JP2023545500A - ベベル堆積低減のための裏側ガスリークバイ - Google Patents

Abstract

例示的な基板支持アセンブリは、基板プラットフォームを画定する静電チャック本体を含む。基板プラットフォームは上面を特徴とし得る。プラットフォームはパージ開孔を画定し得る。プラットフォームは、上面の内側領域内に配置される複数のメサを含み得る。メサのそれぞれは、上面から上向きに突出していてもよい。プラットフォームは、周方向パターンで上面から上向きに延びるとともに上面の内側領域を部分的に包囲する封止バンドを含み得る。メサの上面と封止バンドの上面とは、基板の支持面を形成し得る。封止バンドは、いくつかの間隙を画定し得る。アセンブリは、静電チャック本体と連結した支持ステムと、静電チャック本体内に埋め込まれたヒータと、支持面のパージ開孔と連結した裏側ガス源とを含み得る。
【選択図】図４

Description

関連出願の相互参照
［０００１］本出願は、２０２０年１０月１５日出願の米国特許出願第１７／０７１，５９５号の優先権を主張し、その全文はあらゆる目的のために参照により本明細書に援用される。

技術分野
［０００２］本技術は、半導体製造のための部品及び装置に関する。より具体的には、本技術は、基板支持アセンブリ及び他の半導体処理機器に関する。

［０００３］集積回路は、基板表面上に複雑にパターニングされた材料層を作り出すプロセスによって実現される。基板上にパターニングされた材料を製造することは、材料を形成し除去するための制御された方法を必要とする。チャンバ部品は、膜の堆積又は材料の除去のために処理ガスを基板に送達することが多い。ウエハエッジが不連続になることで、ウエハのベベル上への堆積をもたらす場合があり、これにより、遠端の膜厚の変動がウエハエッジのいくつかのデバイスダイに影響するため、歩留まりに大きな影響を与える場合がある。

［０００４］ゆえに、高品質なデバイス及び構造体を作り出すために使用され得る、改良型のシステム及び方法が必要とされている。上記の必要性及びその他の必要性は、本技術によって対処される。

［０００５］例示的な基板支持アセンブリは、基板プラットフォームを画定する静電チャック本体を含み得る。基板プラットフォームは上面を特徴とし得る。基板プラットフォームはパージ開孔を画定し得る。基板プラットフォームは、上面の内部領域内に配置される複数のメサを含み得る。複数のメサのそれぞれは、上面から上向きに突出していてもよい。基板プラットフォームは、周方向パターンで上面から上向きに延びるとともに上面の内側領域を部分的に包囲する封止バンドを含み得る。複数のメサの上面と封止バンドの上面とは、基板の支持面を形成し得る。封止バンドは、いくつかの間隙を画定し得る。基板支持アセンブリは、静電チャック本体と連結された支持ステムを含み得る。基板支持アセンブリは、静電チャック本体内に埋め込まれたヒータを含み得る。基板支持アセンブリは、支持面のパージ開孔と連結される裏側ガス源を含み得る。

［０００６］いくつかの実施形態では、複数のメサの上面と封止バンドの上面とは、同じ高さであり得る。間隙は、封止バンドの周囲に一定の角度間隔で設けられ得る。支持ステムは、裏側ガス源と開孔との間に延びて連結する流体ルーメンを画定し得る。複数のメサは、上面の内側領域の周囲に均一に配置され得る。封止バンドは、基板の外周部の支持シートを画定するように、基板プラットフォーム上に位置決めされ得る。封止バンドの一部及び各間隙の一部は、支持シートの最も外側のエッジから半径方向外向きに延び得る。封止バンドは、いくつかの間隙によって中断される概ね円形の形状を特徴とし得る。封止バンドは、基板の外周部の支持シートを画定する複数の突出セグメントを特徴とし得る。複数の突出セグメントの隣接する対は、いくつかの間隙のそれぞれ１つによって分離され得る。複数のセグメントのそれぞれの大きさと、いくつかの間隙のそれぞれの大きさは、実質的に等しくてもよい。裏面ガス源は、反応性パージガスを送達し得る。反応性パージガスは、Ｏ_２であり得る。

［０００７］本技術のいくつかの実施形態は、基板支持アセンブリを包含し得る。基板支持アセンブリは、基板プラットフォームを画定する静電チャック本体を含み得る。基板プラットフォームは上面を特徴とし得る。基板プラットフォームは単一のパージ開孔を画定し得る。基板プラットフォームは、上面の内側領域内に配置される複数のメサを含み得る。複数のメサのそれぞれは、上面から上向きに突出していてもよい。基板プラットフォームは、周方向パターンで上面から上向きに延びるとともに上面の内側領域を部分的に包囲する封止バンドを含み得る。封止バンドは、基板の外周部の支持シートを画定する複数の突出セグメントを特徴とし得る。複数の突出セグメントの隣接する対は、いくつかの間隙の１つによって分離され得る。基板支持アセンブリは、静電チャック本体と連結された支持ステムを含み得る。基板支持アセンブリは、支持面のパージ開孔と連結される裏側ガス源を含み得る。

いくつかの実施形態では、間隙は、封止バンドの周囲に一定の角度間隔で設けられ得る。支持ステムは、裏側ガス源と開孔との間に延びて連結する流体ルーメンを画定し得る。複数のメサは、上面の内側領域の周囲に均一に配置され得る。裏面ガス源は、反応性パージガスを送達し得る。複数のセグメントのそれぞれの大きさと、複数の間隙のそれぞれの大きさは、実質的に等しくてもよい。

［０００９］本技術のいくつかの実施形態は、半導体基板を処理する方法を包含し得る。この方法は、チャック電圧を使用して、基板プラットフォームの支持面に半導体基板をクランプすることを含み得る。基板プラットフォームは、上面を特徴とし得、単一のパージ開孔を画定し得る。基板プラットフォームは、上面の内側領域内に配置される複数のメサを含み得る。複数のメサのそれぞれは、上面から上向きに突出していてもよい。基板プラットフォームは、周方向パターンで上面から上向きに延びるとともに上面の内側領域を部分的に包囲する封止バンドを含み得る。支持面は、複数のメサの上面及び封止バンドの上面から形成され得る。封止バンドは、いくつかの突出セグメントを分離するいくつかの間隙を画定し得る。方法は、反応性パージガスを、半導体基板の下側に、いくつかの間隙を通して流すことを含み得る。反応性パージガスは、Ｏ_２であり得る。封止バンドの各間隙及び各突出セグメントの少なくとも一部は、半導体基板の外周部を超えて外向きに延びていてもよい。

［００１０］このような技術は、従来のシステム及び技法よりも多くの数の利点を提供し得る。例えば、本技術の実施形態は、十分なチャック力を提供しつつ、従来技術に比べてベベルでの堆積を低減し得る基板支持アセンブリを提供し得る。これらの実施形態及びその他の実施形態は、その多くの利点や特徴と共に、後述の記載及び添付の図面により詳細に説明されている。

［００１１］開示されている技術の性質及び利点についてのさらなる理解は、本明細書の以下の部分及び図面を参照することによって得られる。

［００１２］本技術のいくつかの実施形態による例示的な処理システムの上面図を示す。 ［００１３］本技術の技術のいくつかの実施形態による例示的なプラズマシステムの概略断面図を示す。 ［００１４］本技術のいくつかの実施形態による例示的な基板支持アセンブリの概略部分断面図を示す。 ［００１５］本技術のいくつかの実施形態による例示的な基板プラットフォームの概略上面図を示す。 ［００１６］本技術のいくつかの実施形態による例示的な基板プラットフォームの概略部分上面図を示す。 ［００１７］本技術のいくつかの実施形態による基板を支持する例示的な基板プラットフォームの概略部分側面立面図を示す。 ［００１８］本技術のいくつかの実施形態による基板を支持する例示的な基板プラットフォームを使用するベベル堆積を排除するためのガス流経路の概略部分側面立面図を示す。 ［００１９］本技術のいくつかの実施形態による半導体処理の例示的な方法のフロー図である。

［００２０］いくつかの図は概略図として含まれている。図は例示のためのものであり、縮尺どおりであると明記されていない限り縮尺どおりと見なすべきではないと、理解されたい。さらに、概略図として、図面は、理解を助けるために提供されており、現実的な描写に比べてすべての態様又は情報を含まない場合があり、例示を目的として強調された素材を含むことがある。

［００２１］添付の図面では、類似の構成要素及び／又は特徴は、同じ参照符号を有し得る。さらに、同じ種類の様々な構成要素は、類似の構成要素間を区別する文字により、参照符号に従って区別することができる。本明細書で第１の参照符号のみが使用される場合、その説明は、文字に関係なく、同じ第１の参照符号を有する類似の構成要素の任意の１つに適用可能である。

［００２２］ウエハベベル膜の管理は、ハードマスク膜の堆積における重要な側面であるが、それは、低品質の膜が最終的にウエハ上に落下する欠陥につながるとともにデバイスの故障につながる場合があるため、下流のプロセスに影響するためである。ベベル管理の別の側面は、遠端の膜厚である。一般的に、ウエハエッジの不連続性により、ベベルの膜厚はバルク膜と比較して大きく変化する。このため、その後のエッチング工程や、膜の上に堆積するさらなる層の均一性に問題が生じる。これは歩留まりに大きな影響を与えるが、それは、半径の２乗に比例して面積が増加する際に遠端の膜厚の変動がウエハエッジの多くのデバイスダイに影響するためである。

［００２３］従来のシステムは、ウエハのエッジ及びベベルの膜を堆積から物理的に遮蔽するシャドウリングを利用することにより、ベベル厚さを管理することができる。シャドウリングはベベルの堆積厚を低減するのに非常に有効であるが、面内歪み（ＩＰＤ）の増加をもたらし、オーバーレイへの影響を有し、ウエハの位置決めの影響を強く受ける。いくつかの従来のシステムは、ヒータポケットを最適化してプラズマシャドウ効果を出すことによって、ベベルの厚さを管理する場合がある。しかし、ヒータポケットの最適化はシャドウリングよりもＩＰＤへの影響が少ない反面、ベベルの膜厚の低減効果は劣る。他の従来のシステムは、ベベルのパージを使用してベベルの厚みを管理しようとする場合がある。この場合、別の保護ガスがペデスタルヒータを通って、ウエハのベベルを横切って流れ、ベベルを堆積ガスから遮蔽する。これは、堆積ガスがウエハのベベルに到達するのを防ぐための、ターゲットを絞ったアプローチである。このように膜の堆積は、流量によってターゲットを絞ることができ、調節することができる。しかし、従来のベベルパージ技術では、静電チャックのメッシュの大きさを小さくする必要があり、チャック力の低下につながる。メッシュの大きさの縮小は、ベベルのパージに必要なガスチャネルに起因するものである。３Ｄ ＮＡＮＤ ＯＮスタックのような膜の積層体を特徴とする基板にハードマスクを適用するとき、入ってくるウエハの反りによりノード間の曲がりが大きくなり、チャック性能に悪影響を与えるソリューションの実用性が大幅に制限される。ベベルの厚さを管理するための別の従来のアプローチは、ベベルのみをポストエッチングすることである。しかし、このアプローチでは、追加の処理工程が追加され、追加のチャンバが必要になる。また、エッチングが難しいハードマスク膜を使用する場合、ベベルのエッチングのアプローチは非常に困難である。

［００２４］本技術は、従来技術と比べてベベルでの堆積を低減し得る特定の物理的特性を示す特定の材料及び構成を有する基板支持アセンブリを用いて、これらの課題を克服する。特に、本技術では、十分なチャック力を提供しつつ、フラットヒータによるベベルのパージの特徴を取り入れて、ＩＰＤ及びベベルの堆積を低減する。

［００２５］残りの開示内容は、開示した技術を利用する特定の堆積処理を通常通りに特定するものであるが、システム及び方法は、記載されたチャンバで起こり得る他の堆積及び洗浄チャンバ、並びに処理に対しても等しく適用可能であることは、容易に理解されよう。したがって、本技術は、これらの具体的な堆積処理又はチャンバ単独との使用に限定されるとみなすべきではない。本開示では、本技術の実施形態によるこのシステムに対する追加の修正及び調整を記載する前に、本技術の実施形態によるペデスタルを含み得る１つの可能なシステム及びチャンバを説明する。

［００２６］図１は、実施形態による、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、ベーキングチャンバ、及び硬化チャンバによる処理システム１００の一実施形態の上面図を示している。図において、一対の前方開口型統一ポッド１０２は、ロボットアーム１０４によって受け取られるとともに、タンデムセクション１０９ａ－１０９ｃに位置決めされた基板処理チャンバ１０８ａ－１０８ｆのうちの１つに配置される前に低圧保持エリア１０６に配置される様々なサイズの基板を供給する。基板ウエハを保持エリア１０６から基板処理チャンバ１０８ａ－１０８ｆに搬送したり戻したりするために、第２のロボットアーム１１０が使用されてもよい。各基板処理チャンバ１０８ａ－ｆは、プラズマ化学気相堆積、原子層堆積、物理的気相堆積、エッチング、予洗浄、脱ガス、配向、及びアニーリング、灰化などを含む他の基板処理に加えて、本明細書に記載の半導体材料のスタックの形成を含む多くの基板処理動作を実施するように装備され得る。

［００２７］基板処理チャンバ１０８ａ－ｆは、基板上での誘電体膜又は他の膜の堆積、アニーリング、硬化、及び／又はエッチングのための１つ又は複数のシステム構成要素を含み得る。一構成では、２対の処理チャンバ（例えば、１０８ｃ－ｄ及び１０８ｅ－ｆ）が、誘電体材料を基板上に堆積するために使用され得、第３の対の処理チャンバ（例えば、１０８ａ－ｂ）が、堆積された誘電体をエッチングするために使用され得る。別の構成では、３対すべてのチャンバ、例えば１０８ａ－１０８ｆが、誘電体膜が交互になった積層体を基板上に堆積させるように構成され得る。記載された処理の１つ又は複数のいずれかが、異なる実施形態に示した製造システムから分離されたチャンバ内で実行され得る。誘電体膜のための堆積、エッチング、アニーリング、及び硬化チャンバの追加の構成がシステム１００によって企図されると理解されよう。

［００２８］図２は、本技術のいくつかの実施形態による例示的なプラズマシステム２００の概略断面図を示す。プラズマシステム２００は、一対の処理チャンバ１０８を例示し得る。これは、上述したタンデムセクション１０９の１つ又は複数に装備されてもよく、本技術の実施形態による基板支持アセンブリを含んでもよい。プラズマシステム２００は、概して、一対の処理領域２２０Ａ及び２２０Ｂを画定する、側壁２１２、底壁２１６、及び内部側壁２０１を有するチャンバ本体２０２を含み得る。処理領域２２０Ａ－２２０Ｂの各々は、同様に構成されてもよく、同一の構成要素を含んでもよい。

［００２９］例えば、処理領域２２０Ｂ（その構成要素は処理領域２２０Ａにも含まれ得る）は、プラズマシステム２００において底壁２１６内に形成された通路２２２を通じて処理領域内に配置されたペデスタル２２８を含み得る。ペデスタル２２８は、本体部分などのペデスタルの露出面上に基板２２９を支持するように適合されたヒータを提供し得る。ペデスタル２２８は、所望の処理温度で基板温度を加熱及び制御し得る加熱要素２３２、例えば、抵抗性加熱要素を含み得る。ペデスタル２２８はまた、ランプアセンブリなどの遠隔加熱要素、又は任意の他の加熱デバイスによって加熱され得る。

［００３０］ペデスタル２２８の本体は、フランジ２３３によって、ステム２２６に連結され得る。ステム２２６は、ペデスタル２２８を電力出力又は電力ボックス２０３と電気的に連結させ得る。電力ボックス２０３は、処理領域２２０Ｂ内でペデスタル２２８の上昇及び移動を制御するドライバシステムを含み得る。ステム２２６はまた、ペデスタル２２８に電力を供給するための電力インターフェースを含み得る。電力ボックス２０３はまた、熱電対インターフェースなどの、電力計及び温度計用のインターフェースを含み得る。ステム２２６は、電力ボックス２０３と取り外し可能に連結するよう適合したベースアセンブリ２３８も含む。電力ボックス２０３の上方には周方向リング２３５が示されている。いくつかの実施形態では、周方向リング２３５は、ベースアセンブリ２３８と電力ボックス２０３の上面との間に機械的インターフェースを提供するよう構成された機械的な止め部又はランドとして適合した肩部であり得る。

［００３１］処理領域２２０Ｂの底壁２１６内に形成された通路２２４を通ってロッド２３０が含まれ得る。ロッド２３０は、ペデスタル２２８の本体を通って配置された基板リフトピン２６１を位置決めするために利用され得る。基板リフトピン２６１は、基板移送ポート２６０を通して処理領域２２０Ｂ内２２９へ及び処理領域２２０Ｂから基板を移送するために利用されるロボットによる基板２２９の交換を促進するために、選択的に、基板２２９をペデスタルから距離をおいて配置し得る。

［００３２］チャンバリッド２０４は、チャンバ本体２０２の上部と連結され得る。リッド２０４は、そこに連結された１つ又は複数の前駆体分配システム２０８を収容し得る。前駆体分配システム２０８は、デュアルチャネルシャワーヘッド２１８を通して処理領域２２０Ｂ内に反応及び洗浄前駆体を送達し得る前駆体入口通路２４０を含み得る。デュアルチャネルシャワーヘッド２１８は、面板２４６との中間に配置された遮蔽板２４４を有する環状のベース板２４８を含み得る。高周波（「ＲＦ」）源２６５は、デュアルチャネルシャワーヘッド２１８と連結され得る。ＲＦ源２６５は、デュアルチャネルシャワーヘッド２１８の面板２４６とペデスタル２２８との間のプラズマ領域生成を促進するために、デュアルチャネルシャワーヘッド２１８に電力供給し得る。いくつかの実施形態では、ＲＦ源は、プラズマ生成を促進するために、ペデスタル２２８などのチャンバ本体２０２の他の部分と連結され得る。誘電体アイソレータ２５８が、ＲＦ電力のリッド２０４への伝導を防止するために、リッド２０４とデュアルチャネルシャワーヘッド２１８との間に配置され得る。ペデスタル２２８の外縁にはシャドウリング２０６が配置されてもよく、シャドウリング２０６はペデスタル２２８と係合する。

［００３３］動作中に環状のベースプレート２４８を冷却するために、ガス分配システム２０８の環状のベース板２４８内に任意の冷却チャネル２４７が形成されてもよい。水、エチレングリコール、ガス、又は同種のものなどの熱移送流体は、ベースプレート２４８が所定の温度で維持され得るように、冷却チャネル２４７を通して循環され得る。処理領域２２０Ｂ内の処理環境への側壁２０１、２１２の露出を防止するために、チャンバ本体２０２の側壁２０１、２１２に接近して、ライナアセンブリ２２７が領域２２０Ｂ内に配置され得る。ライナアセンブリ２２７は、処理領域２２０Ｂからガス及び副生成物を排気するとともに処理領域２２０Ｂ内で圧力を制御するように構成されたポンピングシステム２６４に連結され得る周方向ポンピングキャビティ２２５を含み得る。ライナアセンブリ２２７には複数の排気口２３１が形成され得る。排気口２３１は、システム２００内での処理を促進するように、処理領域２２０Ｂから周方向ポンピングキャビティ２２５までのガスの流れを可能にするように構成され得る。

［００３４］図３は、本技術のいくつかの実施形態による例示的な半導体処理チャンバ３００の概略部分断面図を示す。図３は、図２に関連して上記で検討した１つ又は複数の構成要素を含んでいてよく、そのチャンバに関するさらなる詳細を示していてよい。チャンバ３００は、上記で説明した誘電体材料の積層体の堆積を含む、半導体処理動作を実施するために使用され得る。チャンバ３００は、半導体処理システムの処理領域の部分図を示していてよく、チャンバ３００のある実施形態には組み込まれていると理解される上記の追加のリッドスタック構成要素といった、構成要素の全てを含んでいなくてもよい。

［００３５］このように、図３は、処理チャンバ３００の一部を示し得る。チャンバ３００は、シャワーヘッド３０５と共に、基板支持体アセンブリ３１０を含み得る。シャワーヘッド３０５及び基板支持体３１０は、チャンバ側壁３１５と共に、基板処理領域３２０を画定し得る。基板処理領域３２０内ではプラズマが生成され得る。基板支持アセンブリは、静電チャック本体３２５を含み得る。この静電チャック本体３２５は、本体内に埋め込まれた又は配置された１つ又は複数の構成要素を含み得る。上部パック内に組み込まれた構成要素は、いくつかの実施形態では処理材料に曝露されない場合があり、チャック本体３２５内に完全に保持される場合がある。静電チャック本体３２５は、上面３２９を有する基板プラットフォーム３２７を画定し得、チャック本体３２５の特定の形状に応じた厚さ及び長さ又は直径を特徴とし得る。いくつかの実施形態では、チャック本体は楕円形であってもよく、チャック本体３２５を通る中心軸からの１つ又は複数の半径寸法を特徴とし得る。上部パックは、任意の形状であってよく、半径寸法が議論されるときはチャック本体３２５の中心位置からの任意の長さを画定し得ることを理解されたい。基板プラットフォーム３２７は、基板プラットフォーム３２７の内側領域内にパージ開孔３３７を画定し得る。

［００３６］基板プラットフォーム３２７は、内部に配置されるとともに上面３２９の内側領域から上向きに突出する突起又はいくつかのメサ３３１を含み得る。メサ３３１は、基板プラットフォーム３２７の面の周囲に規則的及び／又は不規則な間隔で設けられ、様々な場所で基板の下側を支持するために使用され得る。上面３２５から概ね周方向パターン又は周縁パターンで（上部パックの形状に応じて）上向きに延びる封止バンド３３３を設けることができる。封止バンド３３３は、内部領域及びメサ３３１の外側に位置決めされ得る。封止バンド３３３は、基板の下にあるガスが基板のベベルを超えて外側に流れるためのリークバイチャネルとして機能し得るいくつかの間隙を画定し得る。封止バンド３３３の上面は、メサ３３１のそれぞれの上面と同じ高さであり得る。これにより、メサ３３１と封止バンド３３３の両方で基板を支持することができ、封止バンド３３３の一部で基板のベベルを支持することができる。

［００３７］メサ３３１及び封止バンド３３３の角が四角である状態で図示されているが、いくつかの実施形態では、メサ３３１及び／又は封止バンド３３３の角にある程度の丸みが提供され得ることが理解されるであろう。これにより、メサ３３１及び／又は封止バンド３３３のエッジと基板との間の鋭い接触が低減又は制限され得る。メサ３３１及び／又は封止バンド３３３に丸みを帯びた角を設けることにより、基板が偏向し始めるときに基板とのエッジ相互作用が減少し、基板の裏側におけるスクラッチを低減又は制限し得る。いくつかの実施形態では、メサ３３１及び／又は封止バンド３３３の形成中に追加の研磨動作が実施されてもよく、これにより、より滑らかな接触面と、各突起の周囲に半径方向に延びる丸みを帯びた角との両方を提供し得る。追加研磨は、任意の数の研磨動作を含み得る。この研磨動作には、機械的なソフト研磨、化学研磨、レーザーアブレーション若しくは還元、又は丸みを帯びたプロファイルを生成し得る任意の他の方法を含み得る。

［００３８］いくつかの実施形態では、メサ３３１及び／又は封止バンド３３３は、追加の研磨動作が突起の高さを目標レベルまで下げる可能性があることを認めて、より大きな高さに開発することができる。例えば、丸みを帯びた角を提供するとともに、研磨動作は、いくつかの実施形態において、メサ３３１及び／又は封止バンド３３３の高さを約１０μｍ以下低減し得る。さらに、研磨は、メサ３３１及び／又は封止バンド３３３の上面の表面粗さを低減し得る。例えば、いくつかの実施形態では、メサ３３１及び／又は封止バンド３３３の上面にわたる平均粗さは、約１．００μｍ以下であり得、いくつかの実施形態では、約０．９５μｍ以下、約０．９０μｍ以下、約０．８５μｍ以下、約０．８０μｍ以下、約０．７５μｍ以下、約０．７０μｍ以下、約０．６５μｍ以下、約０．６０μｍ以下、約０．５５μｍ以下、約０．５０μｍ以下、約０．４５μｍ以下、約０．４０μｍ以下であり得る。

［００３９］追加の研磨は、メサ３３１及び／又は封止バンド３３３の周囲に半径方向に延びる丸みを帯びた角を作り出すエッジブレンドを生成し得る。基板は、メサ３３１及び／又は封止バンド３３３の周囲で全方向に偏向し得るため、一貫した丸みは、メサ３３１及び／又は封止バンド３３３と基板との間のエッジ接触が減少することを促進し得る。丸みの量は、突起又は基板支持体の任意の数の特性に応じて変化し得るが、いくつかの実施形態では、角の半径は、突起の高さの約３０％以下であってもよく、高さの約２５％以下、高さの約２０％以下、高さの約１８％以下、高さの約１５％以下、高さの約１４％以下、高さの約１３％以下、高さの約１２％以下、高さの約１１％以下、高さの約１０％以下、高さの約９％以下、又はそれを下回り得るが、いくつかの実施形態では、角の半径は、メサ３３１及び／又は封止バンド３３３の縮小されたエッジが基板に接触することを確実にするために約５％以上であり得る。

［００４０］例えば、３０μｍの高さのメサ３３１の場合、角の半径は、約１０μｍ以下であり得、約９μｍ以下、約８μｍ以下、約７μｍ以下、約６μｍ以下、約５μｍ以下、約４μｍ以下、約３μｍ以下、約２μｍ以下、又はそれを下回り得るが、いくつかの実施形態では、角の半径は、十分な丸みでエッジ接触を制限することを確実にするために、約３μｍ以上であり得る。本技術の実施形態によって包含されるメサ３３１及び／又は封止バンド３３３は、先に議論したように、任意の他の高さ又は直径を特徴とし得ることが理解されよう。減少した粒径及び／又は丸みを帯びたエッジプロファイルを特徴とする封止バンド３３３及び／又はメサ３３１を特徴とし得る基板支持アセンブリを提供することによって、本技術は、処理された基板上に減少した裏側の損傷を与え、フォールオン粒子及びリソグラフィーの乱れを制限し、デバイス歩留りを改善し得る。

［００４１］静電チャック本体３２５はステム３３０と連結され得る。ステム３３０は、チャック本体３２５を支持し得、チャック本体３２５の内部構成要素と結合し得る電気及び／又は流体ラインを送受信するための後述するようなチャネルを含み得る。チャック本体３２５は、静電チャックとして動作するための関連チャネル又は構成要素を含み得るが、いくつかの実施形態では、アセンブリは、真空チャック、又は任意の他のタイプのチャックシステムのための構成要素として動作し得るか又はそれを含み得る。ステム３３０は、基板支持面とは反対側のチャック本体の第２の表面上で、チャック本体と連結され得る。静電チャック本体３２５は、基板支持面に近接するチャック本体内に埋め込まれたＤＣ電極であってもよい電極３３５を含み得る。電極３３５は、電源３４０と電気的に連結し得る。電源３４０は、導電性のチャック電極３３５に対してエネルギー又は電圧を提供するように構成され得る。これは、半導体処理チャンバ３００の処理領域３２０内に前駆体のプラズマを形成するために動作され得るが、他のプラズマ動作も同様に持続され得る。例えば、電極３３５は、シャワーヘッド３０５と電気的に連結されたＲＦ源３０７を含む容量性プラズマシステムの電気的な接地として動作するチャックメッシュであり得る。例えば、電極３３５は、ＲＦ源３０７からのＲＦ電力の接地経路として動作し得、同時に、基板プラットフォーム３２７への基板の静電クランプを提供するために、基板への電気バイアスとして動作し得る。電源３４０は、フィルタと、電源と、チャック電圧を提供するように構成されたいくつかの他の電気構成要素とを含み得る。

［００４２］ステム３３０は、ステム３３０の長さの少なくとも一部に沿って走るガスルーメン（管）３５５を画定し得る。ガスルーメン３５５の上端はパージ開孔３３７と連結され、ガスルーメン３５５の下端は裏側ガス源と連結されてもよく、これにより裏側ガス源はガスルーメン３５５及びパージ開孔３３７を介して基板の下側にガスを送達することができる。メサ３３１及び封止バンド３３３の上面で基板を支持することにより、裏側ガス源からのガスの強制リークバイ経路が形成される。裏側ガス源は、ガスルーメン３５５及びパージ開孔３３７を通してリークバイ経路にガスを導入し得る。裏側ガスは、差圧装置を用いて制御され、正圧を維持し、基板の下から基板のベベルにわたるリークバイを強制することができる。メサ３３１のパターン及び封止バンド３３３の間隙の位置決めは、ガスを拡散させ、ベベル全体に均一なガス流を生成するために使用され得る。従来のベベルパージシステムは不活性ガスを使用するが、本発明では反応性ガスを使用して裏側を保護し得る。例えば、特定の堆積プロセスは、ホウ素含有前駆体及び／又は炭素含有前駆体を使用して、基板上にホウ素がドープされた炭素膜を堆積させることができる。裏側リークバイベベルパージに適した反応性ガスの選択肢は、Ｏ_２、ＮＦ_３、Ｎ_２）、並びに／又は他のフッ素及び／若しくは酸素含有種を含み得る。いくつかの実施形態では、ベベルパージ用のガスは、不活性ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ_２など）、酸素化種、フッ素化種、及び／又は水素の任意の組み合わせを含み得る。例えば、Ｏ_２は不活性流（アルゴン又はヘリウムなど）よりも効果的であり、Ｏ_２は基板のベベル付近で炭素（又は他の）前駆体と反応し消費するため、基板のベベルでの堆積を防ぐことができる。同様に、フッ素でホウ素を除去し、アルゴンなどの不活性ガスを使用して希釈を制御することができる。ガスはプラズマ中で分解されるため、Ｈ_２は炭素のいくらかの局所的なエッチングを引き起こすことがある。Ｈ_２Ｏを使用すると、ホウ素－炭素膜がいくらかエッチングされることがある。パージガスがベベルの近くで分解される適切な条件が整った場合、その場でのエッチングが発生し得る。例えば、ラジカル堆積前駆体放出物が酸素と反応し得ることにより、堆積放出物が消費され、ベベルでの堆積が制限又は防止される場合がある。

［００４３］動作中、基板は、静電チャック本体の基板プラットフォーム３２７に少なくとも部分的に接触していてもよく、メサ３３１及び／又は封止バンド３３３によって支持される。これにより、接触間隙が生じ、ペデスタルの表面と基板との間に本質的に容量効果が生じ得る。接触間隙に電圧を印加し、チャック用の静電気力を生成することができる。電源３４０は、電荷を提供し得る。電荷は、電極から基板支持面に移動して蓄積し得るとともに、基板における反対電荷を有するクーロン引力を有する電荷層を生成し得、また、チャック本体３２５の基板プラットフォーム３２７に対して基板を静電的に保持し得る。この電荷移動は、本技術のいくつかの実施形態で使用され得るジョンセン・ラーベック型チャックのための誘電体内の有限の抵抗に基づいて、チャック本体３２５の誘電体材料を流れる電流によって起こり得る。

［００４４］いくつかの実施形態では、静電チャック本体３２５及び／又はステム３３０は、絶縁体材料又は誘電体材料であり得る。例えば、酸化物、窒化物、炭化物、及び他の材料を使用して構成要素を形成することができる。例示的な材料には、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化タングステン、及び他の金属若しくは遷移金属の酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物、又はチタン酸塩を含むセラミック、並びにこれらの材料と他の絶縁体材料又は誘電性材料との組み合わせが含まれ得る。特定の温度範囲で動作するように構成された複合材料を提供するために、異なる等級のセラミック材料を使用することができ、したがって、いくつかの実施形態では、異なるセラミック等級の同様の材料を上部パック及びステムに使用することができる。以下にさらに説明するように、電気的特性を調整するために、いくつかの実施形態ではドーパントを組み込むことができる。例示的なドーパント材料には、イットリウム、マグネシウム、シリコン、鉄、カルシウム、クロム、ナトリウム、ニッケル、銅、亜鉛、又はセラミック若しくは誘電体材料内に組み込まれることが知られている任意の数の他の元素が含まれ得る。

［００４５］静電チャック本体３２５は、チャック本体３２５内に含有される埋め込みヒータ３５０も含み得る。ヒータ３５０は、実施形態では、抵抗加熱器又は流体加熱器を含み得る。いくつかの実施形態では、電極３３５はヒータとして動作することができるが、これらの動作を切り離すことによって、より個別の制御が可能になり、プラズマ形成のための領域を制限しながら、拡張されたヒータカバレッジが提供され得る。ヒータ３５０は、チャック本体材料と接着又は連結されたポリマーヒータを含み得るが、導電性要素は、静電チャック本体内に埋め込まれ、上部パックを加熱するためにＡＣ電流などの電流を受けるように構成されていてもよい。電流は、上述したＤＣ電力と同様のチャネルを通じてステム３３０を通して供給され得る。ヒータ３５０は、電源３６５と連結してもよく、電源３６５は、抵抗加熱要素に電流を提供して、関連するチャック本体３２５及び／又は基板の加熱を促進することができる。ヒータ３５０は、実施形態では複数のヒータを含むことができ、各ヒータはチャック本体のあるゾーンに関連することができ、したがって例示的なチャック本体はヒータと同数又はそれを上回る数のゾーンを含むことができる。チャックメッシュ電極３３５は、いくつかの実施形態では、ヒータ３５０と基板プラットフォーム３２７との間に位置決めされてもよく、以下にさらに説明するように、いくつかの実施形態では、チャック本体３２５内の電極と基板プラットフォーム３２７との間に距離を維持することができる。

［００４６］ヒータ３５０は、基板プラットフォーム３２７上に存在する基板と同様に、静電チャック本体３２５全体の温度を調整することができる場合がある。ヒータは、チャック本体３２５及び／又は基板を約１００℃以上に加熱する動作温度範囲を有していてもよく、ヒータは、約１２５℃以上、約１５０℃以上、約１７５℃以上、約２００℃以上、約２５０℃以上、約３００℃以上、約３５０℃以上、約４００℃以上、約４５０℃以上、約５００℃以上、約５５０℃以上、約６００℃以上、約６５０℃以上、約７００℃以上、約７５０℃以上、約８００℃以上、約８５０℃以上、約９００℃以上、約９５０℃以上、約１０００℃以上、又はそれを上回る温度に加熱するように構成され得る。ヒータは、また、これらの記載された数値のうちの任意の２つの間に包含される任意の範囲、又はこれらの範囲のいずれかに包含されるより小さな範囲で動作するように構成され得る。いくつかの実施形態では、以下でさらに説明するように、チャックヒータは、先に説明したようなメモリデバイス用の材料の積層体を形成するような堆積動作中に、基板温度を少なくとも５００℃を上回って維持するように動作され得る。

［００４７］図４は、本技術のいくつかの実施形態による例示的な基板プラットフォーム４００の概略上面図を示す。基板プラットフォーム４００は、先に説明した材料又は構成要素のいずれかを含むことができ、先に説明した基板プラットフォームの追加の詳細を図示することができる。図示されるように、基板プラットフォーム４００は、内部領域を有する上面４０５を有し得る。いくつかのメサ４１０が、内部に配置されるとともに上面４０５の内側領域から上向きに突出する。図示されるように、メサ４１０は、内部領域内の列及び行のアレイに配置され得る。しかし、他の実施形態は、他の配置のメサ４１０を利用し得る。例えば、メサ４１０は、上面４０５の中心から内部領域の外周部に向かって、いくつかの同心円状の環状に配置され得る。さらに、メサ４１０が一定の間隔で位置決めされている状態で示されているが、いくつかの実施形態では、メサ４１０の不規則な配置を利用することができる。メサ４１０は、図示のような円形断面、又は他の任意の形状を有し得る。

［００４８］例えば、本技術は、約１ｍｍ、約２ｍｍ、又はそれを超える直径又は幅を特徴とするメサ４１０を形成し得、いくつかの実施形態では、約１ｍｍ以上の直径を特徴とするメサ４１０と約２ｍｍ以上の直径を特徴とするメサ４１０の組合せを含み得る。メサ４１０は、本技術の実施形態では、任意の数の形状及びプロファイルをと特徴し得る。例示的な基板プラットフォーム４００の場合、基板プラットフォーム４００は、約２５０以上のメサ４１０を画定し得、約５００以上のメサ４１０、約７５０以上のメサ４１０、約１０００以上のメサ４１０、約１，２５０以上のメサ４１０、約１，５００以上のメサ４１０、約１，７５０以上のメサ４１０、約２０００以上のメサ４１０、又はそれを超えるメサ４１０を画定し得る。メサ４１０は、表面全体にわたる一般的な分布だけでなく、均一なパターンを含む、任意の数のフォーメーション又はパターンで画定され得る。

［００４９］本技術のいくつかの実施形態に従ってメサ４１０を製造することによって、基板の表面に沿った接触の割合は、約１．０％以上に増加し得、約１．５％以上、約２．０％以上、約３．０％以上、約３．５％以上、約４．０％以上、約４．５％以上、約５．０％以上、又はそれを上回って増加し得る。接触割合は、漏れ電流を先に述べた範囲未満に制限するために、約１０％以下に維持することができ、約８％以下、約６％以下、約５％以下、又はそれ未満に接触することを制限することができる。レッジ４２０に沿ったある量の接触を含まない場合、メサ４１０によって提供される接触の割合は、基板プラットフォーム４００に沿った基板表面の表面積の約０．２％以上に維持され得る。いくつかの実施形態では、封止バンドの寄与を除いたメサ４１０によって提供される接触の割合は、約０．３％以上、約０．４％以上、約０．６％以上、約０．８％以上、約１．０％以上、約１．２％以上、約１．４％以上、約１．６％以上、約１．８％以上、約２．０％以上、約２．２％以上、約２．４％以上、約２．６％以上、約２．８％以上、約３．０％以上、又はそれを上回る割合で維持され得る。制御された漏れ電流を特徴とする基板プラットフォーム４００を提供することによって、本技術は、プラズマ環境内でのアーク放電を制限又は防止しながら、増加した膜応力を特徴とする基板を好適にチャックすることができる増加したチャックウィンドウを提供し得る。

［００５０］封止バンド４１５は、上面４０５から上向きに延び得る。封止バンド４１５は、周方向パターンで配置されてもよく、内部領域の外側の境界を画定し得る。封止バンド４１５は、メサ４１０を少なくとも部分的に包囲し得る。封止バンド４１５は、基板の周縁エッジを支持するようにサイズ決めされ且つ位置決めされ得、封止バンド４１５の最も外側のエッジは、基板の周縁エッジを越えて延びる。例えば、半径１５０ｍｍの基板の場合、封止バンド４１５の最も外側のエッジは、基板プラットフォーム４００の中心から１５０ｍｍ、例えば約１５１～１５５ｍｍ大きく位置決めされ得る。いくつかの実施形態では、封止バンド４１５は、基板の周縁エッジが封止バンド４１５の幅のほぼ半分に位置決めされている状態で基板を支持するようにサイズ決めされ且つ位置決めされ得る。封止バンド４１５は、裏側ガスのリークバイチャネルとして機能するいくつかの間隙４２０を様々な箇所で画定する。したがって、封止バンド４１５は、基板の外周部の支持体を画定するいくつかの突出セグメント４２５を特徴とし、隣接するセグメント４２５は、間隙４２０のうちの１つによって分離されている。間隙４２０は、封止バンド４１５の周囲に一定の間隔で設けられ得る。例えば、図示されるように、封止バンド４１５の円周に沿って４５°ごとに間隙４２０が設けられる。不規則な間隔を含む、間隙４２０の他の角度配置が生成され得ることが理解されるであろう。セグメント４２５は、図示されるように間隙４２０よりも大きくてもよいが、他のサイズ及び／又は数のセグメント４２５及び間隙４２０が可能である。例えば、セグメント４２５及び間隙４２０は、ほぼ同じ大きさであってもよい。さらに、８つのセグメント４２５及び８つの間隙４２０で図示されているが、より少ないか又はより多い数のセグメント４２５及び間隙４２０が、様々な実施形態で使用されてもよい。

［００５１］基板プラットフォーム４００は、上面４０５の内部領域内にパージ開孔４３０をさらに画定し得る。パージ開孔４３０は、基板プラットフォーム４００の厚さを通って全体的に延びる場合があり、メサ４１０及び封止バンド４１５の上に支持されている基板の裏側にガスを送達するために裏側ガス源と連結する場合がある。パージ開孔４３０は、メサ４１０のパターンを乱すことなく、様々なメサ４１０の間に形成された空間内に配置されてもよく、又はメサ４１０のうちの１つ又は複数を置き換えるように位置決めされてもよい。例えば、図示されるように中央メサの位置はメサを有さず、代わりにパージ開孔４３０が基板プラットフォーム４００を通って延びるための空間を提供する。

［００５２］図５は、本技術のいくつかの実施形態による基板５５０を支持する例示的な基板プラットフォーム５００の概略部分上面図を示す。基板プラットフォーム５００は、先に説明した材料又は構成要素のいずれかを含むことができ、先に説明した基板プラットフォームの追加の詳細を図示することができる。例えば、支持プラットフォーム５００は、パージ開孔を画定するとともに先に論じたように上面の周囲に分布するメサのアレイを含む上面を有し得る。メサの半径方向外側に封止バンド５１０が設けられ得る。封止バンド５１０は、基板５５０の周縁エッジ５５５の周囲に全体的に延び得る。封止バンド５１０は、封止バンド５１０の内部に突出するいくつかの突出セグメント５１５を含んでもよく、いくつかの間隙５２０によって分離されてもよい。交互になったセグメント５１５及び間隙５２０は、封止バンド５１０の内側境界の周囲に鋸歯状のパターンを形成し、基板５５０の周縁エッジ５５５が位置決めされる支持面を提供する。図示されるように、各セグメント５１５及び各間隙５２０は、ほぼ同じ大きさであってもよく、一定の角度間隔で配置されてもよい。しかし、セグメント５１５及び間隙５２０は、互いに異なるサイズを有し得ることが理解されるであろう。

［００５３］基板５５０は、基板プラットフォーム５００の上に位置決めされて、基板５５０の周縁エッジ５５５が封止バンド５１０の上に支持されてもよい。例えば、基板５５０の周縁エッジ５５５は、封止バンド５１０の内側部分に位置決めされて、封止バンド５１０の各セグメント５１５及び各間隙５２０の少なくとも一部が基板５５０の周縁エッジを超えて延びてもよい。これにより、間隙５２０はリークバイチャネルとして機能することが可能になる。リークバイチャネルは、パージガスを、間隙５２０を通して基板５５０の周縁エッジ５５５を通過させて、ベベルでの堆積を低減する。

［００５４］図６Ａは、本技術のいくつかの実施形態による基板６５０を支持する例示的な基板プラットフォーム６００の部分側部断面図である。基板プラットフォーム６００は、先に説明した材料又は構成要素のいずれかを含むことができ、先に説明した基板プラットフォームの追加の詳細を図示することができる。例えば、支持プラットフォーム６００は、パージ開孔６３０を画定するとともに先に論じたように上面６０５の周囲に分布するメサ６２５のアレイを含む上面６０５を有し得る。メサ６２５のそれぞれは、基板６５０の内側部分に接触し得る。メサ６２５の半径方向外側に封止バンド６１０が設けられ得る。基板６５０は、基板プラットフォーム５００の上に位置決めされて、基板６５０の周縁エッジ６５５が封止バンド６１０の上に支持されてもよい。図６Ｂは、本技術のいくつかの実施形態による基板プラットフォーム６００を使用するベベル堆積を排除するためのガス流経路を示す部分断面側面図である。例えば、ハードマスク手順のためのような堆積ガスは、ガスボックスによって供給され、基板６５０の上面にわたって流され得る。ガスは、矢印６６０で示すように、基板６５０のベベル６８０に向かって外側に流れてもよい。例えば、特定の堆積プロセスは、Ｂ_２Ｈ_６及びＣ_３Ｈ_６を使用して、基板６５０上にホウ素がドープされた炭素膜を堆積させ得る。基板６５０の下側には、反応性の裏側ガスが流され得る。裏側ガスは、矢印６７０で示すように、メサ６２５を通過して外向きに、封止バンド６１０へ向かって流れ得る。裏側ガスは、封止バンド６１０のセグメント間の間隙によって形成されたリークバイチャネルを通って流れ、その後、上向きに流れて、基板６５０のベベル６８０に近接した位置で堆積ガスに出会う場合がある。Ｏ_２などの裏側ガスがベベル６８０で堆積ガスと混合すると、反応性ガスは基板ベベル６８０付近のラジカル炭素（又は他の）前駆体と反応して消費し、これにより基板６５０のベベル６８０での堆積が妨げられる。

［００５５］図７は、本技術のいくつかの実施形態による半導体処理の例示的な方法７００の動作を示す。方法７００は、基板プラットフォーム３００、４００、５００、及び６００などの本技術の実施形態による基板プラットフォームを含み得る、上述の処理システム２００を含む様々な処理チャンバで実施され得る。方法７００は、本技術による方法のいくつかの実施形態に特に関連してもよく又はしなくてもよい、多くの任意の動作を含み得る。

［００５６］方法７００は、ハードマスク膜を形成するための動作又は他の堆積動作を含み得る処理方法を含み得る。方法は、方法７００の開始前に任意の動作を含んでもよく、又は方法は追加の動作を含んでもよい。例えば、方法７００は、図示されたものとは異なる順序で実施される動作を含み得る。いくつかの実施形態では、方法７００は、動作７０５で、チャック電圧を使用して、基板プラットフォームの支持面に半導体基板をクランプすることを含み得る。例えば、図５、図６Ａ、図６Ｂで説明したように、半導体基板は、複数のメサの上に位置決めされて、半導体基板の周縁エッジは封止バンドで支持され得る。封止バンドの各間隙及び各突出セグメントの少なくとも一部は、半導体基板の外周部を超えて延びていてもよい。封止バンドは、上述の封止バンド３３３、４１５、５１０、及び／又は６１０と同様に、間隙によって分離されたいくつかの突出セグメントを特徴とし得る。方法７００は、動作７１０で、反応性パージガスを、半導体基板の下側に、いくつかの間隙を通して流すことを含み得る。Ｏ_２などの反応性パージガスは、ベベルで半導体基板上部から流れる堆積ガスと混合してもよく、チャンバ処理領域内で生成されるプラズマ中で解離されてもよい。その後、反応性ガスは、チャンバから排気され得る二酸化炭素又は他の揮発性物質を生成することなどにより、基板ベベル近くで堆積ガスと反応してそれを消費し、基板６５０のベベルの堆積を制限又は排除する。

［００５７］上記の説明には、本技術の様々な実施形態の理解を促すために、解説を目的としていくつかの詳細事項を明記してきた。しかし、特定の実施形態は、これらの詳細事項の一部がなくとも、又は追加の詳細実行があっても実践得ることが、当業者には自明であろう。

［００５８］いくつかの実施形態を開示したが、実施形態の本質から逸脱しなければ、様々な改変例、代替構造、及び均等物が使用され得ることは、当業者によって認識されよう。加えて、本技術を不必要に不明瞭にすることを避けるために、いくつかの周知のプロセス及び要素については説明していない。したがって、上記の説明は、本技術の範囲を限定するものと解釈すべきでない。

［００５９］値の範囲が提供されている場合、その範囲の上限値と下限値との間の介在値の各々は、（文脈上そうでないと明確に指示されない限り）下限値の最も小さい単位まで具体的に開示されると理解される。記載された範囲における任意の記載値同士又は記載されていない介在値同士の間のより狭い範囲、及び、かかる記載範囲における他の記載値又は介在値は全て、包含される。上記の狭い範囲の上限値及び下限値は、個別に、この範囲に含まれ得るか又はこの範囲から除外され得る。この狭い範囲に限界値のいずれかが含まれるか、どちらも含まれないか、又は両方が含まれる場合の各範囲も、記載範囲内に特に除外された限界値があることを条件として、本技術に包含される。記載された範囲が、限界値の一方又は両方を含む場合、これらの含められた限界値のいずれか又は両方を除外する範囲も含まれる。

［００６０］本書及び添付の特許請求の範囲において、単数形の「１つの（ａ、ａｎ）」、及び「前記（ｔｈｅ）」は、（文脈上そうでないと明確に指示されない限り）複数形の意味を含む。したがって、例えば、「１つのヒータ（ａ ｈｅａｔｅｒ）」への言及は、複数のそのようなヒータを含み、「その突起（ｔｈｅ ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）」への言及は、１つ又は複数の突起及び当業者に既知のその等価物への言及を含む、等々である。

［００６１］また、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ（ｓ）／ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含有する（ｃｏｎｔａｉｎ（ｓ）／ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ（ｓ）／ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という語は、この明細書及び以下の特許請求の範囲で使用される場合には、記載された特徴、整数、構成要素、又は動作の存在を特定することを意図しているが、一又は複数の、他の特徴、整数、構成要素、動作、作用、又はグループの存在又は追加を除外するものではない。

Claims (20)

1. 基板支持アセンブリであって、
   基板プラットフォームを画定する静電チャック本体であって、
   前記基板プラットフォームが上面を特徴とし、前記基板プラットフォームがパージ開孔を画定し、
   前記基板プラットフォームが、
   前記上面の内部領域に配置された複数のメサであって、前記複数のメサのそれぞれが前記上面から上向きに突出する、複数のメサと、
   周方向パターンで前記上面から上向きに延びるとともに前記上面の前記内部領域を部分的に包囲する封止バンドであって、
   前記複数のメサの上面と前記封止バンドの上面とが、基板の支持面を形成し、
   前記封止バンドがいくつかの間隙を画定する、
   封止バンドと、
   を含む、静電チャック本体と、
   前記静電チャック本体と連結した支持ステムと、
   前記静電チャック本体内に埋め込まれたヒータと、
   前記支持面の前記開孔と連結した裏側ガス源と、
   を含む、基板支持アセンブリ。
2. 前記複数のメサの前記上面と前記封止バンドの前記上面とが同じ高さである、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
3. 前記間隙が前記封止バンドの周囲に一定の角度間隔で設けられている、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
4. 前記支持ステムが、前記裏側ガス源と前記開孔との間に延びてそれらを連結する流体ルーメンを画定する、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
5. 前記複数のメサが、前記上面の前記内部領域の周囲に均一に配置されている、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
6. 前記封止バンドが、基板の外周部の支持シートを画定するように、前記基板プラットフォーム上に位置決めされており、
   前記封止バンドの一部と各間隙の一部とが、前記支持シートの最も外側のエッジから半径方向外向きに延びている、
   請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
7. 前記封止バンドが、前記いくつかの間隙によって中断される概ね円形の形状を特徴とする、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
8. 前記封止バンドが、基板の外周部の支持シートを画定する複数の突出セグメントを特徴とし、前記複数の突出セグメントの隣接する対が、前記いくつかの間隙のうちのそれぞれによって分離されている、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
9. 前記複数のセグメントのそれぞれの大きさと、前記いくつかの間隙のそれぞれの大きさとが、実質的に等しい、請求項８に記載の基板支持アセンブリ。
10. 前記裏側ガス源が反応性パージガスを送達する、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
11. 前記反応性パージガスがＯ_２を含む、請求項１０に記載の基板支持アセンブリ。
12. 基板支持アセンブリであって、
    基板プラットフォームを画定する静電チャック本体であって、
    前記基板プラットフォームが上面を特徴とし、前記基板プラットフォームが単一のパージ開孔を画定し、
    前記基板プラットフォームが、
    前記上面の内部領域に配置された複数のメサであって、前記複数のメサのそれぞれが前記上面から上向きに突出する、複数のメサと、
    周方向パターンで前記上面から上向きに延びるとともに前記上面の前記内部領域を部分的に包囲する封止バンドであって、
    前記封止バンドが、基板の外周部の支持シートを画定する複数の突出セグメントを特徴とし、
    前記複数の突出セグメントの隣接する対が、複数の間隙のうちの１つによって分離されている、
    封止バンドと、
    を含む、静電チャック本体と、
    前記静電チャック本体と連結した支持ステムと、
    前記支持面の前記パージ開孔と連結した裏側ガス源と、
    を含む、基板支持アセンブリ。
13. 前記間隙が前記封止バンドの周囲に一定の角度間隔で設けられている、請求項１２に記載の基板支持アセンブリ。
14. 前記支持ステムが、前記裏側ガス源と前記開孔との間に延びてそれらを連結する流体ルーメンを画定する、請求項１２に記載の基板支持アセンブリ。
15. 前記複数のメサが、前記上面の前記内部領域の周囲に均一に配置されている、請求項１２に記載の基板支持アセンブリ。
16. 前記裏側ガス源が反応性パージガスを送達する、請求項１２に記載の基板支持アセンブリ。
17. 前記複数のセグメントのそれぞれの大きさと、前記複数の間隙のそれぞれの大きさとが、実質的に等しい、請求項１２に記載の基板支持アセンブリ。
18. 半導体基板を処理する方法であって、
    チャック電圧を使用して、基板プラットフォームの支持面に半導体基板をクランプすることであって、
    前記基板プラットフォームが上面を特徴とし、且つ単一のパージ開孔を画定し、
    前記基板プラットフォームが、
    前記上面の内部領域に配置された複数のメサであって、前記複数のメサのそれぞれが前記上面から上向きに突出する、複数のメサと、
    周方向パターンで前記上面から上向きに延びるとともに前記上面の前記内部領域を部分的に包囲する封止バンドであって、
    前記支持面が、前記複数のメサの上面と前記封止バンドの上面とから形成され、
    前記封止バンドが、いくつかの突出セグメントを分離するいくつかの間隙を画定する、
    封止バンドと、
    を含む、半導体基板をクランプすることと、
    前記半導体基板の下側に、前記いくつかの間隙を通して、反応性パージガスを流すことと、
    を含む、方法。
19. 前記反応性パージガスがＯ_２を含む、請求項１８に記載の半導体基板を処理する方法。
20. 前記封止バンドの各間隙及び各突出セグメントの少なくとも一部が、前記半導体基板の外周部を超えて外向きに延びている、請求項１８に記載の半導体基板を処理する方法。

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