KR20200108693A - 기판처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판처리 장치가 개시된다. 본 발명의 기판처리 장치는 기판처리 공정이 수행되는 영역의 크기를 감소하여 기판처리 가스의 사용을 절감하고, 기판의 전면적에 균일한 가스 공급 및 가스 공급량의 조절을 최적화 할 수 있다.

Description

기판처리 장치 {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판처리 공정이 수행되는 영역의 크기를 감소하여 기판처리 가스의 사용을 절감하고, 기판의 전면적에 균일한 가스 공급 및 가스 공급량의 조절을 최적화 할 수 있는 기판처리 장치에 관한 것이다.
기판처리 장치는, 평판 디스플레이, 반도체, 태양전지 등의 제조시 사용되며, 증착(Vapor Deposition) 장치와 어닐링(Annealing) 장치로 대별된다. 이 중에서 증착 장치는 기판 상에 필요한 박막을 증착시키는 공정을 수행하는 장치로서, 박막 증착 공정에는 스퍼터링법(Sputtering), 화학기상 증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(ALD: Atomic Layer Deposition) 등이 주로 사용된다.
이 중, 원자층 증착법은 반응가스인 소스가스와 퍼지가스를 교대로 공급하여 기판 상에 원자층 단위의 박막을 증착하는 기술이다. 원자층 증착법은 단차 피복성(Step Coverage)의 한계를 극복하기 위해 표면 반응을 이용하기 때문에, 고 종횡비를 갖는 미세 패턴 형성에 적절하고, 박막의 전기적 및 물리적 특성이 우수한 장점이 있다.
원자층 증착장치는 챔버 내에 기판을 하나씩 로딩하여 증착 공정을 진행하는 매엽식과 챔버 내에 복수개의 기판을 로딩하여 일괄적으로 증착 공정을 진행하는 배치(Batch)식으로 구별할 수 있다. 매엽식은 상대적으로 작은 공간 내에서 가스 공급 컨트롤을 하므로 각각의 기판에 대한 박막 증착량의 조절이 용이한 이점이 있는 반면, 생산성이 낮아지는 단점이 있다. 배치식은 기판 생산성이 높아지는 이점이 있는 반면, 각각의 기판에 대한 미세한 가스 공급 컨트롤이 쉽지 않아, 기판들마다 박막 증착에 대한 균일도가 낮아지는 단점이 있다.
또한, 종래의 원자층 증착장치에서는 소스 가스와 반응 가스를 번갈아 공급하면서 박막을 형성하는 과정에서, 공정 가스의 공급과 배출에 많은 시간이 소모되고 공정 가스의 낭비를 발생시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 복수의 기판에 대한 박막 증착의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 복수의 기판에 대해 박막 증착 공정을 진행하여 생산성을 향상시킬 수 있는 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판처리 가스의 공급량을 최적화하여 조절함에 따라 기판처리 가스의 사용을 절감할 수 있는 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 상기의 목적은, 적어도 하나의 기판이 처리되는 기판처리 장치로서, 기판이 처리되는 챔버 공간을 제공하는 본체와 적어도 하나의 기판이 적재되는 기판 적재부를 포함하고, 기판 적재부는, 수직 방향을 따라 소정 간격을 이루며 배치되는 복수의 히터부; 각각의 히터부의 상부에 각각 이격되거나 접촉되도록 배치되는 복수의 가스 공급부; 및 가스 공급부의 상부에 설치되는 기판 지지부를 포함하며, 기판 적재부 내에서, 각각의 가스 공급부는 대향하는 각각의 히터부에 대해서 상대적으로 승강 가능한, 기판처리 장치에 의해 달성된다.
챔버는, 상부 챔버 및 하부 챔버를 포함하고, 상부 챔버는 기판이 기판처리 되는 공간을 제공하고, 하부 챔버는 기판이 기판 적재부에 로딩/언로딩 되는 공간을 제공할 수 있다.
하부 챔버의 본체 일면에는 기판이 출입하는 출입구가 형성될 수 있다.
복수의 히터부 중 이웃하는 2개의 히터부 사이의 공간이 슬롯으로 구성될 수 있다.
히터부는 플레이트 형상을 가지고, 가스 공급부는 히터부에 대응하는 형상을 가질 수 있다.
기판 지지부는 적어도 히터부의 두께보다는 큰 높이를 가지며 핀 형태로 형성될 수 있다.
각각의 히터부에 통과공이 형성되고, 하부 슬롯에 위치한 기판 지지부가 상부에 위치한 히터부의 통과공을 통과할 수 있다.
하부 슬롯의 가스 공급부가 상승하면, 기판 지지부의 상단이 상부 슬롯 내에 위치하고, 하부 슬롯의 가스 공급부가 하강하면, 기판 지지부의 상단이 상부에 위치한 히터부의 상면보다 적어도 낮은 높이에 위치할 수 있다.
하부 슬롯의 가스 공급부가 하강하여 기판 지지부의 상단이 상부에 위치한 히터부의 상면보다 낮은 높이에 위치할 때, 기판 지지부에 지지된 기판이 상부 히터부 상에 로딩될 수 있다.
슬롯마다 각각의 가스 공급부가 대향하는 각각의 히터부에 대해 승강하는 정도가 일정할 수 있다.
가스 공급부는 하부 공간으로 기판처리 가스를 분사할 수 있다.
가스 공급부의 하면에서, 제1 가스 분사부와 제2 가스 분사부가 분리된 영역을 점유할 수 있다.
가스 공급부의 하부 테두리에 기판 누름부가 소정의 두께를 가지고 형성될 수 있다.
하부 슬롯의 가스 공급부가 하강하여 기판 지지부에 지지된 기판이 상부 히터부 상에 로딩될 때, 상부 슬롯의 가스 공급부의 기판 누름부가 기판의 상부를 압착할 수 있다.
가스 공급부의 하면과 이에 대향하는 히터부의 상면 및 기판 누름부로 둘러싸인 공간이 기판처리 슬롯으로 구성될 수 있다.
기판 누름부에 복수의 배기홀이 형성될 수 있다.
상부 챔버 영역에서, 본체의 내측에는 각각의 가스 공급부 및 각각의 히터부에 접하도록 수평 방향으로 복수의 제1 정류판이 돌출 형성될 수 있다.
