WO2022244041A1 - プラズマ処理装置 - Google Patents

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processing chamber
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駿介 田代
盛楠 于
崇 植村
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株式会社日立ハイテク
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    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Definitions

  • the present invention relates to a plasma processing apparatus.
  • a vacuum pump or the like is installed in a processing chamber arranged inside a vacuum vessel to exhaust gas, plasma, or particles such as products generated during processing. Device is connected.
  • an adjusting device for adjusting the exhaust amount per unit time is arranged on the exhaust passage leading from the processing chamber to the inlet of the vacuum pump, and the adjusting device adjusts the exhaust amount of gas and particles in the processing chamber. This regulates the pressure inside the process chamber where the plasma is formed.
  • a passage communicating between an exhaust port at the bottom of a processing chamber in a vacuum chamber and an inlet of a vacuum pump has resistance to flow of gas discharged from the exhaust port to the inlet.
  • An adjustment means is provided to adjust the ease of flow (conductance), thereby adjusting the amount of gas discharged from the vacuum vessel and adjusting the internal pressure of the vacuum vessel.
  • Valves have been developed that change the size and area of the openings of passages, inlets, and exhaust ports as means for adjusting the flow resistance and ease of flow. It is known to adjust the size and area of the opening by moving across the .
  • Patent Document 1 An example of such a valve is disclosed in Patent Document 1, for example.
  • a gate valve that can be slidably opened and closed is provided in order to adjust the flow resistance and ease of flow of gas passing through the gate. With the gate valve, the area of the gate through which the gas passes can be variably adjusted to adjust the internal pressure of the vacuum vessel.
  • Patent Document 2 an O-ring is provided on the exhaust section cover which is arranged to be able to move up and down by a lifter, and the exhaust section cover is pressed against the base plate via the O-ring, thereby restricting the flow of gas passing through the base plate.
  • An arrangement is disclosed that allows gas flow past the baseplate by blocking and spacing the vent lid away from the baseplate.
  • the exhaust section lid is provided with a groove having a larger diameter than the cylindrical exhaust opening of the base plate, and an O-ring is embedded in the groove. Therefore, when the base plate and the O-ring come into contact with each other when the opening degree is 0, the conductance becomes 0, so that the vacuum vessel can be sealed.
  • An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of finely adjusting the conductance of the exhaust gas and controlling the pressure inside the processing chamber with high precision.
  • one typical plasma processing apparatus includes: a processing chamber, a base plate formed with an exhaust opening connected to the processing chamber, an exhaust section lid disposed in the processing chamber facing the exhaust opening, and exhausting gas from the processing chamber through the exhaust opening. and an actuator for driving the exhaust section lid, wherein the axis of the exhaust opening coincides with the central axis of the processing chamber;
  • the exhaust section lid has a disc portion and a convex portion protruding from the disc portion toward the exhaust opening, The exhaust portion cover is driven by the actuator to move between a first position where the convex portion and the exhaust opening are spaced apart in the axial direction and a second position where the convex portion overlaps the exhaust opening in the axial direction. and a third position where the disc portion contacts the base plate.
  • FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing an outline of the overall configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view schematically showing the lower portion of the vacuum processing section of FIG. 1 according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a perspective view schematically showing the exhaust section lid of FIG. 2 according to the present embodiment.
  • FIG. 4 is a perspective view schematically showing the exhaust section lid of FIG. 2 according to the present embodiment.
  • FIG. 5 is a longitudinal sectional view schematically showing the positional relationship between the exhaust section lid and the base plate having the exhaust opening according to the present embodiment, showing the first position.
  • FIG. 6 is a longitudinal sectional view schematically showing the positional relationship between the exhaust section lid and the base plate having the exhaust opening according to the present embodiment, showing the second position.
  • FIG. 7 is a longitudinal sectional view schematically showing the positional relationship between the exhaust section lid and the base plate having the exhaust opening according to the present embodiment, showing a third position.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing the outline of the overall configuration of the plasma processing apparatus according to this embodiment.
