JP2010114328A - レジスト塗布方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、高い段差パターンを有する基板の表面に、適切なカバレッジ性を有してレジストを塗布することができるレジスト塗布方法を提供することを目的とする。
【解決手段】段差を有する基板Ｗの表面に、レジスト８０、８１を滴下して塗布するレジスト塗布方法であって、
前記基板Ｗを所定の回転速度で回転させ、前記レジスト８０、８１の滴下位置を、前記基板Ｗの外周側から中央に移動させながら供給するレジスト供給工程を含むことを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は、レジスト塗布方法に関し、特に、段差を有する基板の表面に、レジストを滴下して塗布するレジスト塗布方法に関する。

従来から、半導体基板を静止させた状態で基板中心に液体感光性高分子樹脂を滴下したのち、基板を１２００〜２０００ｒｐｍの回転数でその中心の周りに回転させ、その際、感光性高分子樹脂を補助的に滴下して基板表面全面が感光性高分子樹脂で被覆されている状態に維持し、そのあと基板の回転数を上げて基板表面の下地パターン上に所定の膜厚の感光性高分子樹脂膜を形成するフォトリソグラフィ工程を含む半導体素子の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開平７−２３５４７９号公報

しかしながら、上述の特許文献１に記載の構成では、基板の静止時に滴下するレジスト液の滴下量は、段差の無いウエハに滴下するレジスト液の１．５倍であり、更にウエハを回転させて補助的にレジストを段差の高い側の面に滴下し、絶えずウエハ表面全面をレジストの被膜のあるようにするため、レジスト液を大量に消費してしまうという問題があった。

また、特許文献１に記載の構成においては、段差の高い面がウエハの全面に点在し、段差の高い面が必ずしも特定できないが、全体的に段差が高いようなパターンが形成されている場合には、均一な膜厚のレジスト膜を形成することが困難であるという問題があった。

更に、特許文献１においては、膜厚が１〔μｍ〕に達するレベルの段差を想定しているが、近年の半導体製造プロセスにおいては、高耐圧系素子構造、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等の高段差素子構造を有する半導体装置においては、１．０〜１５．０〔μｍ〕の段差を有する素子構造も存在し、このような高段差が形成されたウエハにレジストを塗布する場合には、特許文献１に記載の構成ではウエハ全体にレジスト膜を形成できず、レジストのカバレッジ性が悪くなるという問題があった。

図１８は、従来のレジスト中央滴下のレジスト塗布方法によりレジスト塗布が行われ、カバレッジ性が悪く、レジストの塗布ムラが生じた場合のウエハの状態を示した図である。図１８（ａ）は、ウエハ断面図の一例を示した図であり、図１８（ｂ）はウエハ表面状態の一例を示した図である。図１８（ａ）に示すように、ウエハＷの表面に配線２０が形成され、その上にレジスト８０が塗布されているが、塗布ムラ１７０が生じ、配線２０の一部が露出している。このような塗布ムラは、レジスト８０をウエハＷに中央滴下し、回転によりこれを外周部に拡散させてレジスト８０の塗布を行った場合に、ウエハＷの外周部に特に生じ易い。図１８（ｂ）に示すように、ウエハＷの外周部に塗布ムラ１７０が発生している。

図１９は、従来の、上述の特許文献１や、低粘度のレジストと高粘度のレジストを用いて２段階でレジスト塗布を行うレジスト塗布方法による、レジスト８０の拡散性不足による不具合の発生状態を示した図である。図１９（ａ）は、ウエハＷ上に形成された溝４０によるパターン４５を示した平面図の一例である。このように、全体が接続されている連続パターン４６の他、他の配線と接続されず孤立したパターン４７を有する場合には、孤立パターン４７内の溝に気泡が混入し易く、その後の加工時に悪影響を及ぼす。図１９（ｂ）は、図１９（ａ）のＡ−Ｂ断面を示したパターン断面図である。図１９（ｂ）において、連続パターン４６にはレジスト８０が充填されているが、孤立パターン４７には、気泡１８０が生じている。このように、ウエハＷの段差が大きくなると、上述の特許文献１等に開示されたレジストの塗布方法では、十分なカバレッジ性を確保することができない。