각각의 가스 공급부 및 각각의 히터부의 측단부에는 제1 정류판에 접하는 제2 정류판이 연장 형성될 수 있다.
상부에서 하부로 갈수록 제1 정류판의 길이가 짧게 형성되고, 제2 정류판의 길이가 길게 형성될 수 있다.
기판 적재부가 상부 챔버의 상사점에 위치하면, 가스 공급부의 측단부와 이의 하부에 배치되는 히터부의 측단부가 한 쌍의 제1 정류판에 수평하게 매칭될 수 있다.
기판 적재부가 상부 챔버의 상사점에 위치하면, 가스 공급부의 측단부에 연장 형성된 제2 정류판과 이의 하부에 배치되는 히터부의 측단부에 연장 형성된 제2 정류판이 한 쌍의 제1 정류판에 수평하게 매칭될 수 있다.
한 쌍의 제1 정류판 사이 공간 내측에 가스 배출부가 형성될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 복수의 기판에 대한 박막 증착의 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 복수의 기판에 대해 박막 증착 공정을 진행하여 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 기판처리 가스의 공급량을 최적화하여 조절함에 따라 기판처리 가스의 사용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치를 나타내는 개략 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치를 나타내는 개략 측단면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 적재부의 동작을 나타내는 개략 정단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 적재부가 챔버 상단에 위치한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 적재부가 챔버 상단에 위치한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부를 나타내는 개략 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부를 나타내는 개략 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부의 부분 확대 개략도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 가스의 흐름을 나타내는 개략도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
본 명세서에 있어서, 기판은 LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 기판처리 공정이란 증착 공정, 바람직하게는 원자층 증착법을 사용한 증착 공정을 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니며 화학 기상 증착법을 사용한 증착 공정, 열처리 공정 등을 포함할 수 있다. 다만, 이하에서는 원자층 증착법을 사용한 증착 공정으로 상정하여 설명한다.
기판처리 장치
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치(10)를 나타내는 개략 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치(10)를 나타내는 개략 측단면도이다.
먼저, 기판처리 장치(10)에 로딩되는 기판(50)의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼 등 다양한 재질의 기판(50)이 로딩될 수 있다. 또한, 이하에서는 평판 표시장치에 가장 일반적으로 사용되는 직사각형 형상의 글래스 기판을 상정하여 설명하나, 다른 형상의 기판을 제외하는 의미는 아님을 밝혀둔다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판처리 장치(10)는 박막 증착 장치로서 본체(reactor; 100) 및 기판 적재부(200)를 포함할 수 있다.
본체(100)는 대략 육면체 형상으로 형성되어 기판처리 장치(10)의 외관을 이루고, 본체(100)의 내부에는 적어도 하나의 기판(50)이 실질적으로 열처리되는 챔버(TC, BC) 공간이 형성될 수 있다. 본체(100)는 육면체 형상뿐만 아니라 기판(50)의 형상에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
본체(100)는 상부 본체(110) 및 하부 본체(120)를 포함할 수 있고, 상부 본체(110)와 하부 본체(120)는 서로 연통될 수 있다. 상부 본체(110) 및 하부 본체(120)는 위치에 따른 명명의 차이일 뿐, 하나의 일체화된 구조로서 본체(100)를 구성할 수 있다. 상부 본체(110)는 기판(50)이 실질적으로 기판처리(일 예로, 박막 증착 공정)되는 상부 챔버(TC) 공간을 제공하고, 하부 본체(120)는 기판(50)이 기판 적재부(200)에 로딩/언로딩 될 수 있는 하부 챔버(BC) 공간, 다시 말해, 기판(50)이 처리되기 전, 또는 기판(50)이 처리된 후에 대기하는 공간을 제공할 수 있다. 기판(50)이 본체(100)에 로딩/언로딩 되는 통로로서 하부 본체(120)의 일면에는 출입구(105)가 형성될 수 있다. 출입구(105)는 도어(미도시), 폐쇄 수단(미도시)을 사용하여 개폐될 수도 있다.
본체(100)의 재질은 석영(Quartz), 스테인리스 스틸(SUS), 알루미늄(Aluminium), 그라파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(Silicon carbide), 산화 알루미늄(Aluminium oxide) 등을 사용할 수 있다.
상부 챔버(TC) 영역에서, 본체(100)[상부 본체(110)]의 내측에는 수평 방향으로 복수의 제1 정류판(150)이 돌출 형성될 수 있다. 한쌍의 제1 정류판(150)은 그 사이 공간으로 기판처리 가스가 배기되는 통로를 제공할 수 있다. 기판처리 가스의 배기를 원활히 할 수 있도록, 제1 정류판(150)은 본체(100)의 모든 측면, 일 예로 육면체 본체(100)인 경우에 4개의 측면에 형성될 수 있다. 하지만, 이에 제한되지는 않고, 제1 정류판(150)은 대향하는 2개의 측면에 형성될 수도 있다.
그리고, 기판 적재부(200)에도 제2 정류판(170)이 더 형성되어, 제1 정류판(150)에 맞닿음에 따라 기판처리 가스가 배기되는 공간을 제한하고, 수평 방향으로 기판처리 가스가 배기될 수 있도록 할 수 있다. 정류판(150, 170) 및 배기에 대한 설명은 도 5, 도 6, 도 10을 통해 후술한다.
기판 적재부(200)는 기판 지지부(250), 복수의 히터부(300), 복수의 가스 공급부(400) 등을 포함할 수 있다. 기판 적재부(200)는 적어도 하나의 기판(50)을 적재할 수 있다. 기판(50)은 기판 지지부(250), 또는 히터부(300) 상에 지지된 상태로 기판 적재부(200)에 적재될 수 있다.
기판 적재부(200)는 하부에 배치된 승강부(500)에 의해 챔버(TC, BC) 공간에서 전체적으로 상하 이동할 수 있다. 또한, 기판 적재부(200)의 각 구성인, 히터부(300), 가스 공급부(400)는 승강부(500)에 의해 기판 적재부(200) 내에서 각각 별개로 상하 이동할 수 있다.
히터부(300)는 수직 방향을 따라 소정 간격을 이루며 복수가 배치될 수 있다. 각각의 히터부(300)는 수평 방향으로 형성될 수 있고, 전체적으로 수평한 플레이트 형상을 가질 수 있다. 히터부(300) 내부에는 발열체가 삽입되어 열을 발생시킬 수 있고, 각각의 히터부(300)는 서로 독립적으로 발열이 제어될 수 있다.
히터부(300)에는 후술할 기판 지지부(250)가 통과하는 통과공(305)이 형성될 수 있다. 통과공(305)은 기판 지지부(250)의 개수 및 위치에 대응되어야 함은 물론이다.
본 명세서에서, 복수의 히터부(300) 중 상호 이웃하는 2개의 히터부(300: 300a, 300b) 사이의 공간을 슬롯(S: S1, S2, S3, ...)으로 정의한다. 여기에서, 슬롯(S)은 하나의 기판(50)이 처리되는 공간을 의미하지는 않고, 하나의 기판(50)이 로딩/언로딩 될 수 있는 공간, 층 정도로 이해될 수 있다. 또한, 본 명세서에서, 하나의 기판(50)이 처리되는 공간은 슬롯(S) 내에서도 더 한정적인 공간인 기판처리 슬롯(PS)[도 5, 도 6, 도 10 참조]으로 정의한다.
가스 공급부(400)도 히터부(300)와 마찬가지로 수직 방향을 따라 소정 간격을 이루며 복수가 배치될 수 있다. 각각의 가스 공급부(400)는 각각의 히터부(300)의 상부에 각각 이격되거나 접촉되도록 배치될 수 있다. 다시 말해, 히터부(300)와 가스 공급부(400)가 수직 방향을 따라 번갈아가며 배치될 수 있다. 각각의 가스 공급부(400)는 수평 방향으로 형성될 수 있고, 히터부(300)에 대응하도록 전체적으로 수평한 플레이트 형상을 가질 수 있다.
가스 공급부(400)는 하부 공간으로 기판처리 가스를 분사할 수 있다. 이를 위해 가스 공급부(400)의 하부 헤드(450)에 복수개의 제1 가스 공급부(460)와 제2 가스 공급부(470)가 분리된 영역을 점유하고, 다양한 종류의 기판처리 가스를 분사할 수 있다. 가스 공급부(400)의 구체적인 구성은 도 7 내지 도 9를 통해 후술한다.
본 발명은 기판 적재부(200) 내에서, 각각의 가스 공급부(400)가 대향하는 각각의 히터부(300)에 대해서 상대적으로 승강 가능한 것을 특징으로 한다. 후술할 기판처리 과정에서, 히터부(300)의 상면에 기판(50)이 지지되고, 기판(50) 상부의 가스 공급부(400)가 하부로 기판처리 가스를 공급하는데, 히터부(300)와 가스 공급부(400)의 간격을 조절함에 따라, 최적화된 박막 증착 공정 조건을 확보할 수 있다. 또한, 가스 공급부(400)가 하강함과 동시에 기판(50)이 히터부(300) 상에 안착됨에 따라, 기판(50)의 하면이 히터부(300)의 상면에 맞닿게 되므로, 기판(50)의 하면에 증착되는 것이 방지될 수 있다.
모든 슬롯(S)에서 각각의 가스 공급부(400)가 대향하는 각각의 히터부(300)에 대해 승강하는 정도가 동일할 수 있다. 또는, 슬롯(S)마다 각각의 가스 공급부(400)가 대향하는 각각의 히터부(300)에 대해 승강이 독립적으로 제어되어 승강하는 정도가 상이할 수도 있다.
가스 공급부(400)의 상부에는 기판 지지부(250)가 설치될 수 있다. 기판 지지부(250)는 기판(50)의 크기, 형상 등을 고려하여 복수개가 소정 간격을 가지고 가스 공급부(400)의 상부에 설치될 수 있다. 기판(50)의 하면을 접점지지 할 수 있도록 기판 지지부(250)는 지지핀 형상인 것이 바람직하다. 한편, 최상단의 가스 공급부(400a)의 상부에는 기판 지지부(250)가 설치되지 않을 수 있다.
기판 지지부(250)는 히터부(300)의 두께보다는 큰 높이를 가질 수 있다. 그리하여, 가스 공급부(400)가 히터부(300)에 대해서 승강할 때, 하부에 위치한 가스 공급부(400)의 상부 기판 지지부(250)가, 상부에 위치한 히터부(300)의 히터공(305)을 통과하여 상부에 위치한 히터부(300)보다 높은 위치로 돌출될 수 있다. 다시 말해, 하부 슬롯(S)에 위치한 가스 공급부(400)의 상부에 설치된 기판 지지부(250)의 상단이 히터부(300)를 통과하여 상부 슬롯(S) 내로 위치할 수 있게 된다.
승강부(500)는 기판 적재부(200)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 승강부(500)는 공지의 승강 수단을 제한없이 사용할 수 있다. 기판 적재부(200)의 베이스(210)에 승강 수단이 연결되어 상하 방향으로 이동하는 힘을 인가할 수 있다. 또한, 승강부(500)는 베이스(210)에 연결된 축 외에 별도로 히터부(300), 가스 공급부(400)에 연결된 축을 포함하여, 히터부(300), 가스 공급부(400)를 별개로 승강시킬 수 있다. 상기 별도의 축은 베이스(210)로부터 히터부(300), 가스 공급부(400)에 연결된 축으로서 승강부(500)로부터 상하 이동에 대한 힘을 인가 받을 수도 있다.
가스 배출부(미도시)는 본체(100)의 측면에 연결될 수 있다. 가스 배출부(미도시)는 본체(100)에 형성된 배출홀(600)을 매개로 제1 정류판(150)의 사이 공간에 연결되는 것이 바람직하다. 가스 배출부(미도시)는 제1 정류판(150) 사이 공간에 각각 연결된 복수의 배출관(미도시)을 포함하고, 복수의 배출관 또는 이들이 합쳐져 외부의 기판처리 가스 배출 수단(미도시)으로 연결됨에 따라 가스를 배출할 수 있다.
기판 적재부(200)의 동작 과정
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 적재부(200)의 동작을 나타내는 개략 정단면도이다. 설명의 편의상 일부 구성만을 도시하나, 나머지 동일 구성에 대해서는 이하에서 설명하는 동작 과정이 동일하게 적용되는 것으로 이해되어야 한다.
도 3의 (a)를 참조하면, 먼저 하부 챔버(BC) 공간에 기판 적재부(200)가 배치될 수 있다. 이웃하는 2개의 히터부(300)의 사이의 공간, 일 예로, 히터부(300a)와 히터부(300b) 사이의 공간을 슬롯(S: S1, S2, S3, ...)으로 정의한다. 히터(300a)의 하면은 가스 공급부(400b)의 상면과 접촉된 상태이고, 가스 공급부(400b) 상부에 설치된 기판 지지부(250)는 히터(300a)를 통과하여 히터(300a)보다 높은 위치에 그 상단이 위치하는 상태이다. 다시 말해, 하부 슬롯(S2)의 가스 공급부(400b)가 상사점에 위치하여 상부의 히터(300a)에 맞닿으면, 가스 공급부(400b)에 설치된 기판 지지부(250)의 상단이 상부 슬롯(S1) 내에 위치하는 상태이다.
기판(50)을 지지한 기판 이송 로봇(51)이 출입구(105)를 통해 하부 챔버(BC)로 진입할 수 있다. 기판 이송 로봇(51)의 포크(미도시)는 기판 지지부(250)와 중첩되지 않는 형태를 가지며 기판 적재부(200)의 최상부 슬롯(S1) 영역으로 진입할 수 있다. 기판(50)이 가스 공급부(400b)에 설치된 기판 지지부(250)의 상단 및 히터부(300a)의 상면과 이격된 상태로 위치 정렬될 수 있다.
다음으로, 도 3의 (b)를 참조하면, 기판 이송 로봇(51)이 아래 방향으로 이동할 수 있다. 그러면 기판(50) 하면이 기판 지지부(250) 상부에 의해 지지될 수 있다.
다음으로, 도 3의 (c)를 참조하면, 기판 이송 로봇(51)을 외부로 이동하면, 최상부 슬롯(S1)에서 기판(50)이 기판 지지부(250) 상부에 재치된 상태가 될 수 있다.
다음으로, 승강부(500)에 의해 기판 적재부(200) 전체를 약간 위로 이동할 수 있다. 이동하는 거리는 두번째 슬롯(S2)이 출입구(105)의 높이에 대응할 정도이다. 그러면, 기판(50)을 지지한 기판 이송 로봇(51)이 출입구(105)를 통해 하부 챔버(BC)의 두번째 슬롯(S2) 영역으로 진입할 수 있다. 기판(50)이 가스 공급부(400c)에 설치된 기판 지지부(250)의 상단 및 히터부(300b)의 상면과 이격된 상태로 위치 정렬될 수 있다.
다음으로, 기판 이송 로봇(51)이 아래 방향으로 이동할 수 있다. 그러면 기판(50) 하면이 기판 지지부(250) 상부에 의해 지지될 수 있다.
다음으로, 기판 이송 로봇(51)을 외부로 이동하면, 두번째 슬롯(S2)에서 기판(50)이 기판 지지부(250) 상부에 재치된 상태가 될 수 있다.
위 과정을 반복하여, 모든 슬롯(S: S1, S2, S3, ...)에 기판(50)들을 재치할 수 있다.
다음으로, 도 4의 (d)를 참조하면, 슬롯(S)에 기판(50)이 기판 지지부(250) 상부에 재치된 상태에서 가스 공급부(400)가 하강할 수 있다. 기판 지지부(250)의 상단이 상부에 위치한 히터부(300)의 상면보다 낮은 높이에 위치할 정도로 가스 공급부(400)가 하강하게 되면, 상부 히터부(300)의 상면에 기판(50)이 로딩된다.
다음으로, 도 4의 (e)를 참조하면, 기판 적재부(200) 전체를 상부 방향으로 이동할 수 있다. 기판 적재부(200)가 상사점까지 이동하면 상부 챔버(TC) 내에 배치될 수 있다. 기판 적재부(200) 전체를 상부 챔버(TC)로 이동하는 것은 도 4 (d) 단계에서도 가능하다. 그리고, 가스 공급부(400)를 더 하강시켜서 가스 공급부(400)와 기판(50)이 기판처리 공정에 적정한 간격을 가지도록 할 수 있다. 가스 공급부(400)와 기판(50) 사이의 공간이 실질적으로 기판처리가 수행되는 공간인 기판처리 슬롯(PS)이 될 수 있다.
가스 공급부(400)와 기판(50) 사이의 이격 공간이 기판처리 슬롯(PS)이 되지만, 이 공간을 더 한정할 수도 있다. 가스 공급부(400)의 하부 테두리에 기판 누름부(480)[도 9 참조]가 소정의 두께를 가지고 형성될 수 있다. 기판 누름부(480)는 기판(50)의 테두리에 대응하는 부분에 형성될 수 있다. 가스 공급부(400)가 계속 하강하게 되면, 기판(50)의 상면 테두리에 가스 공급부(400) 누름부(480)가 접촉하게 된다. 누름부(480)는 기판(50)의 테두리를 눌러서 기판(50)이 움직이지 않도록 더 고정할 수 있다.
이때, 가스 공급부(400)의 하부 테두리에 기판 누름부(480)가 소정의 두께를 가지고 형성되므로, 기판 누름부(480)의 두께에 대응하도록 가스 공급부(400)와 기판(50) 사이에 간격이 형성될 수 있다. 그러면, 기판(50)의 하면은 히터부(300)의 상면에 지지되고, 기판(50)의 상면 테두리는 누름부(480)에 지지된 상태가 되며, 동시에 가스 공급부(400), 누름부(480) 및 기판(50) 사이의 공간이 기판처리 슬롯(PS)이 되도록 더 한정할 수 있다.
승강부(500)에 의해 기판 적재부(200)가 최상단까지 이동하여 상부 챔버(TC) 내에 배치됨에 따라, 기판(50)들이 기판처리 될 수 있는 상부 챔버(TC) 내에 위치할 수 있다. 기판 적재부(200)가 최상단까지 이동하면, 베이스(210)의 테두리 부분이 상부 본체(110)와 착탈가능하게 결합될 수 있다. 상부 본체(110)의 하부와 베이스(210)의 오링(O-ring)과 같은 실링 수단(미도시)이 개재되어 긴밀한 접촉이 수행됨에 따라, 상부 챔버(TC) 공간이 밀폐될 수 있다.
기판처리 완료 후 기판 적재부(200)로부터 기판(50)을 언로딩 하는 과정은 상술한 기판(50) 로딩 과정의 역순으로 진행할 수 있다.
제1, 2 정류판(150, 170)
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 적재부(200)가 챔버 상단에 위치한 상태를 나타내는 개략도이다.
일 실시예에 따르면, 상부 챔버(TC) 영역에서, 본체(100)[상부 본체(110)]의 내측에는 수평 방향으로 복수의 제1 정류판(150)이 돌출 형성될 수 있다. 한쌍의 제1 정류판(150: 151a, 151b; 152a, 152b; ...)들이 기판처리 슬롯(PS)에 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 한쌍의 제1 정류판(150) 중에 상부 제1 정류판(151a, 152a, ...)은 각각의 가스 공급부(400)에 접하도록 돌출 형성될 수 있고, 하부 제1 정류판(151b, 152b,...)은 각각의 히터부(300)에 접하도록 돌출 형성될 수 있다. 제1 정류판(150)들은 각각 동일한 길이로 돌출 형성되어 가스 공급부(400) 및 히터부(300)에 접할 수 있다. 다시 말해, 기판 적재부(200)가 상부 챔버(TC)의 상사점에 위치할 때, 가스 공급부(400)의 측단부와 이의 하부에 배치되는 히터부(300)의 측단부가 한쌍의 제1 정류판(150: 151a, 151b; 152a, 152b; ...)에 수평하게 매칭될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 적재부(200)가 챔버 상단에 위치한 상태를 나타내는 개략도이다. 도 6은 도 4의 (e) 단계에 대응하는 일부 확대 도면이다. 본 명세서에서는 도 6에 도시된 실시예를 주로 상정하여 설명한다.
다른 실시예에 따르면, 상부 챔버(TC) 영역에서, 본체(100)[상부 본체(110)]의 내측에는 수평 방향으로 복수의 제1 정류판(150)이 돌출 형성될 수 있다. 한쌍의 제1 정류판(150: 151a, 151b; 152a, 152b; ...)들이 기판처리 슬롯(PS)에 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 그리고, 각각의 가스 공급부(400) 및 각각의 히터부(300)의 측단부에 제2 정류판(170: 171a, 171b; 172a, 172b; ...)이 연장 형성될 수 있다. 한쌍의 제1 정류판(150) 중에 상부 제1 정류판(151a, 152a, ...)은 각각의 가스 공급부(400)의 측단부에 연장 형성된 상부 제2 정류판(171a, 172a, ...)에 상호 접하도록 돌출 형성될 수 있고, 하부 제1 정류판(151b, 152b,...)은 각각의 히터부(300)의 측단부에 연장 형성된 하부 제2 정류판(171b, 172b, ...)에 상호 접하도록 돌출 형성될 수 있다. 다시 말해, 기판 적재부(200)가 상부 챔버(TC)의 상사점에 위치할 때, 가스 공급부(400)의 측단부에 연장 형성된 제2 정류판(171a, 172a, ...)과 이의 하부에 배치되는 히터부(300)의 측단부에 연장 형성된 제2 정류판(171b, 172b,...)이 한쌍의 제1 정류판(150: 151a, 151b; 152a, 152b; ...)에 수평하게 매칭될 수 있다.
도 2, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 정류판(150)들은 각각 동일한 길이로 돌출 형성되고, 가스 공급부(400) 및 히터부(300)의 제2 정류판(170)들도 각각 동일한 길이로 연장 형성되어 상호 접할 수 있다.
또는, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 정류판(150)과 제2 정류판(170)들은 상호 상이한 길이로 형성되어 접할 수 있다. 이때, 상부에서 하부로 갈수록 제1 정류판(150)의 길이가 짧아지도록 형성되는 것이 바람직하다. 반대로, 제2 정류판(170)은 제1 정류판(150)에 접할 수 있도록, 상부에서 하부로 갈수록 길이가 길어지도록 형성되는 것이 바람직하다. 기판 적재부(200)가 하부에서 상부 방향으로 상승하기 때문에, 상기와 같은 제1 정류판(150) 및 제2 정류판(170)의 길이 차에 의하여 제1, 2 정류판(150, 170) 사이의 갭(gap)을 최소화 할 수 있고, 갭에서 발생할 수 있는 기판처리 가스의 와류 현상을 억제할 수 있는 이점이 있다.
한편, 제1, 2 정류판(150, 170)이 상호 접할 때, 제1, 2 정류판(150, 170)의 상호 대향하는 측면이 대각선 방향으로 기울어진 면을 포함할 수 있다. 도 6의 점선 L은 제1 정류판(150), 제2 정류판(170)의 길이 및 대각선 방향으로 기울어진 면을 나타낸다. 이 경우, 제1, 2 정류판(150, 170) 사이의 갭을 더욱 최소화하고, 와류 현상을 더 억제할 수 있다.
한쌍의 제1 정류판(150)은 그 사이 공간으로 기판처리 가스가 배기되는 통로(GE)를 제공할 수 있다. 기판처리 가스의 배기를 원활히 할 수 있도록, 제1 정류판(150)은 본체(100)의 모든 측면, 일 예로 육면체 본체(100)인 경우에 4개의 측면에 형성될 수 있다. 하지만, 이에 제한되지는 않고, 제1 정류판(150)은 대향하는 2개의 측면에 형성될 수도 있다.
제1 정류판(150)의 가스 배기 통로(GE)는 본체(100)를 관통하여 형성될 수 있다. 가스 배기 통로(GE)는 본체(100)의 측면에 연결된 배출홀(600)로 연통될 수 있다. 기판처리 슬롯(PS) 공간에 공급된 기판처리 가스는, 기판처리 슬롯(PS) 내에서 수평 방향을 따라 이동하고, 가스 배기 통로(GE) -> 배출홀(600) -> 가스 배출부(미도시) -> 외부의 기판처리 가스 배출 수단(미도시)의 경로를 따라서 외부로 배출될 수 있다.
가스 공급부(400) 및 기판 누름부(480)
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부(400)를 나타내는 개략 사시도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부(400)를 나타내는 개략 평면도이다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부(400)의 부분 확대 개략도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 가스 공급부(400)는 하부 공간, 즉, 기판처리 슬롯(PS) 공간으로 기판처리 가스를 분사할 수 있다. 가스 공급부(400)는 복수의 가스를 분사할 수 있도록, 가스의 분사 영역이 분리될 수 있다. 일 예로, 원자층 증착을 구현하기 위해서는, 기판(50) 상에 소스 가스를 분사한 후, 반응 가스를 분사하여 원자층 단위로 박막을 형성하여야 한다. 기판처리 가스는 소스 가스, 반응 가스, 퍼지 가스 등의 공정 가스를 모두 포함하는 개념이다. 이하에서는 소스 가스를 제1 가스, 반응 가스를 제2 가스로 지칭하여 가스 공급부(400)에서 상기 가스가 분사되는 것을 설명하나, 이에 제한되는 것은 아니며 가스 공급부(400)에서 퍼지 가스 등 다른 기판처리 가스를 공급하는 것을 채용할 수도 있다.
가스 공급부(400)는 상부 헤드(410) 및 하부 헤드(450)를 포함할 수 있다.
상부 헤드(410)는 외부의 기판처리 가스 공급장치(미도시)로부터 기판처리 가스(제1, 2 가스)를 공급받을 수 있다. 상부 헤드(410)의 측면부(411)에 기판처리 가스 공급장치(미도시)가 연결되어 측면 방향에서 기판처리 가스를 공급할 수 있다. 상부 헤드(410)는 측면 일단 또는 양단에서 기판처리 가스를 공급받고, 제1 방향(일 예로, x축 방향)을 따라 분산할 수 있다.
상부 헤드(410)는 제1 가스 공급부(420)와 제2 가스 공급부(430)를 포함할 수 있다. 제1, 2 가스 공급부(420, 430)는 전체적으로 제1 방향(일 예로, x축 방향)을 따라 형성될 수 있다. 제1, 2 가스 공급부(420, 430)는 상호 분리된 영역을 점유할 수 있다. 이에 따라, 제1, 2 가스가 가스 공급부(400) 내에서 서로 반응하지 않게 되고, 소스 가스가 기판(50)에 도달하기 전에 반응 가스와 반응하게 되는 것을 방지할 수 있다.
제1 가스 공급부(420)의 하부에는 소정 간격을 따라 복수의 제1 가스 공급공(421)이 형성되고, 각각의 제1 가스 공급공(421)은 하부 헤드(450)에 설치된 각각의 제1 가스 분사부(460)에 연통될 수 있다. 또한, 제2 가스 공급부(430)의 하부에는 소정 간격을 따라 복수의 제2 가스 공급공(431)이 형성되고, 각각의 제2 가스 공급공(431)은 하부 헤드(450)에 설치된 각각의 제2 가스 분사부(470)에 연통될 수 있다. 제1, 2 가스 공급공(421, 431)에는 노즐 오리피스(nozzle orifice) 등과 같이 가스 유동량을 제어하는 수단(미도시)이 개재될 수 있다.
하부 헤드(450)의 제1, 2 가스 분사부(460, 470)로 균일한 가스를 공급할 수 있도록, 제1 가스 공급공(421)과 제2 가스 공급공(431)은 동일한 축 상에 배치되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 제1, 2 가스 공급부(420, 430)는 전체적으로 빗살 형태를 가지며, 제1, 2 가스 공급공(421, 431)이 맞물리는 부분에 위치하도록 할 수 있다.
다른 예로, 제1, 2 가스 공급부(420', 430')는 직선 형태를 가지며, 제1, 2 가스 공급공(421', 431')이 수평 방향을 따라 번갈아가며 배치될 수 있다. 제1, 2 가스 공급공(421', 431')은 하부 헤드(450)의 제1, 2 가스 분사부(460, 470)에 연통될 수 있다.
또한, 상부 헤드(410)는 복수개가 상호 일정 간격으로 설치될 수 있다. 이에 따라, 하부 헤드(450)의 전체 면적에 대하여 더욱 균일하게 가스를 공급할 수 있다.
하부 헤드(450)는 상부 헤드(410)의 하부에 배치되어 기판처리 가스(제1, 2 가스)를 전달 받을 수 있다. 그리고, 상부 헤드(410)보다 넓은 면적에 대해 기판처리 가스를 분산한 후, 가스 공급부(400)의 하부 공간으로 분사할 수 있다. 일 예로, 하부 헤드(450)는 상부 헤드(410)에서 전달 받은 기판처리 가스를, 제1 방향에 수직하는 제2 방향(일 예로, y축 방향)을 따라 분산한 후, 하부 공간으로 분사할 수 있다. 이렇게, 기판처리 가스를 제1 방향으로 분산하는 상부 헤드(410)와 제2 방향으로 분산하는 하부 헤드(450)의 조합을 통해, 결국 면 방향(xy 평면 방향)으로 기판처리 가스를 균일하게 분사할 수 있게 된다. 상부 헤드(410)보다 하부 헤드(450)의 총 면적은 적어도 3배 이상 넓을 수 있다.
하부 헤드(450)는 복수의 제1 가스 분사부(460) 및 복수의 제2 가스 분사부(470)를 포함할 수 있다. 제1, 2 가스 분사부(460, 470)는 전체적으로 제2 방향(일 예로, y축 방향)을 따라 형성될 수 있다. 제1 가스 분사부(460)의 일측(일 예로, 하측)에는 소정 간격을 따라 복수의 제1 가스 토출공(461)이 형성되고, 제1 가스 토출공(461)을 통해 제1 가스를 하부 공간[기판처리 슬롯(PS) 공간]에 배치된 기판(50)의 상부로 분사할 수 있다. 또한, 제2 가스 분사부(470)의 일측(일 예로, 하측)에는 소정 간격을 따라 복수의 제2 가스 토출공(471)이 형성되고, 제1 가스 토출공(471)을 통해 제2 가스를 하부 공간[기판처리 슬롯(PS) 공간]에 배치된 기판(50)의 상부로 분사할 수 있다
복수의 제1 가스 분사부(460)와 복수의 제2 가스 분사부(470)는 상호 번갈아가며 배치되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 제1, 2 가스를 기판(50)의 전면적에 균일하게 분사하는 것이 가능하며, 상호 분사되는 영역이 구분되므로 기판(50)에 도달하기 전에 제1, 2 가스가 반응하는 것을 방지할 수 있다.
도 9를 더 참조하면, 가스 공급부(400)의 하부 테두리에 기판 누름부(480)가 소정의 두께(D1)를 가지고 형성될 수 있다. 하부 헤드(450)의 제1, 2 가스 분사부(460, 470)가 점유하는 영역의 외곽 테두리 부분에 기판 누름부(480)가 형성될 수 있고, 기판(50)의 테두리에 대응하는 부분에 형성될 수 있다. 가스 공급부(400)가 하강할 때, 기판(50) 상면 테두리에 가스 공급부(400) 기판 누름부(480)가 접촉하여 기판(50)을 고정할 수 있다. 일 예로, 하부 슬롯(S2)의 가스 공급부(420)가 하강함에 따라 기판 지지부(250)에 지지된 기판(50)이 상부의 히터부(300) 상에 로딩될 때, 상부 슬롯(S1)의 가스 공급부(400)의 기판 누름부(480)가 기판(50)의 상부를 압착할 수 있다.
그리고, 기판 누름부(480)는 기판(50) 상부 테두리에 소정의 높이(D1)에 해당하는 벽을 형성하는 역할을 할 수 있다. 그리하여, 가스 공급부(400)의 하면, 기판 누름부(480)의 내측면, 기판(50)의 상면으로 정의되는 공간 내에만 기판처리 가스를 공급하도록 할 수 있다. 즉, 실질적으로 기판처리가 수행되는 공간[기판처리 슬롯(PS) 공간]을 감축하여 기판처리 가스의 사용량을 절감하고, 공급/배출에 소모되는 시간을 감축하며, 박막 증착을 미세하게 컨트롤 할 수 있게 된다. 또한, 기판 누름부(480)가 벽을 형성하여 기판처리 슬롯(PS) 공간을 한정하므로, 본체(100) 내의 모서리에 위치하는 장비들과의 관계에서 기판처리 가스에 와류가 생기는 것을 방지할 수 있다.
기판 누름부(480)에는 복수의 배기홀(481)이 형성될 수 있다. 기판 누름부(480)가 4개의 측면에 형성되면, 복수의 배기홀(481)도 4개의 측면을 따라 형성될 수 있다. 각각의 배기홀(481)은 한쌍의 제1 정류판(150)의 사이 공간과 연통될 수 있다. 즉, 기판처리 슬롯(PS)에 공급된 기판처리 가스가, 배기홀(481)을 통해 빠져나와 가스 배기 통로(GE)를 통과하여 가스 배출부(미도시)로 배출될 수 있다.
기판처리 가스(PG)의 공급 및 배출
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 가스(PG)의 흐름을 나타내는 개략도이다.
먼저, 히터부(300)에 대해서 가스 공급부(400)가 하강하여 간격을 조절할 수 있다. 가스 공급부(400)가 계속 하강하게 되면, 가스 공급부(400)의 기판 누름부(480)가 기판(50)을 압착할 수 있다. 기판(50)의 하부면은 히터부(300)의 상면에 지지될 수 있다. 그리하여, 가스 공급부(400)와 기판(50) 사이의 공간이 기판처리 슬롯(PS)으로 한정될 수 있고, 기판 누름부(480)에 의해 기판처리 슬롯(PS)이 더 한정될 수 있다. 기판처리 슬롯(PS)의 측면에는 제1, 2 정류판(150, 170)에 의해 가스 배기 통로(GE)가 마련될 수 있다.
다음으로, 도 10의 (a)를 참조하면, 가스 공급부(400)에서 하부로 기판처리 가스(PG)를 공급할 수 있다. 제1 가스 분사부(460)와 제2 가스 분사부(470)가 점유하는 영역이 분리되어 있고, 각각 번갈아가면서 제1, 2 가스를 분사하게 되므로 제1, 2 가스가 기판(50)에 충분히 도달한 후 반응이 이루어 질 수 있다. 또한, 기판처리 가스(PG)는 한정된 기판처리 슬롯(PS) 공간에만 분사되므로, 가스 사용량을 절감할 수 있고, 박막 증착을 미세하게 컨트롤 할 수 있다.
다음으로, 도 10의 (b)를 참조하면, 기판처리 슬롯(PS) 공간의 기판처리 가스(PG)를 배출할 수 있다. 수평한 방향으로 형성된 제1, 2 정류판(150, 170) 사이를 따라 가스 배기 통로(GE)로 기판처리 가스(PG)가 유출되어 가스 배출부(미도시)를 통해 외부로 배출될 수 있다.
일 예로, 원자층 증착 공정을 사용하는 경우, 하부 헤드(450)의 제1 가스 분사부(460)에서 소스 가스인 제1 가스(PG)를 분사하여 기판(50) 상에 전구체를 형성할 수 있다. 그리고, 제1 가스 분사부(460) 및/또는 제2 가스 분사부(470)에서 퍼지 가스를 분사하여 제1 가스(PG)를 배출할 수 있다. 이어서, 하부 헤드(450)의 제2 가스 분사부(470)에서 반응 가스인 제2 가스(PG)를 분사하여 기판(50) 상의 전구체와 반응시킴으로써 원자층 단위로 박막을 형성할 수 있다. 그리고, 제1 가스 분사부(460) 및/또는 제2 가스 분사부(470)에서 퍼지 가스를 분사하여 제2 가스(PG)를 배출할 수 있다. 위와 같은 싸이클을 수십회 내지 수백회 반복하여 기판(50) 상에 원하는 두께 수준으로 박막을 형성할 수 있다.
