CN114171363B - 反应室及刻蚀装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种反应室及刻蚀装置。反应室包括电极组件、缓冲板和第一调节件，其中，电极组件包括相对设置的第一电极和第二电极，第一电极与第二电极之间形成有反应腔，缓冲板与第二电极的边缘连接，缓冲板上开设有第一排气口，第一调节件与缓冲板活动连接，第一调节件用于调节第一排气口的面积。本申请通过在反应室上设置第一调节件，使第一调节件与缓冲板活动连接，并对缓冲板上第一排气口的面积进行调节，能够实现对从第一排气口流出的刻蚀气体的流通量进行调控，从而实现对反应室内刻蚀气体的分布的调控，提高反应室内的刻蚀均一性。

Description

反应室及刻蚀装置

技术领域

本申请涉及显示面板的刻蚀技术领域，具体涉及一种反应室及刻蚀装置。

背景技术

在显示面板的制作过程中，常用的刻蚀方法包括干法刻蚀和湿法刻蚀。对于一般的硅片、玻璃基片以及金属膜层等的刻蚀，多采用干法刻蚀，干法刻蚀的刻蚀效果与刻蚀装置反应室内刻蚀气体的流通方式直接相关。然而，现有的刻蚀装置由于反应室内刻蚀气体分布不均，导致刻蚀的均匀性较差。

发明内容

本申请实施例提供一种反应室及刻蚀装置，可以解决现有技术中刻蚀均匀性较差的问题。

本申请实施例提供一种反应室，包括：

电极组件，包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间形成有反应腔；

缓冲板，与所述第二电极的边缘连接，所述缓冲板上开设有第一排气口；

第一调节件，与所述缓冲板活动连接，所述第一调节件用于调节所述第一排气口的面积。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一调节件与所述缓冲板滑动连接，所述第一调节件用于打开或至少部分遮挡所述第一排气口。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一调节件的滑动方向沿所述缓冲板与所述第二电极的连接边缘延伸。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述缓冲板上开设有多个所述第一排气口；多个所述第一排气口沿所述缓冲板与所述第二电极的连接边缘的延伸方向并列设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述缓冲板至少包括沿第一方向设置在所述第二电极相对两侧的两个子缓冲板，所述子缓冲板与所述第二电极一侧边缘连接；所述子缓冲板上开设有所述第一排气口。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述缓冲板包括多个所述子缓冲板，多个所述子缓冲板围设在所述第二电极的边缘。

可选的，在本申请的一些实施例中，位于所述第二电极相对两侧的两个子缓冲板上的第一排气口在所述第一方向上至少部分重叠。

可选的，在本申请的一些实施例中，每个所述子缓冲板上开设有多个所述第一排气口，多个所述第一排气口沿所述子缓冲板与所述第二电极的连接边缘的延伸方向并列设置；位于所述第二电极相对两侧的两个子缓冲板上的多个第一排气口在所述第一方向上错位设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述反应室包括多个所述第一调节件，多个所述第一调节件与多个所述子缓冲板一一对应活动连接，以调节对应所述子缓冲板上第一排气口的面积。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述反应室包括多个侧板，多个所述侧板围合形成所述反应腔的侧壁；所述子缓冲板沿所述子缓冲板与所述第二电极连接边缘的延伸方向上的一端与所述侧板之间形成有第二排气口。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述反应室还包括第二调节件，所述第二调节件与所述子缓冲板活动连接，所述第二调节件用于调节所述第二排气口的面积。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极上开设有多个进气口；

所述进气口在所述缓冲板上的正投影与所述第一排气口至少部分重叠；和/或，

所述进气口在所述缓冲板上的正投影与所述第二排气口至少部分重叠。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述反应室还包括排气组件，所述排气组件与所述第一排气口和所述第二排气口连通。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述排气组件包括多个排气连接部，多个所述排气连接部与多个所述子缓冲板一一对应连接；所述排气连接部上设置有排气通道，所述排气通道的入口与对应所述子缓冲板上的第一排气口和第二排气口连通。

