CN114729454A - 使用旋转磁性外壳的可调均匀度控制 - Google Patents

使用旋转磁性外壳的可调均匀度控制 Download PDF

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CN114729454A CN202080072722.1A CN202080072722A CN114729454A CN 114729454 A CN114729454 A CN 114729454A CN 202080072722 A CN202080072722 A CN 202080072722A CN 114729454 A CN114729454 A CN 114729454A
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A·玛里克
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Abstract

本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。

Description

使用旋转磁性外壳的可调均匀度控制
技术领域
本公开内容的实施例总体上涉及一种用于控制所产生的等离子体的特性的旋转磁性外壳系统，以及利用所述旋转磁性外壳系统的方法。
背景技术
通常采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)以在诸如半导体芯片之类的基板上沉积膜。通常采用等离子体蚀刻来蚀刻设置在基板上的膜。PECVD及等离子体蚀刻是通过将一种或多种气体引入包含基板的工艺腔室的工艺空间中来完成。一种或多种气体在位于腔室顶部附近的扩散器中混合，并通过扩散器的多个孔或喷嘴而注入到工艺空间中。在PECVD及等离子体蚀刻期间，通过从耦合到腔室的一个或多个RF源，施加射频(RF)能量至腔室，以使工艺空间中的一种或多种气体的混合物通电(例如，激发)以产生等离子体。在工艺空间中产生电场，使得工艺空间中存在的一种或多种气体的混合物的原子经电离并释放电子。在PECVD中加速到基板支撑件上的经电离的原子有助于膜在基板上的沉积。在等离子体蚀刻中加速到基板支撑件的经电离的原子有助于蚀刻设置在基板上的膜。
在工艺空间中产生的等离子体，具有诸如密度轮廓之类的特性。密度轮廓不均匀可能导致基板上膜的沉积或蚀刻不均匀。特别地，等离子体的密度轮廓影响整个基板表面的膜的沉积厚度或蚀刻轮廓。因此，本领域需要一种用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的特性的方法。
发明内容
在一个实施例中，提供了一种方法。所述方法包括将基板设置在工艺系统的腔室主体中。所述工艺系统包括定位在腔室主体中的基板支撑件及旋转磁性外壳。将基板设置在具有电极的基板支撑件上。旋转磁性外壳设置在腔室的外部，并且定义出圆形的中央开口。旋转磁性外壳具有设置在其中的多个磁体。向电极提供RF功率，以在所述腔室主体中产生等离子体。旋转磁性外壳围绕圆形的中央开口旋转，使得每个磁体在围绕腔室主体的圆形路径中行进。
在另一实施例中，提供了一种方法。所述方法包括将基板设置在工艺系统的腔室主体中。所述工艺系统包括定位在腔室主体中的基板支撑件、在基板支撑件中的电极、以及旋转磁性外壳。基板设置在基板支撑件上。旋转磁性外壳设置在腔室的外部，并且定义出圆形的中央开口。旋转磁性外壳具有设置在其中的多个磁体。每个磁体与基板相距一垂直距离。所述垂直距离对应于从通过所述磁体中的每一者的中心而形成的平面到所述基板的距离。向电极提供RF功率，以在所述腔室主体中产生等离子体。旋转的磁性外壳围绕圆形的中央开口旋转，使得每个磁体在圆形路径中围绕腔室主体行进。升高或降低旋转磁性外壳或基板支撑件中的至少一个，以改变磁体与基板相距的垂直距离。
在另一实施例中，提供了一种方法。所述方法包括将基板设置在工艺系统的腔室主体中。所述工艺系统包括定位在腔室主体中的基板支撑件、基板支撑件中的电极、以及旋转磁性外壳。基板设置在基板支撑件上。旋转磁性外壳设置在腔室的外部，并且定义出圆形的中央开口。旋转磁性外壳具有设置在其中的多个磁体。所述多个磁体中的每个磁体可移除地保持在所述旋转磁性外壳的相应的保持支架中，具有在所述多个磁体中的每个磁体之间的间距。每个磁体与基板相距垂直距离。所述垂直距离对应于从通过所述磁体中的每一者的中心而形成的平面到所述基板的距离。每个磁体与所述腔室主体的中心轴相距一水平距离。向电极提供RF功率，以在所述腔室主体中产生等离子体。旋转的磁性外壳围绕圆形的中央开口旋转，使得每个磁体在围绕腔室主体的圆形路径中行进。调节旋转速度、间距、垂直距离、或水平距离中的至少一者。
附图说明
因此，为详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可以通过参考实施例来对本公开内容进行更详细的描述，所公开的详细描述如上简要概述，一些实施例在附图中示出。然而，应注意的是，附图仅示出示例性实施例，因此不应被认为是对其范围的限制，并且可以允许其他等效的实施例。
图1A是根据一个实施例的具有旋转磁性外壳系统的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室的示意性剖视图，所述旋转磁性外壳系统具有设置在所述腔室外部的旋转磁性外壳。
图1B是根据一个实施例的旋转磁性外壳系统的示意性俯视图。
图1C是根据一个实施例的具有电磁外壳系统的PECVD腔室的示意性截面图，所述电磁外壳系统具有设置在腔室外部的电磁体磁性外壳。
图1D是根据一个实施例的电磁外壳系统的示意性俯视图。
图1E是根据一个实施例的具有电磁系统的PECVD腔室的示意性截面图。
图2是根据一个实施例的控制在工艺腔室的工艺空间中形成的等离子体的密度轮廓的方法的流程图。
图3A和图3B是示出根据一个实施例的在工艺空间中的等离子体的密度轮廓的曲线图。
为了便于理解，在可能的地方使用了相同的参考标号来表示图中共有的相同元件。可预期的是，一个实施例的元件及特征可以有益地并入其他实施例中，而无需进一步说明。
具体实施方式
本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。
图1A、图1C、以及图1E是根据各种实施例的工艺系统100的示意性截面图，诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统。系统100的一个示例是由应用材料公司制造的
Figure BDA0003598535440000041
系统。应理解，以下描述的系统是示例性腔室，并且可以与其他系统一起使用或修改其他系统，包括来自其他制造商的系统，以完成本公开内容的各方面。系统100包括腔室101a(例如，第一腔室)及腔室101b(例如，第二腔室)。在可与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，腔室101a、101b共享资源。例如，腔室101a、101b可以共享气体源144、安装板112、及泵150中的至少一者或多者。腔室101a、101b类似地配置。然而，还可想到，腔室101a、101b中的每一者均具有专用资源。
在图1A的实施例中，每个腔室101a、101b具有旋转磁性外壳系统102，旋转磁性外壳系统102具有设置在腔室101a、101b外部的旋转磁性外壳104。在图1C的实施例中，每个腔室101a、101b具有电磁外壳系统170，电磁外壳系统170具有设置在腔室101a、101b外部的电磁外壳172。在图1E的实施例中，每个腔室101a、101b具有设置在腔室盖组件108的间隔件114中的电磁系统171。尽管已说明了腔室101a的各方面，但应当理解，腔室101b也被类似地配备。为了清楚起见，在图1A、图1C、和图1E中，在腔室101b上可以省略参考标号。
腔室101a、101b具有腔室主体组件106及腔室盖组件108。图1A以及图1C的实施例的腔室主体组件106包括腔室主体110，腔室主体110耦接至安装板112。图1A和图1C的实施例的腔室盖组件108包括间隔件114，间隔件114具有第一凸缘118，第一凸缘118耦接至安装板112，且腔室盖116耦接至间隔件114的第二凸缘120。图1E的实施例的腔室盖组件108包括间隔件114，间隔件114具有第一凸缘118，第一凸缘118耦接至腔室主体110，且所述腔室盖116耦接至间隔件114的第二凸缘120。腔室盖116包括气体分配组件122。气体分配组件122与基板支撑组件124相对定位，从而在气体分配组件122与基板支撑组件124之间限定工艺空间126。图1A和图1C的实施例的工艺空间126进一步由腔室盖116、间隔件114的内壁128、安装板112、及腔室主体110所限定。图1E的实施例的工艺空间126进一步由腔室盖116、间隔件114的内壁128、及腔室主体110所限定。
基板支撑组件124设置在工艺空间126内。基板支撑组件124包括基板支撑件130及杆132。基板支撑件130具有用于支撑基板165的支撑表面134。基板支撑件130通常包括加热元件(未示出)。基板支撑件130通过杆132可移动地设置在工艺空间126中，杆132延伸穿过腔室主体110，其中杆132连接至基板支撑驱动系统136。基板支撑驱动系统136使基板支撑件130在升高的处理位置(如图所示)与降低的位置之间移动，从而有利于使基板经由穿过腔室主体110而形成的狭缝阀138传送出入工艺空间126。在一个可以与本文所述的其他实施例结合的实施例中，基板支撑驱动系统136能旋转杆132和基板支撑件130。
在可与本文描述的其他实施例结合的一个实施例中，气体分配组件122被配置以将气体均匀地分配到腔室101a、101b的工艺空间126中，以有利于膜(诸如，进阶的图案化膜)沉积于基板支撑组件124的基板支撑件130上的基板165上。在可以与本文描述的其他实施例结合的另一实施例中，气体分配组件122被配置以将气体均匀地分配到腔室101a、101b的工艺空间126中，以有利于设置在位于基板支撑组件124的基板支撑件130上的基板165上的膜(例如，进阶的图案化膜)的蚀刻。
气体分配组件122包括气体入口通道140，气体入口通道140通过从吊板148悬挂的扩散器146从耦接到一个或多个气体源144的流量控制器142输送气体。扩散器146包括多个孔或喷嘴(未示出)，在处理期间，气态混合物通过这些孔或喷嘴而注入到工艺空间126中。泵150耦接至腔室主体110的出口152，用于控制工艺空间126内的压力，并从工艺空间126排出副产物。气体分配组件122的扩散器146可以连接到RF回路(或接地)，这允许将RF能量施加到基板支撑件130，以在工艺空间126内产生电场，其用来产生用于处理基板165的等离子体。
RF源154通过穿过杆132设置的导电杆158耦接到设置在基板支撑件130内的电极156。在可以与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，电极156经由匹配盒163连接到RF源154，所述匹配盒具有用于调节的匹配电路及用于测量电特性(诸如电极156的电压、电流、及阻抗)的检测器。所述匹配电路可以有助于响应于来自检测器的信号来调节电压、电流、或阻抗。气体分配组件122的扩散器146连接到RF回路，并且电极156有助于形成电容性等离子体耦合。RF源154向基板支撑件130提供RF能量，以有利于在基板支撑件130与气体分配组件122的扩散器146之间产生电容耦合等离子体。当提供RF功率至电极156时，在扩散器146与基板支撑件130之间产生电场，使得存在于基板支撑件130与扩散器146之间的工艺空间126中的气体原子被电离并释放电子。加速到基板支撑件130的经电离的原子，有助于沉积或蚀刻位于基板支撑件130上的基板165上的膜。
如图3A所示，等离子体在工艺空间126中具有密度轮廓301。密度轮廓301对应于工艺空间126中水平面167上的位置304处的离子密度302(离子/au3)。密度轮廓301包括与离子密度的最大值305相对应的峰值303及与等离子体的直径相对应的宽度307。在可与本文描述的其他实施例结合的一个实施例中，旋转磁性外壳系统102、电磁外壳系统170、及电磁系统171中的一者，以及本文所述的方法提供了对等离子体的密度轮廓301的控制，以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。性质的一个例子包括沉积膜的局部应力矢量。在本文中进一步描述的一些实施例中，控制等离子体的密度轮廓301以调整局部应力矢量，以提供具有应力矢量基本均匀分布的沉积膜。在图1A的实施例中，可以调节磁体的旋转速度、磁体的强度(高斯)、及磁体的垂直位置，以有利于等离子体密度轮廓的相应调节。在图1C的实施例中，可以调节电磁体的电流、电磁体的强度(高斯)、及电磁体的垂直位置，以有利于等离子体密度轮廓的相应调节。在图1E的实施例中，可以调节电磁体的电流和电磁体的强度，以有利于等离子体密度轮廓的相应调节。例如，可以对等离子体相对于基板的垂直位置、等离子体的密度轮廓的峰值位置、或相对于基板的特定位置处的离子密度的值中的一者或多者进行调整。
如图1A所示，耦合到腔室101a、101b及旋转磁性外壳系统102的控制器164被配置以在处理期间控制腔室101a、101b及旋转磁性外壳系统102的各方面。如图1C所示，耦合到腔室101a、101b及电磁体外壳系统170的控制器164被配置以在处理期间控制腔室101a、101b及电磁体外壳系统170的各方面。如图1E所示，耦合到腔室101a、101b及电磁系统171的控制器164被配置以在处理期间控制腔室101a、101b及电磁系统171的各方面。
如图3A所示，磁体143中的一者和电磁体(如图1C和图1E所示)的芯材的强度，压缩了在工艺空间126中的等离子体的密度轮廓301，并使等离子体鞘延伸朝向腔室主体110的侧壁。压缩等离子体的密度轮廓301，导致在基板165上(在基板上方的相对高度处)更均匀的离子和自由基集中度，以获得均匀的沉积分布。此外，密度轮廓301的压缩使等离子体鞘朝向腔室主体110的侧壁径向向外延伸。将等离子体鞘延伸到腔室主体110的侧壁上，提供RF能量的从侧壁传播到地面的短而对称的路径。RF能量从侧壁传播到地面的路径改进了电流，并且通过提高的效率，减少了基板支撑件130的电极156所需要的电流量。电极156所需要的电流量的减少，允许将增强的电压以增加的效率输送到电极156。增强的电压导致等离子体鞘的更大电离，从而增加了基板165的离子或自由基轰击。基板165的离子或自由基轰击的增加，减少了待沉积或蚀刻的膜的应力。另外，密度轮廓301的压缩与等离子体鞘的延伸，提供了沉积或蚀刻的膜的应力矢量的大致上均匀的分布。
图1B示出了旋转磁性外壳系统102的示意性俯视图。参照图1A和图1B，旋转磁性外壳系统102包括旋转磁性外壳104，旋转磁性外壳104配置成绕工艺空间126的中心轴103旋转，以产生静态或动态的磁场。所述磁场改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制工艺空间126中等离子体的密度轮廓301。
具有旋转磁性外壳104的旋转磁性外壳系统102设置在腔室101a、101b的外部。旋转磁性外壳系统102包括上板105、与上板105相对设置的下板107、内侧壁109、与内侧壁109相对设置的外侧壁113、外壳升降系统168、及外壳驱动系统115。内壁128定义了圆形的中央开口。在可与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，上板105、下板107、或间隔件114中的至少一者，包括一个或多个通道(未示出)，所述一个或多个通道连接到热交换器(未示出)，以控制旋转磁性外壳104的温度轮廓。间隔件114的外壁162包括聚合物材料，例如PTFE(聚四氟乙烯)。在可以与本文描述的其他实施例结合的一个实施例中，外壁162是聚合物材料片。间隔件114的外壁162的聚合物材料，允许旋转磁性外壳104绕着工艺空间126的中心轴103而围绕间隔件114旋转。
旋转磁性外壳104包括多个保持支架129。所述多个保持支架129中的每个保持支架，以在每个保持支架129之间为距离d的方式设置在旋转磁性外壳104中。所述多个保持支架129使多个磁体143能够被设置在旋转磁性外壳104中或从旋转磁性外壳104中移除。在一个实施例中，多个磁体143中的每个磁体143被保持在保持支架129中，且在多个磁体143中的每个磁体143之间具有间距p。间距p对应于多个磁体143中的每个相邻磁体143之间的距离。间距p调节通过旋转旋转磁性外壳104产生的磁场。在可以与本文描述的其他实施例结合的一个实施例中，每个保持支架129耦接至轨道131。致动保持支架129使得每个保持支架129可操作以沿着轨道131沿径向滑动，以改变从每个磁体143到工艺空间126的中心轴103的水平距离133。
如图1C所示，具有电磁外壳172的电磁外壳系统170设置在腔室101a、101b的外部。电磁外壳172包括上板173、与上板173相对设置的下板174、内侧壁176、与内侧壁176相对设置的外侧壁175、以及外壳升降系统168。内壁128定义了圆形的中央开口。在可与本文所述的其他实施例结合的一个实施例中，上板173、下板174、或间隔件114中的至少一者，包括一个或多个连接到热交换器(未示出)以控制温度的通道(未示出)，以控制电磁外壳172的温度轮廓。导线178设置在电磁外壳172中，并且绕着间隔件114缠绕一次或多次，以形成围绕间隔件114的单个电磁体。功率源180耦合到导线178，以使电流在围绕工艺空间126的圆形路径中流动。在可以与本文描述的其他实施例结合的一个实施例中，至少一匝导线178耦接至轨道181。轨道181被致动，使得耦接至轨道181中的一者的每一匝导线178可操作以沿着轨道181在径向方向上滑动，以改变从导线178到工艺空间126的中心轴103的水平距离133。如图1E所示，导线178设置在间隔件114中并绕工艺空间126缠绕一次或多次。
