KR20050095923A - 배플을 포함하는 건식각 챔버 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정표시장치 제조 공정에서 사용되는 식각 챔버의 배기 가스량을 적절히 조절하도록 하여 식각 유니포머티(UNIFORMITY)를 향상시킨 배플을 포함하는 건식각 챔버를 개시한다. 개시된 본 발명은 절연막을 식각하기 위하여 고주파 발생부, 기판 플레이트 및 가스 배출부등으로 구성된 식각 챔버에 있어서, 상기 가스 배출부는 챔버 내의 가스를 배출하는 배플과, 상기 배플 상에서 배치되어 배출되는 가스량을 조절하는 제 1 슬라이드 배플과 제 2 슬라이드 배플로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 배플 중심 영역에는 슬릿 형태의 배기부가 복수개 형성되어 있고, 상기 제 1 슬라이드 배플의 개수는 상기 배플 중심 영역에 형성된 복수개의 배기부에 대응되며, 상기 제 2 슬라이드 배플은 상기 배플 양측 가장자리에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 건식각 챔버에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 챔버 내에 존재하는 배기 가스량을 조절하여 식각 유니포머티를 향상시킬 수 있는 배플(baffle)을 포함하는 건식각 챔버에 관한 것이다.
최근 들어 급속한 발전을 거듭하고 있는 반도체 기술에 의하여 액정표시장치는 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 강력해진 제품들이 생산되고 있다.
지금까지 정보 디스플레이 장치에 널리 사용되고 있는 CRT(cathode ray tube)가 성능이나 가격 측면에서 많은 장점을 갖고 있지만, 소형화 또는 휴대성의 측면에서는 많은 단점을 갖고 있었다.
이에 반하여, 액정표시장치는 소형화, 경량화, 저 전력 소비화 등의 장점을 갖고 있어 CRT의 단점을 극복할 수 있는 대체 수단으로 점차 주목받아 왔고, 현재는 디스플레이 장치를 필요로 하는 거의 모든 정보 처리 기기에 장착되고 있는 실정이다.
이러한 액정표시장치는 일반적으로 액정의 특정한 분자배열에 전압을 인가하여 다른 분자배열로 변환시키고, 이러한 분자배열에 의해 발광하는 액정 셀의 복굴절성, 선광성, 2색성 및 광산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하는 것으로, 액정 셀에 의한 빛의 변조를 이용한 디스플레이 장치이다.
이와 같은 액정표시장치는 스위칭 소자와 화소 전극이 형성된 어레이 기판과, 컬러 필터층이 형성된 컬러 필터 기판이 액정층을 사이에 두고 합착된 구조를 하고 있다.
상기 어레이 기판에 형성된 박막 트랜지스터, 화소 전극 등 소자들은 금속 막의 증착 또는 절연막의 도포를 반복적으로 진행하면서 포토 공정을 진행한 후, 식각 공정을 진행하여 형성된다.
마찬가지 방법으로 상기 컬러 필터 기판 상에 형성되는 컬러 필터층은 레드, 그린, 블루 컬러를 갖는 감광성 레진을 순차적으로 도포하면서 포토 공정 진행한 후, 식각 공정을 진행하여 형성된다.
한편, 식각 공정에는 식각액과 식각 하고자 하는 박막을 반응시켜 식각 하는 습식각과 플라즈마 가스나 이온을 해당 박막과 반응 또는 충돌시켜 박막을 패터닝하는 건식각 방법이 있다. 금속 재질의 박막의 경우에는 습식각을 사용하는 경우가 많고 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막 등의 무기막을 식각 하는 경우에는 건식각을 사용하는 경우가 많다.
습식각은 측면과 깊이 방향으로 동일한 식각률이 발생하는 등방성 식각 특성 때문에 원하는 모형의 프로파일을 가진 패턴을 형성하지 못한다. 반면, 건식각은 기판 표면에 이온등의 입자를 충돌시켜 박막을 식각 하는 것으로 이방성 시각 특성을 가지며 정밀한 프로파일의 패턴을 형성하는데 유리하다.
건식각은 대전되는 두 전극판 사이에 형성되는 플라즈마 가스플 고주파 등에 의해 가속시키고 타겟에 충돌시켜 타겟의 박막을 식각하는 방법으로 이루어진다.
도 1은 종래 기술에 따른 건식각 챔버(100)의 구조를 도시한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 건식각 챔버(100)는 식각을 위한 반응가스가 주입되는 가스 주입구(106)와, 주입되는 가스에 고주파를 인가하는 고주파 발생부(130)와, 식각을 위한 기판(104)과, 상기 기판(104)을 지지하면서 상기 기판(104)을 일 전극으로 대전시키는 기판 플레이트(101)와, 식각에 사용된 가스를 배출하는 배출부(107)로 구성되어 있다.
또한 상기 기판 플레이트(101)에 대전되는 전극과 반대 전극을 인가하여 상기 가스 주입구(106)에서 주입되는 반응 가스를 플라즈마 가스 상태로 만드는 상부 전극판(102)이 더 형성되어 있다.
상기 구조를 가지는 건식각 챔버(100)에 식각 가스(반응 가스)가 주입되면 고주파 발생부(130)는 고주파 전압을 인가하여 주입된 식각 가스를 플라즈마(이온화된 가스)로 변환시킨다. 이온화된 플라즈마 가스는 상기 상부 전극판(102)과 상기 기판 플레이트(101)에 대전된 전계에 따라 상기 기판(104) 상으로 가속되어 이동한다.
상기 가속된 플라즈마 가스는 상기 기판(104) 상에 도포되어 있는 식각층과 충돌함으로써 식각층을 식각 하게 된다.
상기 건식각 챔버(100)에서 식각 공정이 끝나면, 식각에 사용된 가스는 상기 챔버(100) 저면에 배치되어 있는 배출부(107)를 통해 배출되는데, 상기 챔버(100)의 하부에는 가스를 배출시키기 위한 펌프(미도시)가 설치되어 배출을 돕는다.
그런데, 상기 배기 과정에서 상기 주입된 가스가 균일하게 챔버 내에 존재하지 않고, 위치에 따라 가스량의 농도가 다른 경우에는 식각 비율에 달라져 정밀한 식각 마진을 얻을 수 없는 문제가 있다.
그리고 상기 식각 불균일의 발생은 식각 챔버의 압력, 고주파 발생부에서 발생하는 고주파 파워의 크기, 가스 유량 및 상/하 전극간의 갭 등에 의해 영향을 받게 되는데, 상기 조건들에 차이로 인해 기판 상에 식각 불균일이 발생할 수 있다.
특히, 상기 요인들을 적절히 조절하더라도 공급되는 반응 가스의 와류 발생 및 국부적으로 플라즈마 가스의 집중 현상 등으로 식각 불균형은 발생한다.
도 2는 종래 기술에 따른 건식각 챔버를 상부에서 바라본 평면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 기판 플레이트(101)에 분사되는 식각 가스는 챔버(100)내에 배치되어 있는 기판 플레이트(101)의 하단에 형성되는 배출 펌프(미도시)에 의해 배출되면서 기판(104) 상에 도포된 식각층을 불균일하게 식각 하게 된다. 특히, 기판의 각 변 방향으로 식각이 불균일하게 일어나는 문제가 발생한다.
본 발명은, 건식각 챔버의 기판 플레이트 가장자리 둘레를 따라 배치되어 있는 고정용 배플의 구조를 고정 배플과 이동이 가능한 슬라이드 배플로된 이중 구조로 변경함으로써, 식각 가스가 챔버 내에 균일하게 존재할 수 있도록 가스 배기량을 조절할 수 있는 배플을 포함하는 건식각 챔버를 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 배플을 포함하는 건식각 챔버는,
절연막을 식각하기 위하여 고주파 발생부, 기판 플레이트 및 가스 배출부등으로 구성된 식각 챔버에 있어서,
상기 가스 배출부는 챔버 내의 가스를 배출하는 배플과, 상기 배플 상에서 배치되어 배출되는 가스량을 조절하는 제 1 슬라이드 배플과 제 2 슬라이드 배플로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 배플 중심 영역에는 슬릿 형태의 배기부가 복수개 형성되어 있고, 상기 제 1 슬라이드 배플의 개수는 상기 배플 중심 영역에 형성된 복수개의 배기부에 대응되며, 상기 제 2 슬라이드 배플은 상기 배플 양측 가장자리에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 제 1 슬라이드 배플과 제 2 슬라이드 배플은 상기 배플 상을 움직일 수 있고, 상기 제 2 슬라이드 배플은 상기 챔버 내측의 모서리 영역에 형성된 배기구의 폭을 조절하여 챔버 내의 가스량을 조절하며, 상기 배플 상에 배치되어 있는 제 1 슬라이드 배플과 제 2 슬라이드의 높이는 상기 챔버 내에 배치된 기판 플레이트 표면보다 낮게 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 슬라이드 배플은 상기 배플 상에 형성된 슬릿 형태의 배기부들에 수직한 방향으로 움직여 챔버 내의 가스 배출량을 조절하고, 상기 제 2 슬라이드 배플은 상기 배플 방향과 나란한 방향으로 움직여 챔버 내의 가스 배출량을 조절하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 건식각 챔버의 기판 플레이트 가장자리 둘레를 따라 배치되어 있는 고정용 배플의 구조를 고정 배플과 이동이 가능한 슬라이드 배플로된 이중 구조로 변경함으로써, 식각 가스가 챔버 내에 균일하게 존재할 수 있도록 가스 배기량을 조절할 수 있다.
액정표시장치 제조 공정에서 사용되는 식각 챔버에는 플라즈마 이온(반응 이온)을 타겟에 충돌시켜 식각 하는 이온 식각 방식과 반응 가스를 타겟에 분사하여 식각 하는 반응 식각 방법이 있다.
그 중에서 상기 반응 식각 방법은 다시 반응 가스와 타겟을 화학 반응에 의해서 식각 하는 화학적 반응 식각과 반응 가스를 타겟에 물리적으로 충돌시킴으로써 식각 하는 물리적 반응 식각과 상기 두 방식을 결합한 물리 화학적 반응 식각으로 나눌 수 있다.
상기 방법들은 모두 반응 가스를 분사시킨다는 공통점이 있다.
상기 본 발명의 건식각 챔버는 아르곤(Ar)등을 기판과 충돌시킴으로써 식각 하는 물리적 건식각 방법을 예로 들어 설명한다.
하지만, 아르곤 외의 가스를 사용 챔버 및 다른 식각 챔버에서도 그 기술적 기본을 토대로 적용 가능할 것이다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명에 따른 건식각 챔버의 구조를 도시한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 건식각 챔버(200)는 고 진공 상태를 유지한 체, 챔버(200)내에 아르곤 등의 반응 가스를 주입한다.
상기 주입된 반응 가스는 고주파 발생부(230)에서 발생되어 도입되는 고주파 전압에 의해 플라즈마 상태(이온화 상태)로 여기 된다.
한편, 상기 챔버(200)의 상부에는 상부 전극판(202) 배치되어 있어, 하부에 배치되어 있는 기판 플레이트(201) 대전에 의하여 상기 챔버(200)내에 전계가 형성된다.
상기 상부 전극판(202)과 상기 기판 플레이트(201) 사이에 형성되는 전계에 의하여 플라즈마 이온(아르곤(Ar) 이온)은 가속되어 기판과 충돌한다.
이때 상기 아르곤 이온(Ar Ion)은 통상 양이온이므로 상기 챔버(200) 저면에 배치되어 있는 기판 플레이트(201)에 배치된 하부 전극판(도시되지 않음)을 음극으로 대전하여 아르곤 이온을 가속한다.
상기 기판 플레이트(201)는 식각 공정을 진행할 기판(204)을 안착시키는 역할을 하면서, 상기 기판(204)을 음으로 대전시켜 상기 챔버(200) 내에 존재하는 플라즈마 가스가 상기 기판(204)에 충돌하도록 하여 식각층을 식각 하게 된다.
또한, 상기 기판 플레이트(201)는 식각 공정을 진행하기 위하여 기판(204)을 일정한 온도로 가열하는 기능을 한다.
그리고 상기 기판 플레이트(201)의 가장자리 둘레를 따라 고정된 배플(250: baffle)이 배치되어 있는데, 상기 배플(250)은 식각 공정을 하기 위하여 챔버(200)내에 주입되는 반응 가스 또는 식각 공정 후 플라즈마 가스를 배출하여 상기 챔버(200)내의 압력과 농도 등을 조절한다.
즉, 상기 기판 플레이트(201)와 상부 전극(202) 사이에서 주입된 반응 가스는 상기 배플(250)이 배치되어 있는 영역을 통하여 상기 챔버(200) 저면에 배치된 배출구(207)를 통하여 배출된다.
본 발명에서는 종래 기술에서와 달리 상기 챔버(200)내에 있는 기판 플레이트(201) 가장자리 둘레를 따라 배플(250)이 배치되어 있고, 상기 배플(250)은 배플 지지대(251)에 의하여 고정되어 있다.
상기 배플(250)의 상측에는 반응 가스들의 배기량을 조절하기 위하여 슬라이드 배플(255)을 배치하였는데, 식각 되는 조건에 따라 챔버(200) 내의 가스 농도를 적절하게 조절하는 역할을 한다.
그리고 상기 배플(250)과 슬라이드 배플(255)의 높이는 상기 기판 플레이트(201) 평면보다 낮은 위치에 배치되는데, 이는 상기 챔버(200) 내에 존재하는 반응 가스가 상기 챔버(200) 모서리 영역을 통하여 배출될 때, 와류 현상이 발생하여 용이하게 배출되지 않는 것을 방지하기 위함이다.
또한, 도면상에서는 상기 배플(250)과 슬라이드 배플(255)이 상기 기판 플레이트 가장자리 둘레로부터 상기 챔버(200)의 내측 벽면까지 밀착되어있지만, 상기 배플(250), 슬라이드 배플(255)을 상기 챔버 내측 벽면으로부터 소정거리 이격시킬 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 건식각 챔버를 상부에서 바라본 평면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 식각 공정을 진행하기 위하여 기판(204)을 지지하는 기판 플레이트(201)가 챔버(200)의 중심 영역에 배치되어 있다.
상기 기판 플레이트(201)는 상기 기판(204)을 챔버(200) 내의 상부 전극과 반대되는 전극으로 대전시키는 역할도하고, 상기 기판(204)을 가열시킨다.
그리고 상기 기판 플레이트(201) 가장자리 둘레의 각변에는 배플(350)이 각각 고정 배치되어 있고, 상기 챔버(200)의 네 모서리 영역에는 반응 가스의 배출량을 조절하기 위한 슬라이드 배플(255)이 각각 배치되어 있다.
상기 슬라이드 배플(255)은 상기 챔버(200) 내의 배기부(260) 영역을 조절함으로써, 배기 가스량을 조절한다.
그리고 식각 공정을 진행하기 전, 상기 챔버(200) 내의 플라즈마 가스 농도는 상기 배플(250) 상에 배치되어 있는 슬라이드 배플(255)을 조절함으로써, 상기 챔버(200) 배기부(260) 공간으로 배출되는 가스량을 조절한다.
즉, 상기 배플(250) 상에 배치되어 있는 8개의 슬라이드 배플(255)의 위치를 각각 조절함으로써, 상기 배기부(260)를 통하여 배출되는 플라즈마 가스량을 적절히 조절하여 식각 공정을 진행하기 용이한 상태가 되도록 한다.
도 5는 본 발명에 따른 배플 구조를 도시한 도면으로서, 배플(250)과 슬라이드 배플(255)로 구성된 배플 구조의 평면도와 단면도를 도시하였다.
건식각 챔버에 배치되어 반응 가스량을 조절하기 위하여, 고정된 배플(250) 위로 상기 슬라이드 배플(255)이 여닫기 형식으로 움직일 수 있도록 되어 있다.
따라서, 식각 공정을 진행하기 전에 작업자는 식각 유니포머티(uniformity)가 가장 좋은 조건의 가스량을 챔버 내에 존재시키기 위하여 상기 슬라이드 배플(255)을 조절한다.
상기 슬라이드 배플(255)의 구조는 상기 배플(250) 폭과 동일하면서, 배플(250)의 길이보다는 짧게 형성되어, 챔버 내의 가장자리 영역에 위치한 배기부의 공간을 조절할 수 있도록 되어 있다.
상기 슬라이드 배플(255)은 상기 배플(250) 상에서 자유롭게 움직일 수 있으므로 배기 가스량을 조절하기에 용이한 이점이 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 다른 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 건식각 챔버의 평면도를 도시하였고, 도 7은 이에 사용되는 배플 구조를 도시하였다.
도 6에 도시된 바와 같이, 식각 공정을 진행하기 위하여 기판(304)을 지지시키는 기판 플레이트(301)가 챔버(300)의 중심 영역에 배치되어 있다.
상기 기판 플레이트(301)는 상기 기판(304)을 챔버(300) 내의 상부 전극과 반대되는 전극을 대전시키는 역할을 한다.
그리고 상기 기판 플레이트(301) 가장자리 둘레의 각변에는 배플이 각각 고정 배치되어 있고, 상기 각 배플(350)에는 제 1 배기부(360a) 영역을 여닫아 가스 배출량을 조절하는 제 1 슬라이드 배플(355a)과 제 2 배기부(360b) 영역을 여닫아 가스 배출량을 조절하는 제 2 슬라이드 배플(355b)이 체결되어 있다.
상기 제 1 배기부(360a)는 고정 배치된 배플(350) 중심 영역 상에 슬릿 형태로 오픈된 구조를 하고 있고, 그 개수는 건식 식각 챔버의 크기 또는 식각 되는 기판의 크기에 따라 2 개 이상의 오픈 영역을 갖는다.
또한, 상기 제 2 배기부(360b)는 챔버(300) 내의 모서리 영역이 오픈된 구조를 하고 있고, 상기 배플(350)의 양측 가장자리 영역에 각각 배치되어 있는 제 2 슬라이드 배플(355b)에 의하여 챔버(300) 외부로 배출되는 가스량을 조절한다.
상기 제 2 슬라이드 배플(355b)은 상기 도 4와 도 5에서 설명한 슬라이드의 동작과 유사하므로 상세한 설명은 생략한다.
따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 건식각 챔버(300)는 배플이 배치되어 있지 않는 챔버(300) 모서리 영역의 제 2 배기부(360b) 뿐만 아니라, 고정된 상기 배플(350) 상에 형성된 제 1 배기부(360a) 영역에서도 가스량이 배출되기 때문에 챔버(300) 내의 기판 플레이트(301) 둘레를 따라 고른 배출 가스 흐름을 얻을 수 있다.
그러므로 식각 전에 챔버 내의 반응 가스량을 조절하기 위한 작업이 용이하고, 반응 가스의 불규칙한 흐름을 방지할 수 있다.
상기 배플 구조를 보다 상세한 설명은 도 7의 도면에 따라 설명한다.
건식각 챔버 내에 배치된 기판 플레이트의 일측 모서리에 배치된 배플(350) 중심에는 제 1 배기부(360a)가 다수개의 슬릿 형태로 형성되어 있다. 상기 슬릿의 개수는 챔버 내의 가스량, 식각 공정을 진행할 기판의 크기에 따라 복수개 형성할 수 있다.
상기 제 1 배기부(360a)의 수가 2개 이상일 경우에는 이에 대응되는 개수만큼 제 1 슬라이드 배플(355a)을 상기 배플(350) 상에 배치하고, 상기 제 1 배기부(360a)를 기준으로 수직 방향으로 여닫을 수 있도록 되어 있다.
만약 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 배기부(360a)가 2개일 경우에는 이에 대응되는 제 1 슬라이드 배플(355a)의 개수도 2개를 배치하고, 배출되는 가스량에 따라 제 1 배기부(360a)중 하나만 닫거나 두 개 모두를 닫아 배출 가스량을 조절한다.
상기 배플(350)의 양측 가장자리 영역에 체결되어 있는 제 2 슬라이드 배플(355b)은 도 5에서 설명한 바와 같이 배플(350)을 기준으로 수평 방향으로 여닫기를 하여, 챔버의 모서리 영역에 형성된 제 2 배기부(360b)로 배출되는 가스량을 조절한다.
따라서, 챔버 내에 존재하는 반응 가스를 기판의 둘레를 따라 균일하게 배기할 수 있어 식각 공정을 진행하는 기판 상부의 반응 가스량을 균일하게 유지 시킬 수 있는 이점이 있다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 건식각 챔버의 기판 플레이트 가장자리 둘레를 따라 배치되어 있는 고정용 배플의 구조를 고정 배플과 이동이 가능한 슬라이드 배플로된 이중 구조로 변경함으로써, 식각 가스가 챔버 내에 균일하게 존재할 수 있도록 가스 배기량을 조절할 수 있는 효과가 있다.
또한, 액정표시장치의 크기가 대형화되어 감에 따라 식각 시 기판의 가장자리 영역의 식각 특성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 건식각 챔버의 구조를 도시한 도면.
도 2는 종래 기술에 따른 건식각 챔버를 상부에서 바라본 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 건식각 챔버의 구조를 도시한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 건식각 챔버를 상부에서 바라본 평면도.
도 5는 본 발명에 따른 배플 구조를 도시한 평면도.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 다른 실시 예를 설명하기 위한 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
200: 챔버 201: 기판 플레이트
202: 상부 전극판 204: 기판
206: 가스 주입구 207: 배기구
250: 배플(baffle) 255: 슬라이드 배플
251: 배플 지지대
Claims (9)
- 절연막을 식각하기 위하여 고주파 발생부, 기판 플레이트 및 가스 배출부등으로 구성된 식각 챔버에 있어서,상기 가스 배출부는 챔버 내의 가스를 배출하는 배플과, 상기 배플 상에서 배치되어 배출되는 가스량을 조절하는 제 1 슬라이드 배플과 제 2 슬라이드 배플로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 배플을 포함하는 건식각 챔버.
- 제 1 항에 있어서,상기 배플 중심 영역에는 슬릿 형태의 배기부가 복수개 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 배플을 포함하는 건식각 챔버.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 슬라이드 배플의 개수는 상기 배플 중심 영역에 형성된 복수개의 배기부에 대응되는 것을 특징으로 하는 배플을 포함하는 건식각 챔버.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 슬라이드 배플은 상기 배플 양측 가장자리에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 배플을 포함하는 건식각 챔버.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 슬라이드 배플과 제 2 슬라이드 배플은 상기 배플 상을 움직일 수 있는 것을 특징으로 하는 배플을 포함하는 건식각 챔버.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 슬라이드 배플은 상기 챔버 내측의 모서리 영역에 형성된 배기구의 폭을 조절하여 챔버 내의 가스량을 조절하는 것을 특징으로 하는 배플을 포함하는 건식각 챔버.
- 제 1 항에 있어서,상기 배플 상에 배치되어 있는 제 1 슬라이드 배플과 제 2 슬라이드의 높이는 상기 챔버 내에 배치된 기판 플레이트 표면보다 낮게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 배플을 포함하는 건식각 챔버.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 슬라이드 배플은 상기 배플 상에 형성된 슬릿 형태의 배기부들에 수직한 방향으로 움직여 챔버 내의 가스 배출량을 조절하는 것을 특징으로 하는 배플을 포함하는 건식각 챔버.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 슬라이드 배플은 상기 배플 방향과 나란한 방향으로 움직여 챔버 내의 가스 배출량을 조절하는 것을 특징으로 하는 배플을 포함하는 건식각 챔버.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020040021134A KR20050095923A (ko) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 배플을 포함하는 건식각 챔버 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1020040021134A KR20050095923A (ko) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 배플을 포함하는 건식각 챔버 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR20050095923A true KR20050095923A (ko) | 2005-10-05 |
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ID=37276170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020040021134A KR20050095923A (ko) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 배플을 포함하는 건식각 챔버 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR20050095923A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100665991B1 (ko) * | 2004-11-15 | 2007-01-10 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 에칭 장비 |
| KR100694799B1 (ko) * | 2006-04-20 | 2007-03-14 | 세메스 주식회사 | 반도체 애싱장치 |
| US8883630B2 (en) | 2012-11-28 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of forming contact holes |
| CN114171363A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-03-11 | Tcl华星光电技术有限公司 | 反应室及刻蚀装置 |
-
2004
- 2004-03-29 KR KR1020040021134A patent/KR20050095923A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN114171363B (zh) * | 2021-12-01 | 2024-02-06 | Tcl华星光电技术有限公司 | 反应室及刻蚀装置 |
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