一方、段差の大きいパターン４５に有効と考えられるレジスト８０の塗布方法として、ノズルからレジスト液を滴下するのではなく、スプレーを用いてウエハＷの全体にレジスト８０を塗布するレジスト塗布方法も知られている。図２０は、スプレー１６０を用いた塗布方法を行ったウエハＷの断面の一例を示した図である。図２０において、ウエハＷ上に配線２０が形成され、中央からスプレー１６０によりレジスト８０が噴霧供給された状態が示されているが、スプレー１６０の異方性により、配線２０の外側にレジスト８０が噴霧されない箇所が空洞１９０として生じている。また、スプレー１６０を用いたレジスト塗布方法の場合、レジスト８０の密度が粗くなり、高精度にレジスト８０を塗布することができないという問題もあった。

そこで、本発明は、高い段差パターンを有する基板の表面に、適切なカバレッジ性を有してレジストを塗布することができるレジスト塗布方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、第１の発明に係るレジスト塗布方法は、段差を有する基板（Ｗ）の表面に、レジスト（８０、８１）を滴下して塗布するレジスト塗布方法であって、
前記基板（Ｗ）を所定の回転速度で回転させ、前記レジスト（８０、８１）の滴下位置を、前記基板（Ｗ）の外周側から中央に移動させながら供給するレジスト供給工程を含むことを特徴とする。

これにより、基板の中央から供給されたレジストが外側に飛散し、段差パターンに気泡を混入させてしまう事態を防ぐことができ、気泡を含まない、カバレッジ性の良好のレジスト膜の形成を行うことができる。

第２の発明は、第１の発明に係るレジスト塗布方法において、
前記レジスト供給工程の後に、前記基板（Ｗ）を前記所定の回転速度よりも高速の第２の回転速度で回転させ、前記レジスト（８０、８１）を滴下して供給する第２のレジスト供給工程を含むことを特徴とする。

これにより、低速で回転させながら基板の外周側から中央に向かってレジスト滴下位置を移動させることにより、直接的にレジストを滴下して、段差の高いパターン内に気泡を発生させることなく段差を確実に小さくできるので、その後は高速回転でレジストを滴下供給しても、適切なカバレッジ性を有して基板全体にレジストを塗布することができる。

第３の発明は、第２の発明に係るレジスト塗布方法において、
前記第２のレジスト供給工程の前記レジスト（８０、８１）の滴下位置は、前記基板（Ｗ）の中央付近の位置であることを特徴とする。

これにより、第２のレジスト供給工程におけるレジスト供給は、通常の供給方法により行うことができ、簡素な工程で良好なカバレッジ性を確保することができる。

第４の発明は、第２の発明に係るレジスト塗布方法において、
前記第２のレジスト供給工程の前記レジスト（８０、８１）の滴下位置を、前記基板（Ｗ）の外周側から中央に移動させながら供給することを特徴とする。

これにより、第２のレジスト供給工程においても、中央からの飛散による供給を無くし、外側から基板に直接的にレジストを供給することができ、段差パターン内の気泡の発生を確実に防止し、良好なカバレッジ性でレジストを塗布することができる。

第５の発明は、第１〜４のいずれかの発明に係るレジスト塗布方法において、
前記レジスト供給工程の前に、有機溶剤を含む薬液（７０）を前記基板（Ｗ）の表面に滴下して供給する前処理工程を更に含むことを特徴とする。

これにより、第１のレジスト供給工程におけるレジストの基板への親和性を高めることができ、第１のレジスト供給工程でのカバレッジ性を更に向上させることができる。

第６の発明は、第５の発明に係るレジスト塗布方法において、
前記前処理工程は、前記薬液（７０）が供給された状態で、前記所定の回転速度よりも高速かつ前記第２の回転速度よりも低速で前記基板（Ｗ）を回転させる工程を含むことを特徴とする。

これにより、薬液を完全に飛ばして乾燥させるのではなく、溝に液体の状態で薬液が少し残る程度に薬液を飛ばし、薬液の効果を十分に発揮させ、第１のレジスト工程におけるカバレッジ性を一層向上させることができる。