在一个实施例中(如图1B所示，其可以与本文所述的其他实施例组合)，旋转磁性外壳104的第一半部137(例如，围绕大约180度)具有磁体143，磁体143的北极141朝向工艺空间126，且旋转磁性外壳104的第二半部139(例如，围绕大约180度)具有磁体143，磁体143的南极145与工艺空间126相对地定向。如图3B所示，具有相对定向的磁体143的第一半部137和第二半部139，提供了密度轮廓301的峰值303的移动。磁体143的相反极性使经由磁体143产生的B场偏斜。B场的偏斜使密度轮廓301的峰值303移动。峰值303的移动对应于等离子体鞘的移动。旋转磁性外壳104的旋转有助于基板165更均匀地暴露于偏斜的等离子体鞘的离子和自由基。
旋转磁性外壳104耦接至外壳驱动系统115。外壳驱动系统115包括带147及电机149。旋转磁性外壳104包括形成在旋转磁性外壳104的外侧壁113中的多个凹槽151。多个凹槽151中的每个凹槽对应于带161的多个凸耳155中的一个凸耳155。带161配置成围绕旋转磁性外壳104设置，并且耦接至电机149(例如，无刷DC电动电机)。外壳驱动系统115配置以使旋转磁性外壳104以一转速围绕工艺空间126的中心轴103旋转。转速能控制由改变的磁场所产生的基板165的电流。在一个示例中，可构想的是，腔室101a、101b中的每一者包括单独的外壳驱动系统115。在另一示例中，可构想的是，腔室101a、101b中的每一者共享外壳驱动系统115。
在可以与本文描述的其他实施例结合的图1C和图1E的一些实施例中，导线178包括以下项中的至少一者：导线178的芯材中的气隙、芯材的变化的横截面积、以及每一匝导线178之间的变化的距离。导线178的第一半部(例如，围绕约180度)的芯材可比导线178的第二半部(例如，围绕约180度)的芯材具有更多的气隙。导线178的第一半部的芯材的横截面面积可比导线178的第二半部的横截面积大。第一半部的每一匝导线178之间的距离可小于第二半部的每一匝导线178之间的距离。对于气隙、横截面积、或每一匝导线178之间的距离中的至少一者的调节，使经由流过导线178的流动电流产生的B场偏斜。电流的循环流动有利于基板165更均匀地暴露于倾斜的等离子体鞘的离子和自由基。
在可以与本文描述的其他实施例结合的图1C和图1E的其他实施例中，电磁外壳172(图1C)和电磁系统171(图1E)包括两条或多条导线178。电磁外壳172的导线178中的每一者设置在电磁外壳172的相应部分中。电磁系统171的每条导线178都设置在间隔件114的相应的部分中。功率源180(如图1D所示的180a、180b、180c、及180d)分别耦接至每条导线178。功率源180可操作为电连接到控制器164。控制器164可操作以依序地打开或关闭功率源180中的每一者，以及同时地打开或关闭功率源180中的每一者，以控制向导线178中的每一者的供电。同时地关闭每个功率源180能使电磁体产生的磁场分流。在一个示例中，第一导线在半圆中缠绕一次或多次，并且设置在电磁外壳172(图1C)或间隔件114(图1E)的第一半部(所述第一半部对应于工艺空间126的第一半部)中，以形成第一电磁体。第二导线在半圆中缠绕一次或多次，并且设置在电磁外壳172(图1C)或间隔件114(图1E)的第二半部(所述第二半部对应于工艺空间126的第二半部)中，以形成第二个电磁体。第一电磁体以及第二电磁体可具有相反极性。
如图1D中所示，为电磁体外壳系统170的示意性俯视图，在一个示例中，第一导线178a在具有90度或更小的角弧的半圆中缠绕一次或多次，并且设置在电磁外壳172的第一象限179a(第一象限179a对应于工艺空间126的第一象限126a)中，以形成第一电磁体。第二导线178b在具有90度或更小的角弧的半圆中被缠绕一次或多次，并且设置在电磁外壳172的第二象限179b(第二象限179b对应于工艺空间126的第二象限126b)中，以形成第二电磁体。第三导线178c在具有90度或更小的角弧的半圆中被缠绕一次或多次，并且被设置在电磁外壳172的第三象限179c(第三象限179c对应于工艺空间126的第三象限126c)中，以形成第三电磁体。第四导线178d在具有90度或更小的角弧的半圆中被缠绕一次或多次，并且被设置在电磁外壳172的第四象限179d(第四象限179d对应于工艺空间126的第四象限126d)中，以形成第四电磁体。第一电磁体、第二电磁体、第三电磁体、及第四电磁体可以具有交替的极性。
外壳驱动系统115及旋转磁性外壳104耦接至外壳升降系统168。将外壳驱动系统115及旋转磁性外壳104耦合至外壳升降系统168有助于旋转磁性外壳104相对于基板165的垂直调节。将电磁外壳172耦合至外壳升降系统168有助于电磁外壳172相对于基板165的垂直调节。例如，可以增加或减小由通过每个磁体143的中心到基板165而形成的平面所定义的垂直距离135，以调节保持在相应的腔室101a或101b内的等离子体的性质。例如，可以增加或减小由穿过导线178的中心而形成的平面所定义的垂直距离182，以调节保持在相应的腔室101a或101b内的等离子体的性质。外壳升降系统168可操作以同时地将旋转磁性外壳104和外壳驱动系统115升高和降低，但也可想到分别的致动。增加及减小与基板165相距的垂直距离135、182，提供了对等离子体鞘至基板165的距离的调节，并且因此控制了离子和自由基的集中度的移动，以控制沉积的或蚀刻的膜的均匀性和性质(例如应力)。为了有利于垂直致动，外壳升降系统168可以包括一个或多个致动器，例如电机、步进电机、带有螺杆的螺杆驱动器等，以有利于相对于安装板112的垂直致动。在可与本文所述的其他实施例结合的一个实施例中，电机149通过安装架157耦接至外壳升降系统168。
