JPH09283498A

JPH09283498A - 減圧処理装置

Info

Publication number: JPH09283498A
Application number: JP11426196A
Authority: JP
Inventors: Kazuki Denpo; 一樹伝宝; Hidetoshi Kimura; 英利木村; Isao Kobayashi; 功小林
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1996-04-10
Filing date: 1996-04-10
Publication date: 1997-10-31
Anticipated expiration: 2016-04-10
Also published as: JP3535309B2

Abstract

(57)【要約】【課題】減圧雰囲気下で被処理基板に対して処理ガス
を供給して処理する場合、被処理基板が大型化したり、
真空度が高くなった場合でも、被処理基板の中心部と周
縁部との圧力差を緩和して、処理の均一性を良好に保
つ。【解決手段】処理容器内に設けられてウエハＷを載置
するサセプタ６に対向する上部電極５１に、処理ガスを
供給する供給口５１ａを形成する。サセプタ６のの下方
周辺部から排気するだけでなく、上部電極５１における
周辺部に、供給口５１ａと混在して別途排気口５１ｂを
形成し、この排気口５１ｂからも排気する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に対し
て、エッチング処理行うエッチング装置をはじめとし
て、その他減圧雰囲気の下で処理を施す際に用いる減圧
処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えばエッチング処理についていうと、
従来から例えば半導体製造プロセスにおいては、半導体
ウエハ（以下、「ウエハ」という）などの表面の絶縁膜
をエッチングするための装置としてエッチング装置が使
用されているが、その中でもとりわけ処理容器内の上下
に電極を配置したいわゆる平行平板型のエッチング装置
は、比較的大口径のウエハの処理に適していることから
数多く使用されている。

【０００３】この平行平板型のエッチング装置は、例え
ば処理容器内の下部にウエハを載置する下部電極を兼ね
た載置台を具備し、処理容器内の上部には前記載置台と
対向して上部電極を兼ねたガス拡散板とを備えており、
この載置台の下方周辺部から例えばターボ分子ポンプ等
の真空引き手段によって排気して、処理容器内を所定の
減圧雰囲気にすることが可能なように構成されている。
そしてエッチング処理を行う際には、前記ガス拡散板か
ら所定のエッチング反応ガスを載置台上のウエハに供給
しつつ、少なくともいずれかの電極に高周波電力を印加
して、処理容器内にプラズマを発生させ、その際に生ず
る例えばエッチャントイオンによって、ウエハ表面をエ
ッチングするようにしていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで今日では、半
導体デバイスの高集積化が一段と進み、そのためエッチ
ングをはじめとする各種処理も一段と高微細化が要求さ
れ、他方被処理基板であるウエハも大口径化されつつあ
る。このような点に鑑み、エッチング装置自体もより真
空度が高い（より真空に近い）減圧雰囲気で処理を行う
ことが要求されている。

【０００５】ところが従来のように載置台の下方周辺部
のみから排気したのでは、いかに能力の大きい真空引き
手段を用いたとしても、例えば１０ｍＴｏｒｒという減
圧度まで真空引きし、それを維持するのはなかなか困難
であった。しかもたとえかかるレベルの減圧度を達成し
たとしても、ガスコンダクタンスが原因で、ウエハの中
心部と周縁部との圧力の差が大きくなってしまい、中心
部と周縁部とではこの圧力差が原因で処理が均一に行え
ないおそれがある。この傾向は、上下電極間のギャップ
が１０mm〜２０mm程度のいわゆるナロウギャップ型の装
置のように、上下電極間のギャップが狭くなったり、被
処理基板であるウエハが大口径化するに伴ってより顕著
になる。

【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、処理容器内の圧力を、例えば１０ｍＴｏｒｒ程度
もの高い真空度することが容易で、しかもこのような減
圧雰囲気でかつ前記したように上下電極間のギャップが
狭く、またウエハが１２インチと大きいサイズのもので
あっても、被処理基板の中心部と周縁部との圧力差を緩
和できる減圧処理装置を提供して、前記問題の解決を図
ることをその目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１によれば、処理容器内に設けられた載置台
の下方周辺部から排気可能であり、かつ処理容器内の上
部に前記載置台と対向して設けた処理ガス供給部から、
前記載置台上の被処理基板に向けて処理ガスを供給し、
所定の減圧雰囲気の下で前記被処理基板に対して処理を
施す装置において、被処理基板上の圧力を制御する排気
部を、前記処理ガス供給部の周辺部に設けたことを特徴
とする、減圧処理装置が提供される。