  • a plasma processing apparatus 100 has an electromagnetic wave supply unit 101 and a vacuum processing unit 102 .
  • the electromagnetic wave supply part 101 is a part that generates plasma by interacting an electric field and a magnetic field by electron cyclotron resonance (ECR).
  • the vacuum processing section 102 is a section that etches a sample such as a wafer under reduced pressure using plasma and a specific gas.
  • the electromagnetic wave supply unit 101 includes a high frequency power supply 201 that forms an electric field for plasma formation, and a solenoid coil 202 that is a device that forms a magnetic field.
  • the electric field and magnetic field excite particles such as atoms or molecules of the processing gas supplied to the top of the disk-shaped shower plate 204 provided inside the cylindrical discharge block unit 203, ionize or diverge, and generate plasma. do.
  • the plasma etches a film structure including a mask previously formed on the top surface of a substrate-like specimen such as a semiconductor wafer 206 placed in the processing chamber and the film layer to be processed.
  • the vacuum processing unit 102 includes a vacuum vessel including an upper vessel 205 and a lower vessel 209 that contain a processing chamber in which plasma is formed, and an exhaust pump (exhaust device) including a vacuum pump such as a turbomolecular pump disposed below the vacuum vessel. ) 213.
  • a stage 207 on which a wafer 206 is placed is arranged inside the processing chamber.
  • the outer surfaces of the upper container 205 and the lower container 209 are exposed to the atmosphere (atmosphere) around the vacuum processing unit 102, and the vacuum container composed of the upper container 205 and the lower container 209 is a processing chamber inside and an external atmosphere. It constitutes a vacuum partition that airtightly separates the
  • a base plate 210 having exhaust openings 215 for exhausting gas and plasma particles in the processing chamber is supported by columns 212 below the vacuum chamber of the vacuum processing unit 102 .
  • a circular exhaust opening 215 connected to an exhaust pump 213 is positioned directly below the stage 207, and the axis of the exhaust opening 215 coincides with or is so close to the central axis 214 of the processing chamber. placed in the same position. Such a state is expressed here as that the axis of the exhaust opening 215 coincides with the central axis 214 of the processing chamber.
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view schematically showing the outline of the lower portion of the vacuum processing section 102 shown in FIG.
  • FIG. 3 is a perspective view of the exhaust section lid 208 as seen from above.
  • the exhaust portion cover 208 includes a disk portion 208a and a pair of arm portions 208b protruding from the outer circumference of the disk portion 208a facing each other radially outward (horizontal direction in FIG. 3). and a cylindrical convex portion 208c having a smaller diameter than the disc portion 208a and protruding downward from the disc portion 208a.
  • the arms 208b are connected to the telescoping shafts of the actuators 211 arranged in the vertical direction.
  • the telescopic shaft is extended and retracted.
  • the expansion and contraction drive of the telescopic shaft moves the exhaust section cover 208 up and down via the arm section 208b, and the distance from the exhaust opening 215 is changed. Thereby, the conductance of exhaust gas from the process chamber is adjusted.
  • the flow rate or speed of the internal gas, plasma, or product discharged to the outside of the processing chamber is adjusted by the value of the conductance and the displacement per unit time of the exhaust pump 213.
  • the pressure in the processing chamber is adjusted to the desired degree of vacuum by balancing the supply of the processing gas.
  • FIG. 4 is a perspective view of the exhaust section lid 208 as seen from below.
  • 208 d of O-ring grooves are formed in the lower surface of the disk part 208a radially outward from the convex-shaped part 208c.
  • a tapered downward chamfered portion 208e is formed on the outer periphery of the lower end of the convex portion 208c, and an upward chamfered portion is formed on the inner periphery of the upper end of the exhaust opening 215 of the base plate 210 opposite to this. 215a is formed.
  • the outer diameter of convex portion 208c is d1
  • the inner diameter of exhaust opening 215 is d2.
  • FIG. 5 shows a state in which the lower end of the convex portion 208c of the exhaust portion lid 208 and the upper surface of the base plate 210 are spaced apart in the axial direction. do.
  • the exhaust conductance depends on the distance D1 between the lower end of the convex portion 208c of the exhaust lid 208 and the upper surface of the base plate 210.
  • the conductance is the same even if the vent cover 208 does not have the convex portion 208c.
  • FIG. 6 shows a state in which the convex portion 208c of the exhaust portion lid 208 enters the exhaust opening 215 of the base plate 210 and overlaps with each other in the axial direction. position.
  • the distance ((d1-d2)/2) between the outer diameter of the convex portion 208c of the exhaust cover 208 and the inner diameter of the exhaust opening 215 is the distance between the upper surface of the base plate 210 and the exhaust cover 208. It is smaller than the distance D2 from the lower end of a certain O-ring 305 .
  • the conductance of the exhaust volume depends on the difference (d1-d2) between the outer diameter of the convex portion 208c of the exhaust cover 208 and the inner diameter of the exhaust opening 215.
  • the conductance depends on the shape of the convex portion 208c of the exhaust portion lid 208, and the conductance is smaller compared to, for example, an exhaust portion lid that does not have a convex portion. Therefore, according to the present embodiment, the vacuum processing section 102 can be controlled with high precision in the high pressure region.
  • the conductance of the exhaust amount dependent on the difference between the outer diameter of the convex portion 208c of the exhaust portion lid 208 and the inner diameter of the exhaust opening 215, the influence of the instrumental difference such as the crushing amount of the O-ring 305 on the conductance can be reduced. It is possible to eliminate it and limit it to only the effects of mechanical tolerances, such as actuator 211, which have relatively low variability.
  • the conductance changes depending on the dimensions of the downward chamfered portion 208e and the upward chamfered portion 215a. That is, by presetting the dimensions of the downward chamfered portion 208e and the upward chamfered portion 215a, desired conductance characteristics can be obtained.
  • FIG. 7 shows a state in which the exhaust cover 208 is lowered to the maximum and the O-ring 305 and the base plate 210 are in close contact, and the position of the exhaust cover 208 at this time is the third position.
  • the O-ring 305 and the base plate 210 are in close contact, so the exhaust conductance is zero and the flow of exhaust from the processing chamber to the exhaust opening 215 is blocked.
  • the convex portion 208c has a solid cylindrical shape, but it may have a hollow cylindrical shape. Further, instead of forming the exhaust opening 215 and the convex portion 208c in a cylindrical shape, they may be formed in a square tube shape.
  • REFERENCE SIGNS LIST 100 plasma processing apparatus 101 electromagnetic wave supply section 102 vacuum processing section 201 high frequency power supply 202 solenoid coil 203 discharge block unit 204 shower plate 205 upper container 206 wafer 207 stage 208 exhaust section lid 208a disk section 208b arm section 208c convex section 208d O-ring Groove 209 Lower container 210 Base plate 211 Actuator 212 Post 213 Exhaust pump 214 Center shaft 215 Exhaust opening 305 O-ring

Abstract

排気のコンダクタンスを微調整でき、高精度に処理室内の圧力制御が可能なプラズマ処理装置を提供する。処理室と、前記処理室に繋がる排気開口が形成されたベースプレートと、前記排気開口に対向して前記処理室内に配置された排気部蓋と、前記排気開口を介して前記処理室内のガスを排気する排気装置と、前記排気部蓋を駆動するアクチュエータと、を有するプラズマ処理装置において、前記排気開口の軸線は、前記処理室の中心軸に一致しており、前記排気部蓋は、円板部と、前記円板部から前記排気開口側に突出した凸状部とを有し、前記排気部蓋は、前記アクチュエータにより駆動されて、前記凸状部と前記排気開口とが軸線方向に離間した第１の位置と、前記凸状部が前記排気開口と軸線方向位置が重なる第２の位置と、前記円板部が前記ベースプレートに当接する第３の位置のいずれかの位置へと移動可能である。

Description

プラズマ処理装置
　本発明は、プラズマ処理装置に関する。
　半導体ウエハ等の試料を処理するプラズマ処理装置においては、微細で高精度な処理を実現する為、処理室内でより高密度でより均一なプラズマを形成することが求められている。このような高密度のプラズマを安定して形成するために、真空容器内の処理室の圧力をより高い真空度（より低い圧力）で安定化させることが重要である。
　従来のプラズマ処理装置では、真空容器内部に配置された処理室には、その内側のガスやプラズマ、あるいは処理に伴って生成された生成物等の粒子を排気するために、真空ポンプ等の排気装置が連結されている。
　さらに、処理室内から真空ポンプの入口に向かう排気通路上には、単位時間あたりの排気量を調整する調整装置が配置され、この調整装置により上記処理室内部のガスや粒子の排気量を調節することによって、プラズマが形成される処理室の内部の圧力が調節される。
　より具体的には、従来のプラズマ処理装置において、真空容器内の処理室下部の排気口と真空ポンプの入口とを連通する通路に、排気口から入口へと排出されるガスの流れの抵抗や流れ易さ（コンダクタンス）を調節する調節手段を配設しており、それにより真空容器から排出されるガス量を調節し真空容器内部圧力を調節していた。
　このような流れの抵抗や流れ易さを調節する調節手段として、通路または入口や排気口の開口の大きさや面積を変化させるバルブが開発されており、このようなバルブの回転や管路の軸を横切る方向への移動によって、開口の大きさや面積を調節するものが知られている。
　このようなバルブの例が、例えば特許文献１に開示されている。この従来技術では、ゲートを通過するガスの流れの抵抗や流れ易さを調整するために、スライド式に開閉可能なゲートバルブが備えられている。ゲートバルブにより、ガスが通過するゲートの面積を可変に調整し、真空容器内部圧力を調整することができる。
特開２０１２－０５４４９１号公報 特開２０１７－０１０６２４号公報
　しかしながら、上記特許文献１の技術では、処理室内におけるより高圧領域にて高精度な圧力制御を行う場合に、密閉状態と僅少な開放状態との間（極低開度という）でゲートバルブの調整が難しく、そのため排気量のコンダクタンス差が大きくなりがちであり、圧力制御の精度が低下するという課題があった。
　これに対し、特許文献２には、リフターにより昇降自在に配置した排気部蓋にＯリングを設けて、排気部蓋をＯリングを介してベースプレートに押し付けることにより、ベースプレートを通過するガスの流れを遮断し、また排気部蓋をベースプレートから離間することで、ベースプレートを通過するガスの流れを許容する構成が開示されている。
　特許文献２の技術によれば、排気部蓋には、ベースプレートが有する円筒形状の排気開口より大径の溝が設けられ、該溝にＯリングが埋め込まれている。このため、開度０でベースプレートとＯリングが接触することにより、コンダクタンスが０になることから、真空容器を密閉することが可能である。
　しかしながら、特許文献２の技術によれば、次の点についての考慮が不十分であったため、問題が生じていた。
　真空容器を高圧領域で圧力制御を行おうとすると、ベースプレートと排気部蓋に埋め込まれたＯリングとの距離を僅少にして、排気量のコンダクタンスを調整する必要があり、そのため排気部蓋は極低開度での制御が要求される。しかし、極低開度における排気量のコンダクタンスは、蓋に埋め込まれたＯリングの出代（溝縁からの突出量)に大きく依存する。同じ開度であってもチャンバ間でＯリングの出代が異なり、それに応じてコンダクタンスが異なることが機差の要因となっていた。
　さらには、極低開度での排気量のコンダクタンスは、Ｏリング潰れ量にも依存することから、機差による圧力制御のバラつきが大きくなってしまうという問題点があった。
　本発明は、排気のコンダクタンスを微調整でき、高精度に処理室内の圧力制御が可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、代表的な本発明にかかるプラズマ処理装置の一つは、
　処理室と、前記処理室に繋がる排気開口が形成されたベースプレートと、前記排気開口に対向して前記処理室内に配置された排気部蓋と、前記排気開口を介して前記処理室内のガスを排気する排気装置と、前記排気部蓋を駆動するアクチュエータと、を有するプラズマ処理装置であって、
　前記排気開口の軸線は、前記処理室の中心軸に一致しており、
　前記排気部蓋は、円板部と、前記円板部から前記排気開口側に突出した凸状部とを有し、
　前記排気部蓋は、前記アクチュエータにより駆動されて、前記凸状部と前記排気開口とが軸線方向に離間した第１の位置と、前記凸状部が前記排気開口と軸線方向位置が重なる第２の位置と、前記円板部が前記ベースプレートに当接する第３の位置のいずれかの位置へと移動可能であることにより達成される。
　本発明によれば、排気のコンダクタンスを微調整でき、高精度に処理室内の圧力制御が可能なプラズマ処理装置を提供することができる。
　上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
図１は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の全体の構成の概略を示す縦断面図である。 図２は、本発明の実施形態に係る図１の真空処理部の下部を模式的に表した縦断面図である。 図３は、本実施形態に係る図２の排気部蓋を模式的に表した斜視図である。 図４は、本実施形態に係る図２の排気部蓋を模式的に表した斜視図である。 図５は、本実施形態に係る排気部蓋と排気開口を有したベースプレートとの位置関係を模式的に表した縦断面図であり、第１の位置を示している。 図６は、本実施形態に係る排気部蓋と排気開口を有したベースプレートとの位置関係を模式的に表した縦断面図であり、第２の位置を示している。 図７は、本実施形態に係る排気部蓋と排気開口を有したベースプレートとの位置関係を模式的に表した縦断面図であり、第３の位置を示している。
　以下、図面を用いて本願発明の実施形態を説明する。
　図１は、本実施形態に係るプラズマ処理装置の全体構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
　図１に示す本実施形態に係るプラズマ処理装置１００は、電磁波供給部１０１と真空処理部１０２を有している。電磁波供給部１０１は、電子サイクロトロン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：ＥＣＲ）により電界と磁界を相互作用させてプラズマを生成する部分である。真空処理部１０２は、減圧された圧力下でウエハ等の試料を、プラズマと特定のガスを用いてエッチングを行う部分である。
　電磁波供給部１０１は、プラズマ形成用の電界を形成する高周波電源２０１、および磁界を形成する装置であるソレノイドコイル２０２を備えている。その電界と磁界により、円筒形状の放電ブロックユニット２０３内部に備える円板形状のシャワープレート２０４上部に供給される処理用ガスの原子または分子等の粒子を励起し、電離または乖離させてプラズマを生成する。当該プラズマにより、処理室内に配置された半導体ウエハ２０６等の基板状の試料上面に予め形成されたマスクと、処理対象の膜層とを含む膜構造がエッチングされる。
　真空処理部１０２は、プラズマが形成される処理室を内包する上部容器２０５や下部容器２０９を含む真空容器と、真空容器下方に配置されたターボ分子ポンプ等の真空ポンプを含む排気ポンプ(排気装置)２１３とを備えている。処理室内部には、ウエハ２０６が載置されたステージ２０７が配設されている。上部容器２０５や下部容器２０９の外表面は、真空処理部１０２周囲の雰囲気（大気）に曝されており、上部容器２０５や下部容器２０９からなる真空容器は、その内部の処理室と外部の雰囲気との間を気密に区画する真空隔壁を構成している。
　真空処理部１０２の真空容器の下方には、処理室内のガス、プラズマの粒子を排出するための排気開口２１５を有するベースプレート２１０が、支柱２１２により支持されている。排気ポンプ２１３に連結され円形を有する排気開口２１５は、ステージ２０７の真下に配置されており、さらに排気開口２１５の軸線は、処理室の中心軸２１４に合致またはこれと見做せる程度に近接した同等の位置に配置されている。かかる状態を、ここでは排気開口２１５の軸線が、処理室の中心軸２１４に一致していると表現する。
　次に、本実施形態の真空処理部１０２の圧力制御について、図２乃至図３を用いて説明する。図２は、図１に示す真空処理部１０２の下部の概略を模式的に示す縦断面図である。図３は、排気部蓋２０８を上方から見た斜視図である。
　図２において、排気開口２１５の上方に、略円板形状を有する排気部蓋２０８が配置されている。排気部蓋２０８は、図３に示すように、円板部２０８ａと、円板部２０８ａの外周から径方向外方（図３で左右方向）に向かって対向して突き出した一対の腕部２０８ｂと、円板部２０８ａの下方に突出して形成された円板部２０８ａより小径の円筒状である凸状部２０８ｃとを有する。
　腕部２０８ｂは、それぞれアクチュエータ２１１の垂直方向に配置された伸縮軸に連結されている。外部よりアクチュエータ２１１に給電することにより、伸縮軸が伸縮する。伸縮軸の伸縮駆動により腕部２０８ｂを介して排気部蓋２０８が上下に移動して、排気開口２１５との距離が変更され。それにより処理室からの排気のコンダクタンスが調整される。
　ウエハ２０６の処理中に、当該コンダクタンスの値と排気ポンプ２１３の単位時間当たりの排気量とにより、処理室外に排出される内部のガスやプラズマや生成物の流量または速度が調節され、当該排気と処理用ガスの供給とのバランスにより、処理室の圧力が所望の真空度に調節される。
　図４は、排気部蓋２０８を下方から見た斜視図である。円板部２０８ａの下面には、凸状部２０８ｃより径方向外方にＯリング溝２０８ｄが形成されている。
　図５を参照して、凸状部２０８ｃの下端外周には、テーパ形状の下向き面取り部２０８ｅが形成され、これに対向して、ベースプレート２１０の排気開口２１５の上端内周には、上向き面取り部２１５ａが形成されている。図６を参照して、凸状部２０８ｃの外径をｄ１とし、排気開口２１５の内径をｄ２とする。
　アクチュエータ２１１の伸縮軸を上下方向に段階的に駆動した場合における排気部蓋２０８の位置を、図５、図６、図７に模式的に示すが、腕部は省略している。
　図５は、排気部蓋２０８の凸状部２０８ｃの下端と、ベースプレート２１０の上面とが、軸線方向に離間した状態を示しており、このときの排気部蓋２０８の位置を第１の位置とする。第１の位置では、排気量のコンダクタンスは、排気部蓋２０８の凸状部２０８ｃの下端とベースプレート２１０の上面との距離Ｄ１に依存する。そのコンダクタンスは、排気部蓋２０８が凸状部２０８ｃを有していない場合でも、同様である。
　図６は、排気部蓋２０８の凸状部２０８ｃが、ベースプレート２１０の排気開口２１５内に進入して軸線方向位置が重なった状態を示しており、このときの排気部蓋２０８の位置を第２の位置とする。第２の位置では、排気部蓋２０８の凸状部２０８ｃの外径と排気開口２１５の内径との距離（（ｄ１－ｄ２）／２）が、ベースプレート２１０の上面と排気部蓋２０８に取付けてあるＯリング３０５の下端との距離Ｄ２より小さくなる。かかる場合、排気量のコンダクタンスは排気部蓋２０８の凸状部２０８ｃの外径と排気開口２１５の内径との差（ｄ１－ｄ２）に依存することを示している。
　排気部蓋２０８の凸状部２０８ｃが、ベースプレート２１０の排気開口２１５内に進入した状態で、アクチュエータ２１１の伸縮軸を上下させれば、排気部蓋２０８とベースプレート２１０との相対位置に応じて、凸状部２０８ｃと排気開口２１５の重なり量が変化し、排気部蓋２０８の凸状部２０８ｃの外周と排気開口２１５の内周とで形成される環状空間を通過するガスの抵抗が微小に変化し、すなわちコンダクタンスの微調整が可能となる。
