CN111092009A - 基片处理装置 - Google Patents

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金子彰太
山边周平
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Abstract

本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；载置台，其配置在上述处理容器的内部，能够载置基片；配置在上述处理容器与上述载置台之间的形成阳极的部件，上述部件具有供热交换介质流动的流路。本发明能够提高热响应性。

Description

基片处理装置
技术领域
本发明涉及一种基片处理装置。
背景技术
例如，已知对晶片等基片实施规定处理的基片处理装置。
专利文献1公开了一种基片处理装置，其包括：具有开口部的圆筒状的腔室；沿腔室的内壁配置，在与腔室的开口部对应的位置具有开口部的沉积物遮挡件；以及开闭沉积物遮挡件的开口部的开闭件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-126197号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在一个方面，本发明提供一种热响应性提高的基片处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
为了解决上述技术问题，依照一个方式，提供一种基片处理装置，其包括：处理容器；载置台，其配置在上述处理容器的内部，能够载置基片；和配置在上述处理容器与上述载置台之间的形成阳极的部件，上述部件具有供热交换介质流动的流路。
发明效果
在一个方面，能够提供热响应性提高的基片处理装置。
附图说明
图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的一例的截面示意图。
图2是表示一实施方式的等离子体处理装置的开闭件的一例的立体图。
图3是表示一实施方式的等离子体处理装置的开闭件的内部结构的一例的局部截面立体图。
图4是表示温度分布的模拟结果的一例的立体图。
图5是表示流路内的制冷剂的流动的示意图。
图6是表示一实施方式的等离子体处理装置的挡板的内部结构的一部的横截面图。
图7的(a)是表示图6的H-H截面，图7的(b)是表示图6的I-I截面的图。
附图标记说明
2 处理容器
2a 开口部(第一开口部)
5 工作台(载置台)
20 挡板(部件)
20a 缝隙
22 开闭件(部件)
23 沉积物遮挡件(部件)
23a 开口部(第二开口部)
71、73 导入管
72、74 排出管
S1 等离子体处理室
S2 排气空间
201～203 流路
221、231 流路
221a 流出面
222 侧壁部
223 肋
224 外壳部件
225 分隔部件
206、226 热交换促进部件
227 流入通路
228、229 流出通路。
具体实施方式
以下，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。在各附图中，对相同的构成部分标注相同的附图标记，有时省略重复的说明。
[等离子体处理装置]
首先，使用图1说明一实施方式的等离子体处理装置(基片处理装置)。图1是表示实施方式的等离子体处理装置的一例的截面示意图。
等离子体处理装置对晶片W等基片实施规定的处理(例如，蚀刻处理、成膜处理、清洁处理、灰化处理等)。
等离子体处理装置例如具有表面经过了阳极氧化处理的铝形成的大致圆筒状的处理容器2。处理容器2接地。
在处理容器2内的底部隔着陶瓷等绝缘板3设置有大致圆柱状的支承台4。在支承台4上设置有保持晶片W且作为下部电极发挥作用的工作台5。工作台5也称为载置台5。
在支承台4的内部设置有冷却室7。冷却室7经由制冷剂导入管8被导入制冷剂。制冷剂在冷却室7循环而从制冷剂排出管9被排出。在绝缘板3、支承台4、工作台5、静电吸盘11形成有用于对晶片W的背面供给导热交换介质(例如，He气体等)的气体通路14，用导热交换介质将工作台5的冷热传递到晶片W而将晶片W维持为规定温度。
在工作台5的上侧中央部上设置有圆形的、与晶片W大致相同直径的静电吸盘11。静电吸盘11中，在与绝缘材料之间配置有吸附电极12。吸附电极12与直流电源13连接，从直流电源13被施加直流电圧，由此利用库仑力将晶片W静电吸附在静电吸盘11。
在工作台5的上端周缘部以包围载置于静电吸盘11上的晶片W的方式配置有圆环状的周边环(也称为聚焦环。)15。周边环15例如由硅等导电性材料形成，具有提高等离子体的均匀性的作用。工作台5的侧面被工作台侧面覆盖部件60覆盖。
在工作台5的上方设置有气体喷淋头40。气体喷淋头40与作为下部电极发挥作用的工作台5相对地设置，也作为上部电极发挥作用。气体喷淋头40隔着绝缘材料41支承于处理容器2的顶部。气体喷淋头40包括电极板24和支承电极板24的导电性材料的电极支承体25。电极板24例如由硅或SiC等导电体或半导体构成，具有多个气体孔45。电极板24形成与工作台5相对的相对面。
在电极支承体25的中央设置有气体导入口26，气体导入口26与气体供给管27连接。气体供给管27经由开闭阀28和质量流量控制器(MFC)29与处理气体供给源30连接。处理气体供给源30供给用于蚀刻等等离子体处理的处理气体和用于清洁处理的清洁气体等。气体由质量流量控制器(MFC)29进行流量控制，根据开闭阀28的开闭经由气体供给管27和气体导入口26被输送到气体扩散室44。气体在气体扩散室44中扩散，从多个气体孔45被导入到处理容器2的内部。
在处理容器2可拆装地设置有沉积物遮挡件23，该沉积物遮挡件23用于防止在蚀刻等等离子体处理时生成的反应生成物附着在处理容器2的内壁。沉积物遮挡件23接地。此外，沉积物遮挡件23也可以设置在支承台4和工作台5的外周侧的排气空间S2。
在沉积物遮挡件23与工作台5之间设置有形成为圆环状的挡板20。沉积物遮挡件23和挡板20中能够适当地使用在铝材覆盖了由氧化铝、氧化钇(Y2O3)等陶瓷而得的材料。
挡板20具有使气体的流动一致，从等离子体处理室S1向排气空间S2均匀地排出气体的功能。等离子体处理室S1是由工作台5、气体喷淋头40、沉积物遮挡件23和挡板20形成的等离子体生成空间(等离子体处理空间)。在等离子体处理室S1的内部，由从气体喷淋头40供给来的气体生成规定的等离子体，用等离子体对晶片W实施规定的处理。
等离子体处理室S1的一部分能够由开闭件22开闭。即，在处理容器2设置有用于对等离子体处理室S1内送入、送出晶片W的开口部2a。在处理容器2的侧壁设置有开闭开口部2a的闸阀GV。此外，在沉积物遮挡件23，在与开口部2a对应的位置设置有开口部23a。开闭件22被升降器55上下驱动，开闭开口部23a。开闭件22接地。送入和送出晶片W时，打开闸阀GV，通过驱动升降器55使开闭件22下降而打开开闭件22，从开闭件22的开口将晶片W送入等离子体处理室S1，或者从等离子体处理室S1送出晶片W。
在开闭件22的内部设置有供制冷剂(热交换介质)流通的流路221(一并参照后述的图3)。流路221经由导入管71被导入制冷剂。制冷剂在流路221中循环而从排出管72被排出。此外，在沉积物遮挡件23的内部设置有供制冷剂流通的流路231。制冷剂经由导入管73被导入流路23。制冷剂在流路231循环而从排出管74被排出。此外，可以具有检测制冷剂的流量的流量计、调节制冷剂的流量的调节器等。后述的控制装置100根据从等离子体处理室S1的等离子体对开闭件22的输热输入量，来控制供给到流路221的制冷剂的流量。由此，能够使开闭件22的温度为所希望的温度范围。同样，控制装置100根据从等离子体处理室S1的等离子体对沉积物遮挡件23的输热输入量，来控制控制供给到流路231的制冷剂的流量。由此，能够使沉积物遮挡件23的温度为所希望的温度范围。此外，制冷剂的种类没有限定，例如可以为干燥空气等气体，也可以为冷却水等液体。
在等离子体处理室S1的下侧的挡板20之下形成有用于进行排气的排气空间S2。由此，能够防止等离子体侵入挡板20的下游侧的排气空间S2。
第一高频电源51产生等离子体生成用的高频功率HF。第一高频电源51例如产生60MHz的频率的高频功率HF。第一高频电源51经由匹配器52与气体喷淋头40连接。匹配器52是用于使第一高频电源51的输出阻抗与负载侧(上部电极侧)的输入阻抗匹配的电路。