相应的，本申请实施例还提供一种刻蚀装置，所述刻蚀装置包括：

上述任一项所述的反应室；及

排气泵，所述排气泵与所述反应室中排气通道的出口连通。

本申请实施例中反应室包括电极组件、缓冲板和第一调节件，其中，电极组件包括相对设置的第一电极和第二电极，第一电极与第二电极之间形成有反应腔，缓冲板与第二电极的边缘连接，缓冲板上开设有第一排气口，第一调节件与缓冲板活动连接，第一调节件用于调节第一排气口的面积。通过在反应室上设置第一调节件，使第一调节件与缓冲板活动连接，并对缓冲板上第一排气口的面积进行调节，能够实现对从第一排气口流出的刻蚀气体的流通量进行调控，从而实现对反应室内刻蚀气体的分布的调控，提高反应室内的刻蚀均一性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种反应室的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种反应室底部的俯视图；

图3是本申请实施例提供的另一种反应室底部的俯视图；

图4是本申请实施例提供的一种刻蚀装置的结构示意图。

附图标记说明：

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种反应室及刻蚀装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

首先，本申请实施例提供一种反应室，如图1至图3所示，反应室100包括电极组件120，电极组件120包括相对设置的第一电极121和第二电极122，第一电极121与第二电极122之间形成有反应腔110。当对第一电极121和第二电极122进行通电时，第一电极121与第二电极122之间会形成电磁场，位于反应腔110内的刻蚀气体在电磁场的作用下被电离成等离子体，以对待刻基板400进行刻蚀。

其中，第二电极122可以直接作为基板400的承载台，将基板400放置在第二电极122上，刻蚀气体到达基板400表面时，会与基板400上的目标区域进行物理或化学反应，以在基板400上形成目标图案。

需要说明的是，基板400上目标区域的刻蚀深度与刻蚀气体的浓度及刻蚀时间直接相关，通过调节刻蚀气体在反应腔110内的分布，能够对基板400上不同区域的刻蚀程度进行控制，从而满足不同的刻蚀需求。

反应室100包括缓冲板130，缓冲板130与第二电极122的边缘连接，以对第二电极122进行固定。缓冲板130上开设有第一排气口132，用于将反应室100内的剩余刻蚀气体以及刻蚀气体与基板400的反应生成物及时排出，避免各种反应生成物残留在反应腔110内对基板400的刻蚀图案产生不利影响。

其中，第一排气口132为反应室100内刻蚀气体的主要流出通道，使得基板400上靠近第一排气口132的区域的刻蚀气体浓度高于其他区域，从而使得靠近第一排气口132的区域的刻蚀程度较其他区域高。通过对第一排气口132的设置位置及设计尺寸的调节，可以实现对反应室100内刻蚀气体的分布进行调控，从而对基板400不同区域的刻蚀程度进行控制，以满足不同的刻蚀工艺需求。

反应室100还包括第一调节件140，第一调节件140与缓冲板130活动连接，即第一调节件140能够相对缓冲板130移动。第一调节件140用于调节第一排气口132的面积，通过对第一排气口132面积的调节，能够对从第一排气口132流出的刻蚀气体的流通量进行调控，从而实现对反应室100内刻蚀气体的分布的调控，提高反应室100内的刻蚀均一性。

其中，第一调节件140与缓冲板130的活动连接方式以及第一调节件140对第一排气口132面积的调节方式能够根据设计需求进行相应调整，此处不做特殊限制。

本申请实施例中反应室100包括电极组件120、缓冲板130和第一调节件140，其中，电极组件120包括相对设置的第一电极121和第二电极122，第一电极121与第二电极122之间形成有反应腔110，缓冲板130与第二电极122的边缘连接，缓冲板130上开设有第一排气口132，第一调节件140与缓冲板130活动连接，第一调节件140用于调节第一排气口132的面积。通过在反应室100上设置第一调节件140，使第一调节件140与缓冲板130活动连接，并对缓冲板130上第一排气口132的面积进行调节，能够实现对从第一排气口132流出的刻蚀气体的流通量进行调控，从而实现对反应室100内刻蚀气体的分布的调控，提高反应室100内的刻蚀均一性。