【０００８】このような構成の減圧処理装置において、
請求項２に記載したように、前記排気部は排気口とし、
また処理ガス供給部は供給口を多数有するガス拡散板と
して、前記排気口を当該ガス拡散板における周辺部にお
いて、前記供給口と混在させるようにしてもよい。

【０００９】さらに前記各減圧処理装置において、請求
項３に記載したように、排気部からの排気量の方を、載
置台の下方周辺部から排気する量よりも多くするように
構成してもよい。

【００１０】発明者らの知見によれば、載置台（即ち被
処理基板）に対向している処理容器内上部の処理ガス供
給部から被処理基板に向けて供給される処理ガスは、載
置台の下方周辺部から排気されているため、供給部（又
はガス拡散板）の中心部から周縁部にいくにつれてガス
通過流量が多くなる。そのため周縁部ほどガスコンダク
タンスが小さく、その結果、被処理基板の中心部と周縁
部とでは、圧力差が生じる。また前記小さいガスコンダ
クタンスにより、従来の技術では全体しても所定の高い
真空度まで減圧することができなかった。

【００１１】この点本発明によれば、前記処理ガス供給
部の周辺部に被処理基板上の圧力を制御する排気部を設
けたので、この排気部からも排気して減圧することがで
きる。したがって、被処理基板周縁部近傍のガスコンダ
クタンスを増大することができ、結果として、被処理基
板の中心部と周縁部との圧力差を緩和する事が可能にな
る。また全体としても従来より高い真空度を実現するこ
とが容易である。

【００１２】この場合、処理の均一性を保つために処理
ガス自体は、被処理基板に対して均一に供給する方が好
ましい。したがって、処理ガス供給部の周辺部に、排気
を行う排気部のみを設けるよりは、請求項２に記載した
ように、排気部の排気口と処理ガスの供給口とが混在し
た構成とした方が、処理の均一性は良好である。

【００１３】また処理容器内を排気して減圧する場合、
請求項３に記載したように、処理ガス供給部に設けた排
気部からの排気量の方を、載置台下方周辺部からの排気
量よりも多くした方が、ガスコンダクタンスの関係上、
より高い真空度の実現が容易であり、また中心部と周縁
部との圧力差の緩和度合いが大きい。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明をプラズマ雰囲気の
下で、被処理基板であるウエハＷに対してドライエッチ
ングを行うエッチング装置に適用した実施の形態を、添
付図面に基づき説明する。図１は本実施の形態にかかる
エッチング装置１の断面を示しており、このエッチング
装置１における処理室２は、気密に閉塞自在な酸化アル
マイト処理されたアルミニウムなどからなる円筒形状の
処理容器３内に形成されている。またこの処理容器３自
体は、例えば接地線４を介して接地されている。前記処
理室２内の底部にはセラミックなどの絶縁支持板５が設
けられており、この絶縁支持板５の上部に、被処理基板
となる直径１２インチのウエハＷを載置する載置台を兼
ねた下部電極を構成する略円柱状のサセプタ６が、上下
動自在に収容されている。

【００１５】前記サセプタ６は、前記絶縁支持板５及び
処理容器３の底部を遊貫する昇降軸７によって支持され
ており、この昇降軸７は、処理容器３外部に設置されて
いる駆動モータ８によって上下動自在となっている。従
ってこの駆動モータ８の作動により、前記サセプタ６
は、図１中の往復矢印に示したように、上下動自在とな
っている。なお処理室２の気密性を確保するため、前記
サセプタ６と絶縁支持板５との間には、前記昇降軸７の
外方を囲むように伸縮自在な気密部材、例えばベローズ
９が設けられている。

