KR20160093814A - 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160093814A
KR20160093814A KR1020150014589A KR20150014589A KR20160093814A KR 20160093814 A KR20160093814 A KR 20160093814A KR 1020150014589 A KR1020150014589 A KR 1020150014589A KR 20150014589 A KR20150014589 A KR 20150014589A KR 20160093814 A KR20160093814 A KR 20160093814A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle unit
gas
nozzle
chamber
layer
Prior art date
Application number
KR1020150014589A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102405123B1 (ko
Inventor
장철민
고동균
김인교
정석원
하남
허명수
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150014589A priority Critical patent/KR102405123B1/ko
Priority to US14/929,159 priority patent/US20160226031A1/en
Publication of KR20160093814A publication Critical patent/KR20160093814A/ko
Priority to US16/111,037 priority patent/US10573851B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102405123B1 publication Critical patent/KR102405123B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1316Methods for cleaning the liquid crystal cells, or components thereof, during manufacture: Materials therefor
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • G02F2001/1316
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 개시한다. 챔버와, 상기 챔버 내부에 배치되며, 유기층을 성막하는 제1 노즐 유닛과, 상기 챔버 내부에 상기 제1 노즐 유닛과 제1 방향으로 나란하게 배치되며, 무기층을 성막하는 제2 노즐 유닛 및 상기 제1 노즐 유닛의 외측 또는 상기 제2 노즐 유닛의 외측에 형성되어, 상기 챔버 내부 저장된 제1 가스를 분사하는 분사 노즐 유닛을 제공한다.

Description

표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법{Apparatus for manufacturing display apparatus and method of manufacturing display apparatus}
본 발명의 실시예들은 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
이동성을 기반으로하는 전자 기기가 폭 넓게 사용되고 있다. 이동용 전자 기기로는 모바일 폰과 같은 소형 전자 기기 이외에도 최근 들어 태블릿 PC가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 이동형 전자 기기는 다양한 기능을 지원하기 위하여, 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공하기 위하여 디스플레이 장치를 포함한다. 최근, 디스플레이 장치를 구동하기 위한 기타 부품들이 소형화됨에 따라, 디스플레이 장치가 전자 기기에서 차지하는 비중이 점차 증가하고 있는 추세이며, 평평한 상태에서 소정의 각도를 갖도록 구부릴 수 있는 구조도 개발되고 있다.
특히 디스플레이 장치가 상기와 같이 플랙서블(Flexible)하게 형성되는 경우 디스플레이 장치의 수명 등을 고려하여 디스플레이 장치의 표시부를 다층의 박막으로 봉지처리 할 수 있다. 이때, 상기와 같은 봉지 처리 시 봉지박막을 형성하고 봉지박막은 유기층과 무기층을 교번하여 적층하여 형성할 수 있다. 이러한 봉지박막을 형성하는 유기층 및 무기층은 다양한 방법으로 각각 형성될 수 있다.
전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출을 위해 보유하고 있었거나, 본 발명의 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라 할 수는 없다.
본 발명의 실시예들은 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면은, 챔버와, 상기 챔버의 내부에 배치되며, 유기층을 성막하는 제1 노즐 유닛과, 상기 챔버의 내부에 상기 제1 노즐 유닛과 제1 방향으로 나란하게 배치되며, 무기층을 성막하는 제2 노즐 유닛 및 상기 제1 노즐 유닛의 외측 또는 상기 제2 노즐 유닛의 외측에 형성되어, 상기 챔버의 내부에 저장된 제1 가스를 분사하는 분사 노즐 유닛을 포함하는 표시 장치의 제조 장치를 제공한다.
또한, 상기 제1 가스는 상기 분사 노즐 유닛에서 분사되어 상기 제1 노즐 유닛 또는 상기 제2 노즐 유닛으로 배출될 수 있다.
또한, 제1 노즐 유닛은 제1 소스가스를 분사하는 제1 공급 노즐부 및 상기 분사 노즐 유닛과 상기 제1 공급 노즐부 사이에 설치되어, 상기 제1 가스 또는 상기 제1 소스가스를 배기하는 제1 배출 노즐부를 구비할 수 있다.
또한, 상기 제1 배출 노즐부는 상기 제1 가스와 상기 제1 소스가스를 혼합하여 배출할 수 있다.
또한, 상기 제1 소스가스 및 상기 제1 가스는 아래 방향으로 분사되고, 윗 방향으로 배출될 수 있다.
또한, 상기 제2 노즐 유닛은 제2 소스가스를 분사하는 제2 공급 노즐부와, 상기 제2 공급 노즐부의 외측에 설치되어 상기 제2 소스가스를 배출하는 제2 배출 노즐부 및 상기 분사 노즐 유닛과 상기 제2 배출 노즐부 사이에 설치되어, 상기 제1 가스를 배기하는 제3 배출 노즐부를 구비할 수 있다.
또한, 상기 제2 노즐 유닛은 상기 제2 배출 노즐부와 상기 제3 배출 노즐부 사이에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 분리 노즐부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 노즐 유닛은 상기 제1 가스와 상기 제2 소스가스를 분리하여 각각 배출할 수 있다.
또한, 상기 제2 소스가스 및 상기 제1 가스는 아래 방향으로 분사되고, 윗 방향으로 배출될 수 있다.
또한, 상기 분사 노즐 유닛은 상기 챔버에 주입된 제1 가스를 아래 방향으로 분사하여 상기 제1 노즐 유닛과 상기 제2 노즐 유닛을 동시에 클리닝 할 수 있다.
또한, 상기 제1 노즐 유닛과 상기 제2 노즐 유닛을 동일한 크기로 제작될 수 있다.