第７の発明は、第５又は第６に記載のレジスト塗布方法において、
前記薬液（７０）は、前記レジスト（８０、８１）を溶解する有機溶剤であることを特徴とする。

これにより、レジスト液の拡散性及び濡れ性を高めることができ、第１のレジスト供給工程におけるカバレッジ性を十分に確保することができる。

第８の発明は、第５又は第６の発明に係るレジスト塗布方法において、
前記薬液（７０）は、前記レジスト（８０、８１）よりも低粘度のレジスト液であることを特徴とする。

これにより、低粘度のレジスト液を用いて前処理を行うことができる。

第９の発明は、第１〜８のいずれかの発明に係るレジスト塗布方法において、
前記段差は、深さの方が幅よりも大きい溝（４０）を含むことを特徴とする。

これにより、アスペクト比の高い溝が基板の表面に形成されている場合であっても、良好なカバレッジ性を保ちつつレジストを塗布することができる。

第１０の発明は、第１〜９のいずれかの発明に係るレジスト塗布方法において、
前記段差は、周辺部との差が０．５μｍ以上２０μｍ以下の段差を含むことを特徴とする。

これにより、溝のみならず突起形状も含めて、高段差パターンが形成された表面を有する基板にレジストを確実にカバレッジ性よく塗布することができる。

第１１の発明に係るレジスト塗布方法は、溝（４０）と平坦部（ｆ）を有する基板（Ｗ）の表面に、レジスト（８０、８１）を滴下して塗布するレジスト塗布方法であって、
前記レジスト（８０、８１）を滴下する前に、前記レジスト（８０、８１）を溶解する有機溶剤を前記基板（Ｗ）の表面に滴下して供給し、
前記有機溶剤が前記溝（４０）内に残留し、前記平坦部（ｆ）は乾燥する半乾燥状態となるように前記基板（Ｗ）を回転させ、その後前記レジスト（８０、８１）を滴下して前記レジスト（８０、８１）の塗布を行うことを特徴とする。

これにより、レジストが溝内に残留するので、その後のレジスト滴下の際のレジストの親和性を高めることができる。

第１２の発明は、第１１の発明に係るレジスト塗布方法において、
前記基板（Ｗ）の回転数は、５００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下の回転数であることを特徴とするレジスト塗布方法。

これにより、高速よりも若干速度を低下させた回転で基板表面の半乾燥状態を作り出すことができ、レジスト供給時のレジストの親和性を確実に高めることができる。

なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例に過ぎず、図示の態様に限定されるものではない。

本発明によれば、段差パターンを有する基板上に、レジストを良好なカバレッジ性で塗布することができる。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。

図１は、本発明を適用した実施例に係るレジスト塗布方法に適用され得る半導体ウエハ等の基板Ｗの断面構造の一例を示した図である。図１においては、通常のＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタ等の素子構造を有する半導体基板Ｗの断面図が示されている。基板Ｗの表面には、アイソレーション１０と配線２０とが形成されている。このような通常の素子構造を有するパターンの場合、アイソレーション１０の上に配線２０が形成された部分が周囲の平坦部ｆとの段差が最も大きい。その段差は、例えば、０．１〜１．０〔μｍ〕程度が一般的である。本発明は、このような通常の素子構造を有する半導体基板Ｗに適用してもよい。

図２は、本実施例に係るレジスト塗布方法に適用され得る基板Ｗの図１とは異なる断面構造の一例を示した図である。図２においては、例えば、基板ＷにパワーＭＯＳトランジスタ等の高耐圧用素子が形成された場合の断面構成の一例を示している。図２において、基板Ｗの表面には、アイソレーション１０と、配線２０と、層間膜３０とが形成されている。また、層間膜３０の断面には、ビア２１が形成されるとともに、層間膜３０の上に更に配線層２２が形成されている。このような場合、最上の配線層２２と基板Ｗの平坦部ｆとの段差が最も大きく、その段差は、例えば、２．０〜１５．０〔μｍ〕にまで及ぶ。また、基板Ｗの平坦部ｆに直接形成された配線２０についても、０．５〜６．０〔μｍ〕の段差を有する。このような、最低でも０．５〔μｍ〕以上、大きい場合には１０．０〔μｍ〕以上もの段差を有する基板Ｗの表面へのレジスト塗布は、従来技術においては困難であったが、本実施例に係るレジスト塗布方法によれば、良好なカバレッジ性でレジスト８０の塗布を行うことができる。なお、その具体的な塗布方法の内容については、後述する。

図３は、本実施例に係るレジスト塗布方法に適用され得る基板Ｗの図１及び図２とは異なる断面構造の一例を示した図である。図３においては、ＭＥＭＳ等に適用される高段差素子構造を有する基板Ｗの断面構成の例が示されている。図３において、基板Ｗは深掘り構造の溝４０を有し、その段差は、平坦部ｆとは１．０〜１５．０〔μｍ〕にも及ぶ。かかる基板Ｗの深掘りした溝４０は、例えばドライエッチング等により形成される。また、基板Ｗの平坦部ｆ上にも配線２０が形成されるため、溝４０の底部と最も高い配線２０との段差は、１５．０〔μｍ〕を超える場合もあり得る。本実施例に係るレジスト塗布方法においては、段差が２０〔μｍ〕以下までは適切なカバレッジ性を有して適用可能である。

図４は、図３の高段差素子構造のうち、孤立形状構造を含む溝４０によるパターン４５ａを示した図である。図４（ａ）は、孤立形状構造を含むパターン４５ａの平面構成の一例を示した図である。図４（ａ）において、連続パターン４６ａは、周囲の溝と接続し、全体が連続した格子状となって連続パターン４６ａを形成しているが、パターン４７ａ及びパターン４８ａは、周囲の溝との接続関係が無く、孤立した形状となっていることが分かる。

図４（ｂ）は、図４（ａ）の孤立形状構造を含むパターン４５ａの、Ｃ−Ｄで切断した断面構成を示した図である。図４（ｂ）において、連続パターン４６ａは、空気の逃げ道があるためレジスト塗布の際にも気泡１８０が混入する可能性が低いが、孤立形状パターン４７ａ、４８ａは、局所的に単独で孤立したパターンであり、空気の逃げ道が無く、気泡１８０が混入する可能性が高いパターンである。このような場合において、溝４０の深さｄが幅ｗよりも大きいと、気泡１８０が混入する可能性が高く、特に、ｄ／ｗ≧０．５（ｗは最小部）であると、レジスト塗布の際に気泡１８０が混入する可能性が更に高くなる。この場合、アスペクト比は、ｄ：ｗ＝２：１なので２ということになり、アスペクト比が２以上の場合には、気泡１８０が混入する可能性が高くなる。

本実施例に係るレジスト塗布方法においては、このような高アスペクト比の溝４０により形成されたパターン４５ａに対して、良好なカバレッジ性を保ちつつレジストの塗布を行う。

次に、図５乃至図９を用いて、本実施例に係るレジスト塗布方法の具体的な内容について説明する。図５乃至図９は、一連の動作として行われるレジスト塗布方法の工程を示した図である。なお、図５乃至図９においては、レジスト塗布装置の詳細構成は省略して説明している。レジスト塗布装置の構成例の詳細説明は、後述する。

図５は、レジスト滴下前処理工程を示した図である。レジスト滴下前処理工程は、レジスト８０の塗布を行う前に行われる処理工程であり、必ずしも必須ではなく、必用に応じて実行されてよい。レジスト滴下前処理工程においては、基板Ｗの表面に前処理液が供給される。レジスト前処理工程は、基板Ｗ表面の疎水性を高め、レジスト８０の拡散性又は濡れ性を高める目的で行われる。

図５において、基板Ｗの表面上の中央付近の上方に、前処理液供給ノズル５０が設置され、前処理液供給ノズル５０は、前処理液供給管５１に接続されている。前処理液供給用ノズル５０は、基板Ｗの中央付近上方に設けられ、前処理液を滴下して供給する。前処理液は、後に供給されるレジスト８０の拡散性又は濡れ性を高める液が用いられ、例えば、有機溶剤を含む薬液が用いられてよい。薬液は、レジスト８０を溶解する性質を有することが好ましく、例えば、シンナー等の有機溶剤が適用されてよい。この性質により、レジスト８０が基板Ｗの表面に供給されたときに、溝４０内でレジスト８０を溶解し、レジスト８０が基板Ｗになじんで浸透し、レジスト８０が拡散するのを助けるように作用するからである。例えば、上述のシンナーは、このようなレジスト８０を溶解する性質を有する。

また、薬液は、有機溶剤の他、塗布用のレジストよりも低粘度のレジスト液が適用されてもよい。低粘度のレジスト液は、塗布用のレジストを溶解することは出来ないが、塗布用のレジストと親和性を有するので、塗布用のレジストの拡散性及び濡れ性を高めることができる。例えば、供給用のノズルが１つしか無いような場合には、塗布用レジストを供給するためのノズルを、前処理液供給用ノズル５０と共用するようにし、低粘度のレジストで前処理を兼ねるようにしてもよい。

基板Ｗに薬液が供給された後、又は供給しながら、基板Ｗは回転される。これにより、薬液を基板Ｗの全面に行き渡らせることができる。例えば、基板Ｗをステージ上に載置してチャック等により固定し、ステージの回転により基板Ｗを回転させてよい。基板Ｗの回転速度は、１０００〔ｒｐｍ〕以下であることが好ましい。従来、レジスト滴下前処理工程において、基板Ｗを、レジスト塗布の際の高速の１５００〜３０００〔ｒｐｍ〕で回転させ、基板Ｗ上に供給された前処理用の薬液を、総て飛ばして基板Ｗの表面を乾燥させていた。しかしながら、本実施例においては、基板Ｗの回転速度をレジスト塗布時の回転速度よりも低速にし、完全には薬液が飛ばされないような回転速度としている。そして、薬液が完全には乾燥せず、半乾燥状態となるような所定時間で基板Ｗの回転を停止させる。これにより、基板Ｗの表面の平坦部ｆにある薬液は飛ばして完全乾燥、又は、完全乾燥に近い状態とするが、溝４０内に薬液を少しだけ残しておくことができ、次のレジスト８０を供給する工程で効果的にレジスト８０を溝４０内で溶解し、濡れ性を高めることができる。このように、前処理用の薬液を供給した基板Ｗの表面を生乾き状態とすることにより、薬液のレジスト溶解の効果を最大限発揮させ、次の工程におけるレジストの拡散性を高めることができる。

なお、基板の回転速度は、あまりに遅くすると、基板Ｗの表面が液で満たされた状態となり、レジスト８０の塗布には好ましくないので、基板の表面が完全には乾燥されない程度に適切に調整することが好ましく、例えば、５００〔ｒｐｍ〕以上１０００〔ｒｐｍ〕以下であってもよい。

図６は、第１のレジスト供給工程の開始段階を示した図である。第１のレジスト供給工程は、１回目のレジスト供給工程であり、本実施例においては、基板Ｗを低速で回転させ、レジスト８０の滴下位置を、基板Ｗの外周側から中央に向かって径方向に移動させながら行う。なお、レジスト８０の供給は、基板Ｗの上方に設けられたレジスト供給用ノズル６０から、レジスト８０が基板Ｗの表面上に滴下されることにより行われてよい。よって、レジスト供給用ノズル６０は、移動機構６７を備えてよく、基板Ｗ上を径方向に移動可能に構成されてよい。

第１のレジスト供給工程においては、基板Ｗの回転速度を、１８０〔ｒｐｍ〕以下の低速回転とする。これは、従来のレジスト供給工程の回転速度１５００〜３０００〔ｒｐｍ〕
よりも大幅に遅い速度であり、更に上述の前処理工程の際の基板Ｗの回転速度１０００〔ｒｐｍ〕以下よりも遅い速度設定である。また、レジスト８０の滴下位置は、基板Ｗの外周側から供給を開始し、それから徐々に中央付近に移動させている。つまり、低速回転をさせながら、外側からレジスト８０を供給するということを行っている。

これは、従来のレジスト塗布方法のように、中央から高速回転でレジスト８０を滴下供給すると、中央に供給されたレジスト８０が高速回転により基板Ｗの外側に拡散されるが、基板Ｗの表面の段差が大きいと、途中で大きな段差により妨げられながら少量だけ外側にレジスト８０が拡散してしまい、気泡１８０が発生し易くなってしまうからである。本実施例に係るレジスト塗布方法では、第１のレジスト供給工程においては、基板Ｗを低速で回転させながら、外側からレジスト８０の供給を開始することにより、レジスト８０が中途半端な状態で飛散することを防ぎ、外側から直接的に基板Ｗの表面にレジスト８０を供給する。つまり、中央からのレジスト８０の飛散が無い状態で、レジスト８０を常に基板Ｗの表面に直接滴下して供給することができ、常に基板Ｗの表面に直接的にレジスト８０を供給することが可能となる。

図７は、第１のレジスト供給工程の終了段階を示した図である。図７に示すように、レジスト供給用ノズル６０が中央に達し、レジスト８０の滴下位置が基板Ｗの外周側から中央付近に達したら、回転数を上げ、例えば、４８０〔ｒｐｍ〕以下の回転数で基板Ｗを回転させる。これにより、余分なレジスト８０を振り切り、滴下供給したレジスト８０を基板Ｗに定着させることができる。図６及び図７で説明した第１のレジスト供給工程により、高段差を有する基板Ｗの表面の段差を小さくするように、基板Ｗ全体にレジスト８０を供給することができ、カバレッジ性を良好にすることができる。

図８は、第２のレジスト供給工程の開始段階を示す図である。第２のレジスト供給工程においては、従来のレジスト塗布方法と同様に、基板Ｗを高速の１５００〜３０００〔ｒｐｍ〕の回転速度で回転させ、基板Ｗの中央からレジスト８０を滴下供給するようにしてよい。第１のレジスト供給工程において、高段差パターンの段差が小さくなっているので、基板Ｗの中央付近からレジスト８０を滴下供給し、高速回転で周辺部に拡散させるような処理を行っても、レジスト８０を基板Ｗの表面上に均一に塗布することができる。

また、第２のレジスト供給工程で供給するレジスト８０は、第１の供給工程で供給されたレジスト８０と同じであってよい。例えば、従来、低粘度のレジストを供給してから高粘度のレジストを供給するようなレジスト塗布方法が存在するが、そのようなレジスト塗布方法では、レジストを２種類用意する必要があるので、レジストの用意や処理が煩雑になる問題があった。本実施例に係るレジスト塗布方法によれば、レジスト８０の供給工程を２段階としても、レジスト８０自体は第１のレジスト供給工程と第２のレジスト供給工程で同じレジスト８０を使用できるので、設備及び処理を簡素化することができる。

また、基板Ｗ表面の段差が大きく、例えば１５〜２０〔μｍ〕程度の段差を有する段差パターンが基板Ｗの表面に形成されている場合には、中央部からレジスト８０を滴下するのではなく、第１のレジスト供給工程と同様に、レジスト８０の滴下位置を、基板Ｗの外周側がら中央付近に向かって径方向に移動させるようにしてもよい。このようにすれば、基板Ｗ表面の段差が大きく、第１のレジスト供給工程の終了後もなお大きい段差が存在している場合でも、外側から直接的に基板Ｗの表面にレジスト８０を滴下することができ、気泡１８０の発生を確実に防止することができる。この場合、基板Ｗの回転数は、中央からの滴下供給の場合と同様に高速であってよく、例えば、１５００〜３０００〔ｒｐｍ〕の回転数としてもよい。

更に、場合によっては、やや低速、例えば、１０００〜１５００〔ｒｐｍ〕の回転数で基板Ｗの外周側から中央にレジスト８０の滴下位置を移動させながらレジスト８０を供給し、レジスト８０の滴下位置が中央に達したら、中央でレジスト８０の滴下供給を継続し、１５００〜３０００〔ｒｐｍ〕の高速で基板Ｗを回転させるような処理を行うようにしてもよい。

なお、本実施例においては、基板Ｗが高段差を有する場合を想定し、基板Ｗを低速回転させてレジスト８０の滴下位置を外周側から中央に移動させる第１のレジスト供給工程の後に、基板Ｗを高速回転させる第２のレジスト供給工程を設けている例を挙げて説明している。しかしながら、第２のレジスト供給工程で説明したように、基板Ｗを回転させながら、レジスト８０の滴下位置を基板の外周側から中央部に移動させる工程は、基板Ｗを高速回転させる場合にも効果的である。従って、例えば、１段階のみのレジスト供給工程で十分なカバレッジ性を確保できる段差パターンの基板Ｗの場合には、高速で基板Ｗを回転させつつ、レジスト供給用ノズル６０を基板Ｗの外周側から中央に移動させるようなレジスト供給工程を１回実行するような処理工程としてもよい。このようなレジスト塗布方法によっても、レジスト８０を、中央からの拡散の影響無く、直接的に基板Ｗの外周側から順次滴下供給することができるので、カバレッジ性を向上させる効果が得られる。

このような場合、通常の高速回転の１５００〜３０００〔ｒｐｍ〕で１段階のレジスト供給工程を実行するようにしてもよいが、例えば、上述のような回転速度を変化させた処理を実行してもよい。つまり、１段階のレジスト供給工程において、やや低速の１０００〜１５００〔ｒｐｍ〕で基板Ｗを回転させつつレジスト８０の滴下位置を基板Ｗの外周側から中央に移動させて供給し、滴下位置が中央に達したら、レジスト８０の供給を継続しつつ回転数を１５００〜３０００〔ｒｐｍ〕に上げ、レジスト８０を基板Ｗの全体に行き渡らせるようにすれば、１回のレジスト供給工程で実質的に小さな２段階供給工程を実行することになり、効果的にレジスト８０の塗布を行うことができる。

図９は、第２のレジスト供給工程の最終段階を示した図である。図９において、レジスト８０が表面に供給された基板Ｗが高速の１５００〜３０００〔ｒｐｍ〕に回転され、滴下供給されたレジスト８０が基板Ｗの全面に亘って引き延ばされている。このように、第２のレジスト供給工程の最終段階では、基板Ｗを高速で回転させ、表面に滴下供給されたレジスト８０を拡散させ、十分に回転引き延ばしを行う。これにより、高段差を有する基板Ｗの表面に、均一な膜厚でレジスト８０を塗布することができる。

なお、図９で示した基板Ｗの高速回転を含む工程は、第２のレジスト工程が、単独で１段階のみ行われるレジスト供給工程であった場合にも、レジスト８０を基板Ｗの全面に拡散するため、同様に実行されることが好ましい。

このように、本実施例に係るレジスト塗布方法によれば、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの外周側から中央に向かってレジスト８０の滴下位置を移動させるレジスト供給工程を含むことにより、高段差を有する基板Ｗに対しても、良好なカバレッジ性で基板Ｗの全面にレジスト８０を塗布することができる。

次に、図１０乃至図１４を用いて、本実施例に係るレジスト塗布方法により、溝４０にレジストがどのように供給されるかについて説明する。

図１０は、本実施例に係るレジスト塗布方法が適用される基板Ｗに形成された平面パターンの一例を示した図である。図１０において、アスペクト比の高い溝４０により、パターン４５が形成されているが、パターン４５は、周囲の溝との接続関係を有する連続パターン４６と、単独で形成され、周囲の溝と接続関係の無い孤立パターン４７とを含む。

図１１は、図１０のパターン４５を、Ａ−Ｂ断面で切断した断面構造を示した断面図である。図１１において、細くやや深い溝形状の連続パターン４６と、幅が広くやや浅い溝形状の孤立パターン４７が示されている。この断面図を用いて、以下、本実施例に係るレジスト塗布方法を実行した場合の溝４０内の挙動について説明する。

図１２は、本実施例に係るレジスト塗布方法のレジスト滴下前処理工程におけるパターン４５ａの溝４０の状態を示した図である。本実施例に係るレジスト塗布方法のレジスト滴下前処理工程においては、有機溶剤を含む薬液７０が供給され、基板Ｗの表面が処理される。薬液７０は、例えば、シンナー等を代表例とするレジスト８０を溶解する有機溶剤であることが好ましい。このような薬液７０により基板Ｗの表面を処理することにより、高段差部を含めて、レジスト８０の拡散性を高めることができる。