【００１６】前記サセプタ６は、表面が酸化処理された
アルミニウムからなり、その内部には、温度調節手段、
例えばセラミックヒータなどの加熱手段（図示せず）
や、外部の冷媒源（図示せず）との間で冷媒を循環させ
るための冷媒循環路（図示せず）が設けられており、サ
セプタ６上のウエハＷを所定温度に維持することが可能
なように構成されている。またかかる温度は、温度セン
サ（図示せず）、温度制御機構（図示せず）によって自
動的に制御される構成となっている。

【００１７】また前記サセプタ６上には、ウエハＷを吸
着保持するための静電チャック１１が設けられている。
この静電チャック１１は、図２に示したように、導電性
の薄膜１２をポリイミド系の樹脂１３によって上下から
挟持した構成を有し、処理容器３の外部に設置されてい
る高圧直流電源１４からの電圧が前記薄膜１２に印加さ
れると、その際に生ずるクーロン力によってウエハＷ
は、静電チャック１１の上面に吸着保持されるようにな
っている。もちろんそのような静電チャック１１によら
ず、機械式クランプによってウエハＷの周縁部を押圧す
るようにして、サセプタ６上にウエハＷを保持する構成
としてもよい。またウエハＷを静電チャック１１上に突
き上げるためのリフターピン１５が、上下動自在にサセ
プタ６内に適宜数設けられている。

【００１８】前記サセプタ６上の周辺には、静電チャッ
ク１１を囲むようにして、平面が略環状の内側フォーカ
スリング２１が設けられている。この内側フォーカスリ
ング２１は導電性を有する単結晶シリコンからなってい
る。この内側フォーカスリング２１は、プラズマ中のイ
オンを効果的にウエハＷに入射させる機能を有してい
る。

【００１９】前記内側フォーカスリング２１の外周に
は、さらに平面が略環状の外側フォーカスリング２２が
設けられている。この外側フォーカスリング２２は絶縁
性を有する石英からなり、またその外周上縁部は、外側
に凸の湾曲形状に成形され、ガスが澱まず円滑に排出さ
れるようになっている。この外側フォーカスリング２２
は、サセプタ６と後述の上部電極５１との間に発生した
プラズマの拡散を抑制する機能を有している。

【００２０】前出サセプタ６の周囲には、図２に示した
ように、絶縁性の材質からなるバッフル板２３が配さ
れ、さらにこのバッフル板２３の内周部は、石英の支持
体等を介しボルト等の手段によってサセプタ６に固定さ
れている。従って、サセプタ６の上下動に伴ってこのバ
ッフル板２３も上下動する構成となっている。このバッ
フル板２３には多数の透孔２３ａが形成されており、ガ
スを均一に排気する機能を有している。

【００２１】前出処理室２の上部には、アルミナからな
る絶縁支持材３１ａ、アルミニウムからなる第１の冷却
プレート３２、第２の冷却プレート３３を介して、エッ
チングガスやその他の処理ガス等を処理室２内に導入す
るための拡散部材３４が設けられている。なお上側に配
置される前記第１の冷却プレート３２内の上部には冷媒
循環路（図示せず）が形成されており、外部から供給さ
れる冷媒をこの冷媒循環路に循環させることによって、
第２の冷却プレート３３を通じて後述の上部電極５１を
所定温度にまで冷却する機能を有している。なお絶縁支
持材３１ａの外周には、フッ素系の合成樹脂からなる絶
縁リング３１ｂが設けられている。

【００２２】前記拡散部材３４は、図２にも示したよう
に、多数の拡散孔３５ａを有するバッフル板３５を下面
側に持った中空構造を有しており、内部にバッフル空間
Ｓを形成している。この拡散部材３４の中央にはガス導
入口３６が設けられ、さらにバルブ３７、ガス導入管３
８、バルブ３９、流量調節のためのマスフローコントロ
ーラ４０を介して、処理ガス供給源４１からのエッチン
グガス、例えばＣＦ₄ガスが、前記導入口３６を通じ
て、拡散部材３４における前記バッフル空間Ｓ内に導入
されるようになっている。また第２の冷却プレート３３
にも、バッフル板３５の拡散孔３５ａに接続される吐出
口３３ａが多数形成されている。