또한, 상기 제1 노즐 유닛과 상기 제2 노즐 유닛의 하부에 설치되고, 표시부가 형성된 기판을 장착하여 상기 제1 방향으로 선형 왕복 운동하는 기판 장착부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 챔버의 일단과 연결되고, 표시부가 형성된 기판을 유입하는 로딩부 및 상기 챔버의 타단과 연결되어, 상기 표시부의 상부에 상기 유기층과 상기 무기층 중 적어도 하나가 성막된 기판을 상기 챔버에서 반출시키는 언로딩부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 언로딩부에 연결되어 상기 언로딩부에서 상기 기판이 이송되며, 상기 표시부의 상부에 보호층을 형성하는 보호층 형성 장치를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 제1 기체가 채워진 챔버와, 상기 챔버 내부에 설치되며, 유기층을 성막하는 제1 노즐 유닛과, 상기 제1 노즐 유닛과 소정의 거리로 이격되도록 배치되고 무기층을 성막하는 제2 노즐 유닛을 구비하는 봉지층 형성 노즐부 및 상기 봉지층 형성 노즐부의 하부에 설치되어, 챔버로 장입된 표시부가 형성된 기판을 장착하여 제1 방향으로 선형 왕복 운동하는 기판 장착부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 기체는 상기 제1 노즐 유닛과 상기 제2 노즐 유닛 사이의 간극을 통과하여 상기 제1 노즐 유닛과 상기 제2 노즐 유닛으로 유입될 수 있다.
또한, 상기 제1 노즐 유닛은 제1 소스가스를 분사하고, 상기 제1 소스가스와 상기 제1 기체를 혼합하여 배출하고, 상기 제2 노즐 유닛은 제2 소스가스를 분사하고, 상기 제2 소스가스와 상기 제1 기체를 각각 개별적으로 배출할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 표시부가 형성된 기판을 반응가스가 채워진 챔버 내부로 장입하는 단계와, 상기 챔버 내부에 배치된 제1 노즐 유닛은 상기 표시부 상에 유기층 성막하고, 상기 제1 노즐 유닛과 인라인으로 배치된 제2 노즐 유닛은 상기 표시부 상에 무기층을 성막하여 봉지층을 형성하는 단계 및 상기 챔버에 연결된 보호층 형성 장치에서 상기 봉지층 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
또한, 상기 봉지층을 형성하는 단계는, 상기 제1 노즐 유닛에서 제1 소스가스와 상기 반응가스가 혼합되여 유기층을 형성하고, 상기 제2 노즐 유닛에서 제2 소스가스와 상기 반응가스가 분리되어 무기층을 형성할 수 있다.
또한, 상기 챔버에 클리닝 가스를 주입하여, 상기 제1 노즐 유닛과 상기 제2 노즐 유닛을 클리닝 하는 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법은 표시 장치의 수명을 증대시킬 수 있으며, 클리닝 공정시에 원위치에서 클리닝을 수행할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 보여주는 개념도이다.
도 2는 도 1의 박막 봉지 제조 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 제1 노즐 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2의 제2 노즐 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 1의 박막 봉지 제조 장치의 클리닝을 도시한 단면도이다.
도 6은 도 1에서 도시된 표시 장치의 제조 장치를 이용하여 제조된 기판을 보여주는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
또한, 도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 또한, 어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(1)를 보여주는 개념도이다.
도 1을 참조하면 표시 장치의 제조 장치(1)는 로딩부(10), 박막 봉지 제조 장치(20), 언로딩부(30) 및 보호층 형성장치(40)를 포함할 수 있다.
로딩부(10)는 외부로부터 공급된 기판(210)을 로딩한 후 박막 봉지 제조 장치(20)로 이송시킬 수 있다. 이때, 로딩부(10)는 일반적으로 표시 장치에 사용되는 로딩챔버 등과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
로딩부(10)는 표시소자 증착장치(미도시)와 연결되어, 기판(210)에 표시부(D)가 증착된 후에 즉시 박막 봉지 제조 장치(20)로 장입될 수 있다. 표시소자 증착장치(미도시)는 유기발광 디스플레이 장치의 화소전극과 대향전극 사이에 개재되는 층들 중, 전 화소들에 있어서 일체(一體)로 형성되지 않고 패터닝되어 형성되는 층을 증착하는 장치이다. 예컨대 적색발광층, 녹색발광층 및 청색발광층 등을 증착하는 장치일 수 있다.
박막 봉지 제조 장치(20)는 패터닝된 유기발광 표시소자의 상부에 전면에 일체로 봉지부(E)를 형성하는 장치이다.
언로딩부(30)는 박막 봉지 제조 장치(20)로부터 공급되는 기판(210)을 보호층 형성장치(40)으로 이송시킬 수 있다. 이때, 언로딩부(30)에는 로봇암 등이 구비되어 기판(210)을 이송시킬 수 있다.
보호층형성장치(40)는 보호층(P)을 형성할 수 있다. 이때, 보호층(P)은 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 보호층(P)은 스퍼터링 방법, 이온빔 증착 방법(Ion beam deposiotn), 증발법(Evaporation), 일반적인 화학 기상 증착 방법 등을 통하여 형성될 수 있다.
도 2는 도 1의 박막 봉지 제조 장치(20)를 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 2의 제1 노즐 유닛(110)을 보여주는 단면도이고, 도 4는 도 2의 제2 노즐 유닛(120)을 보여주는 단면도이다.
도 2 내지 도 3을 참조하면, 박막 봉지 제조 장치(20)는 챔버(101), 제1 노즐 유닛(110), 제2 노즐 유닛(120), 분사 노즐 유닛(140) 및 기판 장착부(170)를 포함할 수 있다.
챔버(101)는 로딩부(10) 및 언로딩부(30)와 연결될 수 있다. 이때, 챔버(101)와 로딩부(10) 사이 및 챔버(101)와 언로딩부(30) 사이에는 게이트 밸브(2)가 설치될 수 있다.
챔버(101)는 내부에 공간이 형성될 수 있으며, 제1 노즐 유닛(110), 제2 노즐 유닛(120) 및 기판 장착부(170)가 설치될 수 있다. 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)은 인 라인(IN-LINE) 형태로 배치될 수 있다.
상기와 같은 제1 노즐 유닛(110)과, 제2 노즐 유닛(120)은 유기층과 무기층의 적층 순서에 따라 다양하게 배치될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예로써 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)이 교번하고, 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120) 사이에 분사 노즐 유닛(140)이 설치 될 수 있다. 즉, 제1 노즐 유닛(110), 분사 노즐 유닛(140) 및 제2 노즐 유닛(120)이 하나의 그룹을 형성하고, 복수개의 그룹이 인라인으로 형성될 수 있다.
