JP2002222798A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の表裏にかかる電位差を小さくする。
【解決手段】 プラズマが励起したときにイオンシース
に発生する直流電圧を、基板Ｗが置かれる第１の電極３
１に導く導通手段４５を有する。これにより、直流電圧
が基板Ｗの表面及び裏面のいずれにも印加されることに
なるので、基板の両面が同電位となる。したがって、基
板Ｗの両面に大きな電位差が発生することによって起こ
る素子の破壊を防止できる。
に発生する直流電圧を、基板Ｗが置かれる第１の電極３
１に導く導通手段４５を有する。これにより、直流電圧
が基板Ｗの表面及び裏面のいずれにも印加されることに
なるので、基板の両面が同電位となる。したがって、基
板Ｗの両面に大きな電位差が発生することによって起こ
る素子の破壊を防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを生成し
て所定の処理を行うプラズマ処理装置に関する。
て所定の処理を行うプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置やフラットパネルディスプレ
イの製造において、酸化膜の形成や半導体層の結晶成
長、エッチング、またアッシング等の処理を行うため
に、プラズマ処理装置が多用されている。このプラズマ
処理装置の１つに、平行平板型と呼ばれるものがある。
以下、従来の平行平板型プラズマ処理装置について、こ
れをエッチング装置に適用した場合を例にして説明す
る。
イの製造において、酸化膜の形成や半導体層の結晶成
長、エッチング、またアッシング等の処理を行うため
に、プラズマ処理装置が多用されている。このプラズマ
処理装置の１つに、平行平板型と呼ばれるものがある。
以下、従来の平行平板型プラズマ処理装置について、こ
れをエッチング装置に適用した場合を例にして説明す
る。
【０００３】図１０は、かかるエッチング装置の一構成
例を示す図である。図１０（ａ）に示すように、このエ
ッチング装置では、気密に閉塞自在な処理容器１１１の
内部が処理室１１２となっている。処理容器１１１の底
部には、処理室１１２内を所定の真空度に排気するため
の排気口１１３が設けられ、処理容器１１１の側壁に
は、処理室１１２内にプロセスガスを供給するためのガ
ス供給ノズル１１４が設けられている。処理室１１２内
には、一対の平行平板電極を構成する上部電極１２１と
サセプター１３１とが配置されている。上部電極１２１
には、プラズマを生成するための電力を供給する高周波
電源１２４が、給電棒１２２を介して接続されている。
なお、給電棒１２２にはマッチャー１２３が介装されて
いる。
例を示す図である。図１０（ａ）に示すように、このエ
ッチング装置では、気密に閉塞自在な処理容器１１１の
内部が処理室１１２となっている。処理容器１１１の底
部には、処理室１１２内を所定の真空度に排気するため
の排気口１１３が設けられ、処理容器１１１の側壁に
は、処理室１１２内にプロセスガスを供給するためのガ
ス供給ノズル１１４が設けられている。処理室１１２内
には、一対の平行平板電極を構成する上部電極１２１と
サセプター１３１とが配置されている。上部電極１２１
には、プラズマを生成するための電力を供給する高周波
電源１２４が、給電棒１２２を介して接続されている。
なお、給電棒１２２にはマッチャー１２３が介装されて
いる。
【０００４】一方、サセプター１３１には、サセプター
１３１と上部電極１２１との間にバイアスを印加するた
めの電力を供給する高周波電源１３４が、給電棒１３２
を介して接続されている。なお、給電棒１３２にはマッ
チャー１３３が介装されている。また、サセプター１３
１の載置面には静電チャック１４１が設けられている。
図１０（ｂ）に示すように、静電チャック１４１は、２
枚の絶縁フィルム１４１Ａ，１４１Ｂ間に導電膜１４１
Ｃを挟み込んだ構成をしている。静電チャック１４１の
導電膜１４１Ｃは、処理容器１１１の外部に設けられた
可変直流高圧電源１４２に接続されている。さらに、サ
セプター１３１の載置面の周縁部には、静電チャック１
４１を囲むように、環状のフォーカスリング１４３が設
けられている。
１３１と上部電極１２１との間にバイアスを印加するた
めの電力を供給する高周波電源１３４が、給電棒１３２
を介して接続されている。なお、給電棒１３２にはマッ
チャー１３３が介装されている。また、サセプター１３
１の載置面には静電チャック１４１が設けられている。
図１０（ｂ）に示すように、静電チャック１４１は、２
枚の絶縁フィルム１４１Ａ，１４１Ｂ間に導電膜１４１
Ｃを挟み込んだ構成をしている。静電チャック１４１の
導電膜１４１Ｃは、処理容器１１１の外部に設けられた
可変直流高圧電源１４２に接続されている。さらに、サ
セプター１３１の載置面の周縁部には、静電チャック１
４１を囲むように、環状のフォーカスリング１４３が設
けられている。
【０００５】図１１は、プラズマバルクＰからバイアス
用の電源１３４に至る立体回路の回路図である。この図
において、Ｃ1 はプラズマバルクＰの周囲のイオンシー
スＳＨにできる容量、Ｃ2 はウェーハＷ上に形成された
ゲート酸化膜にできる容量、Ｃ3 はウェーハＷと静電チ
ャック１４１との隙間にできる容量、Ｃ4 ，Ｃ5 は静電
チャック１４１の絶縁フィルム１４１Ａ，１４１Ｂにで
きる容量を示している。また、ＲはウェーハＷの抵抗、
Ｗ′はウェーハＷ上に形成された素子又は配線を示して
いる。また、図１２は、図１１に示した立体回路の各部
における電圧変化を示す図である。ここで、図１２
（ａ）はマッチャー１３３の高周波電源１３４側（図１
１のａ点）の電圧変化、図１２（ｂ）はマッチャー１３
３のサセプター１３１側（図１１のｂ点）の電圧変化、
図１２（ｃ）はウェーハＷの表面であるエッチング面
（図１１のｃ点）の電圧変化をそれぞれ示している。
用の電源１３４に至る立体回路の回路図である。この図
において、Ｃ1 はプラズマバルクＰの周囲のイオンシー
スＳＨにできる容量、Ｃ2 はウェーハＷ上に形成された
ゲート酸化膜にできる容量、Ｃ3 はウェーハＷと静電チ
ャック１４１との隙間にできる容量、Ｃ4 ，Ｃ5 は静電
チャック１４１の絶縁フィルム１４１Ａ，１４１Ｂにで
きる容量を示している。また、ＲはウェーハＷの抵抗、
Ｗ′はウェーハＷ上に形成された素子又は配線を示して
いる。また、図１２は、図１１に示した立体回路の各部
における電圧変化を示す図である。ここで、図１２
（ａ）はマッチャー１３３の高周波電源１３４側（図１
１のａ点）の電圧変化、図１２（ｂ）はマッチャー１３
３のサセプター１３１側（図１１のｂ点）の電圧変化、
図１２（ｃ）はウェーハＷの表面であるエッチング面
（図１１のｃ点）の電圧変化をそれぞれ示している。
【０００６】プラズマが生成されると、プラズマ内の電
子とイオンの移動度の違いにより、イオンシースＳＨの
表面に負の直流電圧Ｖdcが発生する。この直流電圧Ｖdc
の値は、プロセス条件によっても異なるが、例えば−７
００Ｖ程度となることがある。この場合、バイアス用の
電源１３４から例えば図１２（ａ）に示すように振幅７
５０Ｖの交流電圧が出力されると、ウェーハＷのエッチ
ング面（ｃ点）の電圧は図１２（ｃ）に示すように、上
記交流電圧に直流電圧Ｖdcが重畳した電圧となる。しか
し、マッチャー１３３のサセプター１３１側（ｂ点）の
電圧は、図１２（ｂ）に示すように電源１３４側とほぼ
同じであり、マッチャー１３３の両端間には直流電圧が
ほとんどかかっていないことが分かる。したがって、直
流電圧Ｖdcのほどんどは、ウェーハＷから静電チャック
１４１にかかっていると言える。ここで、ウェーハＷの
容量Ｃ2 は静電チャック１４１の容量Ｃ4 ，Ｃ5 と比較
して十分小さいので、ウェーハＷの表裏には相当大きな
電圧がかかっていると言える。
子とイオンの移動度の違いにより、イオンシースＳＨの
表面に負の直流電圧Ｖdcが発生する。この直流電圧Ｖdc
の値は、プロセス条件によっても異なるが、例えば−７
００Ｖ程度となることがある。この場合、バイアス用の
電源１３４から例えば図１２（ａ）に示すように振幅７
５０Ｖの交流電圧が出力されると、ウェーハＷのエッチ
ング面（ｃ点）の電圧は図１２（ｃ）に示すように、上
記交流電圧に直流電圧Ｖdcが重畳した電圧となる。しか
し、マッチャー１３３のサセプター１３１側（ｂ点）の
電圧は、図１２（ｂ）に示すように電源１３４側とほぼ
同じであり、マッチャー１３３の両端間には直流電圧が
ほとんどかかっていないことが分かる。したがって、直
流電圧Ｖdcのほどんどは、ウェーハＷから静電チャック
１４１にかかっていると言える。ここで、ウェーハＷの
容量Ｃ2 は静電チャック１４１の容量Ｃ4 ，Ｃ5 と比較
して十分小さいので、ウェーハＷの表裏には相当大きな
電圧がかかっていると言える。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、ウェーハ
Ｗの表裏に大きな電位差が発生すると、ウェーハＷ上に
形成されたゲート酸化膜等がダメージを受け、素子が破
壊される原因となる。この問題はプラズマ処理装置をエ
ッチング装置に適用した場合に限らず、プラズマ処理装
置に共通の問題である。本発明はこのような課題を解決
するためになされたものであり、その目的は、ウェーハ
Ｗ等の基板の表裏にかかる電位差を小さくすることにあ
る。
Ｗの表裏に大きな電位差が発生すると、ウェーハＷ上に
形成されたゲート酸化膜等がダメージを受け、素子が破
壊される原因となる。この問題はプラズマ処理装置をエ
ッチング装置に適用した場合に限らず、プラズマ処理装
置に共通の問題である。本発明はこのような課題を解決
するためになされたものであり、その目的は、ウェーハ
Ｗ等の基板の表裏にかかる電位差を小さくすることにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のプラズマ処理装置は、所定の真空度
を維持する容器と、この容器内にプラズマを生成するた
めのプラズマ源と、容器内に配置されプラズマによる処
理がなされる基板が置かれる第１の電極と、この第１の
電極における基板が置かれる載置面の周縁部に配置され
たフォーカスリングと、プラズマが生成されたときにイ
オンシースに発生する直流電圧を第１の電極に導く導通
手段とを備えたことを特徴とする。プラズマが生成され
たときに発生する直流電圧を第１の電極に導くことによ
り、その直流電圧が基板の表面及び裏面のいずれにも印
加されることになるので、基板の両面が同電位となる。
ここで、プラズマ源を、第１の電極と、容器内で第１の
電極に対向配置された第２の電極のうち、プラズマを生
成する第１の電力が供給される電極で構成してもよい。
この場合、いわゆる平行平板型のプラズマ処理装置とな
る。
るために、本発明のプラズマ処理装置は、所定の真空度
を維持する容器と、この容器内にプラズマを生成するた
めのプラズマ源と、容器内に配置されプラズマによる処
理がなされる基板が置かれる第１の電極と、この第１の
電極における基板が置かれる載置面の周縁部に配置され
たフォーカスリングと、プラズマが生成されたときにイ
オンシースに発生する直流電圧を第１の電極に導く導通
手段とを備えたことを特徴とする。プラズマが生成され
たときに発生する直流電圧を第１の電極に導くことによ
り、その直流電圧が基板の表面及び裏面のいずれにも印
加されることになるので、基板の両面が同電位となる。
ここで、プラズマ源を、第１の電極と、容器内で第１の
電極に対向配置された第２の電極のうち、プラズマを生
成する第１の電力が供給される電極で構成してもよい。
この場合、いわゆる平行平板型のプラズマ処理装置とな
る。
【０００９】また、導通手段は、プラズマが生成された
ときにプラズマが存在する空間に一端が露出すると共に
他端が第１の電極に電気的に接続された導電性を有する
部材により構成してもよい。この場合、フォーカスリン
グに、前記プラズマが存在する空間と第１の電極とを連
通する貫通孔を形成し、この貫通孔に導電性を有する部
材を挿入するようにしてもよい。また、第１の電極の側
面に延在する絶縁材料で形成されたインシュレータを更
に備え、このインシュレーターに、前記プラズマが存在
する空間と第１の電極とを連通する貫通孔を形成し、こ
の貫通孔に導電性を有する部材を挿入するようにしても
よい。また、導電性を有する部材の一端は、基板の材料
を主成分とする材料で形成されてもよい。これにより、
容器内の汚染を抑制できる。
ときにプラズマが存在する空間に一端が露出すると共に
他端が第１の電極に電気的に接続された導電性を有する
部材により構成してもよい。この場合、フォーカスリン
グに、前記プラズマが存在する空間と第１の電極とを連
通する貫通孔を形成し、この貫通孔に導電性を有する部
材を挿入するようにしてもよい。また、第１の電極の側
面に延在する絶縁材料で形成されたインシュレータを更
に備え、このインシュレーターに、前記プラズマが存在
する空間と第１の電極とを連通する貫通孔を形成し、こ
の貫通孔に導電性を有する部材を挿入するようにしても
よい。また、導電性を有する部材の一端は、基板の材料
を主成分とする材料で形成されてもよい。これにより、
容器内の汚染を抑制できる。
【００１０】また、導通手段は、フォーカスリングに形
成された第１の電極側の面と第２の電極側の面との間を
貫通する貫通孔により構成し、この貫通孔に面する第１
の電極上の領域は導電性を有するようにしてもよい。こ
こで、フォーカスリングに形成された貫通孔に面する第
１の電極上の領域は、基板に含まれる材料を主成分とす
る材料で形成されてもよい。これにより、容器内の汚染
を抑制できる。
成された第１の電極側の面と第２の電極側の面との間を
貫通する貫通孔により構成し、この貫通孔に面する第１
の電極上の領域は導電性を有するようにしてもよい。こ
こで、フォーカスリングに形成された貫通孔に面する第
１の電極上の領域は、基板に含まれる材料を主成分とす
る材料で形成されてもよい。これにより、容器内の汚染
を抑制できる。
【００１１】また、フォーカスリングは、導体で形成さ
れ、導通手段は、フォーカスリングと第１の電極とが電
気的に接続されることにより構成してもよい。ここで、
フォーカスリングと第１の電極との間に、直流電圧の透
過量を調整するフィルタを介在させてもよい。このフィ
ルタを調整することにより、フォーカスリングに印加さ
れた直流電圧の値を所望の値に調整して、基板の裏面に
与えることができる。また、第２の電力を第１の電極に
供給する電源を更に備え、フィルタは、第２の電力の通
過位相を調整して、第２の電力の位相を基板とフォーカ
スリングとの間で一致させる機能を有していてもよい。
これにより、第１及び第２の電極間の全域に均一なバイ
アスを印加することができる。
れ、導通手段は、フォーカスリングと第１の電極とが電
気的に接続されることにより構成してもよい。ここで、
フォーカスリングと第１の電極との間に、直流電圧の透
過量を調整するフィルタを介在させてもよい。このフィ
ルタを調整することにより、フォーカスリングに印加さ
れた直流電圧の値を所望の値に調整して、基板の裏面に
与えることができる。また、第２の電力を第１の電極に
供給する電源を更に備え、フィルタは、第２の電力の通
過位相を調整して、第２の電力の位相を基板とフォーカ
スリングとの間で一致させる機能を有していてもよい。
これにより、第１及び第２の電極間の全域に均一なバイ
アスを印加することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態を詳細に説明する。ここでは、本発明による
プラズマ装置をエッチング装置に適用した場合を例にし
て説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態であるエッチング装置の構成を示す図である。また、
図２は、このエッチング装置の一部構成を拡大して示す
断面図である。
実施の形態を詳細に説明する。ここでは、本発明による
プラズマ装置をエッチング装置に適用した場合を例にし
て説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態であるエッチング装置の構成を示す図である。また、
図２は、このエッチング装置の一部構成を拡大して示す
断面図である。
【００１３】図１（ａ）に示すように、このエッチング
装置では、気密に閉塞自在な円筒形状の処理容器１１の
内部が処理室１２となっている。処理容器１２はアルミ
ニウム等の導電材料で形成され、接地されている。処理
容器１１の底部には、真空ポンプ（図示せず）に通ずる
排気口１３が設けられており、処理室１１内を所望の真
空度にすることができる。また、処理容器１１の側壁に
は、処理室１２内にＡｒ，Ｏ2 ，Ｃ4Ｈ8等のプロセスガ
スを供給するガス供給ノズル１４が設けられている。処
理室１２内には、一対の平行平板電極を構成する第１の
電極としてのサセプター３１と、第２の電極としての上
部電極２１とが対向配置されている。サセプター３１及
び上部電極２１は、例えばアルミニウムで形成されてい
る。
装置では、気密に閉塞自在な円筒形状の処理容器１１の
内部が処理室１２となっている。処理容器１２はアルミ
ニウム等の導電材料で形成され、接地されている。処理
容器１１の底部には、真空ポンプ（図示せず）に通ずる
排気口１３が設けられており、処理室１１内を所望の真
空度にすることができる。また、処理容器１１の側壁に
は、処理室１２内にＡｒ，Ｏ2 ，Ｃ4Ｈ8等のプロセスガ
スを供給するガス供給ノズル１４が設けられている。処
理室１２内には、一対の平行平板電極を構成する第１の
電極としてのサセプター３１と、第２の電極としての上
部電極２１とが対向配置されている。サセプター３１及
び上部電極２１は、例えばアルミニウムで形成されてい
る。
【００１４】上部電極２１には給電棒２２を介して高周
波電源２４が接続されている。この高周波電源２４は、
処理室１２内にプラズマを生成するための第１の電力を
供給する電源であり、周波数が１０ＭＨｚ以上で電力値
が数ｋＷ程度の電力を出力するものであればよい。ここ
では周波数が６０ＭＨｚ、電力値が２ｋＷの電力を出力
するものとする。また、給電棒２２の途中には、高周波
電源２４と上部電極２１とのインピーダンスを整合させ
るマッチャー２３が介装されている。
波電源２４が接続されている。この高周波電源２４は、
処理室１２内にプラズマを生成するための第１の電力を
供給する電源であり、周波数が１０ＭＨｚ以上で電力値
が数ｋＷ程度の電力を出力するものであればよい。ここ
では周波数が６０ＭＨｚ、電力値が２ｋＷの電力を出力
するものとする。また、給電棒２２の途中には、高周波
電源２４と上部電極２１とのインピーダンスを整合させ
るマッチャー２３が介装されている。
【００１５】一方、サセプター３１には給電棒３２を介