在可与本文所述的其他实施例结合的一个实施例中，外侧壁113、175具有厚度159。通过控制外侧壁113、175的磁导率，外侧壁113、175的材料和厚度159用以将磁场限制在工艺空间126中。如图1E所示，与导线178对齐并耦合到间隔件114外壁162的屏蔽层184的材料和厚度用以将磁场限制在工艺空间126中。将磁场限制在工艺空间126中可减轻磁场对相邻工艺腔室附近工艺空间的影响，从而提高工艺均匀性。在可与本文所述的其他实施例组合的一个实施例中，如图1A与图1C所示，腔室101a、101b包括致动的屏蔽186，致动的屏蔽186可操作以升高和降低，使得所述致动的屏蔽186的主体188的开口190对齐于导线178与磁体143中的一者。在可以与本文描述的其他实施例结合的另一实施例中，如图1E所示，腔室101a、101b包括屏蔽192，屏蔽192的主体194的开口196与导线对齐。致动的屏蔽186及屏蔽192的材料及厚度用以将磁场限制在工艺空间126中。
图2是控制在工艺腔室的工艺空间126中形成的等离子体的密度轮廓301的方法200的流程图。为了便于说明，图2将参考图1A至图1E来进行说明。但应注意，可以与方法200结合使用除了系统100之外的其他工艺系统，并且应注意，可以与方法200结合使用除了旋转磁性外壳系统102以外的磁性外壳组件。
在操作201处，将基板165设置在基板支撑件130的支撑表面134上。在一实施例中，通过穿过腔室主体110形成并设置在基板支撑件130上的狭缝阀138，将所述基板传送到腔室101a、101b中。然后，基板支撑件130被基板支撑驱动系统136升高到工艺空间126中的升高的处理位置。
在操作202处，一种或多种气体以一流速被提供到腔室101a、101b的工艺空间126中。在可与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，流量控制器142将一种或多种气体从一个或多个气体源144输送到扩散器146。一种或多种气体混合，并且经由扩散器146的多个孔或喷嘴而注入到工艺空间126中。在一实施例中，将一种或多种气体连续地提供给扩散器146，在扩散器146中混合，并且注入到工艺空间126中。在另一实施例中，泵150维持工艺容积中的压力。尽管在图1A中将泵150示为与两个腔室101a、101b耦合，但可以想到，每个腔室101a、101b都可以使用分离的泵150。
在操作203处，对一种或多种气体的混合物施加RF功率。在一实施例中，RF源154向基板支撑件130提供RF能量，以有利于在基板支撑件130与气体分配组件122的扩散器146之间产生电容耦合等离子体。RF功率被供应到电极156，并且在扩散器146与基板支撑件130之间产生电场，使得存在于基板支撑件130与扩散器146之间的工艺空间126中的气体原子被电离并且释放电子。经电离的原子被加速到基板支撑件130，以有利于在位于基板支撑件130上的基板165上的膜的沉积或蚀刻。
在操作204处，调整在工艺空间126中形成的等离子体的密度轮廓301。在可以与本文中描述的其他实施例组合的一个实施例中，旋转磁性外壳系统102的旋转磁性外壳104经由外壳驱动系统115以所述转速围绕工艺空间126的中心轴103旋转。可以在操作204期间调节转速、从磁体143中的每一者到中心轴103的水平距离133、或磁体143中的每一者的中心到基板165的垂直距离135中的至少一者。在可以与本文描述的其他实施例结合的一个实施例中，电流能以圆形路径被提供至导线178。可以通过升高和降低旋转磁性外壳104或基板支撑件130中的至少一者，来调节垂直距离135。旋转磁性外壳104产生动态磁场。磁场改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的运动，以控制密度轮廓301、离子密度302、和等离子体的直径。控制密度轮廓301、离子密度302、及等离子体的直径，可调节沉积膜的均匀性和性质。多个磁体143中的每个磁体保持在保持支架中，且在多个磁体143中的每个磁体之间具有间距p。间距p对应于多个磁体143中的每个相邻磁体之间的距离。间距p调节通过旋转旋转磁性外壳104所产生的磁场。调节垂直距离135改变了等离子体鞘到基板的距离，并因此控制离子和自由基的集中度的移动，以控制沉积膜的均匀性和性质(诸如应力)。
在可与本文描述的其他实施例结合的一些实施例中，在产生等离子体之前，将每个磁体143的中心固定在相距基板165的垂直距离135处。在可以与本文描述的其他实施例结合的其他实施例中，垂直距离135在等离子体的产生期间改变。在等离子体的产生期间，垂直距离135可以是静态的或动态的。在可以与本文描述的其他实施例结合的一些实施例中，从每个磁体143到中心轴103的水平距离133在产生等离子体之前是固定的。在可以与本文描述的其他实施例结合的其他实施例中，水平距离133在等离子体的产生期间改变。在等离子体的产生期间，水平距离133可以是静态的或动态的。
在可以与本文描述的其他实施例组合的一些实施例中，在产生等离子体之前，将导线178的中心固定在相距基板165的垂直距离182处。在可以与本文描述的其他实施例组合的其他实施例中，垂直距离182在等离子体的产生期间改变。在等离子体的产生期间，垂直距离182可以是静态的或动态的。可以通过升高和降低电磁外壳172或基板支撑件130中的至少一者，来调节垂直距离182。电磁外壳172产生动态磁场。磁场改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的运动，以控制密度轮廓301、离子密度302、及等离子体的直径。控制密度轮廓301、离子密度302、及等离子体的直径，可调节沉积膜的均匀性和性质。调整垂直距离182可改变等离子体鞘到基板的距离，从而控制离子和自由基的运动，以控制沉积膜的均匀性和性质(诸如应力)。在可以与本文描述的其他实施例结合的一些实施例中，从导线178到中心轴103的水平距离133在产生等离子体之前是固定的。在可以与本文描述的其他实施例结合的其他实施例中，水平距离133在等离子体的产生期间改变。在等离子体的产生期间，水平距离133可以是静态的或动态的。