다른 실시예로써 복수개의 제1 노즐 유닛(110)이 연속하여 배치되고, 복수 개의 제1 노즐 유닛(110) 중 어느 하나의 제1 노즐 유닛과 이웃하도록 제2 노즐 유닛(120)이 설치될 수 있다. 또 다른 실시예로써 복수개의 제2 노즐 유닛(120)이 연속하여 배치되고, 복수 개의 제2 노즐 유닛(120) 중 어느 하나의 제2 노즐 유닛과 이웃하도록 제1 노즐 유닛(110)이 설치될 수 있다. 즉, 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120) 중 어느 하나의 노즐의 개수가 다른 노즐의 개수 보다 많이 배열 될 수 있다.
상기와 같은 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)의 배열은 상기에 한정되는 것은 아니며 유기층 및 무기층을 순서에 상관없이 적층시키는 모든 배열을 포함할 수 있다.
다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)이 연속적으로 번갈아가면서 배치되고, 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120) 사이에 분사 노즐 유닛(140)이 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
챔버(101)의 상부에는 내부에 가스를 채울수 있다. 챔버(101)는 유입관(102)과 연결되어 제1 가스를 챔버(101)의 충전 공간(S1)에 충전할 수 있다.
챔버(101)에 충전되는 제1 가스는 박막 봉지 제조 장치(20)의 사용 목적에 따라 달라질수 있다. 제1 가스가 반응가스이면, 박막 봉지 제조 장치(20)에서 기판(210) 상에 봉지부(E)를 형성할 수 있다. 반응가스는 분사 노즐 유닛(140)을 통과하여, 제1 노즐 유닛(110)의 제1 소스가스와 반응하여 유기막을 형성할 수 있다. 또한, 반응가스는 분사 노즐 유닛(140)을 통과하여, 제2 노즐 유닛(120)의 제2 소스가스와 반응하여 무기막을 형성할 수 있다.
반응가스는 제1 소스가스와 제2 소스가스와 공통적으로 반응하는 반응성 기체를 이용할 수 있다. 또한, 챔버(101)에 주입되는 기체가 제1 소스가스와 제2 소스가스 중 어느 하나의 기체와 반응할 경우나, 챔버(101)에 주입되는 기체가 제1 소스가스 및 제2 소스가스와 반응하지 않으면, 플라즈마를 이용하여 챔버(101)에 주입되는 기체를 라디컬 형태의 반응가스로 변환 시킬 수 있다. 챔버(101)의 내부에 플라즈마 발생장치(미도시)를 설치하여 제1 가스가 라디칼(Radical) 형태로 변환 할 수 있으며, 변환된 제1 가스는 제1 소스가스 및 제2 소스가스와 반응할 수 있다.
박막 봉지 제조 장치(20)의 클리닝 시에는, 제1 기체는 클리닝 기체로 사용될 수 있다. 클리닝 가스는 특정기체에 한정되지 않으며, 노즐 내부를 클리닝 할 수 있는 기체로 선택할 수 있다. 예를들어, 클리닝 가스는 염소(Cl2), 삼불화질소(Nitron Fluorine Three,NF3), 삼염화붕소(Boron trichloride, BCl3) 또는 사염화탄소(CCl4)를 사용 할 수 있다.
봉지층 형성 노즐부(130)는 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)을 구비할 수 있다. 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)은 같은 크기로 설치될 수 있다. 봉지층 형성 노즐부(130)는 기판(210) 상의 봉지부(E)의 적층 형태 및 순서에 따라 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)을 교환 할 수 있다. 즉, 기판(210) 상에 증착되는 유기층과 무기층의 순서 및 개수에 따라 순서를 바꾸거나, 어느 하나의 노즐 유닛의 개수를 증가할 수 있다.
제1 노즐 유닛(110)은 충전공간(S1)의 하부에 설치될 수 있다. 제1 노즐 유닛(110)은 화학 기상증착 방식으로 유기층을 성막 할 수 있다. 제1 노즐 유닛(110)은 제1 공급 노즐부(111), 제1 배출 노즐부(112)를 구비할 수 있다.
제1 공급 노즐부(111)는 제1 노즐 유닛(110)의 중앙에 설치되어, 제1 소스가스를 분사 할 수 있다. 제1 소스가스는 개별적으로 제1 공급 노즐부(111)로 공급된 후, 제1 공급 노즐부(111)를 따라 아래 방향으로 이동할 수 있다. 즉, 제1 공급 노즐부(111)는 제1 소스가스를 기판(210)을 향해서 분사할 수 있다.
제1 배출 노즐부(112)는 제1 공급 노즐부(111)의 외측에 설치된다. 제1 배출 노즐부(112)는 제1 공급 노즐부(111)의 일부를 감싸도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 배출 노즐부(112)는 분사 노즐 유닛(140)과 제1 공급 노즐부(111) 사이에 설치된다. 제1 배출 노즐부(112)는 제1 공급 노즐부(111)의 외측을 따라 각각 이어져서, 제1 공급 노즐부의 상부에서 합쳐진다.
제1 배출 노즐부(112)는 반응가스나 제1 소스가스가 배출하는 통로를 형성한다. 즉, 제1 배출 노즐부(112)는 반응가스와 제1 소스가스가 반응한 후에, 배출되는 통로를 형성할 수 있다.
제1 배출 노즐부(112)는 제1 배출관(151)과 연결되며, 제1 배출관(151)으로 이동된 제1 소스가스 또는 반응가스는 외부로 배출될 수 있다. 제1 배출 노즐부(112)의 외측에는 서포터(160)가 설치되어 제1 노즐 유닛(110)을 챔버(101)에 고정 할 수 있다.
제2 노즐 유닛(120)은 충전공간(S1)의 하부에 제1 노즐 유닛(110)과 인라인의 형태로 설치될 수 있다. 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)은 챔버(101)의 길이 방향인 제1 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 제2 노즐 유닛(120)은 원자층 증착 방식으로 무기층을 성막 할 수 있다. 제2 노즐 유닛(120)은 제2 공급 노즐부(121), 제2 배출 노즐부(122), 제3 배출 노즐부(123) 및 분리 노즐부(124)를 구비할 수 있다.
제2 공급 노즐부(121)는 제2 노즐 유닛(120)의 중앙에 설치되어, 제2 소스가스를 분사 할 수 있다. 제2 소스가스는 개별적으로 제2 공급 노즐부(121)로 공급된 후, 제2 공급 노즐부(121)를 따라 아래 방향으로 이동할 수 있다. 즉, 제2 공급 노즐부(121)는 제2 소스가스를 기판(210)을 향해서 분사할 수 있다.
제2 배출 노즐부(122)는 제2 공급 노즐부(121)의 외측에 설치된다. 제2 배출 노즐부(122)는 제2 공급 노즐부(121)의 일부를 감싸도록 배치될 수 있다. 제2 배출 노즐부(122)는 제2 공급 노즐부(121)의 외측을 따라 각각 이어져서, 제2 공급 노즐부의 상부에서 합쳐진다. 제2 배출 노즐부(122)는 제2 소스가스가 배출하는 통로를 형성한다.
제3 배출 노즐부(123)는 제2 배출 노즐부(122)의 외측에 설치된다. 제3 배출 노즐부(123)는 제2 배출 노즐부(122)의 일부를 감싸도록 배치될 수 있다. 즉, 제3 배출 노즐부(123)는 분사 노즐 유닛(140)과 제2 배출 노즐부(122) 사이에 설치될 수 있다. 제3 배출 노즐부(123)는 반응가스가 배출하는 통로를 형성한다.
분리 노즐부(124)는 제2 배출 노즐부(122)와 제3 배출 노즐부(123) 사이에 설치될 수 있다. 분리 노즐부(124)는 퍼지 가스를 분사하여 반응가스와 제2 소스가스의 혼합을 방지 할 수 있다. 분리 노즐부(124)는 퍼지 가스를 분사하여, 제2 소스가스가 제2 배출 노즐부(122)를 따라 배출되도록 하고, 반응가스가 제3 배출 노즐부(123)를 따라 배출되도록 할 수 있다.
퍼지가스(Purge gas)는 비활성 기체를 이용할 수 있다. 이때, 비활성 기체는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N2) 등을 포함할 수 있다. 분리 노즐부(124)는 상기에서 설명한 바와 같이 비활성 기체를 분사하여 반응가스와 제2 소스가스의 혼합을 방지할 수 있다.
제2 배출 노즐부(122)와 제3 배출 노즐부(123)는 제2 배출관(152)과 연결되며, 제2 배출관(152)으로 이동된 제2 소스가스와 반응가스는 분리되어 외부로 배출될 수 있다. 제2 배출관(152)의 내부에는 분리막(153)이 형성되어, 제2 배출관(152)에서 제2 소스가스와 반응가스가 혼합되는 것을 방지 할 수 있다. 제2 배출 노즐부(122)의 외측에는 서포터(160)가 설치되어 제2 노즐 유닛(120)을 챔버(101)에 고정 할 수 있다.
분사 노즐 유닛(140)은 제1 노즐 유닛(110)의 외측과 제2 노즐 유닛(120)의 외측 사이에 형성될 수 있다. 분사 노즐 유닛(140)은 챔버(101)의 충전공간에 충전된 제1 기체를 아래 방향으로 분사 할 수 있다.
분사 노즐 유닛(140)은 서포터(160) 사이의 유입단(141)으로 제1 기체를 유입시킬 수 있다. 유입단(141)은 슬롯형태로 형성되거나, 복수개의 홀의 형태로 형성될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위해서, 유입단(141)은 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)을 따라 슬롯 형태로 형성된 경우를 중심으로 설명하기로 한다.
유입단(141)으로 유입된 제1 기체는 제1 노즐 유닛(110) 또는 제2 노즐 유닛(120)의 측벽을 따라 하부로 이동할 수 있다. 이후, 제1 기체는 배출단(142)을 통과하여 분사된 후, 제1 노즐 유닛(110)의 제1 배출 노즐부(112)로 이동하거나, 제2 노즐 유닛(120)의 제3 배출 노즐부(123)로 이동할 수 있다.
기판 장착부(170)는 기판(210)이 장착될 수 있는 홈을 포함할 수 있고, 챔버(101) 내부로 기판(210)을 이송할 수 있다. 기판 장착부(170)는 기판(210)을 가열 또는 냉각 시키기 위한 가열 수단 또는 냉각 수단을 포함할 수 있고, 기판(210)을 고정하도록 고정 수단(미도시)을 포함할 수 있다. 고정 수단(미도시)은 클램프, 압력 수단, 접착물질 또는 기타 다양한 종류일 수 있다.
기판 장착부(170)는 증착 공정 중에 제1 노즐 유닛(110) 및 제2 노즐 유닛(120)의 하부에서 제1 방향과 나란한 직선을 따라 복수 회 왕복 하며, 왕복 횟수에 의해 기판(210) 상에 증착되는 박막의 두께를 조절할 수 있다.
한편, 상기와 같은 표시 장치의 제조 장치(1)를 통하여 표시 장치를 제조하는 방법을 살펴보면, 다음과 같은 방법으로 표시장치를 제조 할 수 있다.
표시부(D)가 형성된 기판(210)은 로딩부(10)를 통해서 챔버(101)로 유입될 수 있다. 이때, 챔버(101)의 내부는 반응가스로 채워져 있다.
제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)에 의해서 봉지층이 형성될 수 있다. 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)은 제1 방향으로 연속적으로 배치될 수 있다. 제1 노즐 유닛(110)은 화학 기상 증착 방식으로 유기층을 표시부(D)의 상부에 증착할 수 있다. 제2 노즐 유닛(120)은 원자층 증착 방식으로 무기층을 표시부(D)의 상부에 증착할 수 있다.
제1 노즐 유닛(110)은 제1 소스가스를 기판(210)을 향하여 분사하고, 분사 노즐 유닛(140)은 챔버(101) 내부의 반응가스를 기판(210)을 향하여 분사할 수 있다. 반응가스와 제1 소스가스는 혼합되어 유기층을 기판(210)상에 형성할 수 있다. 반응이 종료된 후에는 제1 소스가스와 반응가스는 제1 배출 노즐부(112)를 통과하여 제1 배출관(151)으로 이동하여 외부로 배출 될 수 있다. 즉, 제1 소스가스와 반응가스는 아래 방향으로 분사되고, 반응 후에 윗 방향으로 배출 될 수 있다.
