KR200478935Y1 - 플라즈마 처리 챔버를 위한 ｃ-형상 한정 링 - Google Patents

Abstract

용량-결합형 플라즈마 처리 챔버의 컴포넌트로서 유용한 한정 링이 본 명세서에 기재된다. 한정 링의 내부 표면들은, 반도체 기판이 챔버 내에서 플라즈마 처리 동안 지지되는 하부 전극과 상부 전극 사이의 갭을 둘러싸는 연장된 플라즈마 한정 존을 제공한다.

Description

플라즈마 처리 챔버를 위한 Ｃ-형상 한정 링{C-SHAPED CONFINEMENT RING FOR A PLASMA PROCESSING CHAMBER}

각각의 연속적인 반도체 기술 세대를 통해서, 웨이퍼 직경은 증가하는 경향이 있고 트랜지스터 크기는 감소하며, 이는, 기판 처리시에 더욱 높은 수준의 정확성 및 반복성에 대한 필요성을 초래한다. 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판 재료는 플라즈마 처리 챔버를 이용하여 관례대로 처리된다. 플라즈마 처리 기술은 스퍼터 증착, 플라즈마-강화된 화학 기상 증착 (PECVD), 레지스트 박리, 및 플라즈마 에칭을 포함한다. 플라즈마는, 플라즈마 처리 챔버 내의 적절한 프로세스 가스에 RF (radio frequency) 전력을 가함으로써 발생될 수 있다. 플라즈마 처리 챔버 내의 RF 전류의 흐름은 처리에 영향을 줄 수 있다.

플라즈마 처리 챔버는, 유도 결합 (트랜스포머 결합), 헬리콘, 전자 사이클로트론 공명 (electron cyclotron resonance), 용량 결합 (평행판) 과 같은, 플라즈마를 생성하기 위한 다양한 메커니즘들에 의존할 수 있다. 예를 들어, 고밀도 플라즈마는 트랜스포머 결합된 플라즈마 (TCP^TM) 처리 챔버에서 또는 전자 사이클로트론 공명 (ECR) 처리 챔버에서 생성될 수 있다. RF 에너지가 챔버에 유도 결합된 트랜스포머 결합된 플라즈마 처리 챔버는 캘리포니아 프레몬트 소재의 Lam Research Corporation 으로부터 입수가능하다. 고밀도 플라즈마를 제공할 수 있는 고-흐름 플라즈마 처리 챔버의 예는, 그 개시물이 참조로서 본 명세서에 통합된 공동 소유의 미국 특허 제5,948,704호에 개시된다. 평행판 플라즈마 처리 챔버, 전자-사이클로트론 공명 (ECR) 플라즈마 처리 챔버, 및 트랜스포머 결합된 플라즈마 (TCP^TM) 처리 챔버는 공동 소유의 미국 특허 제4,340,462호; 제4,948,458호; 제5,200,232호 및 제5,820,723호에 개시되고, 그 개시물은 참조로서 본 명세서에 통합된다.

예로써, 플라즈마는 공동-소유의 미국 특허 제6,090,304호에 기재된 듀얼 주파수 플라즈마 에칭 챔버와 같은 평행판 처리 챔버 내에서 제조될 수 있고, 그 개시물은 본 명세서에 참조로서 통합된다. 바람직한 평행판 플라즈마 처리 챔버는 상부 샤워헤드 전극 및 기판 지지체를 포함하는 듀얼 주파수 용량 결합된 플라즈마 처리 챔버이다. 예시의 목적으로, 본 명세서의 실시형태들은 평행판형 플라즈마 처리 챔버를 참조하여 설명된다.

플라즈마 에칭을 위한 평행판 플라즈마 처리 챔버가 도 1 에 예시된다. 플라즈마 처리 챔버 (100) 는 챔버 (110), 인렛 로드 락 (112), 및 선택적 아웃렛 로드 락 (114) 을 포함하고, 이들의 추가적인 세부사항들은 본 명세서에 그 전체가 참조로서 통합된 공동-소유의 미국 특허 제6,824,627호에 개시된다.

(만약 제공된다면) 로드 락 (112 및 114) 은 웨이퍼 공급기 (162) 로부터의 웨이퍼와 같은 기판을 챔버 (110) 를 통해서 웨이퍼 저장소 (164) 로 전달하기 위한 전달 디바이스들을 포함한다. 로드 락 펌프 (176) 는 로드 락 (112 및 114) 내에 원하는 진공압을 제공할 수 있다.

터보 펌프와 같은 진공 펌프 (172) 는 챔버 (110) 내에서 원하는 압력을 유지하도록 구성된다. 플라즈마 에칭 동안, 챔버 압력은 제어되어, 플라즈마를 유지하기 위한 충분한 레벨로 유지되는 것이 바람직하다. 너무 높은 챔버 압력은 에칭 중지에 불리하게 기여할 수 있고, 너무 낮은 챔버 압력은 플라즈마 소거를 유도할 수 있다. 평행판 플라즈마 처리 챔버와 같은 중간 밀도 플라즈마 처리 챔버에서, 챔버 압력은 약 200 mTorr 미만의 압력 (예를 들어, 20 내지 50 mTorr 와 같은 100 mTorr 미만) (본 명세서에서 "약" 은 ±10% 를 의미함) 으로 유지되는 것이 바람직하다.

진공 펌프 (172) 는 챔버 내의 압력을 제어하기 위해 챔버 (110) 의 벽의 아웃렛에 연결될 수 있고, 밸브 (173) 에 의해 조절될 수 있다. 바람직하게는, 에칭 가스가 챔버 (110) 내부로 흐르는 동안, 진공 펌프는 200 mTorr 미만의 챔버 (110) 내의 압력을 유지할 수 있다.

챔버 (110) 는 상부 전극 (125) (예를 들어, 샤워헤드 전극) 을 포함하는 상부 전극 어셈블리 (120), 및 기판 지지체 (150) 를 포함한다. 상부 전극 어셈블리 (120) 는 상부 하우징 (130) 내에 탑재된다. 상부 하우징 (130) 은 상부 전극 (125) 과 기판 지지체 (150) 사이의 갭을 조절하기 위한 메커니즘 (132) 에 의해 수직으로 이동할 수 있다.

프로세스 가스 소스 (170) 는 하우징 (130) 에 연결되어, 하나 이상의 가스들을 포함하는 프로세스 가스를 상부 전극 어셈블리 (120) 에 전달할 수 있다. 바람직한 플라즈마 처리 챔버에서, 상부 전극 어셈블리는 프로세스 가스를 기판의 표면에 가까운 영역으로 전달하는데 이용될 수 있는 가스 분배 시스템을 포함한다. 하나 이상의 가스 링, 주입기, 및/또는 샤워헤드 (예를 들어, 샤워헤드 전극들) 를 포함할 수 있는 가스 분배 시스템은, 공동-소유의 미국 특허 제6,333,272호; 제6,230,651호; 제6,013,155호 및 제5,824,605호에 기재되고, 이들의 개시물은 본 명세서에 참조로서 통합된다.

상부 전극 (125) 은, 프로세스 가스를 분배하는 가스 홀들 (미도시) 을 포함하는 샤워헤드 전극을 포함하는 것이 바람직하다. 가스 홀들은 0.02 내지 0.2 인치의 직경을 가질 수 있다. 샤워헤드 전극은 프로세스 가스의 원하는 분배를 촉진시킬 수 있는 하나 이상의 수직으로 이격된 배플 판들을 포함할 수 있다. 상부 전극 및 기판 지지체는, 흑연, 실리콘, 실리콘 카바이드, 알루미늄 (예를 들어, 양극화된 알루미늄), 또는 이들의 조합과 같은 임의의 적절한 재료로 형성될 수도 있다. 열 전달 액체 소스 (174) 는 상부 전극 어셈블리 (120) 에 연결될 수 있고, 다른 열 전달 액체 소스는 기판 지지체 (150) 에 연결될 수 있다.

기판 지지체 (150) 는 기판 지지체 (150) 의 상부 표면 (155) (지지체 표면) 상에서 기판을 정전기적으로 클램핑하기 위한 하나 이상의 임베디드 클램핑 전극들을 가질 수 있다. 기판 지지체 (150) 에는 RF 소스 및 부수적 회로 (미도시), 예를 들어, RF 매칭 회로에 의해 전력이 공급될 수 있다. 기판 지지체 (150) 는 온도 제어되는 것이 바람직하고, 선택적으로는 가열 장치 (미도시) 를 포함할 수도 있다. 가열 장치의 예는, 본 명세서에 참조로서 통합되는 공동 양도된 미국 특허 제6,847,014호 및 제7,161,121호에 개시된다. 기판 지지체 (150) 는 지지체 표면 (155) 상에서 평평한 패널 또는 200 mm 또는 300 mm 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 지지할 수 있다.

기판 지지체 (150) 는 플라즈마 처리 동안 기판 온도를 제어하기 위해 지지체 표면 (155) 상에 지지된 기판 하부에 헬륨과 같은 열 전달 가스를 공급하기 위한 패시지들을 그 내부에 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 헬륨 백 쿨링 (helium back cooling) 은 기판상에서 포토레지스트의 버닝 (burning) 을 방지하기에 충분히 낮은 웨이퍼 온도를 유지시킬 수 있다. 기판과 기판 지지체 표면 사이의 공간으로 가압 가스를 도입함으로써 기판의 온도를 조절하는 방법이, 공동-소유의 미국 특허 제6,140,612호에 개시되고, 이 개시물은 본 명세서에 참조로서 통합된다.

기판 지지체 (150) 는 리프트 핀 홀들 (미도시) 을 포함할 수 있고, 이 리프트 핀 홀들을 통해서 리프트 핀들이 적절한 메커니즘에 의해 수직으로 작동될 수 있고 챔버 (110) 로/로부터의 수송을 위해 지지체 표면 (155) 으로부터 기판을 들어올릴 수 있다. 리프트 핀 홀들은 약 0.08 인치의 직경을 가질 수 있다. 리프트 핀 홀들의 세부사항은 공동-소유의 미국 특허 제5,885,423호 및 제5,796,066호에 기재되고, 그 개시물들은 본 명세서에 참조로서 통합된다.

도 2 는 RF 전류의 흐름 경로를 예시하기 위해 용량 결합된 플라즈마 처리 챔버 (200) 의 블록도를 도시한다. 기판 (206) 은 처리 챔버 (200) 내에서 처리된다. 기판 (206) 을 에칭하도록 플라즈마를 점화하기 위해, 챔버 (200) 내의 프로세스 가스에는 RF 전력이 공급된다. RF 전류는 기판 처리 동안 RF 공급기 (222) 로부터 케이블 (224) 을 따라 RF 매치 네트워크 (220) 를 통해서 처리 챔버 (200) 내로 흐를 수도 있다. RF 전류는 하부 전극 (204) 위에 위치된 기판 (206) 을 처리하기 위한 한정된 챔버 체적 (210) 내에 플라즈마를 생성하기 위해 프로세스 가스와 커플링하도록 경로 (240) 를 따라서 이동할 수도 있다.

플라즈마 형성을 제어하고 처리 챔버 벽을 보호하기 위해, 한정 링 (212) 이 이용될 수도 있다. 예시적인 한정 링의 세부사항이, 2009년 8월 31일자로 모두 출원된 공동 소유의 미국 가출원 제61/238656호, 제61/238665호, 제61/238670호, 및 미국 특허 출원 공개 제2008/0149596호에 개시되고, 이들 개시물은 본 명세서에 참조로서 통합된다. 한정 링 (212) 은, 실리콘, 폴리실리콘, 실리콘 카바이드, 보론 카바이드, 세라믹, 알루미늄 등과 같은 도전성 재료로 형성될 수도 있다. 통상적으로, 한정 링 (212) 은 그 내부에 플라즈마를 형성하기 위한 한정된 챔버 체적 (210) 의 주변을 둘러싸도록 구성될 수도 있다. 또한, 한정 링 (212) 뿐만 아니라, 한정된 챔버 체적 (210) 주변도 상부 전극 (202), 하부 전극 (204), 216 및 218 과 같은 하나 이상의 절연체 링, 에지 링 (214) 및 하부 전극 지지 구조체 (228) 에 의해 정의될 수도 있다.

한정 영역 (한정된 챔버 체적 (210)) 으로부터 중성 가스 종들을 배출시키기 위해, 한정 링 (212) 은 복수의 슬롯들 (예를 들어, 슬롯 (226a, 226b, 및 226c)) 을 포함할 수도 있다. 중성 가스 종들은 터보 펌프 (234) 를 통해서 처리 챔버 (200) 외부로 펌핑될 수도 있다.

본 명세서에는 용량-결합된 플라즈마 처리 챔버의 컴포넌트로서 유용한 한정 링이 기재되며, 한정 링의 내부 표면들이, 챔버 내의 플라즈마 처리 동안 반도체 기판이 지지되는, 하부 전극과 상부 전극 사이의 갭을 둘러싸는 연장된 플라즈마 한정 존을 제공하고, 여기서, 한정 링은: 수평으로 연장하고 플라즈마 챔버의 상부 전극의 외측 에지의 하부에 놓이도록 구성된 그 내측 말단에 환상 플랜지를 포함하는 상부 환상 벽; 상부 벽의 외측 말단으로부터 수직 하향 연장하는 측벽; 및 측벽의 하부 말단으로부터 수평으로 내향 연장하는 하부 환상 벽을 포함하고, 이 하부 벽은 원주 방향으로 이격된 방사상으로 연장하는 슬롯들을 포함하고, 슬롯들 각각은 적어도 1.0 인치의 길이 및 0.05 내지 0.2 인치의 균일한 폭을 갖고, 슬롯들은 2° 이하만큼의 방사상 위치 오프셋으로 균일하게 이격되어 있다.

도 1 은 예시적인 플라즈마 처리 챔버의 개념도를 나타낸다.
도 2 는 용량 결합된 플라즈마 처리 챔버 및 그 내부의 RF 복귀 경로의 블록도를 나타낸다.
도 3 은 예시적으로 조절가능한 갭 용량-결합된 플라즈마 처리 챔버의 부분 단면도를 나타낸다.
도 4a 는, 일 실시형태에 따른 한정 링의 사시도이다.
도 4b 는, 도 4a 의 한정 링의 측벽의 관통 홀들의 그룹의 세부사항을 도시한다.
도 4c 는, 도 4a 의 한정 링의 나사형 홀을 관통하는 부분 단면도를 도시한다.
도 4d 는, 도 4a 의 한정 링의 얼라인먼트 핀 홀을 관통하는 부분 단면도를 도시한다.
도 4e 는 도 4a 의 한정 링의 평면도이다.
도 4f 는, 그 상부벽이 제거된 도 4a 의 한정 링의 절단도이다.

본 명세서에서, 조절가능한 갭 용량-결합된 플라즈마 처리 챔버의 상부 전극 및 하부 전극 사이의 갭을 둘러싸는 연장된 플라즈마 한정 존에 플라즈마를 한정하도록 구성된 한정 링이 기재된다. 도 3 은 예시적인 조절가능한 갭 용량-결합된 플라즈마 처리 챔버 (300) 의 부분 단면도를 나타낸다. 챔버 (300) 는, 일 실시형태에 따라서, 기판 지지체 어셈블리 (310), 중심 전극판 (303) 과 환상 외부 전극 (304) 을 포함하는 상부 전극, 및 환상 외부 전극 (304) 으로부터 외향 연장하는 전기적으로 도전성인 (예를 들어, 알루미늄으로서 본 명세서에 집합적으로 지칭된 순수 알루미늄 또는 알루미늄 합금) 한정 링 (500) 을 포함한다. 한정 링 (500) 은 그 중심축을 통과하는 수직 평면에서 관찰할 때 단면이 C-형상이다.

도 4a 내지 도 4f 는 한정 링 (500) 의 세부사항을 도시한다. 한정 링 (500) 은, 플라즈마 처리 챔버 (300) 의 환상 외부 전극 (304) 의 외측 에지의 하부에 놓이도록 구성된 내측 말단에 환상 플랜지 (511) 를 포함하고 수평으로 연장하는 상부 환상 벽 (510), 상부 벽 (510) 의 외측 말단으로부터 수직 하향하여 연장하는 측벽 (520), 측벽 (520) 의 하부 말단으로부터 수평으로 내향 연장하는 하부 환상 벽 (530) 을 포함하고, 하부 벽 (530) 은 가스 부산물들이 이를 통해서 플라즈마 한정 존의 외부로 펌핑될 수 있는 원주 방향으로 이격된 방사상으로 연장하는 슬롯들 (531) 을 포함하고, 슬롯들 (531) 각각은 적어도 1.0 인치의 길이 및 0.05 내지 0.2 인치의 균일한 폭을 갖고, 슬롯 (531) 은 2°까지만큼의 방사상 위치 오프셋으로, 바람직하게는 1.25°만큼의 오프셋으로 균일하게 이격되어 있다.

측벽 (520) 은 5 개의 수평 로우들에서 가까이 함께 배열된 균일하게 이격된 관통 홀 (521) 그룹을 제외하고는 개구를 갖지 않는 것이 바람직하다. 바람직하게, 각각의 홀 (521) 은 약 0.030 인치 (본 명세서에서 이용된 "약" 은 ±10% 를 의미함) 의 직경을 갖고, 홀들 (521) 은 서로 약 0.06 인치 이격되어 있다.

하부 벽 (530) 은 약 14.880 인치의 내부 직경을 갖는다. 상부 벽 (510) 은 약 16.792 인치의 내부 직경을 갖는다. 측벽 (520) 은 약 20.500 인치의 외부 직경, 약 20.000 인치의 내부 직경 및 약 0.25 인치의 두께를 갖는다.

상부 벽 (510) 의 하부 수평 표면 (512) 은 하부 벽 (530) 의 상부 수평 표면 (532) 으로부터 약 0.850 인치만큼 이격되어 있다.

하부 벽 (530) 은 약 0.25 인치의 두께를 갖는다. 하부 벽 (530) 은 내주부에서 하향 연장하는 환상 돌출부 (535) 를 포함한다. 환상 돌출부 (535) 는 약 0.365 인치의 폭을 갖고, 하부 벽 (530) 의 하부 표면 (534) 아래로 0.2 인치 연장한다.

슬롯들 (531) 각각은 약 1.892 인치의 길이 및 약 0.08 인치의 폭을 갖는다. 슬롯들 (531) 의 말단은 라운딩된다. 슬롯들 (531) 각각은 그 바로 이웃의 슬롯으로부터 약 1.25°만큼 오프셋된다. 슬롯들 (531) 각각은 한정 링 (500) 의 중심축으로부터 약 7.97 인치에서 약 9.862 인치까지 방사상으로 연장한다.

상부 벽 (510) 은 약 0.31 인치의 두께를 갖는다. 환상 플랜지 (511) 는 상부 벽 (510) 의 상부 내측 말단에서 환상 리세스 (515) 에 의해 형성된다. 환상 리세스 (515) 는, 상부 벽 (510) 의 내주부로부터 약 0.1245 인치 연장하는 수평 표면 (515b) 및 상부 벽 (510) 의 상부 표면 (516) 으로부터 0.165 인치 연장하는 수직 표면 (515a) 에 의해 형성된다.

상부 벽 (510) 은 그 상부 표면 (516) 에서 8 개의 7/16-28 (통합 나사 표준) 나사형 홀들 (530) 을 포함한다. 나사형 홀 (530) 의 중심은, 한정 링 (500) 의 중심축으로부터 약 9.315 인치에 서로 45°오프셋되어 위치된다. 각각의 나사형 홀 (530) 은 약 0.2 인치의 깊이를 갖는다.

또한, 상부 벽 (510) 은 3 개의 얼라인먼트 핀 홀 (540a, 540b 및 540c) (집합적으로 540 으로 지칭됨) 을 포함한다. 얼라인먼트 핀 홀 (540) 은 평탄하다 (비나사형 (unthreaded)). 얼라인먼트 핀 홀들 각각은 약 0.116 인치의 직경 및 약 0.2 인치의 깊이를 갖는다. 얼라인먼트 핀 홀 (540) 의 중심은 한정 링 (500) 의 중심축으로부터 약 9.5 인치에 위치되어 있다. 상부 벽 (510) 으로부터 하부 벽 (530) 을 향한 방향에서 관찰할 때, 홀 (540c) 은 나사형 홀 (530) 들 중 하나로부터 약 34.5°만큼 시계 반대방향으로 오프셋되고; 홀 (540b) 은 홀 (540c) 로부터 약 115°만큼 시계 반대방향으로 오프셋된다. 홀 (540a) 은 홀 (540b) 로부터 약 125° 만큼 시계 반대방향으로 오프셋된다.

한정 링 (500) 은 단일 모놀리식 부품일 수 있고 또는 부품들의 어셈블리일 수 있다. 대안적으로, 예를 들어, 한정 링 (500) 은 (예를 들어, 적절한 볼트 또는 클램프 배열을 이용하여) 기계적으로 부착된 또는 접합된 (예를 들어, 납땜된, 용접된, 또는 접착된) 2 개 이상의 부분을 포함할 수 있고, 이 부분들은 수평 또는 수직 표면을 따라서 부착 또는 접합될 수 있다.

하부 표면 (534) 은 기판 지지체 어셈블리 (310) 의 이동가능한 그라운드 링 (미도시) 의 상부 말단과의 전기적 콘택트를 제공할 수 있고, 여기서 하부 표면 (534) 은 이동가능한 그라운드 링과의 전기적 콘택트를 강화하도록 구성된 전기적으로 도전성 코팅을 포함하는 것이 바람직하다. 프로세스 가스 및 반응 부산물은 방사상으로 연장하는 슬롯 (531) 을 통해서 플라즈마 처리 챔버 외부로 펌핑될 수 있다.

선택적으로, 적어도 하나의 슬롯 링 (307) 은 한정 링 (500) 하부에 고정될 수 있다. 슬롯 링 (307) 은 방사상으로 연장하는 슬롯 (531) 을 통한 가스 흐름 전도성을 조절하기 위해 한정 링 (500) 에 관련하여 위치될 수 있는 일 패턴의 슬롯들을 가질 수 있다.

한정 링 (500) 은 용량-결합형 플라즈마 처리 챔버의 컴포넌트로서 유용하고, 여기서 한정 링 (500) 의 내부 표면은 반도체 기판이 챔버 내에서의 플라즈마 처리 동안 지지되는 하부 전극과 상부 전극 사이의 갭을 둘러싸는 연장된 플라즈마 한정 존을 제공한다.

한정 링에 대해 그 특정 실시형태를 참조하여 상세하게 설명되었지만, 첨부된 청구항들의 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 변화 및 변형이 이루어질 수 있고, 동등물들이 사용될 수 있다는 것이 당업자에게는 명백하다.

Claims (16)

1. 용량-결합형 플라즈마 처리 챔버의 컴포넌트로서 유용한 한정 링 (confinement ring) 으로서,
   상기 한정 링의 내부 표면들은, 상기 용량-결합형 플라즈마 처리 챔버에서의 플라즈마 처리 동안 반도체 기판이 지지되는 하부 전극과 상부 전극 사이의 갭을 둘러싸는 연장된 플라즈마 한정 존을 제공하고,
   상기 한정 링은:
   수평으로 연장하고, 상기 용량-결합형 플라즈마 처리 챔버의 상기 상부 전극의 외측 에지 하부에 놓이도록 구성된 상부 환상 벽의 내측 말단에 있는 환상 플랜지를 포함하는, 상기 상부 환상 벽;
   상기 상부 환상 벽의 외측 말단으로부터 수직 하향 연장하는 측벽으로서, 상기 측벽은, 약 0.030 인치의 직경을 갖는 균일하게 이격된 홀들의 5 개의 수평 로우들로 배열된 관통 홀들의 그룹을 제외하고는 개구를 갖지 않는, 상기 측벽; 및
   상기 측벽의 하부 말단으로부터 수평 내향 연장하는 하부 환상 벽을 포함하고,
   상기 하부 환상 벽은 원주 방향으로 이격된 방사상으로 연장하는 슬롯들을 포함하고,
   상기 슬롯들 각각은 적어도 1.0 인치의 길이 및 0.05 내지 0.2 인치의 균일한 폭을 갖고,
   상기 슬롯들은 2°이하만큼 오프셋된 방사상 위치들에서 균일하게 이격되어 있으며,
   상기 하부 환상 벽은 상기 하부 환상 벽의 내주부에서 하향 연장하는 환상 돌출부를 포함하고, 상기 환상 돌출부는 하부 표면을 가지며, 상기 하부 표면은 전기적으로 도전성 코팅을 포함하는, 한정 링.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 하부 환상 벽은 약 14.880 인치의 내부 직경 및 약 0.25 인치의 두께를 갖는, 한정 링.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 상부 환상 벽은 약 16.792 인치의 내부 직경 및 약 0.31 인치의 두께를 갖는, 한정 링.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 측벽은 약 20.500 인치의 외부 직경, 약 20.000 인치의 내부 직경, 및 약 0.25 인치의 두께를 갖는, 한정 링.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 상부 환상 벽의 하부 수평 표면은 상기 하부 환상 벽의 상부 수평 표면으로부터 약 0.850 인치만큼 이격되어 있는, 한정 링.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 슬롯들 각각은 약 1.892 인치의 길이 및 약 0.08 인치의 폭을 갖고,
   상기 슬롯들의 말단들은 라운딩되어 있고,
   상기 슬롯들 각각은 그 바로 이웃의 슬롯으로부터 1.25°만큼 오프셋되어 있고,
   상기 슬롯들 각각은 상기 한정 링의 중심축으로부터 약 7.97 인치로부터 약 9.862 인치까지 방사상으로 연장하는, 한정 링.
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 환상 돌출부는, 약 0.365 인치의 폭을 갖고 상기 하부 환상 벽의 하부 표면 아래로 약 0.2 인치 연장하는, 한정 링.
9. 제 1 항에 있어서,
   상기 환상 플랜지는 상기 상부 환상 벽의 상부 내측 말단에 있는 환상 리세스에 의해 형성되고,
   상기 환상 리세스는, 상기 상부 환상 벽의 내주부로부터 약 0.1245 인치 연장하는 수평 표면 및 상기 상부 환상 벽의 상부 표면으로부터 약 0.165 인치 연장하는 수직 표면에 의해 형성된, 한정 링.
10. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 환상 벽의 상부 표면에 8 개의 7/16-28 나사형 홀들을 더 포함하고,
    상기 나사형 홀들의 중심들은 상기 한정 링의 중심축으로부터 약 9.315 인치에 위치되고 서로 45°오프셋되며;
    상기 나사형 홀들 각각은 약 0.2 인치의 깊이를 갖는, 한정 링.
11. 제 10 항에 있어서,
    제 1, 제 2 및 제 3 얼라인먼트 핀 홀들을 더 포함하고,
    상기 얼라인먼트 핀 홀들은 비나사형 (unthreaded) 이며;
    상기 얼라인먼트 핀 홀들 각각은 약 0.116 인치의 직경 및 약 0.2 인치의 깊이를 갖고;
    상기 얼라인먼트 핀 홀들의 중심들은 상기 한정 링의 중심축으로부터 약 9.5 인치에 위치되고;
    상기 제 3 얼라인먼트 핀 홀은 상기 나사형 홀들 중 하나로부터 약 34.5°만큼 시계 반대방향으로 오프셋되고;
    상기 제 2 얼라인먼트 핀 홀은 상기 제 3 얼라인먼트 핀 홀로부터 약 115°만큼 시계 반대방향으로 오프셋되고;
    상기 제 1 얼라인먼트 핀 홀은 상기 제 2 얼라인먼트 핀 홀로부터 약 125°만큼 시계 반대방향으로 오프셋되는, 한정 링.
12. 제 1 항에 있어서,
    상기 한정 링은 단일 모놀리식 부품이고, 또는 수평 표면 또는 수직 표면을 따라서 기계적으로 부착 또는 접합된 2 개 이상의 부분들을 포함하는, 한정 링.
13. 제 1 항에 있어서,
    상기 한정 링은 전기적으로 도전성 재료로 형성되는, 한정 링.
14. 제 1 항에 있어서,
    상기 한정 링은 알루미늄으로 형성되는, 한정 링.
    
15. 제 1 항에 있어서,
    상기 슬롯들은, 수직적으로 상기 하부 환상 벽의 상부 표면과 하부 표면 사이에서 균일한 폭을 갖는, 한정 링.
16. 제 1 항에 있어서,
    상기 슬롯들의 내측 단부와 외측 단부는 라운딩된, 한정 링.

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