第二高频电源53产生用于将离子引入晶片W的高频偏置功率LF。第二高频电源53产生例如20MHz的频率的高频偏置功率LF。第二高频电源53经由匹配器54与工作台5连接。匹配器54是用于使第二高频电源53的输出阻抗与负载侧(下部电极侧)的输入阻抗匹配的电路。
处理容器2的底部与排气管31连接，排气管31与排气装置35连接。排气装置35具有涡轮分子泵等真空泵，能够将处理容器2内抽真空至规定的减压气氛。此外，在处理容器2的侧壁设置有闸阀GV，通过开闭闸阀GV，对处理容器2内送入、送出晶片W。
等离子体处理装置由控制装置100控制。控制装置100是具有通信接口(I/F)105、CPU110、存储器115等的计算机。在存储器115中保存有控制程序和方案，其中该控制程序用于用CPU110控制由等离子体处理装置执行的蚀刻等各种的等离子体处理，该方案是根据处理条件使等离子体处理装置的各部执行处理的程序。CPU110使用保存于存储器115的方案和控制程序来控制等离子体处理装置的各部(升降器55、排气装置35、直流电源13、第一高频电源51、第二高频电源53、处理气体供给源30等)。
接着，使用图2和图3，进一步说明具有流路221、231的开闭件22和沉积物遮挡件23。此外，在以下的说明中，以具有流路221的开闭件22为例进行说明。此外，沉积物遮挡件23的流路231的结构与开闭件22的流路221的结构相同，省略重复的说明。
图2是表示一实施方式的等离子体处理装置的开闭件22的一例的立体图。图3是表示一实施方式的等离子体处理装置的开闭件22的内部结构的一例的局部截面立体图。此外，图3是将面对等离子体处理室S1的一侧的侧壁部222切断的图。
如图2所示，开闭件22具有侧壁部222和肋223。侧壁部222是用于封闭沉积物遮挡件23的开口部23a的部件，沿圆筒状的沉积物遮挡件23的形状弯曲为圆弧状。肋223以从侧壁部222的下端侧向处理容器2的中心方向延伸的方式形成。肋223的下表面侧由升降器55支承。开闭件22关闭开口部23a时，可以为肋223的上表面与沉积物遮挡件23接触。此外，可以为侧壁部222的上端与沉积物遮挡件23接触。由此，沉积物遮挡件23与开闭件22电连接，开闭件22接地。
如图3所示，在开闭件22的侧壁部222的内部形成有供制冷剂流通的流路221。换言之，开闭件22包括：在内部具有空间且形成外壳的外壳部件224；配置于外壳部件224的内部，形成流路221的分隔部件225；和配置于流路221的热交换促进部件226。
在外壳部件224形成有将内部空间与外部连通的流入通路227、流出通路228、229。此外，在图3所示的例子中，在周向的中心且下侧处形成有流入通路227，在周向的外侧且下侧处形成有流出通路228、229。
分隔部件225配置于外壳部件224的内部，形成从流入通路227去向流出通路228、229的流路221。此外，在图3中，图示了以流路221的一端与流入通路227连通，在流路221的中途分支而在上下往返并且去向周向外侧的方式形成的结构。此外，图示了以流路221的另一端分别与流出通路228、229连通的方式形成的结构，但是不限于此。
热交换促进部件226设置于由外壳部件224和分隔部件225形成的流路221内。换言之，热交换促进部件226以阻碍在流路221内流动的制冷剂的流动的方式配置。热交换促进部件226增加与在流路221中流动的制冷剂的接触面积，促进开闭件22与制冷剂的热交换。此外，热交换促进部件226从内侧支承外壳部件224。由此，能够确保中空结构的开闭件22的强度和刚性。热交换促进部件226例如可以具有网眼状或柱状的结构，也可以具有Lattice结构(格子结构)。此外，热交换促进部件226的形状和配置不限定于此。
另外，虽然省略了图示，但是热交换促进部件226也可以具有如下结构：在肋223的内部具有空间，该内部空间具有确保网眼状或柱状的结构、Lattice结构(格子结构)、蜂巢结构等的强度和刚性并且轻质的结构。
图4是表示流路221内的制冷剂的温度分布的模拟结果的一例的立体图。图5是表示流路221内的制冷剂的流动的示意图。此外，图4的(a)和图5的(a)表示在流路221内有设置热交换促进部件226的情况，图4的(b)和图5的(b)表示没有设置热交换促进部件226的情况。此外，在图4的模拟结果中，以温度越高标注越浓的阴影的方式进行了图示。此外，在图5中，用箭头表示制冷剂的流动。