제2 노즐 유닛(120)은 제2 소스가스를 기판(210)을 향하여 분사하고, 분사 노즐 유닛(140)은 챔버(101) 내부의 반응가스를 기판(210)을 향하여 분사할 수 있다. 제2 소스가스는 아래 방향으로 분사된 후에 제2 배출 노즐부(122)로 유입되어 제2 배출관(152)으로 이동 할 수 있다. 반응가스는 아래 방향으로 분사된 후에 제3 배출 노즐부(123)로 유입되어 제2 배출관(152)으로 이동할 수 있다. 제2 배출 노즐부(122)와 제3 배출 노즐부(123) 사이에는 분리 노즐부(124)가 설치되어, 반응가스와 제2 소스가스가 혼합되는 것을 방지할 수 있다.
기판(210)은 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)을 따라 제1 방향으로 왕복운동을 한다. 기판(210)의 표시부(D) 상에는 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)의 배치에 따라 유기층과 무기층이 연속적으로 증착될 수 있다.
기판(210)은 언로딩부(30)로 이동한 후 보호층형성장치(40)로 장입될 수 있다. 보호층형성장치(40)는 봉지부(E) 상에 보호층(P)을 형성할 수 있다.
보호층(P)은 질화실리콘(SiNx), 질화산화실리콘(SiOxNy), 산화티타늄(TIOx), 질화티타늄(TINx), 질화산화티타늄(TiOxNy), 산화지르코늄(ZrOx), 질화탄탈륨(TaNx), 산화탄탈륨(TaNx), 산화하프늄(HfOx), 산화알루미늄(AlOx) 등의 금속계 산화물 또는 질화물 계열을 포함할 수 있다.
보호층(P)은 봉지부(E)의 측면을 완전히 감싸도록 형성될 수 있다. 따라서 보호층(P)은 봉지부(E)를 수분이나 산소로부터 차단함으로써 박막 봉지부(E)의 수명을 증대시킬 수 있다.
도 5는 도 1의 박막 봉지 제조 장치(20)의 클리닝을 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 박막 봉지 제조 장치(20)를 클리닝 하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
박막 봉지 제조 장치(20)는 복수회의 증착 공정이 완료된 후에 노즐 내부를 주기적으로 클리닝 해야한다. 증착 공정이 완료된 후, 챔버(101)의 충전공간(S1) 클리닝 가스가 충전된다. 클리닝 가스는 유입관(102)으로 챔버 내부로 주입될 수 있다.
클리닝 가스는 분사 노즐 유닛(140)을 통해서 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120) 로 유입될 수 있다. 상세히, 클리닝 가스는 충전공간(S1)에서 서포터(160) 사이에 형성된 유입단(141)으로 이동한 뒤 분사 노즐 유닛(140)의 배출단(142)으로 배출된다.
이후, 클리닝 가스는 제1 배출 노즐부(112)를 통과하면서 제1 노즐 유닛(110)을 클리닝 할 수 있다. 또한, 클리닝 가스는 제2 배출 노즐부(122)와 제3 배출 노즐부(123)를 통과하면서 제2 노즐 유닛(120)을 클리닝 할 수 있다.
표시 장치의 제조 장치(1) 및 표시 장치의 제조 방법은 무기층과 유기층을 연속적으로 적층하여 표시장치의 내구성을 향상 시킬 수 있다.
표시 장치의 제조 장치(1) 및 표시 장치의 제조 방법은 하나의 챔버 내에서 화학 기상 증착방법과 원자층 증착 방법을 동시에 적용하여 증착의 효율을 향상 시킬 수 있다.
표시 장치의 제조 장치(1) 및 표시 장치의 제조 방법은 제1 노즐 유닛(110)과 제2 노즐 유닛(120)에 같은 반응가스를 사용하여 표시 장치의 제조 장치(1)의 공간활용성을 향상 시킬 수 있다.
표시 장치의 제조 장치(1) 및 표시 장치의 제조 방법은 분사 노즐 유닛(140)을 통해서 클리닝 가스를 분사하여 표시 장치의 제조 장치(1)의 분리 또는 분해 없이 원 위치에서 클리닝 작업을 수행 할 수 있다.
도 6은 도 1에서 도시된 표시 장치의 제조 장치를 이용하여 제조된 기판을 보여주는 단면도이다.
도 6을 참조 하면, 표시장치(200)는 기판(210), 표시부(D), 봉지부(E) 및 보호층(P)을 포함할 수 있다.
기판(210) 상에 표시부(D)가 형성될 수 있다. 이때, 표시부(D)는 박막 트랜지스터(TFT)가 구비되고, 이들을 덮도록 패시베이션막(270)이 형성되며, 이 패시베이션막(270) 상에 유기 발광 소자(OLED)가 형성될 수 있다.
기판(210)은 유리 재질을 사용할 수 있는 데, 반드시 이에 한정되지 않으며, 플라스틱재를 사용할 수도 있으며, SUS, Ti과 같은 금속재를 사용할 수도 있다.
이때, 기판(210)은 유리 재질을 사용할 수 있는 데, 반드시 이에 한정되지 않으며, 플라스틱재를 사용할 수도 있으며, SUS, Ti과 같은 금속재를 사용할 수도 있다. 또한, 기판(210)는 폴리이미드(PI, Polyimide)를 사용할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 기판(210)이 유리 재질로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
기판(210)의 상면에는 유기화합물 및/또는 무기화합물로 이루어진 버퍼층(220)이 더 형성되는 데, SiOx(x≥1), SiNx(x≥1)로 형성될 수 있다.
이 버퍼층(220) 상에 소정의 패턴으로 배열된 활성층(230)이 형성된 후, 활성층(230)이 게이트 절연층(240)에 의해 매립된다. 활성층(230)은 소스 영역(231)과 드레인 영역(233)을 갖고, 그 사이에 채널 영역(232)을 더 포함한다.