【００２３】前記第２の冷却プレート３３の下面には、
サセプタ６と対向するようにして上部電極５１が固定さ
れている。この上部電極５１は、例えば導電性を有する
単結晶シリコンからなっており、ボルト（図示せず）に
よって第２の冷却プレート３３の下面周辺部にて固着さ
れ、第２の冷却プレート３３とは電気的に導通してい
る。そしてこの上部電極５１にも、多数の供給口５１ａ
が形成されており、これら各供給口５１ａは第２の冷却
プレート３３の吐出口３３ａと気密に接続されている。
従って、バッフル空間Ｓ内に導入されたガスは、拡散孔
３５ａ、吐出口３３ａ及び供給口５１ａを通じて、サセ
プタ６上のウエハＷに対して吐出されるようになってい
る。

【００２４】前記供給口５１ａは、図３に示したよう
に、上部電極５１に放射状に形成されており、この上部
電極５１は、いわばシャワーヘッド形式のガス拡散板を
構成している。したがって、前記バッフル空間Ｓ内に導
入されたガスは、これらガス供給口５１ａを通じてサセ
プタ６上のウエハＷに対して均一に供給することが可能
である。

【００２５】上部電極５１における周辺部には、前記供
給口５１ａよりも径の大きい排気口５１ｂが環状に形成
されている。この供給口５１ｂは、図３に示したよう
に、最外周の供給口５１ａの内側と外側に夫々環状に形
成されると共に、最外周においては、供給口５１ａより
も設置間隔が密になっている。上部電極５１の上面で接
している第２の冷却プレート３３、及びこの第２の冷却
プレート３３の上面に設けられている第１の冷却プレー
ト３２内には、前記バッフル空間Ｓとは隔離され、これ
ら排気口５１ｂと通ずる排気路５２が形成されており、
さらにこの排気路５２は、排気管５３を通じて、ターボ
分子ポンプなどの真空引き手段５４に通じている。した
がって、真空引き手段５４の作動により、上部電極５１
の周辺部、即ちウエハＷの周縁部近傍から排気して減圧
することができる。

【００２６】また処理容器３の下部には、ターボ分子ポ
ンプなどの真空引き手段５５に通ずる排気管５６が接続
されており、この真空引き手段５５の作動により、サセ
プタ６の周囲に配置された前出バッフル板２３を介し
て、処理容器３内を、サセプタ６の下方周辺部から排気
して減圧することができる。なお前記真空引き手段と５
４とこの真空引き手段５５とは、例えば適宜のコントロ
ーラ（図示せず）によって、各々独立して排気量調整す
ることが可能である。したがって、上部電極５１の周辺
部からの排気量を、サセプタ６の下方周辺部からの排気
量よりも多く排気することが可能である。なおこれら真
空引き手段５４、５５を同一の真空引き手段で構成した
場合には、各排気経路、即ち排気管５３、５６に可変バ
ルブを設け、このバルブ調整で各排気量の調整を行って
もよい。

【００２７】次にこのエッチング装置１の高周波電力の
供給系について説明すると、まず下部電極となるサセプ
タ６に対しては、周波数が数百ｋＨｚ程度、例えば８０
０ｋＨｚの高周波電力を出力する高周波電源６１からの
電力が、整合器６２を介して供給される構成となってい
る。一方上部電極５１に対しては、整合器６３を介し
て、周波数が前記高周波電源６１よりも高い１ＭＨｚ以
上の周波数、例えば２７．１２ＭＨｚの高周波電力を出
力する高周波電源６４からの電力が、第１の冷却プレー
ト３２、第２の冷却プレート３３を介して供給される構
成となっている。

【００２８】なお前記した構成のエッチング装置１の処
理容器３の側部には、図１に示したように、ゲートバル
ブ７１を介してロードロック室７２が隣接している。こ
のロードロック室７２内には、被処理基板であるウエハ
Ｗを処理容器３内の処理室２との間で搬送するための、
搬送アームなどの搬送手段７３が設けられている。

【００２９】本実施の形態にかかるエッチング装置１の
主要部及びその周辺は以上のように構成されており、例
えばシリコンのウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ₂）に対して
エッチング処理する場合のプロセス等について説明する
と、まずゲートバルブ７１が開放された後、搬送手段７
３によってウエハＷが処理室２内に搬入される。このと
き駆動モータ８の作動により、サセプタ６は下降すると
共にリフターピン１５が上昇してウエハＷの受け取り待
機状態にある。そして搬送手段７３によってウエハＷが
リフターピン１５上に載置された後、搬送手段７３は待
避してゲートバルブ７１は閉鎖され。また駆動モータ８
の作動によってサセプタ６は所定の処理位置まで上昇す
ると共に、リフターピン１５が下降してウエハＷを静電
チャック１１上の所定位置に載置させる。

【００３０】次いで処理室２内が、真空引き手段５４に
よってウエハＷの周縁部近傍から減圧されると共に、真
空引き手段５５によって、サセプタ６の下方周辺部から
減圧されていき、所定の減圧度になった後、処理ガス供
給源４１から、所定の処理ガスとなるエッチングガス
（例えばＣＦ₄ガス）がウエハＷ上に供給され、処理室
２の圧力が、例えば１０ｍＴｏｒｒに設定、維持され
る。

【００３１】そして上部電極５１に対して高周波電源６
４から周波数が２７．１２ＭＨｚの高周波電力が供給さ
れると共に、サセプタ６に対して高周波電源６１から周
波数が８００ｋＨｚの高周波電力が供給される。そうす
ると、処理室２内にプラズマが生成され、発生したプラ
ズマによって処理室２内に供給された前記エッチングガ
スが解離し、その際に生ずるエッチャントイオンが、サ
セプタ６側に印加されたバイアス電圧によってその入射
速度がコントロールされつつ、ウエハＷ表面のシリコン
酸化膜（ＳｉＯ₂）をエッチングしていく。

【００３２】ところでこのようなプラズマを発生させて
エッチング処理を行う際には、ウエハＷに対して均一に
エッチングする必要があり、そのためプラズマ密度を均
一にしたり、ウエハ面内の温度分布を均一にすることが
重要である。またウエハＷ上に供給されるガスの量、即
ちガス分子の数を均一にするために、ウエハＷ上の圧力
をできるだけ均一にすることが重要である。

【００３３】この点、本実施形態にかかるエッチング装
置１によれば、サセプタ６の下方周辺部から排気して減
圧するだけでなく、真空引き手段５４によって上部電極
５１における周辺部からも排気して減圧しているので、
ウエハＷ上のガスコンダクタンスを改善して、ウエハＷ
上における中心部と周縁部との圧力差を従来よりも緩和
している。したがって、供給口５１ａからウエハＷに対
して均一に供給されるエッチングガスは、均一性が向上
した圧力の下で解離し、その結果このウエハＷに対する
エッチング処理の均一性は良好である。

【００３４】また上部電極５１とウエハＷとのギャップ
が、例えば１０mm程度のいわゆるナロウギャップの場合
や、被処理基板であるウエハＷのサイズが大きい場合に
は、特に従来ウエハＷの中心部と周縁部との圧力差が大
きくなっていたが、本実施形態にかかるエッチング装置
１によれば、前記したように、中心部と周縁部との圧力
差を緩和させることができるので、ナロウギャップ型の
装置であっても、均一な処理が行える。

【００３５】しかも本実施形態にかかるエッチング装置
１によれば、被処理基板であるウエハＷのサイズが拡大
して、処理室２の容積が大きくなっても、サセプタ６の
下方周辺部からの排気だけでなく、上部電極５１におけ
る周辺部からも排気して減圧しているので、１２インチ
ウエハＷを処理する装置であっても、１０ｍＴｏｒｒと
いう高い真空度を容易に実現できる。

【００３６】また前記実施形態にかかるエッチング装置
１における上部電極５１には、その周辺部において供給
口５１ａと排気口５１ｂが混在した構成であるから、処
理ガス供給の均一性を阻害させることはない。したがっ
て処理の均一性がさらに向上している。

【００３７】もちろん供給口５１ａと排気口５１ｂとの
位置関係は、図３に示したものに限らず、例えば図４〜
図６に示した種々のパターンのものが採用できる。なお
説明の都合上、図４〜図６に示した例における供給口５
１ａの形成パターンは、全て同一である。

【００３８】図４に示した上部電極８１においては、供
給口５１ａと排気口５１ｂとの周辺部における混在パタ
ーンを変更した例を示しており、上部電極８１における
周辺部で所定角度の円弧部分に対応して、供給口５１ａ
と排気口５１ｂのゾーンを形成するように、供給口５１
ａと排気口５１ｂとが形成されている。

【００３９】図５に示した上部電極８２においては、放
射状に形成した供給口５１ａにおける最外周に環状に形
成されている供給口５１ａと供給口５１ａとの各相互間
に、環状に排気口５１ｂを形成した例を示している。

【００４０】これら図４、図５に示した例においても、
供給口５１ａと供排気口５１ｂとは、ガス拡散板を兼ね
た上部電極における周辺部で両者が混在した構成を有し
ている。したがって、前記実施形態にかかるエッチング
装置１における上部電極５１と同等の処理の均一性が得
られる。

【００４１】また図３〜図５に示したように、ガス拡散
板を兼ねた上部電極における周辺部で、給口５１ａと排
気口５１ｂとが混在した形態でなくとも、図６に示した
ように、最外周に位置する供給口５１ａの外周に、環状
に排気口５１ｂを形成してもよい。かかる例でも、ウエ
ハＷの中心部と周縁部近傍との圧力差を緩和させること
が可能である。

【００４２】前記した実施の形態は、ウエハ表面をエッ
チングするエッチング装置として具現化されたものであ
ったが、これに限らず、本発明は減圧雰囲気下で所定の
処理を行う他の処理装置に対しても適用することができ
る。例えば、アッシング装置、成膜装置、スパッタリン
グ装置としても具体化できる。また被処理基板も、ウエ
ハに限らず、ＬＣＤ基板であってもよい。そして本発明
は、既述したように、極めて高い真空度の下で、比較的
大きい被処理基板に対して処理ガスを導入して処理を行
う装置に対して特に有効である。

【００４３】

【発明の効果】請求項１〜３の発明によれば、被処理基
板周縁部近傍のガスコンダクタンスを改善して、プロセ
ス時における被処理基板の中心部と周縁部との圧力差を
緩和することができる。したがって処理の均一性が向上
する。また従来よりも高い真空度を実現することが容易
である。特に請求項２の場合、処理ガス供給部の周辺部
においては、排気部の排気口と処理ガスの供給口とが混
在した構成としているので、処理の均一性はさらに良好
である。そして請求項３によれば、より高い真空度の実
現が容易であって、また中心部と周縁部との圧力差の緩
和度合いが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかるエッチング装置の
断面説明図である。

【図２】図１のエッチング装置における上部電極付近の
要部拡大説明図である。

【図３】図１のエッチング装置に用いた上部電極の底面
図である。

【図４】図１のエッチング装置に使用できる他の上部電
極の底面図である。

【図５】図１のエッチング装置に使用できる他の上部電
極の底面図である。

【図６】図１のエッチング装置に使用できる他の上部電
極の底面図である。

【符号の説明】

１エッチング装置２処理室３処理容器６サセプタ１１静電チャック４１処理ガス供給源５１上部電極５１ａ供給口５１ｂ排気口５２排気路５３、５６排気管５４、５５真空引き手段６１、６４高周波電源Ｗウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ２３Ｆ 4/00 Ｃ２３Ｆ 4/00 ＡＣ３０Ｂ 33/12 Ｃ３０Ｂ 33/12 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 // Ｈ０１Ｌ 21/203 21/203 Ｓ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理容器内に設けられた載置台の下方周
辺部から排気可能であり、かつ処理容器内の上部に前記
載置台と対向して設けた処理ガス供給部から、前記載置
台上の被処理基板に向けて処理ガスを供給し、所定の減
圧雰囲気の下で前記被処理基板に対して処理を施す装置
において、被処理基板上の圧力を制御する排気部を、前
記処理ガス供給部の周辺部に設けたことを特徴とする、
減圧処理装置。
【請求項２】前記排気部は排気口であり、前記処理ガ
ス供給部は供給口を多数有するガス拡散板であって、前
記排気口が当該ガス拡散板における周辺部において、前
記供給口と混在していることを特徴とする、請求項１に
記載の減圧処理装置。
【請求項３】排気部からの排気量の方が載置台の下方
周辺部から排気する量よりも多いことを特徴とする、請
求項１又は２に記載の減圧処理装置。