可选的，第一调节件140与缓冲板130滑动连接，即第一调节件140能够相对缓冲板130进行滑动，用于打开或至少部分遮挡第一排气口132，以实现对第一排气口132的面积的调节，改变刻蚀气体在第一排气口132处的流通量，从而对反应室100内的刻蚀气体的分布进行调控，改善反应室100内的刻蚀均一性。

当第一调节件140与缓冲板130滑动连接时，第一调节件140相对缓冲板130具有滑动方向，通过第一调节件140滑动方向的设计能够对第一调节件140的移动范围以及第一调节件140对第一排气口132的面积的调节程度进行调控。

可选的，第一调节件140的滑动方向沿缓冲板130与第二电极122的连接边缘延伸，即第一调节件140沿着第二电极122的边缘方向相对缓冲板130滑动，此种结构设计使得第一调节件140在缓冲板130的长度方向上滑动，且其滑动区域能够根据缓冲板130的实际长度以及第一排气口132的尺寸大小进行相应调整，无需占用额外空间，有利于提高反应室100的空间利用率。

在一些实施例中，第一调节件140的滑动方向沿缓冲板130靠近第二电极122的一侧朝向缓冲板130远离第二电极122的一侧延伸，或者沿缓冲板130远离第二电极122的一侧朝向缓冲板130靠近第二电极122的一侧延伸，即第一调节件140在缓冲板130的宽度方向上滑动，此种结构设计使得第一调节件140相对缓冲板130的移动距离较短，便于对第一调节件140进行控制。

需要说明的是，当第一调节件140在缓冲板130的宽度方向上滑动时，为保证第一调节件140具有足够的滑动空间，需要在缓冲板130上预留出第一调节件140的滑动区域，避免第一调节件140在滑动过程中进入第二电极122所在区域或者与反应腔110的侧壁发生碰撞，从而使得在保证第一调节件140对第一排气口132面积的有效调节的同时，避免对反应室100内的刻蚀效果造成不利的影响。

可选的，第一调节件140与缓冲板130转动连接，即第一调节件140能够相对缓冲板130进行转动，用于打开或至少部分遮挡第一排气口132，以实现对第一排气口132的面积的调节，改变刻蚀气体在第一排气口132处的流通量，从而对反应室100内的刻蚀气体的分布进行调控，改善反应室100内的刻蚀均一性。

当第一调节件140相对缓冲板130转动时，需要保证第一调节件140转动过程中扫过的区域均位于缓冲板130上，以避免第一调节件140进入第二电极122所在区域或者与反应腔110的侧壁发生碰撞，从而避免影响反应室100内的刻蚀效果。

可选的，缓冲板130上开设有多个第一排气口132，使得反应室100内的刻蚀气体能够同时从多个第一排气口132中排出，从而对刻蚀气体进行分散，避免刻蚀气体过度集中于反应室100内的某一区域，通过对多个第一排气口132面积的调节，能够进一步对反应室100内刻蚀气体的分布进行调控，从而提升反应室100内的刻蚀均一性。

其中，多个第一排气口132沿缓冲板130与第二电极122的连接边缘的延伸方向并列设置，即多个第一排气口132在缓冲板130上沿着第二电极122的边缘间隔设置，使多个第一排气口132分布在第二电极122的周围，从而使刻蚀气体能够从反应室100的不同方向排出，进一步提高反应室100内的刻蚀均一性。

