KR100775960B1 - 마스크를 갖는 플라즈마 화학 기상 증착 막 형성 장치 - Google Patents
마스크를 갖는 플라즈마 화학 기상 증착 막 형성 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (42)
- Dw의 직경 및 Tw의 두께를 갖는 웨이퍼 상에 박막을 형성하기 위한 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 있어서,진공 챔버;두 개의 전극 중 하나로서 기능하며 상기 진공 챔버 내에 설치된 샤워 플레이트;다른 하나의 전극으로서 기능하고, 상부 위치와 하부 위치 사이에서 이동 가능하며, 상기 샤워 플레이트와 대향하여 평행하도록 설치되어 상기 웨이퍼를 그 상에서 위치시키기 위한 상부 플레이트;상기 상부 플레이트의 웨이퍼 지지면으로부터 Tw+β의 간격을 두고 배치되어 상기 웨이퍼의 상부면 가장자리 부위를 커버하기 위한 상부 마스크 부재(여기서, 상기 β는 0보다 크며, 상기 간격(Tw+β)은 상기 상부 플레이트의 웨이퍼 지지면과 상기 상부 마스크 부재의 저면 사이의 간격을 의미한다); 및상기 상부 마스크 부재가 상기 상부 위치에 위치된 경우 상기 웨이퍼의 측면 부위를 커버하기 위하여 상기 상부 마스크 부재 아래에 배치되며, Dw+α(여기서, α는 0보다 크다)의 내경을 갖는 측면 마스크 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 α는 0.05 내지 2mm이며, 상기 β는 0.05 내지 0.75mm 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 샤워 플레이트는 가스 방출 부재와 베이스 부재를 포함하며, 상기 가스 방출 부재는 하기의 식(1)을 만족하는 직경(Ds)을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.Dw-d < Ds < Dw+3d ---- (1)(여기서, 상기 d는 상기 샤워 플레이트와 상기 상부 플레이트 사이의 거리를 의미한다)
- 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제3항에 있어서, 상기 직경(Ds)은 하기의 식(2)을 만족하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.Dw < Ds < Dw+2d ---- (2)
- 제3항에 있어서, 상기 가스 방출 부재는 다수의 가스 도입구들과 상기 다수의 가스 도입구들이 형성된 표면으로부터 하방으로 돌출된 플라즈마 강화 스파이크들을 포함하며, 상기 Ds는 상기 플라즈마 강화 스파이크들 중에서 최외측 스파이크들에 의해 한정된 영역의 외경인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 다수의 가스 도입구들 중에서 최외각 도입구들에 의해 한정된 영역은 하기의 식(3)을 만족하는 직경(Dh)을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.Ds-2d < Dh ---- (3)
- 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제5항에 있어서, 상기 도입구들은 0.2mm 내지 2mm의 직경을 가지며, 상기 스파이크들은 1mm 내지 10mm의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 삭제
- 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 상기 상부 마스크 부재는 10-5 내지 103 Ω·㎝의 체적 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 상부 마스크 부재와 측면 마스크 부재는 일체로 제공되며, 베벨 마스크를 구성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 상부 플레이트는 도전성을 나타내며, 상기 상부 플레이트의 가장자리 둘레에는 외측 환형 리세스가 형성되어 있고, 상기 웨이퍼는 상기 환형 리세스 상에 위치된 유전체 링 구조물 상에 지지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제11항에 있어서, 상기 측면 마스크 부재는 상기 유전체 링 구조물의 상부 가장자리 표면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제11항에 있어서, 상기 측면 마스크 부재는 전체적으로 또는 부분적으로 상기 유전체 링 구조물에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 유전체 링 구조물은 내측 환형 리세스를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 유전체 링 구조물의 상부 가장자리 표면에 의해 형성되는 평면은 상기 상부 플레이트의 상부면에 의해 형성되는 평면보다 높게 위치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제11항에 있어서, 상기 유전체 링 구조물은 0.8Dw 내지 1.2Dw의 내경을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 상부 마스크 부재는 내측 가장자리 부위에서 0.3 내지 2mm의 두께를 갖고, 내측으로 경사진 부위(tapered portion)를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 상부 마스크 부재는 상기 웨이퍼의 최외측 가장자리로부터 0.3 내지 3mm의 범위에서 상기 웨이퍼의 상부면을 커버하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 상부 마스크 부재는 알루미늄, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 질화물, 보론 질화물 및 금속 주입 세라믹(metal impregnated ceramic)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 상기 상부 플레이트는 하기의 식(4)을 만족하는 외경(Dss)을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.1.04Dw < Dss < 1.5Dw ---- (4)
- 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 상기 측면 마스크 부재는 상기 상부 위치에서 상기 상부 플레이트의 상부 가장자리 표면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
- 샤워 플레이트와 대향하여 평행하게 설치된 상부 플레이트 상에 웨이퍼를 위치시키는 단계;상부 마스크 부재가 0보다 큰 간격(β)으로 상기 웨이퍼의 상부면 가장자리 부위를 커버하고, 측면 마스크 부재가 상기 상부 플레이트의 가장자리에 배치되어 0보다 큰 간격(α)으로 상기 웨이퍼의 측면 부위를 커버하도록 상기 웨이퍼 위에 상기 상부 마스크 부재를 위치시키는 단계; 및플라즈마 화학 기상 증착을 이용하여 상기 웨이퍼 상에 박막을 형성하기 위하여 상기 상부 플레이트와 상기 샤워 플레이트 사이에 RF(radio-frequency) 파워를 인가하는 단계를 포함하는 플라즈마 화학 기상 증착을 이용하여 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 간격(β)은 0.05 내지 0.75mm이며, 상기 간격(α)은 0.05 내지 2mm인 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제22항에 있어서, 상기 샤워 플레이트를 제공하는 단계를 더 포함하며, 상기 샤워 플레이트는 가스 방출 부재와 베이스 부재를 포함하고, 상기 가스 방출 부재는 하기의 식(5)을 만족하는 직경(Ds)을 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.Dw-d < Ds < Dw+3d ---- (5)(여기서, 상기 Dw는 상기 웨이퍼의 직경을 의미하며, 상기 d는 상기 샤워 플 레이트와 상기 상부 플레이트 사이의 거리를 의미한다)
- 청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제24항에 있어서, 상기 Ds는 하기의 식(6)을 만족하는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.Dw < Ds < Dw+2d ---- (6)
- 청구항 26은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제24항에 있어서, 상기 가스 방출 부재는 다수의 가스 도입구들과 상기 다수의 가스 도입구들이 형성된 표면으로부터 하방으로 돌출된 플라즈마 강화 스파이크들을 포함하며, 상기 Ds는 상기 플라즈마 강화 스파이크들 중에서 최외측 스파이크들에 의해 한정된 영역의 외경인 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제26항에 있어서, 상기 다수의 가스 도입구들 중에서 최외각 도입구들에 의해 한정된 영역은 하기의 식(7)을 만족하는 직경(Dh)을 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.Ds-2d < Dh ---- (7)
- 청구항 28은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제26항에 있어서, 상기 도입구들은 0.2mm 내지 2mm의 직경을 가지며, 상기 스파이크들은 1mm 내지 10mm의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 삭제
- 청구항 30은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제22항에 있어서, 상기 상부 마스크 부재를 제공하는 단계를 더 포함하며, 상기 상부 마스크 부재는 10-5 내지 103 Ω·㎝의 체적 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 청구항 31은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제22항에 있어서, 상기 상부 플레이트를 제공하는 단계를 더 포함하며, 상기 상부 플레이트는 도전성을 나타내고, 상기 상부 플레이트의 가장자리 둘레에는 외측 환형 리세스가 형성되어 있으며, 상기 웨이퍼는 상기 환형 리세스 상에 위치된 유전체 링 구조물 상에 지지되는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 청구항 32은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제31항에 있어서, 상기 측면 마스크 부재는 상기 유전체 링 구조물의 상부 가장자리 표면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 청구항 33은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제31항에 있어서, 상기 유전체 링 구조물은 내측 환형 리세스를 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 청구항 34은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제31항에 있어서, 상기 웨이퍼는 상기 유전체 링 구조물의 상부 가장자리 표 면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 청구항 35은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제31항에 있어서, 상기 유전체 링 구조물은 웨이퍼 직경(Dw)의 0.8 내지 1.2배의 내경을 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 청구항 36은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제22항에 있어서, 상기 상부 마스크 부재를 제공하는 단계를 더 포함하며, 상기 상부 마스크 부재는 내측 가장자리 부위에서 0.3 내지 2mm의 두께를 갖고, 내측으로 경사진 부위를 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 청구항 37은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제22항에 있어서, 상기 상부 마스크 부재를 제공하는 단계를 더 포함하며, 상기 상부 마스크 부재는 상기 측면 마스크 부재와 일체로 제공되며, 베벨 마스크를 구성하는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 청구항 38은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제22항에 있어서, 상기 웨이퍼의 상부면은 상기 상부 마스크 부재에 의해 상기 웨이퍼의 최외측 가장자리로부터 0.3 내지 3mm의 범위에서 커버되는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 상부 마스크 부재를 제공하는 단계를 더 포함하며, 상기 상부 마스크 부재는 알루미늄, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 질화물, 보론 질화물 및 금속 주입 세라믹 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 상부 플레이트를 제공하는 단계를 더 포함하며, 상기 상부 플레이트는 상기 웨이퍼의 직경(Dw)에 대하여 하기의 식(8)을 만족하는 외경(Dss)을 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.1.04Dw < Dss < 1.5Dw ---- (8)
- 청구항 41은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제22항에 있어서, 상기 측면 마스크 부재는 상기 상부 플레이트의 상부 가장자리 표면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
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