이러한 활성층(230)은 다양한 물질을 함유하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 활성층(230)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 같은 무기 반도체 물질을 함유할 수 있다. 다른 예로서 활성층(230)은 산화물 반도체를 함유할 수 있다. 예를 들면, 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 또는 하프늄(Hf) 과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면 반도체로 형성되는 활성층(230)은 G-I-Z-O[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c](a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c>0의 조건을 만족시키는 실수)을 포함할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 활성층(230)이 비정질 실리콘으로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
이러한 활성층(230)은 버퍼층(220) 상에 비정질 실리콘막을 형성한 후, 이를 결정화하여 다결정질 실리콘막으로 형성하고, 이 다결정질 실리콘막을 패터닝하여 형성할 수 있다. 상기 활성층(230)은 구동 TFT(미도시), 스위칭 TFT(미도시) 등 TFT 종류에 따라, 그 소스 영역(231) 및 드레인 영역(233)이 불순물에 의해 도핑된다.
게이트 절연층(240)의 상면에는 활성층(230)과 대응되는 게이트 전극(250)과 이를 매립하는 층간 절연층(260)이 형성된다.
그리고, 층간 절연층(260)과 게이트 절연층(240)에 콘택홀(H1)을 형성한 후, 층간 절연층(260) 상에 소스 전극(271) 및 드레인 전극(272)을 각각 소스 영역(231) 및 드레인 영역(233)에 콘택되도록 형성한다.
이렇게 형성된 상기 박막 트랜지스터의 상부로는 패시베이션막(270)이 형성되고, 이 패시베이션막(270) 상부에 유기 발광 소자(OLED)의 화소 전극(281)이 형성된다. 이 화소 전극(281)은 패시베이션막(270)에 형성된 비아 홀(H2)에 의해 TFT의 드레인 전극(272)에 콘택된다. 상기 패시베이션막(270)은 무기물 및/또는 유기물, 단층 또는 2개층 이상으로 형성될 수 있는 데, 하부 막의 굴곡에 관계없이 상면이 평탄하게 되도록 평탄화막으로 형성될 수도 있는 반면, 하부에 위치한 막의 굴곡을 따라 굴곡이 가도록 형성될 수 있다. 그리고, 이 패시베이션막(270)은, 공진 효과를 달성할 수 있도록 투명 절연체로 형성되는 것이 바람직하다.
패시베이션막(270) 상에 화소 전극(281)을 형성한 후에는 이 화소 전극(281) 및 패시베이션막(270)을 덮도록 화소 정의막(290)이 유기물 및/또는 무기물에 의해 형성되고, 화소 전극(281)이 노출되도록 개구된다.
그리고, 적어도 상기 화소 전극(281) 상에 중간층(282) 및 대향 전극(283)이 형성된다.
화소 전극(281)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(283)은 캐소오드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(281)과 대향 전극(283)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
화소 전극(281)과 대향 전극(283)은 상기 중간층(282)에 의해 서로 절연되어 있으며, 중간층(282)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기 발광층에서 발광이 이뤄지도록 한다.
중간층(282)은 유기 발광층을 구비할 수 있다. 선택적인 다른 예로서, 중간층(282)은 유기 발광층(organic emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL:hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다.
한편, 하나의 단위 화소는 복수의 부화소(R,G,B)로 이루어지는데, 복수의 부화소(R,G,B)는 다양한 색의 빛을 방출할 수 있다. 예를 들면 복수의 부화소(R,G,B)는 각각 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 부화소(R,G,B)를 구비할 수 있고, 적색, 녹색, 청색 및 백색의 빛을 방출하는 부화소(미표기)를 구비할 수 있다.
한편, 상기와 같은 유기 발광층은 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층, 적색 유기 발광층을 각각의 서브 픽셀에 형성하여 하나의 단위 픽셀을 형성할 수 있다. 또한, 상기와 같이 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층, 적색 유기 발광층을 형성하는 것 이외에도 다른 색의 유기 발광층을 서브 픽셀에 형성하는 것도 가능하다. 특히 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층, 적색 유기 발광층 이외에도 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층, 적색 유기 발광층를 적층하여 백색 유기 발광층을 서브 픽셀로 형성하여 하나의 단위 픽셀로 형성하는 것도 가능하다.
뿐만 아니라 상술한 실시예에서는 유기 발광층이 각 픽셀별로 별도의 발광 물질이 형성된 경우를 예로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 유기 발광층은 픽셀의 위치에 관계 없이 전체 픽셀에 공통으로 형성될 수 있다. 이때, 유기 발광층은 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질을 포함하는 층이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성될 수 있다. 물론, 백색광을 방출할 수 있다면 다른 색의 조합이 가능함은 물론이다. 또한, 상기 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나, 컬러 필터를 더 구비할 수 있다.
이때, 상기와 같은 중간층(282)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층이 서브 픽셀로 형성되어 하나의 단위 픽셀을 형성하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
표시부(D)가 형성된 기판(210)이 로딩부(10)를 통하여 챔버(101) 내부로 진입하면, 표시부(D) 상에 봉지부(E)를 형성할 수 있다. 이때, 상기와 같은 봉지부(E)은 복수의 무기층들을 포함하거나, 무기층 및 유기층을 포함할 수 있다.
구체적으로 봉지부(E)의 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 바람직하게는, 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니여 에폭시, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리아크릴레이트를 포함 할 수 있다.
봉지부(E)의 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 실리콘 옥사이드(SiO2), 실리콘 나이트 라이드(SiNx), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 티타늄 옥사이드(TiO2), 지르코늄 옥사이드(ZrOx), 징크 옥사이드(ZnO) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
봉지부(E) 중 외부로 노출된 최상층은 유기 발광 소자에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 있다.
봉지부(E)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 다른 예로서, 봉지부(E)은 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또 다른 예로서, 봉지부(E)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조 및 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 포함할 수도 있다.
봉지부(E)은 유기 발광 소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층을 포함할 수 있다.
다른 예로서, 봉지부(E)은 유기 발광 소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제3 무기층을 포함할 수 있다.
또 다른 예로서, 봉지부(E)은 상기 유기 발광 소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 상기 제2 유기층, 제3 무기층, 제3 유기층, 제4 무기층을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예로써, 봉지부(E)은 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예로써, 봉지부(E)은 제1 유기층, 제1 무기층, 제2 유기층, 제2 무기층 및 제3 유기층을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예로써 봉지부(E)은 제1 유기층, 제2 유기층, 제1 무기층, 제3 유기층, 제4 유기층, 제2 무기층, 제5 유기층, 제6 유기층을 포함할 수 있다.
유기 발광 소자(OLED)와 제1 무기층 사이에 LiF를 포함하는 할로겐화 금속층이 추가로 포함될 수 있다. 상기 할로겐화 금속층은 제1 무기층을 스퍼터링 방식으로 형성할 때 상기 유기 발광 소자(OLED)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
제1 유기층은 제2 무기층 보다 면적이 좁게 할 수 있으며, 상기 제2 유기층도 제3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다.
이때, 봉지부(E)은 상기에 한정되는 것은 아니며 무기층과 유기층이 다양한 형태로 적층되는 모든 구조를 포함할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 봉지부(E)이 제1 무기층(U1), 제1 유기층(O1), 제2 무기층(U2), 제2 유기층(O2), 제3 무기층(U3) 및 제3 유기층(O3)을 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 표시 장치의 제조 장치
10: 로딩부
20: 박막 봉지 제조 장치
30: 언로딩부
40: 보호층형성장치
101: 챔버
110: 제1 노즐 유닛
111: 제1 공급 노즐부
112: 제1 배출 노즐부
120: 제2 노즐 유닛
121: 제2 공급 노즐부
122: 제2 배출 노즐부
123: 제3 배출 노즐부
124: 분리 노즐부
140: 분사 노즐 유닛
160: 서포터
170: 기판 장착부

Claims (20)

  1. 챔버;
    상기 챔버의 내부에 배치되며, 유기층을 성막하는 제1 노즐 유닛;
    상기 챔버의 내부에 상기 제1 노즐 유닛과 제1 방향으로 나란하게 배치되며, 무기층을 성막하는 제2 노즐 유닛; 및
    상기 제1 노즐 유닛의 외측 또는 상기 제2 노즐 유닛의 외측에 형성되어, 상기 챔버의 내부에 저장된 제1 가스를 분사하는 분사 노즐 유닛;을 포함하는, 표시 장치의 제조 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 가스는 상기 분사 노즐 유닛에서 분사되어 상기 제1 노즐 유닛 또는 상기 제2 노즐 유닛으로 배출되는, 표시 장치의 제조 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    제1 노즐 유닛은,
    제1 소스가스를 분사하는 제1 공급 노즐부; 및
    상기 분사 노즐 유닛과 상기 제1 공급 노즐부 사이에 설치되어, 상기 제1 가스 또는 상기 제1 소스가스를 배기하는 제1 배출 노즐부;를 구비하는, 표시 장치의 제조 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 배출 노즐부는,
    상기 제1 가스와 상기 제1 소스가스를 혼합하여 배출하는, 표시 장치의 제조 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 소스가스 및 상기 제1 가스는 아래 방향으로 분사되고, 윗 방향으로 배출되는, 표시 장치의 제조 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 노즐 유닛은,
    제2 소스가스를 분사하는 제2 공급 노즐부;
    상기 제2 공급 노즐부의 외측에 설치되어 상기 제2 소스가스를 배출하는 제2 배출 노즐부; 및
    상기 분사 노즐 유닛과 상기 제2 배출 노즐부 사이에 설치되어, 상기 제1 가스를 배기하는 제3 배출 노즐부;를 구비하는, 표시 장치의 제조 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 노즐 유닛은,
    상기 제2 배출 노즐부와 상기 제3 배출 노즐부 사이에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 분리 노즐부;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 노즐 유닛은,
    상기 제1 가스와 상기 제2 소스가스를 분리하여 각각 배출하는, 표시 장치의 제조 장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 소스가스 및 상기 제1 가스는 아래 방향으로 분사되고, 윗 방향으로 배출되는, 표시 장치의 제조 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 분사 노즐 유닛은,
    상기 챔버에 주입된 제1 가스를 아래 방향으로 분사하여 상기 제1 노즐 유닛과 상기 제2 노즐 유닛을 동시에 클리닝 하는, 표시 장치의 제조 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 노즐 유닛과 상기 제2 노즐 유닛을 동일한 크기인, 표시 장치의 제조 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 노즐 유닛과 상기 제2 노즐 유닛의 하부에 설치되고, 표시부가 형성된 기판을 장착하여 상기 제1 방향으로 선형 왕복 운동하는 기판 장착부;를 더 포함하는, 표시 기판의 제조 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버의 일단과 연결되고, 표시부가 형성된 기판을 유입하는 로딩부; 및
    상기 챔버의 타단과 연결되어, 상기 표시부의 상부에 상기 유기층과 상기 무기층 중 적어도 하나가 성막된 기판을 상기 챔버에서 반출시키는 언로딩부;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 언로딩부에 연결되어 상기 언로딩부에서 상기 기판이 이송되며, 상기 표시부의 상부에 보호층을 형성하는 보호층 형성 장치;를 더 포함하는 표시 장치의 제조 장치.
  15. 제1 기체가 채워진 챔버;
    상기 챔버 내부에 설치되며, 유기층을 성막하는 제1 노즐 유닛과, 상기 제1 노즐 유닛과 소정의 거리로 이격되도록 배치되고 무기층을 성막하는 제2 노즐 유닛을 구비하는 봉지층 형성 노즐부; 및
    상기 봉지층 형성 노즐부의 하부에 설치되어, 챔버로 장입된 표시부가 형성된 기판을 장착하여 제1 방향으로 선형 왕복 운동하는 기판 장착부;를 포함하는, 표시 장치의 제조 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 기체는 상기 제1 노즐 유닛과 상기 제2 노즐 유닛 사이의 간극을 통과하여 상기 제1 노즐 유닛과 상기 제2 노즐 유닛으로 유입되는, 표시 장치의 제조 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 노즐 유닛은 제1 소스가스를 분사하고, 상기 제1 소스가스와 상기 제1 기체를 혼합하여 배출하고,
    상기 제2 노즐 유닛은 제2 소스가스를 분사하고, 상기 제2 소스가스와 상기 제1 기체를 각각 개별적으로 배출하는, 표시 장치의 제조 장치.