需要说明的是，当反应室100内某个区域的刻蚀需求较大时，缓冲板130上对应区域沿缓冲板130靠近第二电极122的一侧朝向缓冲板130远离第二电极122的一侧的方向上能够并列设置多个第一排气口132，即多个第一排气口132沿缓冲板130的宽度方向并列设置。此种结构设计能够进一步增大反应室100内在该区域刻蚀气体的流通量，从而提升该区域的刻蚀程度。

可选的，缓冲板130至少包括沿第一方向A设置在第二电极122相对两侧的两个子缓冲板131，子缓冲板131与第二电极122一侧边缘连接，即两个子缓冲板131分布在第二电极122的相对两侧，使得第二电极122靠近反应室100内的中间区域，有利于对放置在第二电极122上的基板400的放置位置的调控，同时也便于对第二电极122的固定。

其中，子缓冲板131上开设有第一排气口132，即第二电极122的相对两侧设置有第一排气口132，使得刻蚀气体能够在第二电极122的相对两侧排出，提高刻蚀气体在反应室100内分布的对称性。

可选的，缓冲板130包括多个子缓冲板131，多个子缓冲板131围设在第二电极122的边缘，即多个子缓冲板131设置在第二电极122的四周，由于子缓冲板131上开设有第一排气口132，使得第二电极122的四周均设置有第一排气口132，反应室100内的刻蚀气体则可以在第二电极122的四周进行排出。通过对第一排气口132面积的调节，能够对第二电极122周围各方向的刻蚀气体的流通量进行调控，以满足位于第二电极122上的基板400在各个方向上不同的刻蚀需求。

在一些实施例中，位于第二电极122相对两侧的两个子缓冲板131上的第一排气口132在第一方向A上至少部分重叠，即位于第二电极122相对两侧的两个子缓冲板131上的第一排气口132在第一方向A上对应设置，通过对第一排气口132面积的调节，能够使刻蚀气体在第二电极122相对两侧的分布位置对应，提高刻蚀气体在反应室100内分布的对称性，以满足基板400对称性刻蚀的需求。

在另一些实施例中，每个子缓冲板131上开设有多个第一排气口132，多个第一排气口132沿子缓冲板131与第二电极122的连接边缘的延伸方向并列设置，即多个第一排气口132沿对应的子缓冲板131的长度方向并列设置，使得在靠近第二电极122一侧各个区域的刻蚀气体的分布及流通量能够根据对应子缓冲板131上多个第一排气口132的面积进行调整，提高反应室100内的刻蚀均一性。

当多个子缓冲板131围设在第二电极122的边缘，且每个子缓冲板131上开设有多个第一排气口132时，即多个第一排气口132围设在第二电极122的周围，使得放置于第二电极122上的基板400的四周设置有多个第一排气口132，通过对多个第一排气口132面积的配合调节，能够实现对反应室100内不同区域刻蚀气体的流通量的调节，以满足不同刻蚀工艺的需求。

其中，位于第二电极122相对两侧的两个子缓冲板131上的多个第一排气口132在第一方向A上错位设置。即多个第一排气口132间隔设置，一侧子缓冲板131上的第一排气口132与相对的另一侧子缓冲板131上的第一排气口132之间的间隙对应。此种结构设计使得第二电极122相对两侧刻蚀气体的排出区域相互交错，刻蚀气体排出前流经第二电极122相对两侧的区域也会相互交错，从而改善刻蚀气体在反应室100内的分布，提高刻蚀均一性。

可选的，反应室100包括多个第一调节件140，多个第一调节件140与多个子缓冲板131一一对应活动连接，以调节对应子缓冲板131上第一排气口132的面积。通过设置多个第一调节件140，并与子缓冲板131一一对应，使得每个子缓冲板131上的第一排气口132的面积能够单独进行调控，便于根据实际刻蚀需求对不同子缓冲板131上第一排气口132的面积进行调节，提高反应室100的适用性。

