CN108352297B - 合并式盖环 - Google Patents

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Abstract

本公开内容大体涉及大体涉及用于进行半导体器件制造的设备，且更特定而言，涉及用于在高密度等离子体化学气相沉积处理中部分覆盖基板支撑件的表面的盖环。在一个实施方式中，盖环可包括环形主体、内支撑块、一或多个隔热部、倒圆肩部、外唇部、垂直附属部分和导热涂层，内支撑块具有用于稳定性的斜面第一边缘，一或多个隔热部用以增加朝向外径的热移动，倒圆肩部用以防止颗粒沉积，外唇部被配置于基板支撑基座，垂直附属部分用以支撑基板，导热涂层设置在环形环上以朝向环的外边缘引导导热性并防止颗粒累积。

Description

合并式盖环
技术领域
本公开内容的实施方式大体涉及半导体处理设备。更特定而言，本公开内容的实施方式涉及适合用于高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)基板处理等用途的合并式盖环。
背景技术
使用高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)在薄膜基板上制造现代半导体器件包含通过将射频能量施加于基板表面附近的反应区域而在低真空压力下激发和/或分解反应气体，从而产生等离子体。在等离子体处理期间，一些处理配件可在材料沉积或蚀刻期间用于保护基板支撑件。
然而，处理配件的部件，特别是靠近基板的边缘环或盖环，也可能由来自处理的沉积材料覆盖。这些材料可包括腐蚀性材料，诸如氧化物或氟化物及类似物，且可能会损坏基板支撑件。这些材料还可能从基板支撑件剥落并污染正在处理的基板。此外，基板支撑件暴露的金属表面可能在等离子体处理中产生电弧及产生基板和/或腔室的金属污染。在某些处理中，靠近基板边缘从基板溅射下来的材料可能沉积在基板边缘附近的盖环上，从而增加在处理配件上的材料累积并缩短清洁之间的平均时间。
因此，在本领域中对于改良的盖环有所需求。
发明内容
在一个实施方式中，揭示了一种盖环。盖环可包括环形主体，所述环形主体具有第一表面、实质平行于所述第一表面的第二表面、内边缘和外边缘。支撑块可从环形主体延伸，并界定第二表面的至少一部分。支撑块可具有从环形主体的内边缘延伸至环形主体的第二表面的斜面(beveled)边缘。一或多个隔热部(thermal break)可相邻于支撑块且从支撑块径向向外而形成于环形主体上，且倒圆(rounded)肩部可从环形主体的第一表面延伸至环形主体的外边缘。唇部可靠近外边缘设置且从倒圆肩部向下延伸，且槽可相邻所述唇部而形成于环形主体中。槽可设置在外边缘与一或多个隔热部之间。盖环还具有垂直附属部分(appendage)，所述垂直附属部分包括第三表面、第四表面和斜面边缘，所述第三表面从所述第一表面延伸且实质平行于所述内边缘，所述第四表面正交于所述内边缘，所述斜面边缘设置在所述第三表面与所述第四表面之间。导热涂层亦可设置在环形主体的第二表面上。
在另一个实施方式中，盖环可包括环形主体，所述环形主体具有第一表面、实质平行于所述第一表面的第二表面、内边缘和外边缘。支撑块可从环形主体延伸，并界定第二表面的至少一部分。支撑块可具有从环形主体的内边缘延伸至环形主体的第二表面的斜面边缘。一或多个隔热部可相邻于支撑块且从支撑块径向向外而形成于环形主体上，且倒圆肩部可从环形主体的第一表面延伸至环形主体的外边缘。唇部可靠近外边缘设置且从倒圆肩部向下延伸，且槽可相邻所述唇部而形成于环形主体中。槽可设置在外边缘与一或多个隔热部之间。盖环还可具有垂直附属部分，所述垂直附属部分包括第三表面、第四表面和斜面边缘，所述第三表面从所述第一表面延伸且实质平行于所述内边缘，所述第四表面正交于所述内边缘，所述斜面边缘设置在所述第三表面与所述第四表面之间。导热涂层亦可设置在环形主体的第一表面和环形主体的第二表面上。