　そのコンダクタンスは、排気部蓋２０８の凸状部２０８ｃの形状に依存しており、例えば凸状部を有していない排気部蓋と比較すると、コンダクタンスがより小さくなる。このため、本実施形態によれば真空処理部１０２を高圧領域で高精度に制御可能となる。
　また、排気量のコンダクタンスを、排気部蓋２０８の凸状部２０８ｃの外径と排気開口２１５の内径との差に依存させることにより、コンダクタンスにおけるＯリング３０５の潰し量などの機差の影響を排除し、比較的ばらつきが少ないアクチュエータ２１１などの機械公差の影響のみに限定することが可能である。
　さらに、図６の状態では、下向き面取り部２０８ｅと上向き面取り部２１５ａの寸法により、コンダクタンスが変化する。すなわち、下向き面取り部２０８ｅと上向き面取り部２１５ａの寸法を予め設定することで、所望のコンダクタンスの特性を得ることができる。
　図７は、排気部蓋２０８が最も下降してＯリング３０５とベースプレート２１０が密着した状態を示しており、このときの排気部蓋２０８の位置を第３の位置とする。第３の位置では、Ｏリング３０５とベースプレート２１０が密着しているため、排気量のコンダクタンスは０となり、処理室から排気開口２１５へ向かう排気の流れは遮断される。
　以上述べた実施形態では、凸状部２０８ｃを中実の円筒状としたが、中空の円筒状でもよい。また、排気開口２１５と凸状部２０８ｃを円筒状とする代わりに、これらを角筒状としてもよい。
　１００　プラズマ処理装置
　１０１　電磁波供給部
　１０２　真空処理部
　２０１　高周波電源
　２０２　ソレノイドコイル
　２０３　放電ブロックユニット
　２０４　シャワープレート
　２０５　上部容器
　２０６　ウエハ
　２０７　ステージ
　２０８　排気部蓋
　２０８ａ　円板部
　２０８ｂ　腕部
　２０８ｃ　凸状部
　２０８ｄ　Ｏリング溝
　２０９　下部容器
　２１０　ベースプレート
　２１１　アクチュエータ
　２１２　支柱
　２１３　排気ポンプ
　２１４　中心軸
　２１５　排気開口   
　３０５　Ｏリング

Claims (6)

  1. 　処理室と、前記処理室に繋がる排気開口が形成されたベースプレートと、前記排気開口に対向して前記処理室内に配置された排気部蓋と、前記排気開口を介して前記処理室内のガスを排気する排気装置と、前記排気部蓋を駆動するアクチュエータと、を有するプラズマ処理装置であって、
    　前記排気開口の軸線は、前記処理室の中心軸に一致しており、
    　前記排気部蓋は、円板部と、前記円板部から前記排気開口側に突出した凸状部とを有し、
    　前記排気部蓋は、前記アクチュエータにより駆動されて、前記凸状部と前記排気開口とが軸線方向に離間した第１の位置と、前記凸状部が前記排気開口と軸線方向位置が重なる第２の位置と、前記円板部が前記ベースプレートに当接する第３の位置のいずれかの位置へと移動可能である、
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 　請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
    　前記排気開口側における前記凸状部の端部外周に、面取り部が形成されている、
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 　請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
    　前記凸状部側における前記排気開口の端部内周に、面取り部が形成されている、
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
  4. 　請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
    　前記円板部は、前記ベースプレートに対向する面に周溝を有しており、前記周溝内にＯリングが配置されている、
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
  5. 　請求項４に記載のプラズマ処理装置において、
    　前記第３の位置において、前記Ｏリングを介して前記円板部が前記ベースプレートに当接する、
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
  6. 　請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
    　前記排気部蓋は、前記円板部から径方向外方に突き出した腕部を有しており、前記腕部は、前記アクチュエータの伸縮軸に連結されている、
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
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