して高周波電源３４が接続されている。この高周波電源
３４は、サセプター３１と上部電極２１との間にバイア
スを印加するための第２の電力を供給する電源である。
この第２の電力は、プラズマ励起用の第１の電力の周波
数よりも実質的に低い周波数で、電力値が数ｋＷ程度で
あればよい。ここでは周波数が２ＭＨｚ、電力値が１．
５ｋＷの電力であるとする。また、給電棒３２の途中に
は、高周波電源３４とサセプター３１とのインピーダン
スを整合させるマッチャー３３が介装されている。マッ
チャー２３，３３は例えば可変コンデンサで構成され
る。
して高周波電源３４が接続されている。この高周波電源
３４は、サセプター３１と上部電極２１との間にバイア
スを印加するための第２の電力を供給する電源である。
この第２の電力は、プラズマ励起用の第１の電力の周波
数よりも実質的に低い周波数で、電力値が数ｋＷ程度で
あればよい。ここでは周波数が２ＭＨｚ、電力値が１．
５ｋＷの電力であるとする。また、給電棒３２の途中に
は、高周波電源３４とサセプター３１とのインピーダン
スを整合させるマッチャー３３が介装されている。マッ
チャー２３，３３は例えば可変コンデンサで構成され
る。
【００１６】サセプター３１は、図２に示すように、セ
ラミック等の絶縁材料で形成されたインシュレーター４
４を介して、処理容器１１の底部に固定されている。こ
のインシュレータ４４をサセプター３１の側部に延在さ
せることにより、サセプター３１の側方にプラズマが存
在できる空間が小さくなるので、上部電極２１とサセプ
ター３１との間の空間に効率よくプラズマを生成でき
る。
ラミック等の絶縁材料で形成されたインシュレーター４
４を介して、処理容器１１の底部に固定されている。こ
のインシュレータ４４をサセプター３１の側部に延在さ
せることにより、サセプター３１の側方にプラズマが存
在できる空間が小さくなるので、上部電極２１とサセプ
ター３１との間の空間に効率よくプラズマを生成でき
る。
【００１７】また、サセプター３１の載置面には静電チ
ャック４１が設けられている。図１（ｂ）に示すよう
に、静電チャック４１は例えば、２枚の高分子ポリイミ
ドフィルム４１Ａ，４１Ｂ間に、銅箔等の導電膜４１Ｃ
を絶縁状態で挟み込んだ構成をしている。静電チャック
４１の導電膜４１Ｃは、処理容器１１の外部に設けられ
た可変直流高圧電源４２に接続されている。この電源４
２から導電膜４１Ｃに高電圧を印加することにより、静
電チャック４１の上面にウェーハ（基板）Ｗを静電力で
吸着保持することが可能となる。
ャック４１が設けられている。図１（ｂ）に示すよう
に、静電チャック４１は例えば、２枚の高分子ポリイミ
ドフィルム４１Ａ，４１Ｂ間に、銅箔等の導電膜４１Ｃ
を絶縁状態で挟み込んだ構成をしている。静電チャック
４１の導電膜４１Ｃは、処理容器１１の外部に設けられ
た可変直流高圧電源４２に接続されている。この電源４
２から導電膜４１Ｃに高電圧を印加することにより、静
電チャック４１の上面にウェーハ（基板）Ｗを静電力で
吸着保持することが可能となる。
【００１８】図２に示すように、サセプター３１の載置
面の周縁部には、静電チャック４１を囲むように、環状
のフォーカスリング４３が配置されている。フォーカス
リング４３は、ウェーハＷが載置されたときに、ウェー
ハＷの上面がフォーカスリング４３の上面と同じ高さに
なるように形成されている。プラズマはウェーハＷのエ
ッジに集中する傾向にあるが、フォーカスリング４３を
ウェーハＷと見立てることで、プラズマがウェーハＷの
エッジに集中することを抑制し、ウェーハＷの全域でプ
ラズマをより均一に分布させることができる。フォーカ
スリング４３は、処理室１２内を汚染しないように、ウ
ェーハＷの材料を主成分とする材料で形成される。例え
ばウェーハＷがＳｉウェーハである場合、フォーカスリ
ング４３はＳｉ，ＳｉＯ2 等で形成される。なお、フォ
ーカスリング４３は導電性の有無を問わない。
面の周縁部には、静電チャック４１を囲むように、環状
のフォーカスリング４３が配置されている。フォーカス
リング４３は、ウェーハＷが載置されたときに、ウェー
ハＷの上面がフォーカスリング４３の上面と同じ高さに
なるように形成されている。プラズマはウェーハＷのエ
ッジに集中する傾向にあるが、フォーカスリング４３を
ウェーハＷと見立てることで、プラズマがウェーハＷの
エッジに集中することを抑制し、ウェーハＷの全域でプ
ラズマをより均一に分布させることができる。フォーカ
スリング４３は、処理室１２内を汚染しないように、ウ
ェーハＷの材料を主成分とする材料で形成される。例え
ばウェーハＷがＳｉウェーハである場合、フォーカスリ
ング４３はＳｉ，ＳｉＯ2 等で形成される。なお、フォ
ーカスリング４３は導電性の有無を問わない。
【００１９】フォーカスリング４３には、その上面と下
面との間を貫通するネジ穴（貫通孔）が形成され、この
ネジ穴に対応するサセプター３１上の位置にもネジ穴が
形成されている。これらのネジ穴にネジ４５を通すこと
により、フォーカスリング４３はサセプター３１に固定
される。ネジ４５についても、フォーカスリング４３と
同様に、処理室１２内を汚染しない材料で形成する必要
がある。したがって、例えばウェーハＷがＳｉウェーハ
である場合には、Ｓｉにドープして導電性をもたせたも
のが使用される。あるいは、金属製のネジの表面をＳｉ
で覆ったものを使用してもよい。少なくとも、プラズマ
と接触するネジ頭（ネジ４５の一端）が、ウェーハＷの
材料を主成分とする材料で形成されていればよい。
面との間を貫通するネジ穴（貫通孔）が形成され、この
ネジ穴に対応するサセプター３１上の位置にもネジ穴が
形成されている。これらのネジ穴にネジ４５を通すこと
により、フォーカスリング４３はサセプター３１に固定
される。ネジ４５についても、フォーカスリング４３と
同様に、処理室１２内を汚染しない材料で形成する必要
がある。したがって、例えばウェーハＷがＳｉウェーハ
である場合には、Ｓｉにドープして導電性をもたせたも
のが使用される。あるいは、金属製のネジの表面をＳｉ
で覆ったものを使用してもよい。少なくとも、プラズマ
と接触するネジ頭（ネジ４５の一端）が、ウェーハＷの
材料を主成分とする材料で形成されていればよい。
【００２０】次に、図１，図２に示したエッチング装置
の動作について簡単に説明する。まず、ウェーハＷを静
電チャック４１上に固定した状態で、処理室１２内を
２．７Ｐａ程度の真空度にする。この真空度を維持しつ
つ、ガス供給ノズル１４から処理室１２内に、Ａｒ，Ｏ
2 ，Ｃ4Ｆ8をそれぞれ４００sccm，１０sccm，８sccm，
の流量で導入する。この状態でプラズマ励起用の電源２
４から周波数が６０ＭＨｚ、電力値が２ｋＷの電力を上
部電極２１に供給すると、上部電極２１とサセプター３
１との間の空間で放電が起こり、この放電によりＡｒ，
Ｏ2 が電離してプラズマが生成される。
の動作について簡単に説明する。まず、ウェーハＷを静
電チャック４１上に固定した状態で、処理室１２内を
２．７Ｐａ程度の真空度にする。この真空度を維持しつ
つ、ガス供給ノズル１４から処理室１２内に、Ａｒ，Ｏ
2 ，Ｃ4Ｆ8をそれぞれ４００sccm，１０sccm，８sccm，
の流量で導入する。この状態でプラズマ励起用の電源２
４から周波数が６０ＭＨｚ、電力値が２ｋＷの電力を上
部電極２１に供給すると、上部電極２１とサセプター３
１との間の空間で放電が起こり、この放電によりＡｒ，
Ｏ2 が電離してプラズマが生成される。
【００２１】そして、バイアス用の電源３４から周波数
が２ＭＨｚ、電力値が１．５ｋＷの電力（電圧振幅７５
０Ｖ）をサセプター３１に供給して、上部電極２１とサ
セプター３１との間にバイアスを印加することにより、
プラズマのエネルギー及び異方性を制御しつつ、ウェー
ハＷをエッチングをすることができる。一方、サセプタ
ー３１及び上部電極２１の電位はプラズマバルクＰの電
位よりも低いので、サセプター３１及び上部電極２１は
プラズマバルクＰ中のイオンを引き寄せて電子を引き離
すように作用する。この結果、プラズマバルクＰの周縁
に電界を伴ったイオンの層ができる。この層をイオンシ
ースＳＨという。このとき、イオンシースＳＨの表面
に、−７００Ｖ程度の直流電圧Ｖdcが発生する。
が２ＭＨｚ、電力値が１．５ｋＷの電力（電圧振幅７５
０Ｖ）をサセプター３１に供給して、上部電極２１とサ
セプター３１との間にバイアスを印加することにより、
プラズマのエネルギー及び異方性を制御しつつ、ウェー
ハＷをエッチングをすることができる。一方、サセプタ
ー３１及び上部電極２１の電位はプラズマバルクＰの電
位よりも低いので、サセプター３１及び上部電極２１は
プラズマバルクＰ中のイオンを引き寄せて電子を引き離
すように作用する。この結果、プラズマバルクＰの周縁
に電界を伴ったイオンの層ができる。この層をイオンシ
ースＳＨという。このとき、イオンシースＳＨの表面
に、−７００Ｖ程度の直流電圧Ｖdcが発生する。
【００２２】図３は、プラズマバルクＰからバイアス用
の電源３４に至る立体回路の回路図である。この図で
は、図１１に相当する部分を同一符号で示している。図
３が図１１と異なるのは、直流電圧Ｖdcをサセプター３
１に導く導通手段を有しているところである。この導通
手段は、フォーカスリング４３をサセプター３１に固定
するネジ４５により構成される。このネジ４５の一端
は、プラズマが生成されたときにプラズマの存在する空
間に露出し、他端はサセプター３１に電気的に接続され
ている。このため、直流電圧Ｖdcはネジ４５を介してサ
セプター３２に与えられる。
の電源３４に至る立体回路の回路図である。この図で
は、図１１に相当する部分を同一符号で示している。図
３が図１１と異なるのは、直流電圧Ｖdcをサセプター３
１に導く導通手段を有しているところである。この導通
手段は、フォーカスリング４３をサセプター３１に固定
するネジ４５により構成される。このネジ４５の一端
は、プラズマが生成されたときにプラズマの存在する空
間に露出し、他端はサセプター３１に電気的に接続され
ている。このため、直流電圧Ｖdcはネジ４５を介してサ
セプター３２に与えられる。
【００２３】図４は、図３に示した立体回路の各部にお
ける電圧変化を示す図である。ここで、図４（ａ）はマ
ッチャー３３の高周波電源３４側（図３のａ点）の電圧
変化、図４（ｂ）はマッチャー３３のサセプター３１側
（図３のｂ点）の電圧変化、図４（ｃ）はウェーハＷの
表面であるエッチング面（図３のｃ点）の電圧変化をそ
れぞれ示している。上述したように、プラズマが生成さ
れると、−７００Ｖ程度の直流電圧Ｖdcが発生する。こ
の直流電圧ＶdcはウェーハＷのエッチング面に印加され
る（図４（ｃ））と共に、ネジ４５を介してサセプター
３２にも印加される（図４（ｂ））。これにより、ウェ
ーハＷのエッチング面と裏面とが同電位となるので、両
面に大きな電位差が発生することによって起こる素子の
破壊を防止できる。なお、図１に示したエッチング装置
では、上部電極２１にプラズマ励起用の第１の電力を供
給し、サセプター３２にバイアス用の第２の電力を供給
するようにしたが、これとは逆に、サセプター３２にプ
ラズマ励起用の第１の電力を供給し、上部電極２１にバ
イアス用の第２の電力を供給するようにしてもよい。
ける電圧変化を示す図である。ここで、図４（ａ）はマ
ッチャー３３の高周波電源３４側（図３のａ点）の電圧
変化、図４（ｂ）はマッチャー３３のサセプター３１側
（図３のｂ点）の電圧変化、図４（ｃ）はウェーハＷの
表面であるエッチング面（図３のｃ点）の電圧変化をそ
れぞれ示している。上述したように、プラズマが生成さ
れると、−７００Ｖ程度の直流電圧Ｖdcが発生する。こ
の直流電圧ＶdcはウェーハＷのエッチング面に印加され
る（図４（ｃ））と共に、ネジ４５を介してサセプター
３２にも印加される（図４（ｂ））。これにより、ウェ
ーハＷのエッチング面と裏面とが同電位となるので、両
面に大きな電位差が発生することによって起こる素子の
破壊を防止できる。なお、図１に示したエッチング装置
では、上部電極２１にプラズマ励起用の第１の電力を供
給し、サセプター３２にバイアス用の第２の電力を供給
するようにしたが、これとは逆に、サセプター３２にプ
ラズマ励起用の第１の電力を供給し、上部電極２１にバ
イアス用の第２の電力を供給するようにしてもよい。
【００２４】（第２の実施の形態）図５は、本発明の第
２の実施の形態であるエッチング装置の一部構成を拡大
して示す断面図である。この図は、第１の実施の形態に
おける図２に相当するものであり、図２と同一部分又は
