CN207052563U - 一种导流板、干刻设备的下部电极组件以及干刻设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供一种导流板、干刻设备的下部电极组件以及干刻设备，涉及显示器件的制备技术领域，能够解决现有技术中由于流过待刻蚀基板上各个位置处的等离子体气流速率不同，导致待刻蚀基板上各处的刻蚀速率均一性较差的问题。在导流板上设置有镂空区域，用于使气流由镂空区域通过导流板，导流板上的气流通过率由中心向两侧逐渐增大。

Description

一种导流板、干刻设备的下部电极组件以及干刻设备

技术领域

本实用新型涉及显示器件的制备技术领域，尤其涉及一种导流板、干刻设备的下部电极组件以及干刻设备。

背景技术

干法刻蚀是用等离子体对玻璃基板或其他待刻蚀基板上的薄膜进行刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，一方面，气体化学活性比常态下强，可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。

现有的干法刻蚀设备包括：反应腔体、位于反应腔体内的上部电极和下部电极。将待刻蚀基板置于下部电极上，向反应腔体内通入制程气体后，向上部电极和下部电极施加电压，二者之间形成电势差；在电场作用下，制程气体发生反应产生等离子体，等离子体具有很高的能量并以很高的速度轰击待刻蚀基板从而实现刻蚀。

其中，刻蚀速率还与待刻蚀基板表面的等离子体气流的流速正相关。在反应腔体的上部设置有送气泵，送气泵朝向下部电极的方向吹送气体，在反应腔体的下部任意相对的两侧还分别设置有抽气泵，以抽取等离子体气流，通过控制等离子体气流在反应腔体内经过待刻蚀基板表面的流动速度，能够对待刻蚀基板上离子轰击刻蚀的速率进行控制。

但是，现有的抽气泵通常设置在反应腔体下部侧边，且抽气泵的抽气口对应于侧边的中心位置，在刻蚀过程中，侧边的中心位置由于有抽气泵的抽气作用，等离子体气流速度快导致侧边的中心位置的待刻蚀基板处刻蚀速率较高，侧边两侧由于抽气泵抽气作用减弱，等离子体气流速度相对较慢，待刻蚀基板对应侧边两侧处的刻蚀速率较低，这样就会使得待刻蚀基板上各处刻蚀速率不均一，影响干刻产品的品质和良品率。

现有技术中，在下部电极四周设置有保护板，保护板通常为密布网状孔的网板或者为在连接处设置缝隙的无孔的平板，用于保护抽气泵的抽气口，避免异物掉落至抽气口内而对抽气泵造成损伤或损坏，现有技术的保护板也没有对反应腔体内流动的等离子体气流的速率调节均匀的作用。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种导流板、干刻设备的下部电极组件以及干刻设备，能够解决现有技术中由于流过待刻蚀基板上各个位置处的等离子体气流速率不同，导致待刻蚀基板上各处的刻蚀速率均一性较差的问题。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

本实用新型实施例的一方面，提供一种导流板，在导流板上设置有镂空区域，用于使气流由镂空区域通过导流板，导流板上的气流通过率由中心向两侧逐渐增大。

可选的，导流板为包括有多个通孔的条状平板，导流板上单位面积内通孔面积所占的比例由中心向两侧逐渐增大。

进一步的，多个通孔的孔径相同，且导流板上单位面积内通孔的分布密度由中心向两侧逐渐增大。

可选的，多个通孔沿导流板的长度方向设置一排，导流板上的通孔沿长度方向的单位面积设置数量由中心向两侧逐渐增多。

优选的，多个通孔沿导流板的长度方向设置有多排，导流板上的通孔沿长度方向的单位面积设置排数由中心向两侧逐渐增多。

优选的，多个通孔在导流板上的单位面积内的分布密度相同，且多个通孔的孔径T由中心向两侧逐渐增大。

优选的，多个通孔沿导流板的长度方向设置有多排，多个通孔沿导流板的长度方向的单位面积设置排数由中心向两侧逐渐增多，且多个通孔的孔径由中心向两侧逐渐增大。

本实用新型实施例的另一方面，提供一种干刻设备的下部电极组件，包括下部电极，以及上述任一项的导流板，导流板沿其长度方向与下部电极的至少一个侧边连接设置。

优选的，在下部电极的四个侧边均设置有导流板。

本实用新型实施例的再一方面，提供一种干刻设备，包括反应腔体，以及设置在反应腔体内的上述的干刻设备的下部电极组件，还包括设置在反应腔体下表面至少一个侧边中心位置处的抽气口。

优选的，反应腔体下表面还包括未设置抽气口的侧边，在干刻设备的下部电极组件中，对应设置有抽气口的侧边的导流板上的气流通过率小于对应未设置抽气口的侧边的导流板上的气流通过率。

本实用新型实施例提供一种导流板、干刻设备的下部电极组件以及干刻设备，在导流板上设置有镂空区域，用于使气流由镂空区域通过导流板，导流板上的气流通过率由中心向两侧逐渐增大。通过将设置有镂空区域的导流板连接设置在下部电极的侧边，使得等离子体气流通过镂空区域在干刻设备的下部电极组件的上、下流动，由于导流板上的气流通过率由中心向两侧逐渐增大，从而使得靠近抽气口位置处的气流流速减缓，远离抽气口位置处的气流流速加快，进而通过控制待刻蚀基板上各个位置处的气流流速对待刻蚀基板上各个位置处的刻蚀速率进行调节，降低了待刻蚀基板上各个位置处的刻蚀速率差，提高了刻蚀速率的均一性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种导流板的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种干刻设备的下部电极组件的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种导流板为包括有多个通孔的平板的结构示意图之一；

图4为本实用新型实施例提供的一种导流板为包括有多个通孔的平板的结构示意图之二；

图5为本实用新型实施例提供的一种导流板为包括有多个通孔的平板的结构示意图之三；

图6为本实用新型实施例提供的一种导流板为包括有多个通孔的平板的结构示意图之四；

图7为图2的左视图；

图8为本实用新型实施例提供的一种干刻设备的下部电极组件中在下部电极的四个侧边均设置有导流板的结构示意图；

图9为本实用新型实施例提供的一种干刻设备的结构示意图；

图10为图9的B-B剖视图之一；

图11为图9的B-B剖视图之二；

图12为图9的B-B剖视图之三。

附图标记：

01-反应腔体；02-下部电极组件；03-抽气口；10-下部电极；20-导流板；30-待刻蚀基板；T-通孔的孔径；X-镂空区域；a-通孔。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供一种导流板，如图1所示，在导流板20上设置有镂空区域X，用于使气流由镂空区域X通过导流板20，导流板20上的气流通过率由中心向两侧逐渐增大。

需要说明的是，第一，本实用新型实施例的导流板，应用于干刻设备中，如图2所示，导流板20设置在干刻设备的下部电极10的侧边。为了明确表示导流板20在干刻设备的下部电极组件中的设置方向和设置位置，以下导流板20的附图均以导流板20以及其所设置的干刻设备的下部电极10共同示出。

第二，将本实用新型实施例的导流板20连接设置在干刻设备下部电极10的侧边，在干刻设备对待刻蚀基板进行干刻工艺操作时，气流吹送至导流板20，吹至镂空区域X位置处的气流由镂空区域X中通过，而吹至导流板20其他位置的气流则被导流板20阻挡不能通过，导流板20上的气流通过率即指气流在吹至导流板20时，能够由导流板20上的镂空区域X中通过的部分气流在整个吹送至导流板20的气流中所占的比例。

第三，本实用新型实施例的导流板，对于导流板20上设置的镂空区域X的形状不做具体限定，镂空区域X的设置目的是用于使气流通过镂空区域X后由导流板20的一侧流向另一侧，同时，通过镂空区域X的大小控制导流板20上各处的气流通过率，因此，只要能够满足在导流板20上设置的镂空区域X能够使得气流通过，并且，设置的镂空区域X符合与气流通过率之间正相关的比例关系即可。

本实用新型实施例提供一种导流板、干刻设备的下部电极组件以及干刻设备，在导流板上设置有镂空区域，用于使气流由镂空区域通过导流板，导流板上的气流通过率由中心向两侧逐渐增大。通过将设置有镂空区域的导流板连接设置在下部电极的侧边，使得等离子体气流通过镂空区域在干刻设备的下部电极组件的上、下流动，由于导流板上的气流通过率由中心向两侧逐渐增大，从而使得靠近抽气口位置处的气流流速减缓，远离抽气口位置处的气流流速加快，进而通过控制待刻蚀基板上各个位置处的气流流速对待刻蚀基板上各个位置处的刻蚀速率进行调节，降低了待刻蚀基板上各个位置处的刻蚀速率差，提高了刻蚀速率的均一性。

可选的，如图3所示，导流板20为包括有多个通孔a的条状平板，导流板20上单位面积内通孔a面积所占的比例由中心向两侧逐渐增大。

导流板20为包括有多个通孔a的平板，当气流由导流板20的顶面冲击在导流板20上时，气流能够穿过多个通孔a后流向导流板20的底面以下，通过设置导流板20上单位面积内通孔a的面积所占的比例，就能够控制气流在导流板20上各个位置通过的比例以及各个位置处气流的流速。如图3所示，设置导流板20上单位面积内通孔a的面积所占的比例由中心向两侧逐渐增大，就能够使得当吹向导流板20上各个位置处的气流流速相同的情况下，单位时间内通过导流板20两侧位置处的气流流量较大，单位时间内通过导流板20中心位置处的气流量最小，且气流的流量变化由中心向两侧逐步并均匀的变化。

进一步的，如图3所示，多个通孔a的孔径T相同，且导流板20上单位面积内通孔a的分布密度由中心向两侧逐渐增大。

可选的，可以如图3所示，多个通孔a沿导流板20的长度方向设置一排，导流板20上的通孔a沿长度方向的单位面积设置数量由中心向两侧逐渐增多。

如图3所示，多个通孔a的孔径T相同且沿导流板的长度方向设置一排，图3中的虚线框包围导流板20上任意相同的单位面积，由图3可知，位于导流板20中间位置处的单位面积内仅包含有1个通孔a，由中心向一侧边缘的方向，单位面积内包含的通孔a的数量逐渐增多，由2个增加至3个，从而调节使得通过通孔a对吹向导流板20中间位置处的气流的流量减小，对吹向导流板20两侧的气流的流量增大。

需要说明的是，导流板20上的单位面积不限于如图3中所示的矩形范围，单位面积可以为任意封闭的形状，本实用新型实施例对此不作具体限定。

优选的，如图4所示，多个通孔a沿导流板20的长度方向设置有多排，导流板20上的通孔a沿长度方向的单位面积设置排数由中心向两侧逐渐增多。

如图4所示，多个通孔a在导流板20的长度方向上设置有多排，导流板20中间位置处仅包括一排通孔a，通孔a的排数由中心向两侧逐渐增加，在导流板20两侧位置处的通孔a的排数最多，达到3排。图4中的虚线框包围导流板20上任意相同的单位面积，由图4可知，位于导流板20中间位置处的单位面积内仅包括一个通孔a，由中心向一侧边缘的方向，单位面积内包含的通孔a排数增多，通孔a的总数也逐渐增多，从而通过通孔a的设置排数进一步调整通孔a的数量，实现对导流板20上各位置处的气流的气流量的控制调节。

此外，除了如图4所示的多排通孔a的设置位置互相对应的方式以外，当导流板20上设置有多排通孔a时，还可以将相邻两排的通孔a之间交错设置，从而降低待刻蚀基板30上在对应通孔a位置处和对应相邻两个通孔a之间的位置处的气流量的不均衡。

或者，如图5所示，多个通孔a在导流板20上的单位面积内的分布密度相同，且多个通孔a的孔径T由中心向两侧逐渐增大。

如图5所示，在导流板20上设置有多个通孔a，任意相邻的两个通孔a之间的距离相等，多个通孔a的孔径T大小不同，位于导流板20中心位置处的通孔a的孔径T最小，由中心向两侧的方向，通孔a的孔径T逐渐增大，位于两侧边位置处的通孔a的孔径T最大。图5中虚线框包围导流板20上任意相同的单位面积，由图5可知，每一个虚线框内都包括一个通孔a，位于导流板20中心位置处的虚线框内的通孔a的孔径T最小，由中心向一侧边缘的方向，虚线框内的通孔a的孔径T逐渐增大，从而调节使得通过通孔a对吹向导流板20中间位置处的气流的流量减小，对吹向导流板20两侧的气流的流量增大。

优选的，如图6所示，多个通孔a沿导流板20的长度方向设置有多排，多个通孔a沿导流板20的长度方向的单位面积设置排数由中心向两侧逐渐增多，且多个通孔a的孔径T由中心向两侧逐渐增大。

如图6所示，这样一来，一方面，能够通过导流板20中心向两侧的通孔a的设置排数逐渐增多，使得单位面积内中心位置处的通孔a的面积小于两侧的通孔a的面积，对气流通过导流板20上各个位置处的流量进行调控；另一方面，还能够通过设置由中心向两侧的通孔a的孔径T逐渐增大，进一步使得单位面积内中心位置处的通孔a的面积小于两侧的通孔a的面积，以相互配合的对气流通过导流板20上各个位置处的流量进行调控。

此外，当还需要进一步使导流板20上各个位置处的气流流量差异增大时，还可以在上述通孔a的孔径T由中心向两侧逐渐增大且通孔a的设置排数由中心向两侧逐渐增加的基础上，进一步设置通孔a的分布密度不相同，使得相邻两个通孔a之间的距离，在位于导流板20的中心位置处时距离较小，在位于导流板20的两侧边位置处时距离较大。

优选的，如图5所示，通孔a的横截面图形为圆形。

当通孔a的横截面图形为圆形时，一方面，由于通孔a的各个方向上直径均相同，能够提高通过通孔a的气流的平稳性；另一方面，相对于狭长形状的通孔a而言，圆形的通孔a能够降低气流通过时可能在通孔a位置处产生的呼啸噪音。

进一步的，如图5所示，通孔a的孔径T小于等于3mm。

需要说明的是，当导流板20上的通孔a为如图5所示的孔径T大小不相同时，通孔a的孔径T小于等于3mm指的是，所有的通孔a的孔径T均小于3mm。

这样一来，通过限制通孔a的孔径T的大小，使得当本实用新型实施例的干刻设备的下部电极组件应用于干刻设备的反应腔体内部对待刻蚀基板30进行刻蚀作业时，在反应腔体内部随着气流的流动，在气体中可能携带的较大的杂质或颗粒能够被通孔a阻挡，避免较大的杂质或颗粒进入反应腔体内部的抽气口而导致抽气口的损伤甚至设备的损坏。

本实用新型实施例的另一方面，提供一种干刻设备的下部电极组件，如图2所示，包括下部电极10，以及上述任一项的导流板20，导流板20沿其自身的长度方向与下部电极10的至少一个侧边连接设置。

需要说明的是，第一，本实用新型中所述的下部电极10是指，由用于在施加电压后产生下部电极电势的钨层，以及设置在钨层上的上绝缘层和设置在钨层下的下绝缘层共同组成的板状整体结构。

第二，下部电极10为板状结构，导流板20也为条状平板结构，在将导流板20设置在下部电极的一侧边缘时，导流板20的板面方向与下部电极10的板面方向也相同。如图2所示，下部电极10用于放置待刻蚀基板30并与上部电极(图2中未示出)反应以产生等离子体对待刻蚀基板30进行刻蚀。通常情况下，下部电极10为四边形，因此，导流板20的沿长度方向的侧边通过与下部电极10的任意一侧边缘相互连接而与下部电极10连接设置。如图2中，导流板20沿其长度方向与下部电极10的上侧边连接设置。

第三，如图7所示，由于通常导流板20的厚度较小，为了避免气流在导流板20与下部电极10的连接位置处产生气流涡旋或者噪音，优选的，将导流板20的上表面与下部电极10的上表面平齐且在同一水平面上。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

优选的，如图8所示，在下部电极10的四个侧边均设置有导流板20。

这样一来，就能够分别通过每个侧边设置的导流板20上的镂空区域X的分布，对下部电极10的四个侧边位置处的气流分别进行调控，从而通过调控气流使得放置在下部电极10上的待刻蚀基板30上各个位置处受到的气流均衡，进而控制和调节刻蚀速率在待刻蚀基板30上各处均匀。

需要说明的是，当在下部电极10的四个侧边均设置有导流板20时，如图8所示，可以设置沿下部电极10上、下两侧边的导流板20的长度与相应的侧边长度相等，设置沿下部电极10左、右两侧边的导流板20的长度大于相应的侧边长度，从而将四个侧边均设置有导流板20的下部电极10完全包围，避免在相邻两个导流板20的连接位置处留有空隙。或者还可以为其他设置方式，只要保证相邻两个导流板20的连接位置处不留空隙即可。

本实用新型实施例的再一方面，提供一种干刻设备，如图9所示，包括反应腔体01，以及设置在反应腔体01内的上述的下部电极组件02，还包括设置在反应腔体01下表面至少一个侧边中心位置处的抽气口03。

在本实用新型实施例的干刻设备的反应腔体01内对应设置有上部电极和下部电极10(在图9中，上部电极未示出)，在下部电极10上表面放置待刻蚀基板30。

当在反应腔体01下表面的每个侧边的中心位置处均设置有抽气口03时，如图10所示，向反应腔体01内通入制程气体后，向上部电极和下部电极10施加电压，在电场作用下形成于上部电极和下部电极10之间的电势差使得制程气体发生反应产生高能等离子体，高能等离子体高速轰击待刻蚀基板30即可对待刻蚀基板30实施刻蚀操作。设置在反应腔体01下表面的每个侧边的中心位置处的抽气口03抽取反应腔体01内的气体，使得反应腔体01内的高能等离子体快速流动，以提高刻蚀速率。由于反应腔体01的内部结构以及抽气装置的体积限制，抽气口03通常设置在反应腔体01的每个侧边的中心位置，就会导致位于反应腔体01靠近抽气口03的中心位置处的气流速率较大，越远离抽气口03的位置处气流速率越小，这样一来，就是的待刻蚀基板30上各个位置处由于气流速率不同，而出现刻蚀速率不均一的问题。

通过设置导流板20，并设置导流板20上的镂空区域X的在导流板20上各个位置处所占的比例，例如，如图10所示，分别设置每一侧边对应的导流板20上的通孔a的孔径由中心向两侧逐渐增大，且多个通孔a在导流板20上的分布密度相同，使得在该侧边靠近抽气口03的中心位置处的气流受到孔径较小的通孔a的限制，流速变慢，流量减小，同时，在该侧边远离抽气口03的两侧处的气流由于所通过的通孔a的孔径较大，气流流速加快，流量增加，从而使得该侧边中心位置处和两侧位置处的气流差得到调整和平衡，进而使得放置在下部电极10上的待刻蚀基板30上在该侧边对应位置处的刻蚀速率差异降低。

需要说明的是，现有技术中，当在反应腔体01内设置有四个抽气口03时，通常四个抽气口03分别设置在反应腔体01下表面的四角位置，这种情况下，如图11所示，抽气口03靠近导流板20的两侧，远离导流板20的中心，当导流板20上的镂空区域X为孔径大小不同的通孔a时，为了平衡靠近抽气口03位置处的气流量大、远离抽气口03位置处的气流量小的问题，需要将导流板20上的通孔a的孔径设置为由中心向两侧逐渐减小。

优选的，当反应腔体01下表面还包括未设置抽气口03的侧边时，如图12所示，在干刻设备的下部电极组件02中，对应设置有抽气口03的侧边的导流板20上的气流通过率小于对应未设置抽气口03的侧边的导流板20上的气流通过率。

若反应腔体01下表面的四个侧边中包括设置有抽气口03的侧边，还包括未设置有抽气口03的侧边时，由于未设置抽气口03的侧边位置处，能够受到抽气口03的抽取作用相对于设置有抽气口03的侧边处更小，因此，为了平衡整个待刻蚀基板30上各个侧边之间的气流速率以尽可能的提高刻蚀速率均一性，就需要对设置有抽气口03的侧边所对应的导流板20上的镂空区域X和未设置抽气口03的侧边所对应的导流板20上的镂空区域X分别设置，就导流板20上的镂空区域X的总面积而言，需要使设置有抽气口03的侧边所对应的导流板20上的镂空区域X的总面积小于未设置抽气口03的侧边所对应的导流板20上的镂空区域X的总面积，从而使得对应设置有抽气口03的侧边的导流板20上的气流通过率小于对应未设置抽气口03的侧边的导流板20上的气流通过率。即，通过使越远离抽气口03的位置处的镂空区域X面积越大，越靠近抽气口03位置处的口空区域X面积越小，以使得对靠近抽气口03位置处的气流进行较大的限制，进而通过调节使得待刻蚀基板30上各个位置处的气流速率均衡。

此外，如图12所示，当仅在图12所示的干刻设备的上、下两侧边的中心位置处设置有抽气口03时，以导流板20为包括有多个通孔a的平板为例，在满足对应设置有抽气口03的侧边的导流板20上的通孔a的总面积大于对应未设置抽气口03的侧边的导流板20上的通孔a的总面积，以使得对应设置有抽气口03的侧边的导流板20上的气流通过率小于对应未设置抽气口03的侧边的导流板20上的气流通过率的基础上，对应未设置抽气口03的侧边的导流板20上多个通孔a的分布方式与对应设置有抽气口03的侧边的导流板20上的通孔a的分布方式相反，即，在对应未设置抽气口03的侧边的导流板20上的多个通孔a设置为气流通过率在中心位置处最大并且由中心向两侧逐渐减小，这是由于在对应未设置抽气口03的侧边的导流板20的中心位置处距离抽气口03的位置最远，因此需要设置最大的气流通过率以平衡待刻蚀基板30上各个位置处的气流速率的差异。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种导流板，其特征在于，在所述导流板上设置有镂空区域，用于使气流由所述镂空区域通过所述导流板，所述导流板上的气流通过率由中心向两侧逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的导流板，其特征在于，所述导流板为包括有多个通孔的条状平板，所述导流板上单位面积内通孔面积所占的比例由中心向两侧逐渐增大。

3.根据权利要求2所述的导流板，其特征在于，多个所述通孔的孔径相同，且所述导流板上单位面积内通孔的分布密度由中心向两侧逐渐增大。

4.根据权利要求3所述的导流板，其特征在于，多个所述通孔沿所述导流板的长度方向设置一排，所述导流板上的通孔沿长度方向的单位面积设置数量由中心向两侧逐渐增多。

5.根据权利要求3所述的导流板，其特征在于，多个所述通孔沿所述导流板的长度方向设置有多排，所述导流板上的通孔沿长度方向的单位面积设置排数由中心向两侧逐渐增多。

6.根据权利要求2所述的导流板，其特征在于，多个通孔在所述导流板上的单位面积内的分布密度相同，且所述多个通孔的孔径由中心向两侧逐渐增大。

7.根据权利要求2所述的导流板，其特征在于，所述多个通孔沿所述导流板的长度方向设置有多排，多个所述通孔沿所述导流板的长度方向的单位面积设置排数由中心向两侧逐渐增多，且多个所述通孔的孔径由中心向两侧逐渐增大。

8.一种干刻设备的下部电极组件，其特征在于，包括下部电极，以及如权利要求1-7任一项所述的导流板，所述导流板沿其长度方向与所述下部电极的至少一个侧边连接设置。

9.根据权利要求8所述的干刻设备的下部电极组件，其特征在于，在所述下部电极的四个侧边均设置有所述导流板。

10.一种干刻设备，其特征在于，包括反应腔体，以及设置在所述反应腔体内的如权利要求8或9所述的干刻设备的下部电极组件，还包括设置在所述反应腔体下表面至少一个侧边中心位置处的抽气口。

11.根据权利要求10所述的干刻设备，其特征在于，所述反应腔体下表面还包括未设置所述抽气口的侧边，在所述干刻设备的下部电极组件中，对应设置有所述抽气口的侧边的导流板上的气流通过率小于对应未设置所述抽气口的侧边的导流板上的气流通过率。