进行了如下模拟：使从等离子体处理室S1对开闭件22的热输入量为1W/m2，将干燥空气作为制冷剂，从流入通路227流到流出通路228、229时的制冷剂的温度分布的模拟。此外，如图3所示，流路221具有左右对称的形状，因此仅对一方进行了模拟。图4表示由图3的虚线A所示的区域的模拟结果。
如图4的(b)所示，能够确认为通过使制冷剂流过流路221，与流入面的制冷剂的温度相比，流出面221a的制冷剂的温度上升。具体而言，流出面221a的制冷剂的温度与流入面制冷剂的温度相比，最高上升了0.2℃。换言之，能够确认为可以冷却开闭件22。
此外，如图4的(a)所示，能够确认为通过在流路221内配置热交换促进部件226，流出面221a的制冷剂的温度与图4的(b)所示的例子相比上升了。具体而言，流出面221a的制冷剂的温度与流入面的制冷剂的温度相比，最高上升了0.43℃。即，能够确认为通过在流路221内配置热交换促进部件226，开闭件22与制冷剂的热交换性能提高。
另外，在由图4的(b)的虚线C所示的角部的区域，形成了制冷剂的温度变高的区域。如图5的(b)所示，在制冷剂从流入通路227流入了流路221时，制冷剂主要在流路221的大致中央流动，并且在由虚线E所示的区域产生涡旋。在该涡旋的流动与流路221的角部之间的由虚线F所示的区域，制冷剂发生沉淀。该角部的制冷剂通过与开闭件22进行热交换而温度上升，此外因沉淀而难以向流出面221a流动。因此，如图4的(b)所示，在由虚线C所示的角部的区域，形成制冷剂的温度变高的区域。
对此，通过在流路221内配置热交换促进部件226，如图5的(a)所示的那样发挥整流效果。即，如图5的(a)所示，热交换促进部件226以阻碍制冷剂的流动的方式配置。由此，流路221内的制冷剂的流动被热交换促进部件226分支。在由虚线D所示的角部的区域中，也被供给分支了的制冷剂。于是，被供给到角部的区域的制冷剂向流出面221a流动。如图4的(a)所示，在由虚线B所示的角部的区域，制冷剂的温度变高的区域被消除了。
以上，一实施方式的等离子体处理装置包括具有流路221的开闭件22和具有流路231的沉积物遮挡件23，制冷剂在流路221、231中流通。
但是，晶片W的器件结构随着微小化和高集成化的发展，接触孔等正向高纵横比化发展。因此，在高纵横比的蚀刻中，高频偏置功率LF的低频化和高功率化正在发展。因此，成为接地电位的开闭件22和沉积物遮挡件23与等离子体的电位差变大。因离子溅射导致的消耗的增大和加速以及因来自等离子体的热输入量增加导致的部件的温度上升(温度控制性的劣化)成为了技术问题。
对此，依照一实施方式的等离子体处理装置的开闭件22和沉积物遮挡件23，通过使制冷剂在流路221、231流动，能够进行温度控制。由此，例如，即使由于高频偏置功率LF的高功率化而对开闭件22和沉积物遮挡件23的热输入量增大，也能够进行冷却以使开闭件22和沉积物遮挡件23成为规定的温度范围。
另外，开闭件22和沉积物遮挡件23能够采用中空结构，与实心(中实)的开闭件和沉积物遮挡件相比，能够变得轻质。通过使开闭件22和沉积物遮挡件23轻质化，热容量也降低。由此，使制冷剂在流路221、231中流动来对开闭件22和沉积物遮挡件23进行温度控制时的热响应性提高。由此，能够使开闭件22和沉积物遮挡件23快速成为目标温度范围，因此等离子体处理装置的基片处理的生产性也提高。
另外，在维护等离子体处理装置时，例如，要从处理容器2取出沉积物遮挡件23，不过通过使沉积物遮挡件23轻质化，能够提高作业性。此外，通过使作为可动部件的开闭件22轻质化，能够降低升降器55的输出。此外，能够降低开闭件22和沉积物遮挡件23的材料成本。
另外，通过在流路221、231内设置热交换促进部件226，与在流路221、231中流动的制冷剂的接触面积增加，因此热交换性能提高。此外，在流路221内作为阻碍物配置的热交换促进部件226的下游侧，形成剥离后再附着的制冷剂的流动，由此热交换性能提高。由此，使制冷剂在流路221、231中流动来对开闭件22和沉积物遮挡件23进行温度控制时的热响应性提高。此外，通过在流路221、231内设置热交换促进部件226，如图5的(a)和图5的(b)对比地所示，抑制在流路221的角部发生沉淀。由此，能够提高开闭件22和沉积物遮挡件23的温度分布的均匀性。
另外，通过在中空结构的流路221、231的内部形成热交换促进部件226，能够确保开闭件22和沉积物遮挡件23的强度和刚性。
此外，如图1所示，说明了在开闭件22和沉积物遮挡件23中设置流路的结构，但是不限于此，也可以为在开闭件22和沉积物遮挡件23之中至少一者设置流路的结构。
例如，可以为仅在沉积物遮挡件23设置流路231的结构。沉积物遮挡件23具有大致圆筒形状，以包围等离子体处理室S1整体的方式配置。对此，开闭件22配置于大致圆筒形状的一部分范围。因此，以通过在沉积物遮挡件23设置流路231，而包围等离子体处理室S1整体的方式配置。
另外，例如，可以为仅在开闭件22设置流路221的结构。沉积物遮挡件23与处理容器2等其他部件接触，而来自等离子体处理室S1的输入热被散出到其他部件。另一方面，开闭件22为可动部件，因此，与沉积物遮挡件23相比，与其他部件的接触较少，向其他部件的散热也变少。因此，存在开闭件22的温度与沉积物遮挡件23的温度相比变高的可能性。对此，通过在开闭件22设置流路221，例如能够使开闭件22的温度与沉积物遮挡件23的温度一致。由此，等离子体处理室S1的温度的均匀性提高。
接着，说明开闭件22和沉积物遮挡件23的制造方法。开闭件22和沉积物遮挡件23在其内部形成了流路221、231，从而形成中空结构。因此，优选开闭件22和沉积物遮挡件23通过3D打印技术、增材制造(Additive Manufacturing)技术制造。具体而言，能够使用用金属材料的层叠造形技术。例如，能够使用通过对粉末金属照射激光和电子束使其烧结来进行造形的造形技术、通过供给粉末金属和导线并用激光和电子束使材料熔融堆积来进行造形的造形技术等。此外，上述的造形方法是一个例子，并不限于此。
此外，说明了在开闭件22和沉积物遮挡件23中，构成外壳的外壳部件224、用于形成流路221的分隔部件225、设置于流路221中的热交换促进部件226由相同材料构成的例子。但是，不限于此，也可以使用不同种类的材料。例如，可以使外壳部件224和分隔部件225为铝，使用热传导率高的金属材料(例如Cu)形成热交换促进部件226。此外，热交换促进部件226也可以使用强度高的金属材料。
以上说明的开闭件22和沉积物遮挡件23配置在处理容器2与工作台5之间，具有供热交换介质流动的流路，是形成阳极的部件的一例。
工作台5是形成阴极的部件，与形成阴极的部件相对的形成阳极的部件除了开闭件22和沉积物遮挡件23之外，还包括上部电极(气体喷淋头40)和挡板20。
[挡板]
以下，参照图6和图7，说明作为形成阳极的部件的另一例的挡板20。图6是表示实施方式的等离子体处理装置的挡板20的内部结构的一部分的横截面图。图7的(a)是表示图6的(b)的H-H截面的图，图7的(b)是表示图6的(b)的I-I截面的图。
挡板20形成为圆环状。图6的(a)表示将挡板20在水平方向上切断时的截面的一部分。此外，图6的(b)中将图6的(a)的区域G放大地表示。挡板20具有多个缝隙20a。多个缝隙20a全都相同，大致平行地配置。多个缝隙20a分别在挡板20的宽度方向具有长边方向，在周向等间距地配置。各缝隙20a贯通挡板20。
在挡板20的内部，在各缝隙20a之间形成有流路201。流路201在各缝隙20a的内侧端部的附近具有两端部，该一端成为导入口IN，另一端成为排出口OUT。此外，流路201形成为在各缝隙20a的外侧端部的外侧形成U形弯。即，流路201沿着各缝隙20a形成为U字形，在多个缝隙20a之间蛇行。在挡板20的内部，在比各缝隙20a靠内侧处形成有环状的2个流路202和流路203。
以上说明的U形字的流路201在一端的导入口IN与流路202连接，在另一端的排出口OUT与流路203连接。从未图示的冷却单元输出的制冷剂在流路202流通，在多个导入口IN分流到多个流路201。分流的制冷剂在形成于各缝隙20a的周围的流路201流动，在多个排出口OUT合流到流路203，再次返回冷却单元。由此，通过使制冷剂按照流路202→流路201→流路203的顺序流动，能够对挡板20的整体进行温度控制，热响应性提高。
另外，在流路202和流路203中流动的制冷剂的方向不限于图6的(b)所示的方向。此外，使挡板20形成为中空结构，形成的流路201～203的形状不限于此。例如，可以将导入口IN和排出口OUT颠倒，从冷却单元输出的制冷剂按照流路203→流路201→流路202的顺序流动。也可以为流路201～203具有检测制冷剂的流量的流量计、调节制冷剂的流量的调节器等。
另外，不限于将流路201设置在挡板20的整个缝隙20a的周围。关于流路201，例如可以以包围多个缝隙20a中相邻的2个以上的缝隙20a的方式设置流路201，也可以设置在相对于挡板20的中心具有对称性的位置。此外，也可以在比缝隙20a的内周端部靠内侧处设置流路202和/或流路203。此外，也可以在比缝隙20a的外周端部靠外侧处设置流路，还可以将以上说明的流路组合。不过，为了提高温度控制性和热响应性，优选流路201是等间隔的，尽可能紧密地配置。
在流路201的内部分散地设置有多个热交换促进部件206。热交换促进部件206可以为棒状，也可以为板状，还可以具有其他结构(例如Lattice结构)实现轻质化等的结构。参照图6的(b)，热交换促进部件206以在流路201的内部彼此交叉的方式交替地配置在流路201的外侧面和内侧面的附近。不过不限于此，热交换促进部件206配置在阻碍在流路201内流动的制冷剂的流动的位置即可。热交换促进部件206使与在流路201中流动的制冷剂的接触面积增加，促进挡板20与制冷剂的热交换。由此，能够进一步优化热响应性。此外，热交换促进部件206的形状和配置不限于此。
设置于挡板20的主体20b和流路201中的热交换促进部件206可以由相同的材料构成，也可以使用不同种类的材料。例如，可以在挡板主体中使用铝，在热交换促进部件206中使用热传导率高的金属材料(例如Cu)。此外，也可以在热交换促进部件206中使用强度高的金属材料。
表示图6的(b)的H-H截面的图7的(a)中，图示了U形弯前的流路201。U形弯前的流路201在挡板20的上表面的正下方沿上表面形成。流路201形成为与流路202相同的高度，在导入口IN的位置流路201和流路202大致垂直地交叉。在流路202中流动的制冷剂在导入口IN流入流路201。
表示图6的(b)的I-I截面的图7的(b)中，图示了U形弯后的流路201。U形弯后的流路201在挡板20的上表面的正下方沿上表面形成，其前部去向排出口OUT且具有台阶，形成为与排出口OUT相同的高度。由此，台阶前的流路201形成在比流路203高的位置，台阶后的流路201形成在与流路203相同的高度，在排出口OUT的位置流路201和流路203大致垂直地交叉。由此，在流路201中流动的制冷剂在排出口OUT合流而容易流入形成于比台阶前的流路201低的位置的流路203。
热交换促进部件206紧密地配置在比U形弯后的流路201靠U形弯前的流路201。由此，使与在比U形弯后的流路201靠U形弯前的流路201中流动的制冷剂的接触面积增加，促进挡板20与制冷剂的热交换。而在U形弯后的流路201也设置热交换促进部件206，由此促进挡板20与制冷剂的热交换。
此外，热交换促进部件206的配置不限于此。例如，可以为热交换促进部件206按相同间隔配置在流路201整体。此外，热交换促进部件206可以为相同的形状，也可以为不同的形状。此外，热交换促进部件206可以在流路201内彼此交叉地配置，也可以平行地配置，也可以为其他配置。
利用实施方式的等离子体处理装置的开闭件22、沉积物遮挡件23和挡板20，通过使制冷剂在流路221、231、流路201～203中流动，能够对形成阳极的部件的整体进行温度控制。由此，例如，即使由于高频偏置功率LF的高功率化而对开闭件22、沉积物遮挡件23和挡板20等构成阳极的部件的热输入量增大，也能够进行冷却以使形成阳极的部件成为规定的温度范围。此外，也能够将形成阳极的部件的一部分例如挡板20、开闭件22、沉积物遮挡件23控制为局部不同的温度。
关于挡板20的制造方法，其中在挡板20的内部形成了流路201～203，从而形成中空结构。因此，优选挡板20通过3D打印技术、增材制造(Additive Manufacturing)技术制造。具体而言，能够使用用金属材料的层叠造形技术。例如，能够使用通过对粉末金属照射激光和电子束使其烧结来进行造形的造形技术、通过供给粉末金属和金属线并用激光和电子束使材料熔融堆积来进行造形的造形技术等。此外，上述的造形方法是一个例子，并不限于此。
以上，对基片处理装置的实施方式进行了说明，但是，本发明不限于上述实施方式，在专利申请的范围所记载的本发明的主旨的范围内，能够进行各种变形、改良。
说明了通过使制冷剂在开闭件22的流路221和沉积物遮挡件23的流路231中流动，来冷却开闭件22和沉积物遮挡件23的情况。但是，不限于此，也可以使高温的制冷剂流动来加热开闭件22和沉积物遮挡件23。此外，开闭件22和沉积物遮挡件23也可以具有加热器。由此，能够进行温度控制以使得开闭件22和沉积物遮挡件23成为规定的温度。
另外，作为设置于挡板20的孔，以缝隙20a为例进行了例举，不过本发明也能够应用于例如正圆和椭圆的圆孔等缝隙孔以外的孔类型的挡板20。
一实施方式的等离子体处理装置能够应用在ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)装置、Capacitively Coupled Plasma(电容耦合等离子体，CCP)、InductivelyCoupled Plasma(电容耦合等离子体，ICP)、Radial Line Slot Antenna(径向线缝隙天线)，Electron Cyclotron Resonance Plasma(电子回旋共振等离子体，ECR)，HeliconWave Plasma(螺旋波等离子体，HWP)等类型中。此外，作为基片处理装置的一例列举等离子体处理装置进行了说明，但是基片处理装置对基片实施规定的处理(例如，成膜处理、蚀刻处理等)即可，不限于等离子体处理装置。例如，可以为CVD装置。
在本说明书中，作为基片的一例列举晶片(半导体晶片)W进行了说明，但是基片不限于此，可以为LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)所使用的各种基片、光掩模、CD基片、印刷基板等。

Claims (9)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
处理容器；
载置台，其配置在所述处理容器的内部，能够载置基片；和
配置在所述处理容器与所述载置台之间的形成阳极的部件，
所述部件具有供热交换介质流动的流路。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述处理容器具有第一开口部，
所述部件包括在与所述第一开口部对应的位置具有第二开口部的沉积物遮挡件和开闭所述第二开口部的开闭件，
所述沉积物遮挡件和所述开闭件中至少一个部件具有供热交换介质流动的流路。
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述部件是设置在排气部的挡板，具有供热交换介质流动的流路。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
具有所述流路的所述部件具有增加与所述热交换介质的接触面积的热交换促进部件。
5.如权利要求1或4所述的基片处理装置，其特征在于：
具有所述流路的所述部件包括：
具有内部空间的外壳部件；
在所述内部空间形成所述流路的分隔部件；和
设置于所述流路的热交换促进部件。
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
所述热交换促进部件支承所述外壳部件。
7.如权利要求5或6所述的基片处理装置，其特征在于：
所述外壳部件、所述分隔部件、所述热交换促进部件形成为一体。
8.如权利要求1至7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
具有所述流路的所述部件能够通过3D打印技术或者增材制造技术成形。
9.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
处理容器；
载置台，其配置在所述处理容器内，能够载置基片；和
配置在所述处理容器内的形成阳极的部件，
所述部件具有供热交换介质流动的流路。
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