相当部分を同一符号で示している。インシュレーター４
４には、外周と内周との間を貫通する貫通孔が形成さ
れ、この貫通孔に対応するサセプター３１側面の位置に
も孔が形成されている。これらの孔に導体線４６を通
し、その一端をインシュレータ４４の外部に露出させ、
他端をサセプター３１に電気的に接続させる。この導体
線４６も、図２に示したネジ４５と同様に、処理室１２
内の汚染防止を考慮して作成される。
２の実施の形態であるエッチング装置の一部構成を拡大
して示す断面図である。この図は、第１の実施の形態に
おける図２に相当するものであり、図２と同一部分又は
相当部分を同一符号で示している。インシュレーター４
４には、外周と内周との間を貫通する貫通孔が形成さ
れ、この貫通孔に対応するサセプター３１側面の位置に
も孔が形成されている。これらの孔に導体線４６を通
し、その一端をインシュレータ４４の外部に露出させ、
他端をサセプター３１に電気的に接続させる。この導体
線４６も、図２に示したネジ４５と同様に、処理室１２
内の汚染防止を考慮して作成される。
【００２５】このエッチング装置では、直流電圧Ｖdcを
サセプター３１に導く導通手段を、インシュレーター４
４及びサセプター３１の孔に挿入された導体線４６で構
成している。上部電極２１とサセプター３１との間で生
成されたプラズマは、処理室１２内に拡散し、インシュ
レーター４４の外周に沿った領域にも存在する。この領
域のプラズマから導体線４６を介してサセプター３１に
直流電圧Ｖdcが与えられる。よって、ウェーハＷの表裏
が同電位となるので、図１，図２に示したエッチング装
置と同様に、ウェーハＷに形成された素子の破壊を防止
できる。
サセプター３１に導く導通手段を、インシュレーター４
４及びサセプター３１の孔に挿入された導体線４６で構
成している。上部電極２１とサセプター３１との間で生
成されたプラズマは、処理室１２内に拡散し、インシュ
レーター４４の外周に沿った領域にも存在する。この領
域のプラズマから導体線４６を介してサセプター３１に
直流電圧Ｖdcが与えられる。よって、ウェーハＷの表裏
が同電位となるので、図１，図２に示したエッチング装
置と同様に、ウェーハＷに形成された素子の破壊を防止
できる。
【００２６】（第３の実施の形態）図６は、本発明の第
３の実施の形態であるエッチング装置の一部構成を拡大
して示す断面図である。この図は、第１の実施の形態に
おける図２に相当するものであり、図２と同一部分又は
相当部分を同一符号で示している。フォーカスリング４
３には、その上面と下面との間を貫通する貫通孔４３Ａ
が形成されている。このエッチング装置では、直流電圧
Ｖdcをサセプター３１に導く導通手段を、この貫通孔４
３Ａで構成している。上部電極２１とサセプター３１と
の間で生成されたプラズマは、貫通孔４３Ａ内に進入し
て、サセプター３１の載置面と接触する。
３の実施の形態であるエッチング装置の一部構成を拡大
して示す断面図である。この図は、第１の実施の形態に
おける図２に相当するものであり、図２と同一部分又は
相当部分を同一符号で示している。フォーカスリング４
３には、その上面と下面との間を貫通する貫通孔４３Ａ
が形成されている。このエッチング装置では、直流電圧
Ｖdcをサセプター３１に導く導通手段を、この貫通孔４
３Ａで構成している。上部電極２１とサセプター３１と
の間で生成されたプラズマは、貫通孔４３Ａ内に進入し
て、サセプター３１の載置面と接触する。
【００２７】プラズマが接触した載置面上の領域が導電
性を有していれば、サセプター３１に直流電圧Ｖdcが与
えられるので、上述と同様にウェーハＷに形成された素
子の破壊を防止できる。ただし、サセプター３１を形成
するアルミニウムはプラズマによって酸化されやすいの
で、プラズマによって容易に酸化されない導体板４７
を、貫通孔４３Ａに面する載置面上の領域に配置してお
くとよい。このとき、処理室１２内の汚染防止を考慮し
て、上記導体板４７はウェーハＷの材料を主成分とする
材料で形成する必要がある。例えばウェーハＷがＳｉウ
ェーハである場合には、Ｓｉにドープして導電性をもた
せたものを使用できる。
性を有していれば、サセプター３１に直流電圧Ｖdcが与
えられるので、上述と同様にウェーハＷに形成された素
子の破壊を防止できる。ただし、サセプター３１を形成
するアルミニウムはプラズマによって酸化されやすいの
で、プラズマによって容易に酸化されない導体板４７
を、貫通孔４３Ａに面する載置面上の領域に配置してお
くとよい。このとき、処理室１２内の汚染防止を考慮し
て、上記導体板４７はウェーハＷの材料を主成分とする
材料で形成する必要がある。例えばウェーハＷがＳｉウ
ェーハである場合には、Ｓｉにドープして導電性をもた
せたものを使用できる。
【００２８】（第４の実施の形態）図７は、本発明の第
４の実施の形態であるエッチング装置の一部構成を拡大
して示す断面図である。この図は、第１の実施の形態に
おける図２に相当するものであり、図２と同一部分又は
相当部分を同一符号で示している。フォーカスリング４
３は、導体で形成されている。例えばウェーハＷがＳｉ
ウェーハである場合には、Ｓｉにドープして導電性をも
たせたものが使用される。このフォーカスリング４３は
フィルタ４８を介して給電棒３２に接続されている。こ
のフィルタ４８は、直流電圧の透過量を調整するフィル
タである。このエッチング装置では、直流電圧Ｖdcをサ
セプター３１に導く導通手段を、フォーカスリング４３
とフィルタ４８と給電棒３２との電気的接続により構成
している。
４の実施の形態であるエッチング装置の一部構成を拡大
して示す断面図である。この図は、第１の実施の形態に
おける図２に相当するものであり、図２と同一部分又は
相当部分を同一符号で示している。フォーカスリング４
３は、導体で形成されている。例えばウェーハＷがＳｉ
ウェーハである場合には、Ｓｉにドープして導電性をも
たせたものが使用される。このフォーカスリング４３は
フィルタ４８を介して給電棒３２に接続されている。こ
のフィルタ４８は、直流電圧の透過量を調整するフィル
タである。このエッチング装置では、直流電圧Ｖdcをサ
セプター３１に導く導通手段を、フォーカスリング４３
とフィルタ４８と給電棒３２との電気的接続により構成
している。
【００２９】例えば、サセプター３１上におけるプラズ
マ分布が不均一である場合に、フォーカスリング４３上
に発生する直流電圧Ｖdcf が、ウェーハＷ上に発生する
直流電圧Ｖdcw よりも絶対値が大きくなる場合がある。
このような場合には、フィルタ４８の透過量を調整し、
Ｖdcf を減衰させＶdcw と等しくして、給電棒３２に供
給するようにする。これにより、ウェーハＷのエッチン
グ面と裏面とが同電位となるので、両面に大きな電位差
が発生することによって起こる素子の破壊を防止でき
る。
マ分布が不均一である場合に、フォーカスリング４３上
に発生する直流電圧Ｖdcf が、ウェーハＷ上に発生する
直流電圧Ｖdcw よりも絶対値が大きくなる場合がある。
このような場合には、フィルタ４８の透過量を調整し、
Ｖdcf を減衰させＶdcw と等しくして、給電棒３２に供
給するようにする。これにより、ウェーハＷのエッチン
グ面と裏面とが同電位となるので、両面に大きな電位差
が発生することによって起こる素子の破壊を防止でき
る。
【００３０】また、フィルタ４８は、バイアス用の第２
の電力の通過位相を調整する機能を有している。直流電
圧に対する透過特性を変化させると、第２の電力の通過
位相が変化して、第２の電力の位相がウェーハＷとフォ
ーカスリング４３との間で異なることになる。この場
合、ウェーハＷ上とフォーカスリング４３上とで電位差
が生じ、サセプター３１上の全域で均一なバイアスを印
加することができなくなる。しかし、フィルタ４８の上
述した機能を用いて第２の電力の通過位相を調整し、第
２の電力の位相をウェーハＷとフォーカスリング４３と
の間で一致させることにより、サセプター３１上の全域
で均一なバイアスを印加することができる。なお、フィ
ルタ４８の透過特性と位相特性は、プロセス条件等の変
更に応じて最適値に調整できるように、可変とすること
が望ましい。
の電力の通過位相を調整する機能を有している。直流電
圧に対する透過特性を変化させると、第２の電力の通過
位相が変化して、第２の電力の位相がウェーハＷとフォ
ーカスリング４３との間で異なることになる。この場
合、ウェーハＷ上とフォーカスリング４３上とで電位差
が生じ、サセプター３１上の全域で均一なバイアスを印
加することができなくなる。しかし、フィルタ４８の上
述した機能を用いて第２の電力の通過位相を調整し、第
２の電力の位相をウェーハＷとフォーカスリング４３と
の間で一致させることにより、サセプター３１上の全域
で均一なバイアスを印加することができる。なお、フィ
ルタ４８の透過特性と位相特性は、プロセス条件等の変
更に応じて最適値に調整できるように、可変とすること
が望ましい。
【００３１】以上では、プラズマを生成する第１の電力
が供給される平行平板電極の一方をプラズマ源とする平
行平板型エッチング装置を例にして説明したが、図８に
示すように第１の電力が供給されるコイル６１をプラズ
マ源とする誘導結合プラズマエッチング装置（ＩＣＰエ
ッチング装置）や、図９に示すような処理室１２内にマ
イクロ波ＭＷを供給するラジアルアンテナ７１などのア
ンテナをプラズマ源とするマイクロ波エッチング装置な
ど、他のプラズマ源を用いるエッチング装置にも本発明
を適用できる。なお、図８，図９において、図１，図２
と同一部分又は相当部分には同一符号が付してある。１
６は誘電体窓、１７はマイクロ波ＭＷ漏洩防止用のシー
ルド材、７２は導波路、７３はマイクロ波発生器であ
る。また、本発明は、エッチング装置のみならず、プラ
ズマＣＶＤ装置やアッシング装置など、他のプラズマ処
理装置に適用してもよいことは言うまでもない。
が供給される平行平板電極の一方をプラズマ源とする平
行平板型エッチング装置を例にして説明したが、図８に
示すように第１の電力が供給されるコイル６１をプラズ
マ源とする誘導結合プラズマエッチング装置（ＩＣＰエ
ッチング装置）や、図９に示すような処理室１２内にマ
イクロ波ＭＷを供給するラジアルアンテナ７１などのア
ンテナをプラズマ源とするマイクロ波エッチング装置な
ど、他のプラズマ源を用いるエッチング装置にも本発明
を適用できる。なお、図８，図９において、図１，図２
と同一部分又は相当部分には同一符号が付してある。１
６は誘電体窓、１７はマイクロ波ＭＷ漏洩防止用のシー
ルド材、７２は導波路、７３はマイクロ波発生器であ
る。また、本発明は、エッチング装置のみならず、プラ
ズマＣＶＤ装置やアッシング装置など、他のプラズマ処
理装置に適用してもよいことは言うまでもない。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
処理装置は、プラズマが生成されたときにイオンシース
に発生する直流電圧を、基板が置かれる第１の電極に導
く導通手段を有するものである。この直流電圧を第１の
電極に導くことにより、直流電圧が基板の表面及び裏面
のいずれにも印加されることになるので、基板の両面が
同電位となる。したがって、基板の両面に大きな電位差
が発生することによって起こる素子の破壊を防止でき
る。
処理装置は、プラズマが生成されたときにイオンシース
に発生する直流電圧を、基板が置かれる第１の電極に導
く導通手段を有するものである。この直流電圧を第１の
電極に導くことにより、直流電圧が基板の表面及び裏面
のいずれにも印加されることになるので、基板の両面が
同電位となる。したがって、基板の両面に大きな電位差
が発生することによって起こる素子の破壊を防止でき
る。
【図１】 本発明の第１の実施の形態であるエッチング
装置の構成を示す図である。
装置の構成を示す図である。
【図２】 図１に示したエッチング装置の一部構成を拡
大して示す断面図である。
大して示す断面図である。
【図３】 プラズマバルクからバイアス用の電源に至る
立体回路の回路図である。
立体回路の回路図である。
【図４】 図３に示した立体回路の各部における電圧変
化を示す図である。
化を示す図である。
【図５】 本発明の第２の実施の形態であるエッチング
装置の一部構成を拡大して示す断面図である。
装置の一部構成を拡大して示す断面図である。
【図６】 本発明の第３の実施の形態であるエッチング
装置の一部構成を拡大して示す断面図である。
装置の一部構成を拡大して示す断面図である。
【図７】 本発明の第４の実施の形態であるエッチング
装置の一部構成を拡大して示す断面図である。
装置の一部構成を拡大して示す断面図である。
【図８】 本発明に適用可能な誘導結合プラズマエッチ
ング装置の構成を示す切り欠き図である。
ング装置の構成を示す切り欠き図である。
【図９】 本発明に適用可能なマイクロ波エッチング装
置の構成を示す断面図である。
置の構成を示す断面図である。
【図１０】 従来のプラズマ処理装置をエッチング装置
に適用した場合の一構成例を示す図である。
に適用した場合の一構成例を示す図である。
【図１１】 プラズマバルクからバイアス用の電源に至
る立体回路の回路図である。
る立体回路の回路図である。
【図１２】 図１１に示した立体回路の各部における電
圧変化を示す図である。
圧変化を示す図である。
１１…処理容器、１２…処理室、１３…排気口、１４…
ガス供給ノズル、２１…上部電極（第２の電極）、２
２，３２…給電棒、２３，３３…マッチャー、２４，３
４…高周波電源、３１…サセプター（第１の電極）、４
１…静電チャック、４１Ａ，４１Ｂ…高分子ポリイミド
フィルム、４１Ｃ…導電膜、４２…可変直流高圧電源、
４３…フォーカスリング、４３Ａ…貫通孔、４４…イン
シュレータ、４５…ネジ（導電性を有する部材）、４６
…導体線（導電性を有する部材）、４７…導体板、４８
…フィルタ、Ｃ…容量、Ｐ…プラズマバルク、Ｒ…抵
抗、ＳＨ…イオンシース、Ｗ…ウェーハ（基板）。
ガス供給ノズル、２１…上部電極（第２の電極）、２
２，３２…給電棒、２３，３３…マッチャー、２４，３
４…高周波電源、３１…サセプター（第１の電極）、４
１…静電チャック、４１Ａ，４１Ｂ…高分子ポリイミド
フィルム、４１Ｃ…導電膜、４２…可変直流高圧電源、
４３…フォーカスリング、４３Ａ…貫通孔、４４…イン
シュレータ、４５…ネジ（導電性を有する部材）、４６
…導体線（導電性を有する部材）、４７…導体板、４８
…フィルタ、Ｃ…容量、Ｐ…プラズマバルク、Ｒ…抵
抗、ＳＨ…イオンシース、Ｗ…ウェーハ（基板）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA42 BD14 CA25 CA47 CA65 DA02 EB01 EB42 EB50 EC01 EC21 FA01 FB02 FB12 FC11 FC15 4K030 FA03 JA19 KA30 KA46 5F004 AA06 BA20 BB11 BB14 BB23 DA00 DA23 DA26 5F045 AA08 EH04 EH14 EH19 EM05
Claims (11)
- 【請求項１】 所定の真空度を維持する容器と、この容
器内にプラズマを生成するためのプラズマ源と、前記容
器内に配置され前記プラズマによる処理がなされる基板
が置かれる第１の電極と、この第１の電極の周縁部に配
置されたフォーカスリングとを備えたプラズマ処理装置
において、 前記プラズマが生成されたときにイオンシースに発生す
る直流電圧を前記第１の電極に導く導通手段を備えたこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理装置におい
て、 前記容器内で前記第１の電極に対向配置された第２の電
極を更に備え、 前記プラズマ源は、前記第１及び第２の電極のうち前記
プラズマを生成する第１の電力が供給される電極から構
成されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のプラズマ処理装置
において、 前記導通手段は、前記プラズマが生成されたときに前記
プラズマが存在する空間に一端が露出すると共に他端が
前記第１の電極に電気的に接続された導電性を有する部
材により構成されることを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項４】 請求項３記載のプラズマ処理装置におい
て、 前記フォーカスリングに前記空間と前記第１の電極とを
連通する貫通孔が形成され、この貫通孔に前記導電性を
有する部材が挿入されていることを特徴とするプラズマ
処理装置。 - 【請求項５】 請求項３記載のプラズマ処理装置におい
て、 前記第１の電極の側面に延在する絶縁材料で形成された
インシュレータを更に備え、 このインシュレーターに前記空間と前記第１の電極とを
連通する貫通孔が形成され、この貫通孔に前記導電性を
有する部材が挿入されていることを特徴とするプラズマ
処理装置。 - 【請求項６】 請求項４又は５記載のプラズマ処理装置
において、 前記導電性を有する部材の前記一端は、前記基板の材料
を主成分とする材料で形成されていることを特徴とする
プラズマ処理装置。 - 【請求項７】 請求項１又は２記載のプラズマ処理装置
において、 前記導通手段は、前記フォーカスリングに形成された前
記第１の電極側の面と前記第２の電極側の面との間を貫
通する貫通孔により構成され、この貫通孔に面する前記
第１の電極上の領域は導電性を有していることを特徴と
するプラズマ処理装置。 - 【請求項８】 請求項７記載のプラズマ処理装置におい
て、 前記フォーカスリングに形成された貫通孔に面する前記
第１の電極上の領域は、前記基板に含まれる材料を主成
分とする材料で形成されていることを特徴とするプラズ
マ処理装置。 - 【請求項９】 請求項１又は２記載のプラズマ処理装置
において、 前記フォーカスリングは、導体で形成され、 前記導通手段は、前記フォーカスリングと前記第１の電
極とが電気的に接続されることにより構成されることを
特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項１０】 請求項９記載のプラズマ処理装置にお
いて、 前記フォーカスリングと前記第１の電極との間に接続さ
れ、前記直流電圧の透過量を調整するフィルタを有する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項１１】 請求項１０記載のプラズマ処理装置に
おいて、 第２の電力を前記第１の電極に供給する電源を更に備
え、 前記フィルタは、前記第２の電力の通過位相を調整し
て、前記第２の電力の位相を前記基板と前記フォーカス
リングとの間で一致させることを特徴とするプラズマ処
理装置。
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