在一些实施例中，当一个子缓冲板131上开设有多个第一排气口132时，与该子缓冲板131对应的第一调节件140同时对子缓冲板131上的多个第一排气口132的面积进行调节，此种结构设计能够简化反应室100结构，提高反应室100内空间利用率。

在另一些实施例中，当一个子缓冲板131上开设有多个第一排气口132时，在该子缓冲板131上设置多个第一调节件140，即多个第一调节件140与多个第一排气口132一一对应，以实现对每个第一排气口132面积的单独调节，此种结构设计虽然会增加第一调节件140的数量，但能够实现对子缓冲板131上某个区域的刻蚀气体流通量的单独调控，从而实现对反应室100内某个区域刻蚀气体的分布进行单独控制，进一步改善反应室100内的刻蚀均一性，提高反应室100的适用性。

反应室100还包括多个侧板150，多个侧板150围合形成反应腔110的侧壁，即多个侧板150、电极组件120和缓冲板130共同围合形成反应腔110，其中，多个侧板150的一端与第一电极121的边缘连接，另一端与缓冲板130和第二电极122的边缘连接。

需要说明的是，多个侧板150的一端可以直接与第一电极121的边缘连接，或者第一电极121边缘围设有端板，多个侧板150的一端与端板的边缘连接，以实现多个侧板150与第一电极121的间接连接。当缓冲板130设置在第二电极122的部分边缘时，多个侧板150的另一端同时与缓冲板130和第二电极122连接；当缓冲板130围设在第二电极122的边缘时，多个侧板150的另一端直接与缓冲板130的边缘连接，以实现反应腔110的形成。

可选的，子缓冲板131沿子缓冲板131与第二电极122连接边缘的延伸方向上的一端与侧板150之间形成有第二排气口133，即子缓冲板131在与第二电极122连接边缘延伸方向上的长度小于侧板150的长度，相邻两个子缓冲板131的一端与对应相邻的两个侧板150之间围合形成第二排气口133，也即反应室100对应第二电极122的边缘转角区域开设有第二排气口133。第二排气口133的设置使得刻蚀气体从第二排气口133排出前，能够在反应室100内的各个区域进行流通，从而保证放置于第二电极122上的基板400能够与刻蚀气体充分接触，以保证基板400的刻蚀效果，提高刻蚀完整性及刻蚀成功率。

反应室100还包括第二调节件，第二调节件与子缓冲板131活动连接，第二调节件用于调节第二排气口133的面积，以调节反应腔110内刻蚀气体在各个角落区域的流通量，从而调控反应腔110内刻蚀气体的分布。通过第一排气口132与第二排气口133之间的相互配合，在保证刻蚀气体在反应室100内充分流通的同时，还能够针对某个区域对反应室100内的刻蚀气体进行部分调节，以满足不同的刻蚀工艺需求，提高反应室100的适用性。

其中，第二调节件能够与子缓冲板131滑动连接或转动连接，或者采用其他活动连接方式，其具体连接方式可以参考上述对第一调节件140的相关描述，此处不再一一赘述。

反应室100的第一电极121上开设有多个进气口1211，用于向反应室100内通入刻蚀气体，刻蚀气体从第一电极121向第二电极122流动，与放置于第二电极122上的基板400接触，并通过物理或化学反应对基板400进行刻蚀，以在基板400上形成目标图案。进气口1211的设置位置会直接影响到刻蚀气体在反应室100内的流通方式，通过对第一电极121上进气口1211设置位置的设计，也能够对反应室100内刻蚀气体的分布进行调节。

在一些实施例中，进气口1211在缓冲板130上的正投影与第一排气口132至少部分重叠，即多个进气口1211中的部分进气口1211与第一排气口132对应设置，该部分进气口1211设置在第一电极121的边缘区域，该部分进气口1211既能保证刻蚀气体的流通量，也能避免进气口1211的开设对放置于第二电极122上的基板400所对应区域的电磁场造成过大影响。

在另一些实施例中，进气口1211在缓冲板130上的正投影与第二排气口133至少部分重叠，即多个进气口1211中的部分进气口1211与第二排气口133对应设置，该部分进气口1211设置在第一电极121边缘的转角区域，该部分进气口1211的设置使得刻蚀气体通入反应室100内后即可分布在反应腔110的各个角落，通过与第二排气口133的相互配合，即可实现刻蚀气体在反应腔110的最大范围内进行流通，以保证刻蚀气体与基板400的充分接触。

在又一些实施例中，除在第一电极121边缘区域和边缘的转角区域设置进气口1211外，还在第一电极121的中间区域开设有部分进气口1211。通过在第一电极121的中间区域开设进气口1211，使得从该区域通入的刻蚀气体与放置于第二电极122上的基板400直接相对，以保证基板400所在区域有足够的刻蚀气体流通，从而提高刻蚀效率。

反应室100还包括排气组件160，排气组件160与第一排气口132和第二排气口133连通，以将反应室100内的剩余刻蚀气体以及刻蚀气体与基板400的反应生成物排出，避免反应生成物残留在基板400表面，影响基板400的整体性能。

可选的，排气组件160包括多个排气连接部161，多个排气连接部161与多个子缓冲板131一一对应连接，以实现对每个子缓冲板131上第一排气口132和第二排气口133的排气方式的单独控制，从而对反应室100内刻蚀气体的分布进行调控。

可选的，排气连接部161上设置有排气通道1611，排气通道1611的入口与对应的子缓冲板131上的第一排气口132和第二排气口133连通，即在将反应室100内的刻蚀气体和反应生成物排出时，先将其收集在排气连接部161的排气通道1611内，使得从同一子缓冲板131上的第一排气口132和第二排气口133排出的刻蚀气体和反应生成物能够进行统一收集，而无需对每个第一排气口132和第二排气口133进行单独收集，从而减少排气组件160的零件数量，简化反应室100结构。

其中，排气连接部161位于子缓冲板131背离反应腔110的一侧，排气通道1611的侧壁与子缓冲板131围合形成排气腔，用于收集对应子缓冲板131上的第一排气口132和第二排气口133排出的刻蚀气体和反应生成物，以便于刻蚀气体和反应生成物的集中排出。

其次，本申请实施例还提供一种刻蚀装置，该刻蚀装置包括反应室，该反应室的具体结构参照上述实施例，由于本刻蚀装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果。在此不再一一赘述。

如图4所示，刻蚀装置10包括反应室100和排气泵200，排气泵200与反应室100中排气连接部161上排气通道1611的出口连通，以将反应室100内的刻蚀气体和反应生成物抽出。其中，每个子缓冲板131对应设置一个或多个排气泵200，以对排气速率进行调节。

刻蚀装置10还包括进气室300，进气室300内存储有刻蚀气体，进气室300与反应室100上的进气口1211连通，以将刻蚀气体通入反应室100内，通过对进气室300与反应室100的连接方式以及进气室300内的送气速率进行调控也能实现对反应室100内刻蚀气体分布情况的控制。

在实际应用过程中，利用刻蚀装置10对基板400进行刻蚀时，根据刻蚀工艺需求调节第一排气口132的面积，将基板400放置在第二电极122上后，打开进气室300，使进气室300内的刻蚀气体通入反应室100内，对电极组件120进行通电，将刻蚀气体电离为等离子体；打开排气泵200，使刻蚀气体朝向第二电极122移动，并与基板400进行物理或化学反应后从第一排气口132和第二排气口133进入排气通道1611排出，从而实现对基板400的刻蚀。

本申请通过对第一排气口132的面积进行调节，以对反应室100内刻蚀气体的分布情况进行调控，在保证反应室100内刻蚀均一性的同时满足不同的刻蚀工艺需求，提高刻蚀装置10的适用性。

以上对本申请实施例所提供的一种反应室及刻蚀装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (15)

1.一种反应室，其特征在于，包括：

电极组件，包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间形成有反应腔；

缓冲板，与所述第二电极的边缘连接，所述缓冲板上开设有第一排气口；

第一调节件，与所述缓冲板活动连接，所述第一调节件用于调节所述第一排气口的面积；

排气组件，所述排气组件包括排气连接部，所述排气连接部与所述缓冲板连接，所述排气连接部上设置有排气通道，所述排气通道的入口与所述缓冲板上的第一排气口连通；

其中，所述排气连接部位于所述缓冲板背离所述反应腔的一侧，所述排气通道的侧壁与所述缓冲板围合形成排气腔，在所述反应室的高度方向上，所述排气连接部在所述第一电极上的正投影位于所述第二电极在所述第一电极上的正投影外。

2.根据权利要求1所述的反应室，其特征在于，所述第一调节件与所述缓冲板滑动连接，所述第一调节件用于打开或至少部分遮挡所述第一排气口。

3.根据权利要求2所述的反应室，其特征在于，所述第一调节件的滑动方向沿所述缓冲板与所述第二电极的连接边缘延伸。

4.根据权利要求1所述的反应室，其特征在于，所述缓冲板上开设有多个所述第一排气口；多个所述第一排气口沿所述缓冲板与所述第二电极的连接边缘的延伸方向并列设置。

5.根据权利要求1所述的反应室，其特征在于，所述缓冲板至少包括沿第一方向设置在所述第二电极相对两侧的两个子缓冲板，所述子缓冲板与所述第二电极一侧边缘连接；所述子缓冲板上开设有所述第一排气口。

6.根据权利要求5所述的反应室，其特征在于，所述缓冲板包括多个所述子缓冲板，多个所述子缓冲板围设在所述第二电极的边缘。

7.根据权利要求5或6所述的反应室，其特征在于，位于所述第二电极相对两侧的两个子缓冲板上的第一排气口在所述第一方向上至少部分重叠。

8.根据权利要求5或6所述的反应室，其特征在于，每个所述子缓冲板上开设有多个所述第一排气口，多个所述第一排气口沿所述子缓冲板与所述第二电极的连接边缘的延伸方向并列设置；位于所述第二电极相对两侧的两个子缓冲板上的多个第一排气口在所述第一方向上错位设置。

9.根据权利要求6所述的反应室，其特征在于，所述反应室包括多个所述第一调节件，多个所述第一调节件与多个所述子缓冲板一一对应活动连接，以调节对应所述子缓冲板上第一排气口的面积。

10.根据权利要求6所述的反应室，其特征在于，所述反应室包括多个侧板，多个所述侧板围合形成所述反应腔的侧壁；所述子缓冲板沿所述子缓冲板与所述第二电极连接边缘的延伸方向上的一端与所述侧板之间形成有第二排气口。

11.根据权利要求10所述的反应室，其特征在于，所述反应室还包括第二调节件，所述第二调节件与所述子缓冲板活动连接，所述第二调节件用于调节所述第二排气口的面积。

12.根据权利要求10所述的反应室，其特征在于，所述第一电极上开设有多个进气口；

所述进气口在所述缓冲板上的正投影与所述第一排气口至少部分重叠；和/或，

所述进气口在所述缓冲板上的正投影与所述第二排气口至少部分重叠。

13.根据权利要求10所述的反应室，其特征在于，所述排气组件与所述第二排气口连通。

14.根据权利要求13所述的反应室，其特征在于，所述排气组件包括多个所述排气连接部，多个所述排气连接部与多个所述子缓冲板一一对应连接，所述排气通道的入口与对应所述子缓冲板上的第一排气口和第二排气口连通。

15.一种刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置包括：

权利要求1至14任一项所述的反应室；及

排气泵，所述排气泵与所述反应室中排气通道的出口连通。