위와 같이, 본 발명은 가스 공급부(400)와 히터부(300) 사이에 한정적인 기판처리 슬롯(PS) 공간을 형성하므로, 작은 공간 내에서 가스 공급 컨트롤이 용이하며, 기판(50)에 대한 박막 증착량의 조절이 용이한 매엽식의 장점을 포함하는 효과가 있다. 동시에, 본 발명은 기판 적재부(200)에 복수의 기판(50)을 재치하고, 큰 용적의 챔버(TC) 내에서 슬롯(S)이 아닌 기판처리 슬롯(PS) 공간을 형성하여 기판처리를 수행함에 따라 기판처리 가스의 사용량을 절감하면서도, 기판(50) 처리의 생산성을 높일 수 있는 배치식의 장점을 포함하는 효과가 있다.
이에 따라, 복수의 기판(50)에 대한 박막 증착의 균일도를 향상시킬 수 있고, 복수의 기판(50)에 대해 박막 증착 공정을 진행하여 생산성을 향상시킬 수 있으며, 기판처리 가스의 공급량을 최적화하여 조절함에 따라 기판처리 가스의 사용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
10: 기판처리 장치
50: 기판
100, 110, 120: 본체, 상부 본체, 하부 본체
105: 출입구
150: 제1 정류판
170: 제2 정류판
200: 기판 적재부
250: 기판 지지부
300: 히터부
305: 히터공
400: 가스 공급부
410: 상부 헤드
420: 제1 가스 공급부
430: 제2 가스 공급부
450: 하부 헤드
460: 제1 가스 분사부
470: 제2 가스 분사부
480: 기판 누름부
481: 배기홀
500: 승강부
600: 배출홀
BC: 하부 챔버
GE: 가스 배출 통로
S: 슬롯
PS: 기판처리 슬롯
PG: 기판처리 가스
TC: 상부 챔버

Claims (22)

  1. 적어도 하나의 기판이 처리되는 기판처리 장치로서,
    기판이 처리되는 챔버 공간을 제공하는 본체와 적어도 하나의 기판이 적재되는 기판 적재부를 포함하고,
    기판 적재부는,
    수직 방향을 따라 소정 간격을 이루며 배치되는 복수의 히터부;
    각각의 히터부의 상부에 각각 이격되거나 접촉되도록 배치되는 복수의 가스 공급부; 및
    가스 공급부의 상부에 설치되는 기판 지지부
    를 포함하며,
    기판 적재부 내에서, 각각의 가스 공급부는 대향하는 각각의 히터부에 대해서 상대적으로 승강 가능한, 기판처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    챔버는, 상부 챔버 및 하부 챔버를 포함하고,
    상부 챔버는 기판이 기판처리 되는 공간을 제공하고,
    하부 챔버는 기판이 기판 적재부에 로딩/언로딩 되는 공간을 제공하는, 기판처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    하부 챔버의 본체 일면에는 기판이 출입하는 출입구가 형성된, 기판처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    복수의 히터부 중 이웃하는 2개의 히터부 사이의 공간이 슬롯으로 구성되는, 기판처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    히터부는 플레이트 형상을 가지고, 가스 공급부는 히터부에 대응하는 형상을 가지는, 기판처리 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    기판 지지부는 적어도 히터부의 두께보다는 큰 높이를 가지며 핀 형태로 형성되는, 기판처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    각각의 히터부에 통과공이 형성되고,
    하부 슬롯에 위치한 기판 지지부가 상부에 위치한 히터부의 통과공을 통과하는, 기판처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    하부 슬롯의 가스 공급부가 상승하면, 기판 지지부의 상단이 상부 슬롯 내에 위치하고,
    하부 슬롯의 가스 공급부가 하강하면, 기판 지지부의 상단이 상부에 위치한 히터부의 상면보다 적어도 낮은 높이에 위치하는, 기판처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    하부 슬롯의 가스 공급부가 하강하여 기판 지지부의 상단이 상부에 위치한 히터부의 상면보다 낮은 높이에 위치할 때, 기판 지지부에 지지된 기판이 상부 히터부 상에 로딩되는, 기판처리 장치.
  10. 제4항에 있어서,
    슬롯마다 각각의 가스 공급부가 대향하는 각각의 히터부에 대해 승강하는 정도가 일정한, 기판처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    가스 공급부는 하부 공간으로 기판처리 가스를 분사하는, 기판처리 장치.
  12. 제4항에 있어서,
    가스 공급부의 하면에서, 제1 가스 분사부와 제2 가스 분사부가 분리된 영역을 점유하는, 기판처리 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    가스 공급부의 하부 테두리에 기판 누름부가 소정의 두께를 가지고 형성되는, 기판처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    하부 슬롯의 가스 공급부가 하강하여 기판 지지부에 지지된 기판이 상부 히터부 상에 로딩될 때, 상부 슬롯의 가스 공급부의 기판 누름부가 기판의 상부를 압착하는, 기판처리 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    가스 공급부의 하면과 이에 대향하는 히터부의 상면 및 기판 누름부로 둘러싸인 공간이 기판처리 슬롯으로 구성되는, 기판처리 장치.
  16. 제13항에 있어서,
    기판 누름부에 복수의 배기홀이 형성되는, 기판처리 장치.
  17. 제2항에 있어서,
    상부 챔버 영역에서, 본체의 내측에는 각각의 가스 공급부 및 각각의 히터부에 접하도록 수평 방향으로 복수의 제1 정류판이 돌출 형성되는, 기판처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    각각의 가스 공급부 및 각각의 히터부의 측단부에는 제1 정류판에 접하는 제2 정류판이 연장 형성되는, 기판처리 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상부에서 하부로 갈수록 제1 정류판의 길이가 짧게 형성되고, 제2 정류판의 길이가 길게 형성되는, 기판처리 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    기판 적재부가 상부 챔버의 상사점에 위치하면, 가스 공급부의 측단부와 이의 하부에 배치되는 히터부의 측단부가 한 쌍의 제1 정류판에 수평하게 매칭되는, 기판처리 장치.
  21. 제18항에 있어서,
    기판 적재부가 상부 챔버의 상사점에 위치하면, 가스 공급부의 측단부에 연장 형성된 제2 정류판과 이의 하부에 배치되는 히터부의 측단부에 연장 형성된 제2 정류판이 한 쌍의 제1 정류판에 수평하게 매칭되는, 기판처리 장치.
  22. 제20항 또는 제21항에 있어서,
    한 쌍의 제1 정류판 사이 공간 내측에 가스 배출부가 형성되는, 기판처리 장치.
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