KR100702828B1 - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버내 하측에 마련되며, 그 상면에 기판이 적재되는 전극부; 상기 전극부와 챔버 벽면과의 사이에 마련되는 배플(Baffle);을 포함하며,
상기 배플에는, 그 하측에 다수개가 마련되어 길이 방향으로 이동하며, 상기 배플의 일부 영역마다 개별적으로 개구율을 조절하는 개구율 조정배플;이 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.
플라즈마 처리장치, 배플, 개구율 조정배플, 슬릿, 개구율, 공정 가스

Description

플라즈마 처리장치{Plasma processing apparatus}
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치를 도시한 종단면도이다.
도 2는 상기 도 1의 배플 구조를 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 일 실시예의 플라즈마 처리장치의 횡단면도이다.
도 4는 상기 도 3의 배플 구조에 대해 부분적으로 도시한 확대도이다.
도 5a 내지 도 5c는 상기 플라즈마 처리장치에 마련된 배플의 작동도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 공정챔버 120 : 하부전극
132 : 배플(Baffle) 134, 142 : 슬릿(Slit)
140 : 개구율 조정배플
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하부전극과 공정챔버 내벽 사이에 마련된 배플의 개구 면적을 조절할 수 있게 한 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, LCD 등의 평판표시소자를 제조하는 과정에서는 플라즈마를 사용 하여 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치가 사용되며, 이러한 반도체 웨이퍼 또는 액정 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 과정을 설명하면 우선, 기판 수납 장치(이하 "카세트"라 칭함)에 다수 적재된 반도체 웨이퍼 또는 액정기판(이하 "기판"이라 칭함)을 운송 로봇(도면에 미도시)에 의해 반입 또는 반출시키되 진공과 대기압을 순환하는 로드락 챔버(Load Lock Chamber) 내로 반입시키고 상기 로드락 챔버의 내부가 진공상태가 되도록 펌핑(Pumping)을 실시하여 진공으로 만들고 난 다음, 이송수단을 작동시켜 기판을 반송 챔버(Transfer Chamber)로 이동시킨다.
기판이 이송된 반송 챔버는 진공 상태를 유지하는 다수의 공정 챔버(Process Chamber)와 연통되어 있고, 상기 반송 챔버는 각각의 공정 챔버로 이송수단을 통해 반입, 반출을 실시하며, 여기서 각각의 공정 챔버로 반입된 기판은 하부 전극의 상부에 위치된 적재대 상에 놓이게 되며, 상부 전극 하부에 형성된 미세 구멍을 통해 공정 가스가 유입되고, 유입된 가스로 외부의 전원을 인가 받은 상, 하부 전극에 의해 전기 방전을 일으켜 기판의 표면에 플라즈마 공정을 진행하는 것이다.
상술한 공정 챔버의 상, 하부 전극은 공정챔버의 내부 상, 하측에 각각 설치되며, 플라즈마 공정처리의 수행 대상물인 기판이 적재되는 하부전극의 양측에 절연체가 설치된다. 상술한 전극은 통상적으로 알루미늄이 사용되고, 반도체를 공정 처리하는데 비교적 저렴한 재료로 가장 폭넓게 사용되며 상, 하부전극간에 가해지는 고전압에 따라 전극으로 유입된 가스의 방전으로 형성되는 플라즈마의 화학적인 반응과 고전압으로부터 각각의 전극을 보호한다.
또한, 플라즈마 공정은 알루미늄에 대해 부식을 초래할 수 있으므로 알루미늄재질인 전극의 표면을 보호하기 위한 산화 알루미늄(Al₂O₃)피막과 같은 비교적 불활성의 세라믹 재료가 사용된다.
이러한, 플라즈마 처리장치는 상부 전극과 하부 전극 사이에 기판을 위치시키고, 양 전극 사이의 공간에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 것이다. 이때 양 전극 중 어느 한 전극에는 고주파 전원이 인가되고, 다른 한 전극은 접지된다.
종래의 플라즈마 처리장치는 도 1에서 도시한 바와 같이 공정챔버(10)내 상부 영역에 상부전극(12)이 구비되고, 이러한 상부전극(12)과 대향되는 하부 영역에 설치되되 상술한 공정챔버(10) 바닥과 소정 거리만큼 이격된 상태로 구비되는 베이스(14)와, 이러한 베이스(14)의 상부 영역에 적재되는 절연부재(16)와, 이러한 절연부재(16)의 상부 영역에 적재되는 냉각판(18)과, 이 냉각판(18)의 상부 영역에 적재되는 하부전극(20)으로 구성된 전극부가 구비된다. 상술한 상부전극(12)과, 하부전극(20)이 포함된 전극부는 공정 진행시 플라즈마로부터 보호하기 위하여 전극면을 제외한 나머지 부분 즉, 상부 영역 가장자리부와 각측면을 절연판(22)으로 부착한 다음 그 외측에 세라믹판(24)을 부착하였다.
그리고, 상술한 하부전극(20)의 저면에 공정챔버(10)의 외부에서 고주파 전원(RF)이 인가되는 고주파 전원 공급봉(26)이 설치되며, 상술한 고주파 전원 공급봉(26)을 외부에서 보호하는 전원공급봉 벨로우즈가 상술한 베이스(14)의 저면과 공정챔버(10) 바닥면에 고정된다.
또한, 상술한 베이스(14)의 사방 측면에 단차부가 형성되어 이러한 단차부에 상부가 절곡된 측판(36)의 절곡부가 사방에 설치된 상태로 각각 고정되며, 상술한 측판(36)의 하부 영역이 공정챔버(10) 바닥면에 접촉된 상태로 위치시킨다.
또한, 상술한 냉각판(18)과 이 냉각판(18)의 저면에 설치되는 절연부재(16)의 상면 양단에 수직 방향으로 구비되는 한 쌍의 지지부(28)가 설치될 수 있게 구멍이 형성되며, 상술한 지지부(28)는 전극부의 내부에서 공정챔버(10)의 하방 외측까지 연장되게 형성되어 그 연장된 지지부(28)의 하단과 공정챔버(10)의 저면에 지지부(28)의 노출된 부분을 보호하는 지지부 벨로우즈가 상술한 지지부(28)의 둘레 영역에 마련된다.
한편, 상술한 베이스(14)의 저면과 공정챔버(10) 바닥의 양단에 볼트로 각각 체결되는 연결부재(30)가 마련되며, 이러한 연결부재(30)는 전극부의 하부전극(20)과 공정챔버(10) 바닥을 전기적으로 연결하여 접지시키는 역할을 한다. 여기서, 상술한 연결부재(30)는 도면에는 도시하지 않았지만 상술한 공정챔버(10)내 천정과 상부전극(12)에도 연결된다. 그리고, 상술한 연결부재(30)는 전극부가 대략 10㎜ 정도 승강하므로 최고점에 도달했을 때 파손되는 것을 방지하기 위해 신장되는 길이를 고려한 곡선 형상을 갖도록 고정된다.
그리고, 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 과정에서 상부전극(12)과 하부전극(20) 사이에 기판을 위치시켜 상술한 상부전극(12)은 하강하고, 상술한 하부전극(20)은 상승하여 상술한 하부전극(20)에 적재된 기판의 상면에 그 상부전극(12)을 접촉시킬 때, 상술한 상부전극(12)과 상술한 하부전극(20)이 마 련된 전극부를 승강하도록 구동되는 이동수단(도면에 미도시)이 마련된다.
그리고, 상술한 공정챔버(10)의 내측벽과 측판(36)과의 이격 공간에 구비되어 공정수행 중 또는 공정이 수행된 후 공정챔버(10) 내의 미반응가스 및 공정 중에 발생한 폴리머 등을 공정챔버(10) 외부로 배기시키도록 상술한 공정챔버(10)의 배기구(도면에 미도시)에 마련된 배기 유닛(도면에 미도시)과의 통로 역할을 하며, 1차적으로 블럭킹(blocking)된 후 공정챔버(10) 하부면 모서리에 각각 형성된 배기구를 통해 배출되는 배플(Baffle : 32)이 마련된다. 여기서, 상술한 배플(32)은 적정 간격으로 배열되는 슬릿(Slit : 34)이 다수개 형성된다.(도 2 참조)
그러나, 상술한 배플(32)은 다수개의 등간격으로 형성된 슬릿(34)이 일정한 개구 면적을 갖도록 마련됨으로써, 공정 가스의 흐름을 조절하기 위해서는 개구 면적이 다른 별도의 배플(32)을 제작하여 교체해야 하며, 상황에 따라 공정 가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 경우가 발생되면 그때마다 상황에 맞는 배플(32)을 다수개 제작하여 교체해야 하므로 소요 비용의 증가와 교체 작업이 번거러운 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 그 목적은 상술한 배플에 형성된 슬릿을 소정 개수씩 여러 부분으로 나눠 그 부분마다 개구 면적을 각각 개별적으로 조절할 수 있게 한 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 진공 상태의 챔버 내부에 플라즈 마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버내 하측에 마련되며, 그 상면에 기판이 적재되는 전극부; 상기 전극부와 챔버 벽면과의 사이에 마련되는 배플(Baffle);을 포함하며, 상기 배플에는, 그 하측에 다수개가 마련되어 길이 방향으로 이동하며, 상기 배플의 일부 영역마다 개별적으로 개구율을 조절하는 개구율 조정배플;이 마련됨으로써, 상술한 배플의 하측에 마련되는 다수개의 개구율 조정배플이 상술한 배플의 일부 영역과 상응하여 그 개구율 조정배플을 배플의 길이 방향으로 슬라이딩시키는 과정에서 상술한 배플과의 개구율을 개별적으로 조절할 수 있으므로 바람직하다.
또한, 본 발명에서의 개구율 조정배플은, 그 형상이 상기 배플의 일부 영역에 상응하는 판상이며, 소정 간격으로 배열 형성된 슬릿이 마련되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서의 개구율 조정배플에 형성된 슬릿은, 개폐하고자 하는 배플의 전체 슬릿을 소정 개수씩 할당하여 그 할당된 슬릿과 서로 연통 또는 차단시킬 수 있도록 마련됨으로써, 상술한 배플에 두께 방향으로 형성된 다수개의 슬릿중 그 슬릿을 소정 개수씩 균일성을 갖도록 할당하며, 그 할당된 슬릿과 연통 또는 차단될 수 있도록 개구율 조정배플에 소정 개수로 형성된 슬릿을 마련하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서의 배플에서 소정 개수씩 할당된 슬릿중 일측에 형성된 슬릿의 내측면 중앙부에 각각 홈부가 형성되고, 그 홈부의 너비와 동일한 너비로 형성되며, 상기 개구율 조정배플의 이동거리를 제한할 수 있게 그 개구율 조정배플의 일측 중앙부에 직립된 상태로 각각 스토퍼가 마련됨으로써, 수동으로 이루어지는 배플의 슬릿 개구율 조절시 상술한 개구율 조정배플의 일단에 마련된 스토퍼가 배플의 일측에 형성된 슬릿의 홈부에 위치되면 상술한 배플의 슬릿과 개구율 조정배플에 형성된 슬릿이 서로 수직선상에 위치되고 상술한 스토퍼가 배플의 슬릿 홈부와 대향된 면에 위치되면 상술한 배플의 슬릿과 개구율 조정배플의 슬릿이 서로 어긋나게 위치되므로 이동위치를 제한하면서 개구율 조절이 용이하므로 바람직하다.
이하, 본 발명의 플라즈마 처리장치를 첨부도면을 참조하여 일 실시예를 들어 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 바람직한 일 실시예의 플라즈마 처리장치는 도면에는 도시하지 않았지만 카세트에 다수개가 적재된 기판을 운송 로봇에 의해 반입 또는 반출시키되 진공과 대기압을 순환하는 로드락 챔버(Load Lock Chamber) 내로 반입시키고 상기 로드락 챔버의 내부가 진공상태가 되도록 펌핑(Pumping)을 실시하여 진공으로 만들고 난 다음, 이송수단을 작동시켜 기판을 반송 챔버(Transfer Chamber)로 이동시킨다. 그리고, 상술한 공정챔버에는 상하로 대향된 상부전극과, 하부전극이 포함된 전극부가 마련되며, 종래의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생 략한다.
여기서, 상술한 하부전극(120)과 공정챔버(110)의 내측 벽면과의 사이에는 도 3에 도시된 바와 같이 배플(132)이 마련되며, 상술한 배플(132)는 공정수행 중 또는 공정이 수행된 후 공정챔버(110) 내의 미반응가스 및 공정 중에 발생한 폴리머 등을 공정챔버(110) 외부로 배기시키도록 상술한 공정챔버(110)의 배기구(도면에 미도시)에 마련되어 흡입력을 제공하는 배기 유닛(도면에 미도시)과의 통로 역할을 하며, 공정 가스가 1차적으로 블럭킹(blocking)된 후 공정챔버(110) 하부면 모서리에 각각 형성된 배기구를 통해 배출되는 고정식 배플(Baffle : 132)이 마련되며, 그 배플(132)의 하측에 위치되어 그 배플(132)의 길이 방향으로 슬라이딩되는 개구율 조정배플(140)이 마련된다.
즉, 공정 가스 및 플라즈마가 상기 하부전극(120)과 공정챔버(110) 벽면 사이의 공간으로 곧바로 내려가지 않고, 상술한 배플(132)에 의하여 지연된 후 그 배플(132)에 형성되어 있는 슬릿(134)을 통하여 하부로 내려가는 것이다.
상술한 배플은 도 3에 도시된 바와 같이 다수개의 조각으로 이루어지며, 상술한 하부전극(120)의 가로너비와 세로너비와 상응한 길이를 갖는 판상으로 모서리 부분에서는 정사각의 형상을 갖되 두께 방향으로 관통 형성된 슬릿이 형성되는 것이 가능하다.
또한, 상술한 배플(132)은 결합시 직사각형의 테두리 형상으로 형성되며, 그중 어느 하나의 배플은 도 4에 도시된 바와 같이 길이 방향으로 연장되는 형상으로 두께 방향으로 형성된 다수개의 슬릿(Slit : 134)이 등간격으로 형성되게 마련되 며, 상술한 슬릿(134)을 소정 개수씩 균일하게 할당되어 일부 영역씩 여러 무리로 이루어진다.
상술한 배플(132)의 일부 영역에 각각 형성된 슬릿(134)중 일측에 마련된 슬릿(134)에는 그 슬릿(134)의 내측벽 중앙부마다 부분 절개되어 연통된 홈부(136)가 각각 형성된다.
그리고, 상술한 배플(132)은 그 단면 형상이 판상에서 양단이 하방으로 절곡되며, 그 절곡부위의 하단에 내측 방향으로 돌출되게 길이 방향으로 연장되게 형성된 판상의 이탈방지부재(138)가 그 배플(132)과 동일하게 길이 방향으로 연장되며, 그 이탈방지부재(138)는 하측에서 볼트에 의해 체결된다. 여기서, 상술한 배플(132)에 이탈방지부재(138)가 마련되는 이유는 그 배플(132)과 이탈방지부재(138)와의 사이에 개구율 조정배플(140)이 개재되어 그 개구율 조정배플(140)의 이동시 그 이탈방지부재(138)가 가이드 역할을 함과 동시에 상술한 개구율 조정배플(140)의 이탈을 방지하는 등 결합의 용이성 때문이다.
상술한 개구율 조정배플(140)은 도 5a에서 도시된 바와 같이 상술한 배플(132)에 다수개가 형성된 슬릿(134)을 소정 개수씩 할당한 상태에서, 상술한 배플(132)의 슬릿(134)중 일부 영역의 하면마다 위치시키되, 그 형상은 적정 면적을 갖는 판상으로 배플(132)의 일부 영역에 형성된 슬릿(134)의 하면에 접한 상태로 위치되며, 그 슬릿(134)과 엇갈리게 위치되었을 때 슬릿(142)이 형성되지 않은 부분으로 상술한 배플(132)의 슬릿(134)을 폐쇄하게 된다.
또한, 상술한 개구율 조정배플(140)의 일측면에는 상방으로 돌출되는 스토퍼 (Stopper : 144)가 마련된다.
여기서, 상술한 스토퍼(144)의 역할은 상술한 배플(132)의 하측에 접한 상태로 위치되어 길이 방향으로 이동할 때, 개구율 조정배플(140)의 이동위치를 제한하는 기능을 갖는다.
즉, 상술한 배플(132)의 슬릿(134)은 일부 영역마다 소정 개수씩 동일하게 형성된 다수 영역으로 이루어지며, 각각의 영역마다 형성된 슬릿(134)과의 개구율을 개별적으로 조절할 수 있게 마련된 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)은 상술한 배플(132)의 슬릿(134)과 이동식 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)이 연통되었을 때 개방되는 것이고, 상술한 배플(132)의 슬릿(134)과 이동되는 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)이 서로 엇갈리게 위치되었을 때 폐쇄되는 것으로 이때, 여러 무리로 형성된 배플(132)의 슬릿(134)중 일단마다 슬릿(134)의 일측벽에 부분 절개된 홈부(136)가 형성되고, 그 홈부(136)와 상응한 형상으로 개구율 조정배플(140)의 일단 중앙부에서 상측으로 돌출되어 마련된 배플(132)의 슬릿(134)을 관통하여 위치되는 스토퍼(144)가 마련됨으로써, 상술한 배플(132)의 슬릿(134)내에 형성된 홈부(136)에 개구율 조정배플(140)의 스토퍼(144)가 위치되면 상술한 배플(132)의 슬릿(134)과 개구율 조정배플(140)중 슬릿(142)과 이웃한 슬릿(142)의 사이 부분이 상술한 배플(132)의 슬릿(134) 하단에 각각 위치되어 그 배플(132)의 슬릿(134)을 폐쇄시키며, 상술한 개구율 조정배플(140)의 스토퍼(144)가 상술한 홈부(136)와 대향된 슬릿(134)의 측벽으로 이동되면 상술한 배플(132)의 슬릿(134)과 상술한 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)이 서로 연통되어 개방되는 것이다.
그러므로, 상술한 배플(132)에 형성되며, 그 배플(132)의 일부 영역마다 소정 개수씩 형성된 슬릿(134)과 상응하여 개별적으로 개구율을 조절할 수 있도록 개구율 조정배플(140)이 마련됨에 있어 그 개구율 조정배플(140)의 일단에 마련된 스토퍼(144)에 의해 배플(132)의 슬릿(134)내에서 움직일 수 있는 최대 거리만큼 이동하였을 때 상술한 배플(132)의 슬릿(134)과 상술한 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)은 서로 연통된다. (도 5b 참조)
한편, 도 5c에 도시된 바와 같이 상술한 배플(132)의 일부 영역마다 개구율을 조절할 수 있게 마련된 다수의 슬릿(134)중 그 영역마다 소정 개수씩 형성된 슬릿(134)으로부터 상술한 개구율 조정배플(140)과의 슬릿(142)을 이동시켜 그 개구율 조정배플(140)을 여닫을 때 어느 부분은 개방하고 어느 부분은 폐쇄시켜 선택적으로 개구율을 조절할 수 있다.
여기서, 상술한 배플(132)에 형성되어 부분적으로 제어할 수 있도록 일부 영역에 형성된 슬릿(134)의 개수와, 상술한 개구율 조정배플(140)에 형성되는 슬릿(134)의 개수는 한정하지 않으며, 다양한 변형 실시가 가능하다.
그리고, 상술한 배플(132)에 형성되는 슬릿(134)과, 상술한 개구율 조정배플(140)에 형성되는 슬릿(142)과의 크기는 동일하여, 상술한 배플(132)의 슬릿(134)의 저면에서 접할 수 있게 마련되는 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)이 서로 연통 또는 엇갈리게 위치되었을 때 개구율이 정확하게 이루어진다.
그러므로, 본 발명에서의 플라즈마 처리장치의 챔버 벽면과 하부전극사이에 마련되는 배플은 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이 공정수행 중 또는 공정이 수행된 후 공정챔버(110) 내의 미반응가스 및 공정 중에 발생한 폴리머 등을 공정챔버(110) 외부로 배기시키도록 상술한 공정챔버(110)의 바닥 모서리부에 형성되며, 배기구에 마련된 배기 유닛과의 사이에서 1차적으로 블럭킹(blocking)된 후 공정챔버(110) 하부면 모서리에 각각 형성된 배기구를 통해 배출시키는 배플(132)은 그 배플(132)의 슬릿(134)과, 상술한 배플(132)의 하측에서 슬라이딩 방식으로 이동하는 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)은, 상술한 배플(132)의 슬릿(134) 일단에 형성된 홈부(136)에 개구율 조정배플(140)의 스토퍼(144)를 일률적으로 위치시키면 상술한 배플(132)의 슬릿(134)을 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)과 그 슬릿(142)과 이웃한 슬릿(142)의 사이공간으로 막아 전부 차단된다.
그리고, 상술한 배플(132)의 슬릿(134) 일단에 형성된 홈부(136)와 대향된 슬릿(134)측면에 개구율 조정배플(140)의 스토퍼(144)를 일률적으로 위치시키면 상술한 배플(132)의 슬릿(134)과 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)이 서로 연통되어 전부 개방된다.
그리고, 상술한 배플(132)의 일부 영역마다 형성된 슬릿(134)을 각각의 영역마다 개별적으로 개방 또는 폐쇄하고자 할 때, 개방하고자 하는 배플(132)의 슬릿(134)과 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)은 그 개구율 조정배플(140)에 마련된 스토퍼(144)를 상술한 배플(132)의 슬릿(134) 홈부(136)와 이격된 측벽에 위치시키면 그 배플(132)의 슬릿(134)에서 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)이 연통되어 개방되는 것이며, 폐쇄하고자 하는 배플(132)의 슬릿(134)과 개구율 조정배플(140) 의 슬릿(142)은 그 개구율 조정배플(140)에 마련된 스토퍼(144)를 상술한 배플(132)의 슬릿(134) 홈부(136)내에 위치시켜 상술한 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)과 이웃한 슬릿(142) 사이 부분에 의해 상술한 배플(132)의 슬릿(134)이 폐쇄된다.
여기서, 상술한 공정챔버(110)내의 가스의 흐름이 그 하부전극(120)의 모시리 부근에서는 느리고, 모서리 이외의 가장자리에서는 상대적으로 빠르므로, 상술한 하부전극(120) 상에 위치되어 공정이 처리되는 기판의 모서리 부분과 그 외의 가장자리 부분이 공정 처리되는 정도가 상이하게 되므로, 상술한 하부전극(120)의 모서리 부근에서는 배플(132)의 슬릿(134)과 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)과의 개구율을 높게 하고, 모서리 이외의 가장자리 부근에서는 상술한 배플(132)의 슬릿(134)과 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)과의 개구율을 적게 하여 공정처리되는 정도를 동일하게 설정한다.
그러므로, 상술한 배플(132)에 다수개 형성된 슬릿(134)을 소정 개수씩 할당하여 여러 영역으로 마련되며, 소정 개수의 슬릿(134)이 형성된 각 영역마다 개별적으로 개구율을 조절할 수 있도록 개구율 조정배플(140)을 슬라이딩시켜 상술한 배플(132)의 슬릿(134)에서 그 슬릿(134)을 기점으로 이동하는 개구율 조정배플(140)의 슬릿(142)으로 연통 또는 폐쇄시킴으로써, 각 영역마다 개별적으로 개구율을 조절하여 하부전극(120)의 모서리 부분과 그 모서리 부분을 제외한 가장자리부의 가스이동속도를 균일하게 조절이 가능하며, 상황에 따라 공정가스의 배출 시간 조절이 필요할 때 배플을 교체할 필요없이 슬릿의 개구율을 조절하므로 소요 비용 이 절감되고, 플라즈마 밀도나 여러 특성을 비대칭적이거나 국부적으로 상이하게 나타내고자 할 때 조절이 가능하며, 배기 유닛에서 멀어질수록 개구율을 점점 크게 하여 구배 가능하게 함으로써, 기판의 모서리 부분과 그 모서리 부분을 제외한 가장자리 부근에서의 공정 가스의 흐름 차이를 최소화 할 수 있다.
이와 같은 본 발명의 플라즈마 처리장치는 전극부와 공정챔버 벽면과의 사이에 마련되는 배플과, 상술한 배플의 하측에 마련되어 그 배플의 길이 방향으로 슬라이딩되면서 이동위치를 제한하는 개구율 조정배플을 구비하여, 상술한 배플에 형성된 다수개의 슬릿을 소정 개수로 형성된 일부 영역씩 여러 영역으로 나누고, 그 일부 영역에 형성된 배플의 슬릿과, 상술한 개구율 조정배플에 소정 개수로 형성된 슬릿을 서로 연통시켜 개방하거나 엇갈리게 하여 차단시켜 상술한 개구율 조정배플의 이동에 의해 상술한 배플의 일부 영역마다 개별적으로 슬릿의 개구 면적을 조절 가능함으로써 소요 비용의 절감 및 유지보수가 용이하며, 기판의 모서리 부분과 그 모서리 부분을 제외한 가장자리 부근에서의 공정 가스의 흐름 차이를 최소화 할 수 있으며, 부분적 비대칭 구조를 배플 개구율 조절도 제어가 가능한 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 공정 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서,
    상기 챔버내 하측에 마련되며, 그 상면에 기판이 적재되는 전극부;
    상기 전극부와 챔버 벽면과의 사이에 마련되는 배플(Baffle);을 포함하며,
    상기 배플에는, 그 하측에 다수개가 마련되어 길이 방향으로 이동하며, 상기 배플의 일부 영역마다 개별적으로 개구율을 조절하는 개구율 조정배플;이 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 개구율 조정배플은,
    그 형상이 상기 배플의 일부 영역에 상응하는 판상이며, 일정 간격으로 배열 형성된 슬릿이 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 개구율 조정배플에 형성된 슬릿은,
    개폐하고자 하는 배플의 전체 슬릿을 일정 개수씩 할당하여 그 할당된 슬릿과 서로 연통 또는 차단시킬 수 있도록 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 배플에서 일정 개수씩 할당된 슬릿중 일측에 형성된 슬릿의 내측면 중앙부에 각각 홈부가 형성되고, 그 홈부의 너비와 동일한 너비로 형성되며, 상기 개구율 조정배플의 이동거리를 제한할 수 있게 그 개구율 조정배플의 일측 중앙부에 직립된 상태로 각각 스토퍼가 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 배플에 형성된 슬릿과 상기 개구율 조정배플에 형성된 슬릿의 크기가 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
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