  18. 표시부가 형성된 기판을 반응가스가 채워진 챔버 내부로 장입하는 단계;
    상기 챔버 내부에 배치된 제1 노즐 유닛은 상기 표시부 상에 유기층 성막하고, 상기 제1 노즐 유닛과 인라인으로 배치된 제2 노즐 유닛은 상기 표시부 상에 무기층을 성막하여 봉지층을 형성하는 단계; 및
    상기 챔버에 연결된 보호층 형성 장치에서 상기 봉지층 상에 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 봉지층을 형성하는 단계는,
    상기 제1 노즐 유닛에서 제1 소스가스와 상기 반응가스가 혼합되여 유기층을 형성하고, 상기 제2 노즐 유닛에서 제2 소스가스와 상기 반응가스가 분리되어 무기층을 형성하는, 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제18 항에 있어서,
    상기 챔버에 클리닝 가스를 주입하여, 상기 제1 노즐 유닛과 상기 제2 노즐 유닛을 클리닝 하는 단계;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
KR1020150014589A 2015-01-29 2015-01-29 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 KR102405123B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150014589A KR102405123B1 (ko) 2015-01-29 2015-01-29 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US14/929,159 US20160226031A1 (en) 2015-01-29 2015-10-30 Apparatus for manufacturing display apparatus and method of manufacturing display apparatus
US16/111,037 US10573851B2 (en) 2015-01-29 2018-08-23 Apparatus for manufacturing display apparatus and method of manufacturing display apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150014589A KR102405123B1 (ko) 2015-01-29 2015-01-29 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160093814A true KR20160093814A (ko) 2016-08-09
KR102405123B1 KR102405123B1 (ko) 2022-06-08

Family

ID=56554783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150014589A KR102405123B1 (ko) 2015-01-29 2015-01-29 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20160226031A1 (ko)
KR (1) KR102405123B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102405123B1 (ko) * 2015-01-29 2022-06-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US11041243B2 (en) * 2015-12-17 2021-06-22 Beneq Oy Coating precursor nozzle and a nozzle head
WO2018106087A1 (ko) * 2016-12-09 2018-06-14 주식회사 엘지화학 유기전자장치의 제조방법
FI129730B (en) * 2017-10-18 2022-08-15 Beneq Oy Nozzle and nozzle head

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060019979A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 가스 분사 어셈블리를 구비한 스퍼터링 장비
JP2007273750A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜装置のクリーニング方法
KR20100102380A (ko) * 2009-03-11 2010-09-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20110084259A (ko) * 2008-11-21 2011-07-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
KR20140130016A (ko) * 2013-04-30 2014-11-07 성균관대학교산학협력단 초극유연성 봉지 박막

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE393967B (sv) * 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
US5122931A (en) * 1989-12-27 1992-06-16 Nippon Chemi-Con Corporation Solid electrolytic capacitor and a method of producing the same
US5122391A (en) * 1991-03-13 1992-06-16 Watkins-Johnson Company Method for producing highly conductive and transparent films of tin and fluorine doped indium oxide by APCVD
US6200389B1 (en) * 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
US6143082A (en) * 1998-10-08 2000-11-07 Novellus Systems, Inc. Isolation of incompatible processes in a multi-station processing chamber
KR101334704B1 (ko) 2006-11-28 2013-12-02 엘아이지에이디피 주식회사 유기물 증착장치 및 유기물 증착방법
US8182608B2 (en) 2007-09-26 2012-05-22 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
TWI420722B (zh) 2008-01-30 2013-12-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh 具有封裝單元之裝置
KR101554334B1 (ko) 2009-11-18 2015-09-18 주식회사 원익아이피에스 샤워헤드 어셈블리 및 이를 구비한 박막증착장치 및 박막증착방법
KR101205436B1 (ko) 2011-01-04 2012-11-28 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치
US20120222620A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Atomic Layer Deposition Carousel with Continuous Rotation and Methods of Use
KR20120137017A (ko) 2011-06-10 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 인라인 증착 장치
TWI522490B (zh) 2012-05-10 2016-02-21 應用材料股份有限公司 利用微波電漿化學氣相沈積在基板上沈積膜的方法
KR101430658B1 (ko) * 2012-05-29 2014-08-18 주식회사 에스에프에이 원자층 증착장치
WO2015047832A1 (en) * 2013-09-26 2015-04-02 Veeco Ald Inc. Printing of colored pattern using atommic layer deposition
KR101512140B1 (ko) * 2013-11-15 2015-04-16 코닉이앤씨 주식회사 원자층 증착 장치 및 방법
KR102405123B1 (ko) * 2015-01-29 2022-06-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060019979A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 가스 분사 어셈블리를 구비한 스퍼터링 장비
JP2007273750A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜装置のクリーニング方法
KR20110084259A (ko) * 2008-11-21 2011-07-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
KR20100102380A (ko) * 2009-03-11 2010-09-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20140130016A (ko) * 2013-04-30 2014-11-07 성균관대학교산학협력단 초극유연성 봉지 박막

Also Published As

Publication number Publication date
US20160226031A1 (en) 2016-08-04
US10573851B2 (en) 2020-02-25
KR102405123B1 (ko) 2022-06-08
US20180366688A1 (en) 2018-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101990555B1 (ko) 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법
US10202683B2 (en) Thin film encapsulation layer manufacturing apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same
US8709161B2 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US10573851B2 (en) Apparatus for manufacturing display apparatus and method of manufacturing display apparatus
CN105489630B (zh) 制造显示装置的装置和方法
US10590533B2 (en) Method of manufacturing display apparatus utilizing mask assembly including intermediate layer and self-assembled monolayer
KR102382025B1 (ko) 표시 장치
KR102296919B1 (ko) 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법
US10796933B2 (en) Display device manufacturing apparatus and method
KR102322012B1 (ko) 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US20160348241A1 (en) Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
US10211427B2 (en) Display device and apparatus and method for manufacturing the same
KR102480087B1 (ko) 표시 장치의 제조장치

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant