CN102420120B - 一种进气结构 - Google Patents
一种进气结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102420120B CN102420120B CN201110345338.7A CN201110345338A CN102420120B CN 102420120 B CN102420120 B CN 102420120B CN 201110345338 A CN201110345338 A CN 201110345338A CN 102420120 B CN102420120 B CN 102420120B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- air inlet
- inflator
- inlet pipe
- gas dish
- described even
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 pottery Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域,具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。所述进气结构,包括进气管、匀气筒和匀气盘,所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部,所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内,所述匀气盘设置在所述匀气筒下方。本发明的进气结构形成两个空间,保证两个空间的气流压力梯度在一定范围,有利于反应腔室内气流密度均匀一致;等离子体启辉条件下,芯片表面的反应物可及时随气流排出,确保刻蚀工艺的正常进行。
Description
技术领域
本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域,具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。
背景技术
在刻蚀和淀积等等离子体工艺中,进气匀气结构,不仅决定工艺气体的压力和流量分布,对于加载射频启辉生成的等离子体的均匀分布也有很大影响,从而,影响处理芯片的质量。
在刻蚀工艺中,进气结构,一般采用进气管直接通入腔室,由于进气管和腔室尺寸的差别比较大。或者,在进气管壁上加工一些均匀分布的小孔。进气后,气体的压力和流量梯度较大。这样,在射频加载后,启辉得到的等离子体均匀一致性难以保证。处理芯片时,因进气结构匀气效果差,腔室内部水平方向气体分布梯度较大,导致等离子体在芯片表面的密度分布不均匀,造成刻蚀芯片表面和刻蚀速率的均匀性不一致。
发明内容
本发明的目的在于提供一种进气结构,在等离子体工艺中实现气体压力和流量分布均匀,启辉后,确保在处理芯片的表面,得到均匀一致性的等离子体。
为了达到上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种进气结构,包括进气管、匀气筒和匀气盘,所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部,所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内,所述匀气盘设置在所述匀气筒下方。
上述方案中,所述进气管末段均匀分布小孔。
上述方案中,所述进气管为直径是3~50mm的不锈钢管。
上述方案中,所述进气管与所述腔室上盖之间设有密封法兰。
上述方案中,所述密封法兰为橡胶圈密封结构或刀口密封结构。
上述方案中,所述匀气筒为圆筒状,所述匀气筒底部为封闭的,所述匀气筒侧壁上设有小孔。
上述方案中,所述匀气筒的高度为1~200mm,直径为1~100mm,壁厚为1~10mm,所述匀气筒侧壁上的小孔的直径为0.1~10mm。
上述方案中,所述匀气盘在所述反应腔内的高度是可调节的,与所述匀气筒形成一个进气空间,所述匀气盘上设有小孔。
上述方案中,所述匀气盘的直径为1~5000mm,厚度为1~100mm,所述匀气盘上的小孔在所述匀气盘的直径范围内均匀分布,所述小孔直径为0.1~20mm。
上述方案中,所述匀气筒和所述匀气盘的材质为非金属材料,所述非金属材料为聚四氟、聚碳酸酯、PE等工程塑料、石墨、陶瓷、石英、碳化硼或碳化硅。
与现有技术方案相比,本发明采用的技术方案产生的有益效果如下:
本发明的进气结构形成两个空间,保证两个空间的气流压力梯度在一定范围,有利于反应腔室内气流密度均匀一致;等离子体启辉条件下,芯片表面的反应物可及时随气流排出,确保刻蚀工艺的正常进行。
附图说明
图1为本发明实施例提供的进气结构的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明技术方案进行详细描述。
如图1所示,本发明实施例提供一种进气结构,包括进气管1、匀气筒4和匀气盘5,进气结构设置在腔室上盖7和腔室3组成的反应腔上方,腔室上盖7内侧设有射频电极2;进气管1固定设置在腔室上盖7中部,与腔室上盖7法兰密封,密封法兰结构采用橡胶圈密封结构、刀口密封结构;进气管1末端延伸至反应腔内的匀气筒4内,匀气盘5设置在匀气筒4下方;排气口8设置在腔室3下端;芯片放置在反应腔内载片台6上。
进气管1为直径是3~50mm的不锈钢管,进气管末段均匀分布小孔。匀气筒4为圆筒状,匀气筒4底部为封闭的,匀气筒4侧壁上设有小孔;匀气筒4的高度为1~200mm,直径为1~100mm,壁厚为1~10mm,匀气筒侧壁上的小孔的直径为0.1~10mm。匀气盘5在反应腔内的高度是可调节的,与匀气筒4形成一个进气空间,匀气盘5上设有小孔;匀气盘5的直径为1~5000mm,厚度为1~100mm,匀气盘5上的小孔在匀气盘5的直径范围内均匀分布,小孔直径为0.1~20mm。均匀分布小孔的进气管1、匀气筒4和匀气盘5,组成具有三层匀气环节的匀气部分,使在工艺腔室的气体流量和密度趋于均匀一致。在刻蚀工艺过程中,到达芯片6表面的气体流量和密封分布趋于均匀,有利于等离子体的均匀一致,确保刻蚀芯片的均匀性。
匀气筒4和匀气盘5的材质为聚四氟、聚碳酸酯、PE等工程塑料、石墨、陶瓷、石英、碳化硼或碳化硅等非金属材料。
本发明在工作时,工艺气体由进气管1进入反应腔室上方,到达匀气筒4,然后气体分流9进入匀气盘5上方密闭空间,再到达载片台6上部;最后反应生成物和部分工艺气体汇流10从排气口8流出。调节匀气盘的安装高度,可以使到达芯片上方的气流密度趋于一致。
本发明可以保持真空腔室对真空度的要求;保持进气结构形成两个空间,保证两个空间的气流压力梯度在一定范围,有利于反应腔室内气流密度均匀一致。等离子体启辉条件下,芯片表面的反应物可及时随气流排出,确保刻蚀工艺的正常进行。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种进气结构,其特征在于:包括进气管、匀气筒和匀气盘,所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部,所述进气管末端延伸至所述腔室内的匀气筒内,所述匀气盘设置在所述匀气筒下方;所述进气管末段均匀分布小孔;
其中,所述匀气筒为圆筒状,所述匀气筒底部为封闭的,所述匀气筒侧壁上设有小孔;所述匀气筒的高度为1~200mm,直径为1~100mm,壁厚为1~10mm,所述匀气筒侧壁上的小孔的直径为0.1~10mm;
所述匀气盘在所述腔室内的高度是可调节的,与所述匀气筒形成一个进气空间,所述匀气盘上设有小孔。
2.如权利要求1所述的进气结构,其特征在于:所述进气管为直径是3~50mm的不锈钢管。
3.如权利要求1所述的进气结构,其特征在于:所述进气管与所述腔室上盖之间设有密封法兰。
4.如权利要求3所述的进气结构,其特征在于:所述密封法兰为橡胶圈密封结构或刀口密封结构。
5.如权利要求1所述的进气结构,其特征在于:所述匀气盘的直径为1~5000mm,厚度为1~100mm,所述匀气盘上的小孔在所述匀气盘的直径范围内均匀分布,所述小孔直径为0.1~20mm。
6.如权利要求1所述的进气结构,其特征在于:所述匀气筒和所述匀气盘的材质为非金属材料,所述非金属材料为聚四氟、聚碳酸酯、PE等工程塑料、石墨、陶瓷、石英、碳化硼或碳化硅。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110345338.7A CN102420120B (zh) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | 一种进气结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110345338.7A CN102420120B (zh) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | 一种进气结构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102420120A CN102420120A (zh) | 2012-04-18 |
CN102420120B true CN102420120B (zh) | 2016-08-03 |
Family
ID=45944464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110345338.7A Active CN102420120B (zh) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | 一种进气结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102420120B (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103068137A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-04-24 | 中国科学院微电子研究所 | 一种进气结构及等离子体工艺设备 |
CN105702600A (zh) * | 2014-11-28 | 2016-06-22 | 中国科学院微电子研究所 | 一种半导体设备进气装置 |
CN104979248B (zh) * | 2015-07-09 | 2018-01-12 | 重庆德尔森传感器技术有限公司 | 传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构 |
CN104979249B (zh) * | 2015-07-22 | 2019-01-22 | 上海华力微电子有限公司 | 进出气装置、具有进出气装置之热处理机台及进出气方法 |
CN107785283B (zh) * | 2016-08-24 | 2020-07-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 加热腔室及半导体加工设备 |
CN108048820A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-05-18 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 气相沉积设备和气相沉积方法 |
CN110556309B (zh) * | 2018-06-04 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室 |
CN108546928B (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-14 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置 |
CN109341967A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-02-15 | 北方民族大学 | 一种进气机械结构的气密性检测装置及其使用方法 |
CN109780873A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-05-21 | 合肥恒力装备有限公司 | 一种应用于大排胶低氧含量铜烧炉进排气处理装置 |
CN113913790A (zh) * | 2020-07-08 | 2022-01-11 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种平板式pecvd设备用多段式电极板辉光放电装置 |
CN115148633A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-10-04 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 湿法刻蚀装置 |
CN117438277B (zh) * | 2023-12-19 | 2024-04-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 匀流组件、进气装置及半导体设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101671188A (zh) * | 2009-09-23 | 2010-03-17 | 北京航空航天大学 | 一种高性能炭基复合材料快速定向渗积气流控制的方法 |
CN101914761A (zh) * | 2010-08-16 | 2010-12-15 | 华晟光电设备(香港)有限公司 | 用于mocvd反应腔中反应气体输送与均匀分布控制的装置 |
CN101924014A (zh) * | 2009-06-09 | 2010-12-22 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 进气装置及工艺腔室 |
CN101996842A (zh) * | 2009-08-18 | 2011-03-30 | 显示器生产服务株式会社 | 等离子蚀刻装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7476291B2 (en) * | 2006-09-28 | 2009-01-13 | Lam Research Corporation | High chamber temperature process and chamber design for photo-resist stripping and post-metal etch passivation |
CN101441981A (zh) * | 2007-11-20 | 2009-05-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 立体排气环及等离子体加工装置 |
-
2011
- 2011-11-04 CN CN201110345338.7A patent/CN102420120B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101924014A (zh) * | 2009-06-09 | 2010-12-22 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 进气装置及工艺腔室 |
CN101996842A (zh) * | 2009-08-18 | 2011-03-30 | 显示器生产服务株式会社 | 等离子蚀刻装置 |
CN101671188A (zh) * | 2009-09-23 | 2010-03-17 | 北京航空航天大学 | 一种高性能炭基复合材料快速定向渗积气流控制的方法 |
CN101914761A (zh) * | 2010-08-16 | 2010-12-15 | 华晟光电设备(香港)有限公司 | 用于mocvd反应腔中反应气体输送与均匀分布控制的装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102420120A (zh) | 2012-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102420120B (zh) | 一种进气结构 | |
CN102424955B (zh) | 一种新型匀气结构 | |
US9976215B2 (en) | Semiconductor film formation apparatus and process | |
TWI397100B (zh) | 電漿反應器及其使用方法 | |
CN102437002B (zh) | 一种用于进气结构的匀气盘 | |
MY166639A (en) | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material | |
MY167870A (en) | Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture | |
TW201625809A (zh) | 成膜方法 | |
JP2011054781A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US9852905B2 (en) | Systems and methods for uniform gas flow in a deposition chamber | |
CN108352297B (zh) | 合并式盖环 | |
TWI536872B (zh) | Plasma processing device | |
CN100350569C (zh) | 处理气体导入机构和等离子体处理装置 | |
CN104299929A (zh) | 用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法 | |
CN103695867B (zh) | 一种微波等离子体化学气相沉积装置 | |
CN101373702A (zh) | 腔室内衬及反应腔室 | |
CN104217943A (zh) | 用于处理半导体工件的设备 | |
WO2009111344A3 (en) | Method and apparatus for removing polymer from a substrate | |
CN101930889A (zh) | 气体输入装置和等离子体加工设备 | |
CN104211065A (zh) | 一种硅粉的制备设备 | |
US8591654B2 (en) | Device for manufacturing sic single crystal and method for the same | |
CN103915307B (zh) | 等离子体处理室及用于该等离子体处理室的气体注入装置 | |
CN101930891B (zh) | 反应腔室和内衬装置 | |
CN102945783A (zh) | 气体输入装置和等离子体加工设备 | |
KR20160030364A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 클리닝 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |