에 따르면, 다음 점에 대한 고려가 불충분했기 때문에, 문제가 생기고 있었다.
진공 용기를 고압 영역에서 압력 제어를 행하려고 하면, 베이스 플레이트와 배기부 덮개에 매립된 O링의 거리를 근소하게 해서, 배기량의 컨덕턴스를 조정할 필요가 있고, 그 때문에 배기부 덮개는 극저개도에서의 제어가 요구된다. 그러나, 극저개도에 있어서의 배기량의 컨덕턴스는, 덮개에 매립된 O링의 출대(出代; 기계 등에 있어서 튀어나와 있는 부분)(홈 가장자리으로부터의 돌출량)에 크게 의존한다. 동일한 개도여도 챔버 간에서 O링의 출대가 상이하고, 그에 따라 컨덕턴스가 서로 다른 것이 기차(機差)의 요인으로 되고 있었다.
게다가, 극저개도에서의 배기량의 컨덕턴스는, O링 찌부러짐량에도 의존하므로, 기차에 의한 압력 제어의 편차가 커져 버린다는 문제점이 있었다.
본 발명은, 배기의 컨덕턴스를 미조정할 수 있고, 고정밀도로 처리실 내의 압력 제어가 가능한 플라스마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 대표적인 본 발명에 따른 플라스마 처리 장치의 하나는,
처리실과, 상기 처리실에 연결되는 배기 개구가 형성된 베이스 플레이트와, 상기 배기 개구에 대향하여 상기 처리실 내에 배치된 배기부 덮개와, 상기 배기 개구를 통해 상기 처리실 내의 가스를 배기하는 배기 장치와, 상기 배기부 덮개를 구동하는 액추에이터를 갖는 플라스마 처리 장치로서,
상기 배기 개구의 축선은, 상기 처리실의 중심축에 일치해 있고,
상기 배기부 덮개는, 원판부와, 상기 원판부로부터 상기 배기 개구 측으로 돌출한 볼록 형상부를 갖고,
상기 배기부 덮개는, 상기 액추에이터에 의해 구동되어, 상기 볼록 형상부와 상기 배기 개구가 축선 방향으로 이간한 제1 위치와, 상기 볼록 형상부가 상기 배기 개구와 축선 방향 위치가 겹치는 제2 위치와, 상기 원판부가 상기 베이스 플레이트에 맞닿는 제3 위치 중 어느 하나의 위치로 이동 가능한 것에 의해 달성된다.
본 발명에 따르면, 배기의 컨덕턴스를 미조정할 수 있고, 고정밀도로 처리실 내의 압력 제어가 가능한 플라스마 처리 장치를 제공할 수 있다.
상기한 것 이외의 과제, 구성 및 효과는, 이하의 실시형태의 설명에 의해 명확해진다.
도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 플라스마 처리 장치의 전체의 구성의 개략을 나타내는 종단면도.
도 2는, 본 발명의 실시형태에 따른 도 1의 진공 처리부의 하부를 모식적으로 나타낸 종단면도.
도 3은, 본 실시형태에 따른 도 2의 배기부 덮개를 모식적으로 나타낸 사시도.
도 4는, 본 실시형태에 따른 도 2의 배기부 덮개를 모식적으로 나타낸 사시도.
도 5는, 본 실시형태에 따른 배기부 덮개와 배기 개구를 가진 베이스 플레이트와의 위치 관계를 모식적으로 나타낸 종단면도이고, 제1 위치를 나타내고 있는 도면.
도 6은, 본 실시형태에 따른 배기부 덮개와 배기 개구를 가진 베이스 플레이트와의 위치 관계를 모식적으로 나타낸 종단면도이고, 제2 위치를 나타내고 있는 도면.
도 7은, 본 실시형태에 따른 배기부 덮개와 배기 개구를 가진 베이스 플레이트와의 위치 관계를 모식적으로 나타낸 종단면도이고, 제3 위치를 나타내고 있는 도면.
이하, 도면을 사용해서 본원 발명의 실시형태를 설명한다.
도 1은, 본 실시형태에 따른 플라스마 처리 장치의 전체 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 1에 나타내는 본 실시형태에 따른 플라스마 처리 장치(100)는, 전자파 공급부(101)와 진공 처리부(102)를 갖고 있다. 전자파 공급부(101)는, 전자 사이클로트론 공명(Electron Cyclotron Resonance：ECR)에 의해 전계와 자계를 상호작용시켜서 플라스마를 생성하는 부분이다. 진공 처리부(102)는, 감압된 압력 하에서 웨이퍼 등의 시료를, 플라스마와 특정한 가스를 사용해서 에칭을 행하는 부분이다.
전자파 공급부(101)는, 플라스마 형성용의 전계를 형성하는 고주파 전원(201), 및 자계를 형성하는 장치인 솔레노이드 코일(202)을 구비하고 있다. 그 전계와 자계에 의해, 원통 형상의 방전 블록 유닛(203) 내부에 구비하는 원판 형상의 샤워 플레이트(204) 상부에 공급되는 처리용 가스의 원자 또는 분자 등의 입자를 여기하고, 전리 또는 해리시켜서 플라스마를 생성한다. 당해 플라스마에 의해, 처리실 내에 배치된 반도체 웨이퍼(206) 등의 기판 상의 시료 상면에 미리 형성된 마스크와, 처리 대상의 막층을 포함하는 막 구조가 에칭된다.
진공 처리부(102)는, 플라스마가 형성되는 처리실을 내포하는 상부 용기(205)나 하부 용기(209)를 포함하는 진공 용기와, 진공 용기 하방에 배치된 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 포함하는 배기 펌프(배기 장치)(213)를 구비하고 있다. 처리실 내부에는, 웨이퍼(206)가 재치된 스테이지(207)가 배설되어 있다. 상부 용기(205)나 하부 용기(209)의 외표면은, 진공 처리부(102) 주위의 분위기(대기)에 노출되어 있고, 상부 용기(205)나 하부 용기(209)로 이루어지는 진공 용기는, 그 내부의 처리실과 외부의 분위기 사이를 기밀하게 구획하는 진공 격벽을 구성하고 있다.
진공 처리부(102)의 진공 용기의 하방에는, 처리실 내의 가스, 플라스마의 입자를 배출하기 위한 배기 개구(215)를 갖는 베이스 플레이트(210)가, 지주(支柱)(212)에 의해 지지되어 있다. 배기 펌프(213)에 연결되고 원형을 갖는 배기 개구(215)는, 스테이지(207)의 바로 아래에 배치되어 있고, 또한 배기 개구(215)의 축선은, 처리실의 중심축(214)에 합치 또는 이것으로 간주할 수 있을 정도로 근접한 동등한 위치에 배치되어 있다. 이러한 상태를, 여기에서는 배기 개구(215)의 축선이, 처리실의 중심축(214)에 일치하고 있다고 표현한다.
다음으로, 본 실시형태의 진공 처리부(102)의 압력 제어에 대해, 도 2 내지 도 3을 사용해서 설명한다. 도 2는, 도 1에 나타내는 진공 처리부(102)의 하부의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 도 3은, 배기부 덮개(208)를 상방에서 본 사시도이다.
도 2에 있어서, 배기 개구(215)의 상방에, 대략 원판 형상을 갖는 배기부 덮개(208)가 배치되어 있다. 배기부 덮개(208)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 원판부(208a)와, 원판부(208a)의 외주로부터 직경 방향 외방(外方)(도 3에서 좌우 방향)을 향해 대향하여 돌출한 한 쌍의 암부(208b)와, 원판부(208a)의 하방으로 돌출해서 형성된 원판부(208a)보다 소경의 원통 형상인 볼록 형상부(208c)를 갖는다.
암부(208b)는, 각각 액추에이터(211)의 수직 방향으로 배치된 신축축(伸縮軸)에 연결되어 있다. 외부로부터 액추에이터(211)에 급전함에 의해, 신축축이 신축한다. 신축축의 신축 구동에 의해 암부(208b)를 통해 배기부 덮개(208)가 상하로 이동해서, 배기 개구(215)와의 거리가 변경되고, 그에 따라 처리실로부터의 배기의 컨덕턴스가 조정된다.
웨이퍼(206)의 처리 중에, 당해 컨덕턴스의 값과 배기 펌프(213)의 단위 시간당 배기량에 의해, 처리실 밖으로 배출되는 내부의 가스나 플라스마나 생성물의 유량 또는 속도가 조절되고, 당해 배기와 처리용 가스의 공급의 밸런스에 의해, 처리실의 압력이 원하는 진공도로 조절된다.
도 4는, 배기부 덮개(208)를 하방에서 본 사시도이다. 원판부(208a)의 하면에는, 볼록 형상부(208c)보다 직경 방향 외방에 O링 홈(208d)이 형성되어 있다.
도 5를 참조하면, 볼록 형상부(208c)의 하단 외주에는, 테이퍼 형상의 하향 모따기부(208e)가 형성되고, 이것에 대향해서, 베이스 플레이트(210)의 배기 개구(215)의 상단 내주에는, 상향 모따기부(215a)가 형성되어 있다. 도 6을 참조해서, 볼록 형상부(208c)의 외경을 d1로 하고, 배기 개구(215)의 내경을 d2로 한다.
액추에이터(211)의 신축축을 상하방향으로 단계적으로 구동했을 경우에 있어서의 배기부 덮개(208)의 위치를, 도 5, 도 6, 도 7에 모식적으로 나타내지만, 암부는 생략하고 있다.
도 5는, 배기부 덮개(208)의 볼록 형상부(208c)의 하단과, 베이스 플레이트(210)의 상면이, 축선 방향으로 이간한 상태를 나타내고 있고, 이 때의 배기부 덮개(208)의 위치를 제1 위치로 한다. 제1 위치에서는, 배기량의 컨덕턴스는, 배기부 덮개(208)의 볼록 형상부(208c)의 하단과 베이스 플레이트(210)의 상면의 거리(D1)에 의존하다. 그 컨덕턴스는, 배기부 덮개(208)가 볼록 형상부(208c)를 갖고 있지 않은 경우에도, 마찬가지이다.
도 6은, 배기부 덮개(208)의 볼록 형상부(208c)가, 베이스 플레이트(210)의 배기 개구(215) 내에 진입해서 축선 방향 위치가 겹친 상태를 나타내고 있고, 이 때의 배기부 덮개(208)의 위치를 제2 위치로 한다. 제2 위치에서는, 배기부 덮개(208)의 볼록 형상부(208c)의 외경과 배기 개구(215)의 내경의 거리((d1-d2)/2)가, 베이스 플레이트(210)의 상면과 배기부 덮개(208)에 부착되어 있는 O링(305)의 하단의 거리(D2)보다 작아진다. 이러한 경우, 배기량의 컨덕턴스는 배기부 덮개(208)의 볼록 형상부(208c)의 외경과 배기 개구(215)의 내경의 차(d1-d2)에 의존함을 나타내고 있다.
배기부 덮개(208)의 볼록 형상부(208c)가, 베이스 플레이트(210)의 배기 개구(215) 내에 진입한 상태에서, 액추에이터(211)의 신축축을 상하시키면, 배기부 덮개(208)와 베이스 플레이트(210)의 상대 위치에 따라, 볼록 형상부(208c)와 배기 개구(215)의 겹침량이 변화하고, 배기부 덮개(208)의 볼록 형상부(208c)의 외주와 배기 개구(215)의 내주로 형성되는 환상(環狀) 공간을 통과하는 가스의 저항이 미소하게 변화하고, 즉 컨덕턴스의 미조정이 가능해진다.
그 컨덕턴스는, 배기부 덮개(208)의 볼록 형상부(208c)의 형상에 의존하고 있고, 예를 들면 볼록 형상부를 갖고 있지 않은 배기부 덮개와 비교하면, 컨덕턴스가 보다 작아진다. 이 때문에, 본 실시형태에 따르면 진공 처리부(102)를 고압 영역에서 고정밀도로 제어 가능해진다.
또한, 배기량의 컨덕턴스를, 배기부 덮개(208)의 볼록 형상부(208c)의 외경과 배기 개구(215)의 내경의 차에 의존시킴에 의해, 컨덕턴스에 있어서의 O링(305)의 찌부러짐량 등의 기차의 영향을 배제하고, 비교적 편차가 적은 액추에이터(211) 등의 기계 공차의 영향만으로 한정하는 것이 가능하다.
또한, 도 6의 상태에서는, 하향 모따기부(208e)와 상향 모따기부(215a)의 치수에 의해, 컨덕턴스가 변화된다. 즉, 하향 모따기부(208e)와 상향 모따기부(215a)의 치수를 미리 설정함으로써, 원하는 컨덕턴스의 특성을 얻을 수 있다.
도 7은, 배기부 덮개(208)가 가장 하강해서 O링(305)과 베이스 플레이트(210)가 밀착한 상태를 나타내고 있고, 이 때의 배기부 덮개(208)의 위치를 제3 위치로 한다. 제3 위치에서는, O링(305)과 베이스 플레이트(210)가 밀착해 있기 때문에, 배기량의 컨덕턴스는 0으로 되고, 처리실로부터 배기 개구(215)를 향하는 배기의 흐름은 차단된다.
이상 기술한 실시형태에서는, 볼록 형상부(208c)를 중실(中實)의 원통 형상으로 했지만, 중공의 원통 형상이어도 된다. 또한, 배기 개구(215)와 볼록 형상부(208c)를 원통 형상으로 하는 대신에, 이들을 각통(角筒) 형상으로 해도 된다.
100 플라스마 처리 장치 101 전자파 공급부
102 진공 처리부 201 고주파 전원
202 솔레노이드 코일 203 방전 블록 유닛
204 샤워 플레이트 205 상부 용기
206 웨이퍼 207 스테이지
208 배기부 덮개 208a 원판부
208b 암부 208c 볼록 형상부
208d O링 홈 209 하부 용기
210 베이스 플레이트 211 액추에이터
212 지주 213 배기 펌프
214 중심축 215 배기 개구
305 O링

Claims (6)

  1. 처리실과, 상기 처리실에 연결되는 배기 개구가 형성된 베이스 플레이트와, 상기 배기 개구에 대향하여 상기 처리실 내에 배치된 배기부 덮개와, 상기 배기 개구를 통해 상기 처리실 내의 가스를 배기하는 배기 장치와, 상기 배기부 덮개를 구동하는 액추에이터를 갖는 플라스마 처리 장치로서,
    상기 배기 개구의 축선은, 상기 처리실의 중심축에 일치해 있고,
    상기 배기부 덮개는, 원판부와, 상기 원판부로부터 상기 배기 개구 측으로 돌출한 볼록 형상부를 갖고,
    상기 배기부 덮개는, 상기 액추에이터에 의해 구동되어, 상기 볼록 형상부와 상기 배기 개구가 축선 방향으로 이간한 제1 위치와, 상기 볼록 형상부가 상기 배기 개구와 축선 방향 위치가 겹치는 제2 위치와, 상기 원판부가 상기 베이스 플레이트에 맞닿는 제3 위치 중 어느 하나의 위치로 이동 가능한
    것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배기 개구 측에 있어서의 상기 볼록 형상부의 단부(端部) 외주에, 모따기부가 형성되어 있는
    것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 볼록 형상부 측에 있어서의 상기 배기 개구의 단부 내주에, 모따기부가 형성되어 있는
    것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 원판부는, 상기 베이스 플레이트에 대향하는 면에 둘레 홈을 갖고 있고, 상기 둘레 홈 내에 O링이 배치되어 있는
    것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제3 위치에 있어서, 상기 O링을 개재해서 상기 원판부가 상기 베이스 플레이트에 맞닿는
    것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 배기부 덮개는, 상기 원판부로부터 직경 방향 외방(外方)으로 돌출한 암부를 갖고 있고, 상기 암부는, 상기 액추에이터의 신축축(伸縮軸)에 연결되어 있는
    것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012054491A (ja) 2010-09-03 2012-03-15 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP2017010624A (ja) 2015-06-17 2017-01-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4356943B2 (ja) * 2003-09-05 2009-11-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
WO2010024036A1 (ja) * 2008-08-28 2010-03-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置のクリーニング方法
JP5860063B2 (ja) * 2011-12-22 2016-02-16 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
JP5944429B2 (ja) * 2014-03-20 2016-07-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
JP6683575B2 (ja) * 2016-09-01 2020-04-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6960830B2 (ja) * 2017-11-17 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置および真空処理装置の運転方法
JP7083463B2 (ja) * 2018-02-23 2022-06-13 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
CN112447474B (zh) * 2019-09-04 2022-11-04 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种具有可移动环的等离子体处理器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012054491A (ja) 2010-09-03 2012-03-15 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP2017010624A (ja) 2015-06-17 2017-01-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

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