在另一个实施方式中，盖环可包括环形主体，所述环形主体具有第一表面、实质平行于所述第一表面的第二表面、内边缘和外边缘。支撑块可从环形主体延伸，并界定第二表面的至少一部分。支撑块可具有从环形主体的内边缘延伸至环形主体的第二表面的斜面边缘。一或多个隔热部可相邻于支撑块且从支撑块径向向外而形成于环形主体上，且倒圆肩部可从环形主体的第一表面延伸至环形主体的外边缘。唇部可靠近外边缘设置且从倒圆肩部向下延伸，且槽可相邻所述唇部而形成于环形主体中。槽可设置在外边缘与一或多个隔热部之间。盖环还具有垂直附属部分，所述垂直附属部分包括第三表面、第四表面和斜面边缘，所述第三表面从所述第一表面延伸且实质平行于所述内边缘，所述第四表面正交于所述内边缘，所述斜面边缘设置在所述第三表面与所述第四表面之间。导热涂层亦可设置在环形主体的第二表面上。盖环还可在环形主体的第一表面上包括一或多个突出部分。
附图说明
为了能详细了解本公开内容的上述特征，可通过参考实施方式获得以上简要概述的本公开内容的更特定描述，一些实施方式示于附图中。然而，应注意的是，附图仅示出本公开内容的典型实施方式，因此不应视为本公开内容范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。
图1示意地绘示包括根据一个实施方式的盖环的处理腔室。
图2绘示图1的盖环的平面图。
图3绘示设置在基板支撑件上的图1的盖环的局部示意截面图。
图4绘示盖环的另一实施方式的局部示意截面图。
图5绘示盖环的另一实施方式的局部示意截面图。
图6绘示盖环的另一实施方式的局部示意截面图。
为便于理解，已尽可能使用相同的标号表示各图共有的相同元件。应考虑到，一个实施方式中揭示的元件可有利地用于其他实施方式中而无需详述。
具体实施方式
本公开内容大体涉及用于进行半导体器件制造的设备，且更特定而言，涉及用于在等离子体处理腔室(诸如蚀刻腔室或化学气相沉积腔室等)中覆盖基板支撑件的表面的盖环。在一个实施方式中，盖环可包括环形主体。环形主体可包括内支撑块、一或多个隔热部、倒圆肩部、外唇部和垂直附属部分，内支撑块具有用于稳定性的斜面第一边缘，一或多个隔热部用以增加邻近基板的热朝向盖环的外径的热移动，倒圆肩部用以防止颗粒沉积，外唇部被配置于基板支撑基座，垂直附属部分用以支撑基板。导热涂层亦可设置在环形环上以将导热性导向环的外边缘并防止颗粒累积。
图1是基于等离子体的基板处理系统100的示意表示图，其包括根据本公开内容的各种实施方式的盖环102。基于等离子体的基板处理系统100可用于基板(诸如硅基板、GaAs基板及类似基板)的温度受控处理，同时建立和维持处理基板的等离子体环境。虽然等离子体处理腔室的一个实施方式示例性地描述为高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)系统(诸如可从加州圣克拉拉的应用材料公司获得的200mm HDP-CVD Ultima X系统)，但本公开内容亦在其他处理腔室中具有功用，包括来自其他制造商的处理腔室。这些腔室包括物理气相沉积腔室、化学气相沉积腔室、蚀刻腔室以及其中盖环可防止或限制由处理基板产生的污染物沉积在基板支撑件的表面上及靠近正被处理的基板的其他应用。
基于等离子体的基板处理系统100包括处理腔室104、真空系统124、偏压等离子体系统148、源等离子体系统134和气体分配系统154。处理腔室104可包括设置在其中的基板支撑件112，以用于在处理期间将基板110支撑于基板支撑件112上。基板支撑件112可包括各种部件，诸如静电卡盘120，以将基板110固定于基板支撑件112。盖环102可被配置以覆盖基板支撑件112的至少一部分以保护基板支撑件112免受不必要的沉积，当基板110设置于基板支撑件112上时，基板支撑件112的所述至少一部分没有被基板110覆盖。
处理腔室104包括圆顶106，圆顶106界定等离子体处理区域108的上边界。等离子体处理区域108的底部由基板110和基板支撑件112界定。加热板114和冷却板116设置在圆顶106上且热耦接至圆顶106，而允许关于各种处理进行圆顶106的温度控制。圆顶温度的准确控制还减少处理腔室中的薄片或颗粒数并改良沉积层与基板110之间的粘合。
处理腔室104包括腔室主体118，腔室主体118界定处理腔室104的下部并将处理腔室104连接至真空系统124。基板可经由在处理腔室104的腔室主体118中形成的狭缝阀122而传送进出处理腔室104。真空系统124包括节流阀体126，节流阀体126容纳节流阀128并附接于闸阀130和涡轮分子泵132。节流阀体126可被配置以最小化气流阻塞并提供对称泵送。
源等离子体系统134包括安装在圆顶106上的顶部线圈136和侧部线圈138。顶部线圈136由顶部RF源发生器140供电，而侧部线圈138由侧部RF源发生器142供电。匹配网络144和146将发生器140和142的输出阻抗分别与顶部线圈136和侧部线圈138匹配。源等离子体系统134提供用于各线圈的独立功率水平(power level)和操作频率，从而改良等离子体均匀性，并且可改良等离子体产生效率。
偏压等离子体系统148包括RF偏压发生器150和偏压匹配网络152。偏压等离子体系统148用于增强由源等离子体系统134产生的等离子体物种到基板110表面的输送。
气体分配系统154可包括多个气源(未图示)、气体输送管线162(仅图示其中一些)、具有多个气体喷嘴164和166的气环156、顶部喷嘴158和顶部通气孔160。气体分配系统154可被配置以输送诸如硅烷、分子氧、氦、氩及类似物的各种前驱物或处理气体进入处理腔室。
图2绘示图1的盖环102的平面图。盖环102包括环形主体202，环形主体202界定开口204。在一个实施方式中，开口204为实质圆形。当盖环102设置在基板支撑件112上时，开口204允许静电卡盘120的一部分延伸穿过开口204。盖环102可由陶瓷材料形成并有利地制成单件，以帮助减少颗粒累积。在处理期间，当处理配件由多个部分(诸如同时有盖环与轴环(collar ring))制成时，可能在各种部件间的间隙中产生颗粒累积，从而增加环侵蚀。此外，间隙中累积的颗粒可能接着剥落并污染基板110。然而，有利的是，当盖环102是单件时，颗粒累积减少，从而减少侵蚀和增加盖环的寿命。此外，由多件形成的间隙可能破坏横跨基板的气流。一体式(unibody)盖环有助于在处理期间促进更均匀的气流。
图3绘示设置在基板支撑件112上的图1的盖环102的局部示意截面图。盖环102可与基板支撑件112的各种不同配置一起使用。在一个实施方式中，基板支撑件112可包括静电卡盘120、绝缘体302和接地导电块304。绝缘体302可以是介电材料且可绕静电卡盘120周边且相邻于静电卡盘120设置。导电块304可以是金属(诸如铝(Al))并且可绕绝缘体302周边且相邻于绝缘体302设置。盖环102的环形主体202包括第一表面338、实质平行于第一表面338的第二表面314、内边缘308和外边缘326。外边缘326可靠近基板支撑件的外边缘354，且更特定而言，在一个实施方式中，靠近导电块304。环形主体202的内边缘308可界定开口204。盖环102的外径在约10.00英寸与约12.00英寸之间。在一个实施方式中，盖环的外径为约11.005英寸。
环形主体202进一步包括第一表面338和第二表面314。在一个实施方式中，第一表面338是实质平面的。第一表面338与第二表面314之间的距离362可以是约0.355英寸与约0.365英寸之间。倒圆肩部328可从环形主体202的第一表面338延伸至环形主体202的外边缘326。在一个实施方式中，外边缘326可实质垂直于环形主体202的第一表面338。外边缘326可从倒圆肩部328延伸一距离364至唇部344的表面324，所述距离364在约0.100英寸与约0.200英寸之间。在一个实施方式中，外边缘326可从倒圆肩部328到唇部344的表面324延伸约0.123英寸。在一个实施方式中，倒圆肩部328可以约130°与约140°之间的角度340设置，所述角度是对由外边缘326与倒圆肩部328形成的角度测量而得。例如，角度340可以是约135°。倒圆肩部328向外边缘326设置，以有助于促进向下朝向导电块304的导热性。
在一个实施方式中，盖环102可由氮化铝(AlN)制成。氮化铝提供所需的热性质。例如，氮化铝较其他传统材料(诸如氧化铝)更好地导热。增加的导热性通过将热引导离开基板110而促进从基板110的表面朝向盖环102的外边缘326以及腔室内部的热传递。降低的温度有利地减少腔室上的表面反应，且减少可能发生在基板110的背侧和腔室上的颗粒累积。
第二表面314可具有一轮廓(profile)，所述轮廓被配置而接触绝缘体302的上表面356且有助于促进热离开基板110而朝向外边缘326传递。在环形主体202与绝缘体302之间热传导被最小化且热传导优先导向且传导通过导电块304。环形主体202还可包括槽316，槽316被配置而与绝缘体302的上延伸部358接合。形成在环形主体202中的槽316可由第一表面318、第二表面320和第三表面322来界定。第一表面318与第三表面322相对且正交于第二表面320。第一表面318亦正交于环形主体202的第二表面314。第一表面318可具有约9.000英寸至约10.000英寸之间的直径。在一个实施方式中，第一表面318的直径为约9.910英寸。第三表面322可具有约10.100英寸至约10.900英寸之间的直径。在另一个实施方式中，第三表面322的直径为约10.300英寸。
环形主体202可进一步包括唇部344，唇部344靠近环形主体202的外边缘326设置且从倒圆肩部328延伸。唇部344的表面324可在高于环形主体202的第二表面314的平面的平面上且被配置而与导电块304接合。当热导向外边缘326时，唇部344接触导电块304而使热传递离开基板110。唇部344的表面324与环形主体202的第二表面314之间的高度的距离360可以是约0.055英寸。唇部344被有利地配置而与导电块304接合，从而提供紧密的密封，而增大离开基板110的导热性。
环形主体202还可包括垂直附属部分306。垂直附属部分306可包括从环形主体202的第一表面338延伸且正交于环形主体202的第一表面338的第一表面330、第二表面334和正交于内边缘308的第三表面336。在一个实施方式中，第二表面334是倾斜的(slanted)斜面边缘。第二表面334可设置在第一表面330与第三表面336之间。垂直附属部分306可有利地促成将基板110置于基板支撑件112顶部的中心，从而提供更均匀的沉积。基板110可平行于垂直附属部分306的第三表面336且在垂直附属部分306的第三表面336之上延伸。垂直附属部分306可以是连续环，或者可以是形成一或多个不连续柱的一或多个垂直附属部分。在一个实施方式中，四个附属部分以90度间隔开，但可考虑更多或更少附属部分。
环形主体还可包括支撑块342，支撑块342具有斜面边缘310。支撑块342具有表面346，表面346被配置而接触基板支撑件112且为盖环102提供稳定性。环形主体202还可包括一或多个隔热部312，所述一或多个隔热部312相邻于支撑块342且从支撑块342径向向外而形成于环形主体202上。隔热部312可包括第一表面348和第三表面352，第一表面348正交于第二表面350。隔热部312可以是凹部，凹部最小化盖环102的表面与静电卡盘120之间的接触。通过最小化表面之间的接触，所述凹部是有利地使热流向外边缘326的隔热部。第三表面352可与第一表面348相对且正交于支撑块342的表面346。在一个实施方式中，导热涂层设置在一或多个隔热部312上，特别地设置在隔热部312的第一表面348、第二表面350和第三表面352上。
图4绘示盖环400的另一实施方式的局部示意截面图。盖环400包括环形主体202。盖环400的环形主体202可包括第一表面338、实质平行于第一表面338的第二表面314、内边缘308、外边缘326、隔热部312及槽316。环形主体202还可包括导热涂层402。在一个实施方式中，导热涂层402设置在环形主体202的第二表面314上。在一个实施方式中，导热涂层402可以是类金刚石碳涂层。温度调整影响处理期间在基板110上的沉积，并且能够微调温度有利地提供更均匀的沉积。因此，用导热涂层402优先涂覆盖环400的某些区域可增加朝向盖环102的外边缘326的热流动。降低的温度有利地减少腔室上的表面反应，且减少可能发生在基板110的背侧上的颗粒累积。在一个实施方式中，导热涂层402可以是共形的(conformal)。在另一个实施方式中，导热涂层402可以是均匀厚度的。
图5绘示盖环500的另一实施方式的局部示意截面图。盖环500包括环形主体202。盖环500的环形主体202可包括第一表面338、实质平行于第一表面338的第二表面314、内边缘308、外边缘326、槽316及隔热部312。隔热部312可以是多个槽，多个槽在环形主体202的第二表面314中形成且沿环形主体202的第二表面314延伸。多个槽或凹部最小化盖环102的第二表面314与静电卡盘120之间的接触。通过最小化表面之间的接触，多个凹部是有利地使热流向外边缘326的隔热部312。
盖环500可包括设置在环形主体202的第一表面338上的导热涂层502。用导热涂层502优先涂覆盖环500的第一表面338可增加朝向盖环500的外边缘326的热流动，从而减少基板110表面附近的颗粒沉积。第一表面338上的导热涂层502可设置在垂直附属部分306与倒圆肩部328之间。除了设置在第一表面338上的导热涂层502之外，导热涂层402亦可设置在第二表面314上(类似于示于图4中的实施方式)，使得导热涂层502设置在第一表面338上，且导热涂层402设置在第二表面314上。在一个实施方式中，导热涂层502可以是类金刚石碳涂层。
图6绘示盖环600的另一实施方式的局部示意截面图。盖环600包括环形主体202。盖环600的环形主体202可包括第一表面338、实质平行于第一表面338的第二表面314、内边缘308、外边缘326、槽316及隔热部312。隔热部312可以是从环形主体202向外延伸的突出部分。突出部分最小化盖环102的第二表面314与静电卡盘120之间的接触。通过最小化表面之间的接触，突出部分是有利地使热流动离开基板110的隔热部。虽然示出突出部分(诸如凸块)，但可使用各种几何形状的隔热部。例如，隔热部312可以是从环形主体202向外延伸的矩形或正方形形状的突出部分。
环形主体202还可包括设置在第一表面338上的涂层618，以改良基板处理期间沉积在第一表面338上的膜的颗粒滞留。涂层618一般包括突出部分，其在第一表面338上提供微观或宏观纹理。在一个实施方式中，涂层618可以是可从加州圣克拉拉的应用材料公司获得的Lava Coat或Lava Coat II涂层。虽然涂层618图示为倒圆的、半圆形突出部分，但涂层618的表面纹理可以具有各种其他形状和几何形状。涂层618的突出部分可以是与邻近的突出部分分隔开的不连续(discrete)突出部分。在一个实施方式中，涂层618的表面纹理可具有波形轮廓，以改良颗粒粘附。涂层618的波形轮廓可由蚀刻、焊珠(bead)或磨粒(grit)、喷砂(blasting)、激光烧蚀(laser ablation)或3D打印来形成。在一个实施方式中，涂层618可延伸环形主体202的第一表面338的长度。
本文提供的盖环的实施方式可有利地提供特定热分布，所述特定热分布将热引导离开基板且导向基板支撑件的边缘，因而减少颗粒累积及随后的基板污染。
虽然上文针对本公开内容的实施方式，但在不背离本公开内容的基本范围的情况下，可设计本公开内容的其他与进一步的实施方式，且本公开内容的范围由随后的权利要求书确定。

Claims (13)

1.一种盖环，包括：
环形主体，所述环形主体具有第一表面、实质平行于所述第一表面的第二表面、内边缘和外边缘；
支撑块，所述支撑块从所述环形主体延伸且界定所述第二表面的至少一部分，其中所述支撑块具有从所述环形主体的所述内边缘延伸至所述环形主体的所述第二表面的斜面边缘；
一或多个隔热部，所述一或多个隔热部相邻于所述支撑块且从所述支撑块径向向外而形成于所述环形主体上；
倒圆肩部，所述倒圆肩部从所述环形主体的所述第一表面延伸至所述环形主体的所述外边缘；
唇部，所述唇部靠近所述外边缘设置且从所述倒圆肩部向下延伸，所述唇部具有底表面，其中从所述底表面到所述第一表面的第一垂直距离小于从所述第一表面到所述第二表面的第二垂直距离；
槽，所述槽相邻所述唇部而形成于所述环形主体中，其中所述槽设置在所述外边缘与所述一或多个隔热部之间；
垂直附属部分，所述垂直附属部分包含第三表面、第四表面和斜面边缘，所述第三表面从所述第一表面延伸且实质平行于所述内边缘，所述第四表面正交于所述内边缘，所述斜面边缘设置在所述第三表面与所述第四表面之间；及
导热涂层，所述导热涂层设置在所述环形主体的所述第二表面上。
2.如权利要求1所述的盖环，其中所述导热涂层设置在由所述支撑块界定的所述第二表面的第一部分上。
3.如权利要求1所述的盖环，其中所述导热涂层设置在所述第二表面的第一部分上和所述第二表面的第二部分上，所述第一部分由所述支撑块界定，所述第二部分设置在所述槽与所述一或多个隔热部之间。
4.如权利要求1所述的盖环，其中所述唇部包括从所述外边缘延伸至所述槽的第五表面，并且其中从所述第一表面至所述第五表面的第一距离小于从所述第一表面至所述第二表面的第二距离。
5.一种盖环，包括：
环形主体，所述环形主体具有第一表面、实质平行于所述第一表面的第二表面、内边缘和外边缘；
支撑块，所述支撑块从所述环形主体延伸且界定所述第二表面的至少一部分，其中所述支撑块具有从所述环形主体的所述内边缘延伸至所述环形主体的所述第二表面的斜面边缘；
一或多个隔热部，所述一或多个隔热部相邻于所述支撑块且从所述支撑块径向向外而形成于所述环形主体上；
倒圆肩部，所述倒圆肩部从所述环形主体的所述第一表面延伸至所述环形主体的所述外边缘；
唇部，所述唇部靠近所述外边缘设置且从所述倒圆肩部向下延伸，所述唇部具有底表面，其中从所述底表面到所述第一表面的第一垂直距离小于从所述第一表面到所述第二表面的第二垂直距离；
槽，所述槽相邻所述唇部而形成于所述环形主体中，其中所述槽设置在所述外边缘与所述一或多个隔热部之间；
垂直附属部分，所述垂直附属部分包含第三表面、第四表面和斜面边缘，所述第三表面从所述第一表面延伸且实质平行于所述内边缘，所述第四表面正交于所述内边缘，所述斜面边缘设置在所述第三表面与所述第四表面之间；及
导热涂层，所述导热涂层设置在所述环形主体的所述第一表面和所述第二表面上。
6.如权利要求5所述的盖环，进一步包括从所述环形主体的所述第一表面延伸的一或多个突出部分。
7.如权利要求5所述的盖环，其中所述导热涂层设置在所述垂直附属部分与所述倒圆肩部之间的所述环形主体的所述第一表面上。
8.如权利要求5所述的盖环，其中所述一或多个隔热部从所述环形主体的所述第二表面延伸。
9.一种盖环，包括：
环形主体，所述环形主体具有第一表面、实质平行于所述第一表面的第二表面、内边缘和外边缘；
支撑块，所述支撑块从所述环形主体延伸且界定所述第二表面的至少一部分，其中所述支撑块具有从所述环形主体的所述内边缘延伸至所述环形主体的所述第二表面的斜面边缘；
一或多个隔热部，所述一或多个隔热部相邻于所述支撑块且从所述支撑块径向向外而形成于所述环形主体上；
倒圆肩部，所述倒圆肩部从所述环形主体的所述第一表面延伸至所述环形主体的所述外边缘；
唇部，所述唇部靠近所述外边缘设置且从所述倒圆肩部向下延伸，所述唇部具有底表面，其中从所述底表面到所述第一表面的第一垂直距离小于从所述第一表面到所述第二表面的第二垂直距离；
槽，所述槽相邻所述唇部而形成于所述环形主体中，其中所述槽设置在所述外边缘与所述一或多个隔热部之间；
垂直附属部分，所述垂直附属部分包含第三表面、第四表面和斜面边缘，所述第三表面从所述第一表面延伸且实质平行于所述内边缘，所述第四表面正交于所述内边缘，所述斜面边缘设置在所述第三表面与所述第四表面之间；
导热涂层，所述导热涂层设置在所述环形主体的所述第二表面上；及
一或多个突出部分，所述一或多个突出部分设置在所述环形主体的所述第一表面上。
10.如权利要求9所述的盖环，其中所述一或多个隔热部是从所述环形主体向外突出的凸块，其中在所述环形主体的所述第一表面上的所述一或多个突出部分具有波形轮廓。
11.如权利要求9或权利要求5所述的盖环，其中所述导热涂层是类金刚石碳材料。
12.如权利要求9或权利要求5所述的盖环，其中所述垂直附属部分从所述环形主体的所述第一表面延伸，且界定所述环形主体的内径的圆周。
13.如权利要求9所述的盖环，其中从所述环形主体的所述第一表面延伸的所述垂直附属部分包括圆周地间隔开90度的一或多个不连续柱。
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