CN205959955U - 一种干刻设备的下部电极以及干刻设备 - Google Patents

一种干刻设备的下部电极以及干刻设备 Download PDF

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Abstract

本实用新型实施例提供一种干刻设备的下部电极以及干刻设备，涉及显示器件的制备技术领域。包括电极板本体和在电极板本体上设置的多个突起部，多个突起部的顶端构成的面为向上凸起的曲面。能够减小待刻蚀基板对下部电极上的突起部的磨损，降低待刻蚀基板在干刻时各部分之间的温度差，提高刻蚀速率的均一性，避免在待刻蚀基板表面产生印花不良。

Description

一种干刻设备的下部电极以及干刻设备
技术领域
本实用新型涉及显示器件的制备技术领域，尤其涉及一种干刻设备的下部电极以及干刻设备。
背景技术
干法刻蚀是用等离子体对玻璃基板或其他待刻蚀基板上的薄膜进行刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，一方面，气体化学活性比常态下强，可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
现有的干法刻蚀设备包括：反应腔体、位于反应腔体内的上部电极和下部电极。将待刻蚀基板置于下部电极上，反应腔内通入等离子气体接着将反应腔密闭，向上部电极和下部电极施加电压，二者之间形成电势差；在电场作用下，等离子体获得很高的能量并以很高的速度轰击待刻蚀基板从而实现刻蚀。
在离子轰击过程中，为了控制刻蚀速率，需要对待刻蚀基板的温度进行控制，因此，在下部电极的电极板本体上表面设置有突起部，待刻蚀基板放置在下部电极的突起部上，与电极板本体之间有空隙层，将低温惰性气体吹入空隙层内，对待刻蚀基板进行降温。
刻蚀过程中，待刻蚀基板与电极板本体上表面突起部发生磨损会使突起部磨损较大的位置处的空隙层变小，阻碍低温惰性气体的流动，进而导致待刻蚀基板上各处温度不均匀，影响刻蚀速率的均一性，最终导致在基板上形成印花不良(Embossing mura)降低良品率。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种干刻设备的下部电极以及干刻设备，能够减小待刻蚀基板对下部电极上的突起部的磨损，降低待刻蚀基板在干刻时各部分之间的温度差，提高刻蚀速率的均一性，避免在待刻蚀基板表面产生印花不良。
为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：
本实用新型实施例的一方面，提供一种干刻设备的下部电极，包括电极板本体和在电极板本体上设置的多个突起部，多个突起部的顶端构成的面为向上凸起的曲面。
进一步的，曲面为拱形面或球冠。
进一步的，电极板本体的上表面为向上凸起的曲面，下表面为平面。
可选的，电极板本体的上表面为平面，电极板本体上表面的多个突起部的高度由中心向周边逐渐减小，以形成向上凸起的曲面。
可选的，电极板本体的上表面和下表面均为向上凸起的曲面。
优选的，电极板本体各处的厚度均相等。
优选的，多个突起部的顶端构成的曲面中心与边缘最低点的高度差小于或等于50mm。
进一步的，在电极板本体上还设置有多个贯通电极板本体的通气孔，多个通气孔在电极板本体上由中心向四周形成多个同心环，多个同心环由中心向四周至少划分为两个部分，每一部分的通气孔与一组管道连通，不同部分的通气孔与不同的管道连通。
优选的，多个同心环由中心向四周划分为两个部分，分别与两组管道连通。
本实用新型实施例的另一方面，提供一种干刻设备，包括上述的任意一种干刻设备的下部电极。
本实用新型实施例提供一种干刻设备的下部电极，包括电极板本体和在电极板本体上设置的多个突起部，多个突起部的顶端构成的面为向上凸起的曲面。通过使下部电极上的多个突起部顶端构成的面为向上凸起的曲面，使待刻蚀基板与下部电极上的突起部各处受力均匀，避免与突起部发生局部磨损，降低了待刻蚀基板在干刻时各部分之间的温度差，提高了刻蚀速率的均一性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的一种干刻设备的下部电极的结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的干刻设备的下部电极的一种设置方式的主视图；
图3为本实用新型实施例提供的干刻设备的下部电极的另一种设置方式的主视图；
图4为图3的A-A剖视图；
图5为本实用新型实施例提供的另一种干刻设备的下部电极的结构示意图；
图6为本实用新型实施例提供的干刻设备的下部电极的再一种设置方式的主视图；
图7为图3的A-A剖视图；
图8为图7的B-B剖视图。
附图标记：
00-电极板本体；01-突起部；02-通气孔；h-电极板本体的厚度；C、D-通气管道组；W-多个突起部的顶端形成的曲面中心与边缘最低点的高度差；X、Y、Z-电极板本体上通气孔划分的部分。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例提供一种干刻设备的下部电极，如图1所示，包括电极板本体00和在电极板本体00上设置的多个突起部01，多个突起部01的顶端构成的面为向上凸起的曲面。
需要说明的是，上述向上凸起的曲面指的是，干刻设备的下部电极整体的上表面为向上凸起的曲面，该曲面可以是如图2所示，由于设置在电极板本体00上的突起部01的高度不同，使每一个突起部01顶端之间相连构成的面为向上凸起的曲面，也可以是如图3所示，电极板本体00的上表面设置为向上凸起的曲面，然后在电极板本体00的上表面上设置高度均相同的突起部01，则在突起部01的顶端之间相连构成的面组成向上凸起的曲面。
本实用新型中所述的电极板本体00是指，由用于在施加电压后产生下部电极电势的钨层，以及设置在钨层上的上绝缘层和设置在钨层下的下绝缘层共同组成的板状整体结构。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外，电极板本体00上的多个突起部01，用于支撑放置在下部电极上的待刻蚀基板，待刻蚀基板通过突起部01的支撑作用，与电极板本体00的上表面之间形成间隙，设置在电极板本体00上的通孔02向电极板本体00与待刻蚀基板之间的间隙中通入低温惰性气体，用于在干法刻蚀工艺过程中对待刻蚀基板表面各处进行降温处理。
本实用新型提供一种干刻设备的下部电极，包括电极板本体和在电极板本体上设置的多个突起部，多个突起部的顶端构成的面为向上凸起的曲面。通过使下部电极上的多个突起部顶端构成的面为向上凸起的曲面，使待刻蚀基板与下部电极上的突起部各处受力均匀，避免与突起部发生局部磨损，降低了待刻蚀基板在干刻时各部分之间的温度差，提高了刻蚀速率的均一性。
机械手将待刻蚀基板运送至下部电极上时，下部电极上设置的支撑pin(支撑导柱)托举待刻蚀基板下降并放置在下部电极上，当工序完成后，机械手将待刻蚀基板顶起推离下部电极，并上升后运送至下一工序。由于支撑pin通常不会设置在待刻蚀基板边缘，因此，待刻蚀基板在随支撑pin的升降过程中，由于重力的作用，待刻蚀基板边缘会产生一定的重力形变，尤其是待刻蚀基板的四角处下垂形变最大，导致待刻蚀基板发生下垂形变的位置先与电极板本体00上表面对应的突起部01接触并发生较大磨损，这样就会使突起部01的高低不一致，突起部磨损较大的位置处与电极板本体00之间的空隙层变小。
进一步的，上述的向上凸起的曲面可以为如图1所示的球冠面，或者为如图5所示的拱形面。
待刻蚀基板随支撑pin的升降过程移动并放置在拱形面上，例如，对于同一侧两端的支撑pin顶端还水平设置有连接支撑pin的辅助支撑杆的情况，由于重力作用，待刻蚀基板的四角产生下垂的重力形变，设置有辅助支撑杆的两侧边由于辅助支撑杆的支撑作用，重力形变程度较小，另外两侧的重力形变较为明显，此时选用下部电极的向上凸起的曲面为如图1所示的拱形面的方案，拱形面左、右两侧边向下弯曲，拱形面弯曲的程度与待刻蚀基板的上述重力形变程度接近，因此待刻蚀基板放置在拱形面上时，能够减小待刻蚀基板边缘与下部电极上边缘部分的突起部01之间的磨损。
对于本实用新型的支撑pin多点托举待刻蚀基板升降的情况，由于重力作用，待刻蚀基板的四角带动四边均产生下垂的重力形变，四边的形变程度相似，如图1所示，下部电极曲面为球冠面时的弯曲状态与待刻蚀基板在随支撑pin的升降过程移动放置时的重力作用下的自然弯曲状态最为相似，因此能够进一步减小由于下部电极与待刻蚀基板之间部分接触摩擦而导致的对应位置突起部01的磨损，以使得电极板本体00上表面的突起部01各处磨损状态均匀，提高刻蚀速率的均一性。以下所述的向上凸起的曲面的具体设置方式以及附图，均以曲面为球冠面为例进行说明。
进一步的，如图2所示，电极板本体00的上表面为平面，电极板本体00上表面的多个突起部01的高度由中心向周边逐渐减小，以形成向上凸起的曲面。
这样一来，通过突起部01的高度由中心向周边逐渐减小，以使得多个突起部01的顶端形成的面为向上凸起的曲面。但是由于设置在电极板本体00上的通气孔02需要通过电极板本体00与突起部01之间的间隙向待刻蚀基板各处吹入低温惰性气体降温，若突起部01的高度由中心向周边逐渐减小，则会导致各处突起部01与电极板本体00之间的间隙不相同，从而使由通气孔02吹向待刻蚀基板上各处的低温惰性气体的速率不相同，进而影响到待刻蚀基板在干法刻蚀的工艺过程中整体温度均匀性。
优选的，电极板本体00的上表面为向上凸起的曲面，在电极板本体00的上表面上设置高度均等的突起部01，以使得多个突起部的顶端形成的面为向上凸起的曲面。
具体的，可以为如图3所示的情形，电极板本体00的上表面和下表面均为向上凸起的曲面，即将电极板本体00整体由中心向上凸起以形成曲面。
此外，还可以为如图6所示，电极板本体00的上表面为向上凸起的曲面，下表面为平面。
优选的，如图3所示，电极板本体00各处的厚度h均相等。
由于如图4所示，在电极板本体00上还加工有多个通气孔02，综合考虑节省原料、降低加工难度以及干刻设备下部电极的整体稳定性的因素，如图3所示的电极板本体00的上表面和下表面均为向上凸起的曲面，且电极板本体00各处的厚度h均相等的方案为电极板本体00形状设置的较为优选的设计方案。
此外，上述的电极板本体00的下表面不限于上述的形状，还可以根据需要加工为任意其他的形状，只要能够满足电极板本体00的上表面为向上凸起的曲面即可，此处仅做示例，不做具体限定。
优选的，如图3所示，多个突起部01的顶端构成的曲面中心与边缘最低点的高度差W小于或等于50mm。
若高度差W大于50mm，则多个突起部01的顶端形成的曲面弯曲度过大，待刻蚀基板在随支撑pin的升降过程移动放置时，由于待刻蚀基板的自然弯曲状态的弯曲度较小，则导致待刻蚀基板的中心位置先与下部电极中心对应位置的突起部01接触摩擦，使得下部电极中心对应位置的突起部01较其他位置的突起部01磨损严重，进而影响刻蚀速率的均一性。
对于尺寸较大的待刻蚀基板，其支撑pin的支撑位置也会相应向边缘调整，以保证待刻蚀基板在支撑pin上放置和移动时的稳定性，因此，待刻蚀基板的自然弯曲程度不会随着待刻蚀基板的尺寸增大而增大，多个突起部01的顶端构成的曲面中心与边缘最低点的高度差W均应根据具体需要调整在小于或等于50mm的范围内。
为了进一步提高待刻蚀基板各处温度的均匀性，使得待刻蚀基板在干法刻蚀的过程中各处刻蚀速率均一，降低印花不良(Embossing mura)现象的发生，进一步的，在电极板本体00上还设置有多个贯通电极板本体00的通气孔02，多个通气孔02在电极板本体00上由中心向四周形成多个同心环，多个同心环由中心向四周至少划分为两个部分，每一部分的通气孔02与一组管道连通，不同部分的通气孔02与不同的管道连通。
示例的，如图4所示，在电极板本体00上包括三个由多个通气孔02组成的同心环，三个同心环由中心向四周划分为X、Y、Z三个部分，其中，每一个部分的同心环中的通气孔02与一组管道连通(图中未示出)，X、Y、Z三个部分分别连通三组管道，三组管道中均通入低温惰性气体，但是三组管道中的气体流速可分别单独调节，这样一来，可以分别调节划分的各部分的通气孔02中的气体流速，以抵消当电极板00电极板本体00上各处的突起部01高度由于磨损等因素使得与电极板00电极板本体00之间的间隙不同时，由通气孔02通入的低温惰性气体在待刻蚀基板各处的流速的差异，进而提高待刻蚀基板在干法刻蚀过程中各处温度的均匀性。
考虑到对通气孔02划分的部分越多，需要设置的管道数量越多，对多组管道分别调节气体流速会提高成本，并且增加了本实用新型的干刻设备的下部电极的操作复杂性，因此，优选的，如图7所示，多个同心环由中心向四周划分为X、Y两个部分，如图8所示，X、Y两个部分分别与两个管道连通。
例如，如图8所示，X部分的同心环中的通气孔02均与D组管道相连通，由D组管道通入低温惰性气体，Y部分的同心环中的通气孔02均与C组管道相连通，由C组管道通入低温惰性气体，这样一来，对C组管道和D组管道分别设置气流流速，即可控制X部分和Y部分的低温惰性气体以不同的气流流速对待刻蚀基板的不同位置进行降温。
本实用新型实施例的另一方面，提供一种干刻设备，包括上述的任意一种干刻设备的下部电极。
由于在上述的干刻设备的下部电极的实施例中，已经对于干刻设备的结构进行了详细的说明，此处不再赘述。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种干刻设备的下部电极，其特征在于，包括电极板本体和在所述电极板本体上设置的多个突起部，所述多个突起部的顶端构成的面为向上凸起的曲面。
2.根据权利要求1所述的干刻设备的下部电极，其特征在于，所述曲面为拱形面或球冠。
3.根据权利要求1所述的干刻设备的下部电极，其特征在于，所述电极板本体的上表面为向上凸起的曲面，下表面为平面。
4.根据权利要求1所述的干刻设备的下部电极，其特征在于，所述电极板本体的上表面为平面，所述电极板本体上表面的所述多个突起部的高度由中心向周边逐渐减小，以形成向上凸起的曲面。
5.根据权利要求1所述的干刻设备的下部电极，其特征在于，所述电极板本体的上表面和下表面均为向上凸起的曲面。
6.根据权利要求5所述的干刻设备的下部电极，其特征在于，所述电极板本体各处的厚度均相等。
7.根据权利要求1-6任一项所述的干刻设备的下部电极，其特征在于，所述多个突起部的顶端构成的曲面中心与边缘最低点的高度差小于或等于50mm。
8.根据权利要求1-6任一项所述的干刻设备的下部电极，其特征在于，在所述电极板本体上还设置有多个贯通所述电极板本体的通气孔，所述多个通气孔在所述电极板本体上由中心向四周形成多个同心环，所述多个同心环由中心向四周至少划分为两个部分，每一部分的所述通气孔与一组管道连通，不同部分的所述通气孔与不同的所述管道连通。
9.根据权利要求8所述的干刻设备的下部电极，其特征在于，所述多个同心环由中心向四周划分为两个部分，分别与两组所述管道连通。
10.一种干刻设备，包括如权利要求1-9任一项所述的干刻设备的下部电极。
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