在可以与本文描述的其他实施例结合的另一实施例中，在操作204，旋转磁性外壳104的第一半部137与第二半部139具有相对的定向磁体143。在可以与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，在操作204，可以调节气隙、横截面积、或每一匝导线178之间的距离中的至少一者。在可以与本文描述的其他实施例结合的另一实施例中，在操作204，将功率源顺序地提供给具有相反或交替极性的两个或更多个电磁体。
在一些实施例中，基板支撑驱动系统136以所述转速使基板支撑件130绕工艺空间126的中心轴103旋转。选择磁体143的强度，以将等离子体轮廓的峰值定位在待处理的基板的表面上方的期望的径向位置。在包括相对定向的磁体143的实施例中，经由磁体143产生的B场是倾斜的。在包括调节气隙、横截面面积、或每一匝导线178之间的距离中的至少一者的实施例中，经由通过导线178的电流流动所产生的B场是偏斜的。在包括依序地向具有相反或交替极性的两个或更多个电磁体提供功率的实施例中，经由通过导线178的电流流动所产生的B场是偏斜的。B场的偏斜使等离子体鞘的峰值移动。然而，在处理期间，磁体143的旋转及通过围绕工艺空间126的圆形路径中的导线178的电流流动，使基板更均匀地暴露于偏斜的等离子体鞘的离子和自由基。在其他实施例中，旋转基板会得到均匀的沉积轮廓。相反地，常规工艺利用等离子体轮廓，其中峰值位于基板上方的中心。即使在基板旋转的情况下，由于在基板的中心相对于基板的径向向外的边缘的离子密度增加，此配置也会导致不均匀的沉积(例如，中心重沉积)。
可以预期，本公开内容的各方面可以与永久磁体、电磁体、或其组合一起使用。另外，可预期以交替极性的配置来设置磁体，或者可以以成群组(诸如围绕大约180度的群组)的方式来设置具有相似定向的极性的磁体，诸如围绕大约180度的群组。
总之，本文描述了磁性和电磁系统以及控制在工艺腔室的工艺空间中形成的等离子体的密度轮廓的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳围绕工艺空间的中心轴旋转以产生静态或动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。
尽管前述内容针对本公开内容的示例，但在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可以设计本公开内容的其他和进一步的示例，并且本公开内容的范围由所附权利要求来确定。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种方法，包括：
将基板设置在基板支撑件上，所述基板支撑件设置在工艺系统的腔室主体中；
向设置在所述基板支撑件中的电极提供RF功率，以在所述腔室主体中产生等离子体；
使所述工艺系统的旋转磁性外壳绕所述腔室主体的外部旋转，使得所述旋转磁性外壳的磁体在围绕所述腔室主体的圆形路径中行进；以及
升高或降低所述旋转磁性外壳以调整垂直距离，所述垂直距离对应于从通过所述磁体中的每一者的中心而形成的平面到所述基板的距离。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述旋转磁性外壳以一转速旋转。
3.如权利要求2所述的方法，其中多个磁体中的每个磁体能移除地保持在所述旋转磁性外壳的相应的保持支架中，在所述多个磁体中的每个磁体之间具有间距。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述磁体中的每一者与所述腔室主体的中心轴相距一水平距离。
5.如权利要求4所述的方法，还包括：调节转速、所述间距、所述垂直距离、或所述水平距离中的至少一者。
6.如权利要求5所述的方法，还包括：升高或降低所述基板支撑件，以改变所述磁体与所述基板相距的所述垂直距离。
7.如权利要求6所述的方法，其中，耦接至所述旋转磁性外壳的外壳升降系统升高和降低所述旋转磁性外壳。
8.如权利要求3所述的方法，其中所述保持支架耦接至轨道，并且所述保持支架经致动以在所述轨道上移动。
9.如权利要求1所述的方法，其中将一种或多种气体提供至所述腔室主体的工艺空间。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述一种或多种气体通过扩散器而提供至所述工艺空间，并且在所述基板支撑件与所述扩散器之间产生电容耦合等离子体。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述旋转磁性外壳的第一半部的所述磁体具有朝向中央开口旋转磁体外壳而定向的正极，并且所述旋转磁性外壳的第二半部的所述磁体具有与所述中央开口相对地定向的负极。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述旋转磁性外壳耦接至驱动系统，所述驱动系统包括：
电机，所述电机耦接至带，所述带围绕所述旋转磁性外壳而设置，所述带具有多个凸耳，每个凸耳对应于所述旋转磁性外壳的外侧壁的多个凹槽中的一个凹槽。
13.一种方法，包括：
将基板设置在工艺系统的腔室主体中的基板支撑件上；以及
向设置在所述基板支撑件中的电极提供RF功率，以在所述腔室主体中产生等离子体；
使所述工艺系统的旋转磁性外壳绕所述腔室主体的外部旋转，使得所述旋转磁性外壳的磁体在围绕所述腔室主体的圆形路径中行进；以及
升高或降低所述旋转磁性外壳并且升高或降低所述基板支撑件以改变垂直距离，所述垂直距离对应从通过所述磁体中的每一者的中心而形成的平面到所述基板的距离。
14.如权利要求13所述的方法，还包括调整下列项中的至少一者：所述旋转磁性外壳的转速，所述多个磁体中的每个磁体之间的间距，所述多个磁体相距所述腔室主体的中心轴的所述垂直距离或水平距离。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述多个磁体中的每个磁体能移除地保持在所述旋转磁性外壳的相应的保持支架中，在所述多个磁体中的每个磁体之间具有所述间距。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述保持支架耦接至轨道，并且所述保持支架经致动以在所述轨道上移动。
17.如权利要求13所述的方法，其中耦接至所述旋转磁性外壳的外壳升降系统升高和降低所述旋转磁性外壳。
18.如权利要求13所述的方法，其中所述旋转磁性外壳的第一半部的所述磁体具有正极，所述正极被定向朝向中央开口旋转磁体外壳，并且所述旋转磁性外壳的第二半部的所述磁体具有负极，所述负极与所述中央开口相反地定向。
19.一种方法，包括：
将基板设置在基板支撑件上，所述基板支撑件设置在工艺系统的腔室主体中；
向设置在所述基板支撑件中的电极提供RF功率，以在所述腔室主体中产生等离子体；
使所述工艺系统的旋转磁性外壳以一转速围绕所述腔室主体的外部旋转，使得所述旋转磁性外壳的多个磁体在围绕所述腔室主体的圆形路径中行进；
升高或降低所述旋转磁性外壳以调整垂直距离，所述垂直距离对应于从通过所述磁体中的每一者的中心而形成的平面到所述基板的距离；以及
调整以下项中的至少一项：
所述转速；
所述多个磁体中的每个磁体之间的间距，所述多个磁体能移除地保持在所述旋转磁性外壳的相应的保持支架中；
垂直距离，所述垂直距离对应于从通过每个磁体的中心形成的平面到所述基板的距离；或者
所述多个磁体与所述腔室主体的中心轴相距的水平距离。
20.如权利要求14所述的方法，其中将一种或多种气体提供至所述腔室主体的工艺空间。

Claims (20)

1.一种方法，包括：
将基板设置在基板支撑件上，所述基板支撑件设置在工艺系统的腔室主体中；
向设置在所述基板支撑件中的电极提供RF功率，以在所述腔室主体中产生等离子体；以及
使所述工艺系统的旋转磁性外壳绕所述腔室主体的外部旋转，使得所述旋转磁性外壳的磁体在围绕所述腔室主体的圆形路径中行进。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述旋转磁性外壳以一转速旋转。
3.如权利要求2所述的方法，其中多个磁体中的每个磁体能移除地保持在所述旋转磁性外壳的相应的保持支架中，在所述多个磁体中的每个磁体之间具有间距。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述磁体中的每一者与所述基板相距一垂直距离，所述垂直距离对应于从通过所述磁铁中的每一者的中心而形成的平面到所述基板的距离。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述磁体中的每一者与所述腔室主体的中心轴相距一水平距离。
6.如权利要求5所述的方法，还包括：调节转速、所述间距、所述垂直距离、或所述水平距离中的至少一者。
7.如权利要求6所述的方法，还包括：升高或降低所述旋转磁性外壳或所述基板支撑件中的至少一者，以改变所述磁体与所述基板相距的所述垂直距离。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述旋转磁性外壳耦接至外壳升降系统，所述外壳升降系统能操作以升高和降低所述旋转磁性外壳。
9.如权利要求3所述的方法，其中所述保持支架耦接至轨道，并且所述保持支架经致动以在所述轨道上移动。
10.如权利要求1所述的方法，其中将一种或多种气体提供至所述腔室主体的工艺空间。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所述一种或多种气体通过扩散器而提供至所述工艺空间，并且在所述基板支撑件与所述扩散器之间产生电容耦合等离子体。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述旋转磁性外壳的第一半部的所述磁体具有朝向中央开口旋转磁体外壳而定向的正极，并且所述旋转磁性外壳的第二半部的所述磁体具有与所述中央开口相对地定向的负极。
13.如权利要求1所述的方法，其中所述旋转磁性外壳耦接至驱动系统，所述驱动系统包括：
电机，所述电机耦接至带，所述带围绕所述旋转磁性外壳而设置，所述带具有多个凸耳，每个凸耳对应于所述旋转磁性外壳的外侧壁的多个凹槽中的一个凹槽。
14.一种方法，包括：
将基板设置在工艺系统的腔室主体中的基板支撑件上；以及
向设置在所述基板支撑件中的电极提供RF功率，以在所述腔室主体中产生等离子体；
使所述工艺系统的旋转磁性外壳绕所述腔室主体的外部旋转，使得所述旋转磁性外壳的磁体在围绕所述腔室主体的圆形路径中行进；以及
升高或降低所述旋转磁性外壳或所述基板支撑件中的至少一者，以改变垂直距离，所述垂直距离对应从通过所述磁体中的每一者的中心而形成的平面到所述基板的距离。
15.如权利要求14所述的方法，还包括调整下列项中的至少一者：所述旋转磁性外壳的转速，所述多个磁体中的每个磁体之间的间距，所述多个磁体相距所述腔室主体的中心轴的所述垂直距离或水平距离。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述多个磁体中的每个磁体能移除地保持在所述旋转磁性外壳的相应的保持支架中，在所述多个磁体中的每个磁体之间具有所述间距。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述保持支架耦接至轨道，并且所述保持支架经致动以在所述轨道上移动。
18.如权利要求14所述的方法，其中所述旋转磁性外壳耦接至所述旋转磁性外壳的外壳升降系统，所述外壳升降系统能操作以升高和降低所述旋转磁性外壳。
19.如权利要求14所述的方法，其中所述旋转磁性外壳的第一半部的所述磁体具有正极，所述正极被定向朝向中央开口旋转磁体外壳，并且所述旋转磁性外壳的第二半部的所述磁体具有负极，所述负极与所述中央开口相反地定向。
20.一种方法，包括：
将基板设置在基板支撑件上，所述基板支撑件设置在工艺系统的腔室主体中；
向设置在所述基板支撑件中的电极提供RF功率，以在所述腔室主体中产生等离子体；
使所述工艺系统的旋转磁性外壳以一转速围绕所述腔室主体的外部旋转，使得所述旋转磁性外壳的多个磁体在围绕所述腔室主体的圆形路径中行进；以及
调整以下项中的至少一项：
所述转速；
所述多个磁体中的每个磁体之间的间距，所述多个磁体能移除地保持在所述旋转磁性外壳的相应的保持支架中；
垂直距离，所述垂直距离对应于从通过每个磁体的中心形成的平面到所述基板的距离；或者
所述多个磁体与所述腔室主体的中心轴相距的水平距离。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7448534B2 (ja) * 2018-11-05 2024-03-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 磁気ハウジングシステム
US20220122866A1 (en) * 2020-10-21 2022-04-21 Applied Materials, Inc. Magnetic holding structures for plasma processing applications

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436230B1 (en) * 1999-11-26 2002-08-20 Tokyo Electron Limited Process device
US20030010454A1 (en) * 2000-03-27 2003-01-16 Bailey Andrew D. Method and apparatus for varying a magnetic field to control a volume of a plasma
US20100024983A1 (en) * 2001-12-05 2010-02-04 Tokyo Electron Limited Plasma etching unit
US20160293389A1 (en) * 2015-04-03 2016-10-06 Tokyo Electron Limited Dipole ring magnet assisted microwave radial line slot antenna plasma processing method and apparatus
US20170253959A1 (en) * 2016-03-05 2017-09-07 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling ion fraction in physical vapor deposition processes

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6006547B2 (ja) 2011-07-06 2016-10-12 ミネベア株式会社 照明装置及びこれに用いるレンズシート
US9991101B2 (en) 2014-07-29 2018-06-05 Applied Materials, Inc. Magnetron assembly for physical vapor deposition chamber

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436230B1 (en) * 1999-11-26 2002-08-20 Tokyo Electron Limited Process device
US20030010454A1 (en) * 2000-03-27 2003-01-16 Bailey Andrew D. Method and apparatus for varying a magnetic field to control a volume of a plasma
US20100024983A1 (en) * 2001-12-05 2010-02-04 Tokyo Electron Limited Plasma etching unit
US20160293389A1 (en) * 2015-04-03 2016-10-06 Tokyo Electron Limited Dipole ring magnet assisted microwave radial line slot antenna plasma processing method and apparatus
US20170253959A1 (en) * 2016-03-05 2017-09-07 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling ion fraction in physical vapor deposition processes
CN108780742A (zh) * 2016-03-05 2018-11-09 应用材料公司 用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备

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