本前処理工程においては、具体的には、気泡１８０が混入し易いパターンにも、事前に薬液７０を入り込ませることが目的となる。このため、薬液７０を供給した後の回転処理は、基板Ｗ全面に薬液７０を行き渡らせる処理を１０００〔ｒｐｍ〕以下の回転数で行い、完全には乾燥させない処理時間で完了させる。図１２において、基板Ｗの表面の平坦部ｆは完全に乾燥、又は、完全乾燥に近い状態とし、薬液７０はほぼ存在していないが、溝４０の底部に、薬液７０が液体のまま残留した状態が示されている。このような状態とすることにより、次のレジスト供給工程で供給されるレジスト８０が、溝４０の底部に残留した薬液７０に溶解し、気泡１８０を入り込ませることなく、レジスト８０を溝４０の底部に充填することができる。なお、回転数は、０〔ｒｐｍ〕以上１０００〔ｒｐｍ〕以下であれば、種々の回転数に設定されてよいが、あまりに回転数を遅くすると、薬液７０が基板Ｗ上に多く残り過ぎた状態となるので、５００〔ｒｐｍ〕以上であることが好ましい。

従来、レジスト供給工程の前に薬液７０を供給する前処理を行ったとしても、レジスト供給時と同様の１５００〜３０００〔ｒｐｍ〕の高速回転で薬液７０を総て吹き飛ばして完全に乾燥させていたため、薬液７０によるレジスト８０拡散性向上の十分な効果が得られなかった。本実施例に係るレジスト塗布方法の前処理工程においては、薬液７０が供給された基板Ｗの表面を、半乾燥状態に留めることにより、前処理の効果を十分に発揮させている。

なお、前処理工程は、本実施例に係るレジスト塗布方法において、必須の工程ではなく、必要に応じて設けられてよい。また、薬液７０は、シンナー等のレジスト８０を溶解する有機溶剤の他、低粘度のレジスト液が代用されてもよい。低粘度のレジスト液も、有機溶剤を含んでいる薬液の一種である。この場合、次のレジスト供給工程で供給されるレジスト８０を溶解する効果は得られないが、レジスト８０との親和性は有するので、レジスト８０の拡散性は、全く前処理を行わないときよりも向上させることができる。

図１３は、本実施例に係るレジスト塗布方法の第１のレジスト供給工程におけるパターン４５の溝４０の状態を示した図である。第１のレジスト供給工程は、上述の前処理工程が行われた場合には、各パターン４６、４７の溝４０の底部に残留する薬液７０を、レジスト８０に置換させる目的を有するレジスト８０の滴下供給となる。かかる観点から、溝４０の底部で円滑な置換を行うためには、レジスト８０は、基板Ｗの中央部のみでなく、基板Ｗの外周部にも滴下することが必要となる。

よって、本実施例に係るレジスト塗布方法においては、第１のレジスト供給工程においては、基板Ｗの外周部からレジスト８０の滴下供給を開始し、中央部に向かって滴下位置をスキャン移動させている。これにより、基板Ｗの外周部に対しても、直接的はレジスト８０の供給が可能となる。その際、基板Ｗは、１８０〔ｒｐｍ〕以下で低速回転させる事が好ましい。このようにすれば、レジスト８０が薬液７０と反応して置換するのに十分な時間が与えられるとともに、遠心力による中央部分から外周側部分への液の拡散を防ぐことができるので、拡散したレジスト８０に外側のパターン４５が影響を受けるおそれが無くなる。また、レジスト８０は基板Ｗの外周側から供給されているので、もし内側からのレジスト８０の拡散が生じたとしても、１度レジスト８０を供給した後に拡散が発生するので、各パターン４５は常に直接滴下によるレジスト８０の供給が最初になされることになり、安定して溝４０内にレジスト８０を滴下供給することができる。

図１３に示すように、各パターン４６、４７の溝４０内には、気泡１８０が入り込むことなくレジスト８０が充填されている。気泡１８０が入り込み易い孤立パターン４７についても、気泡１８０を発生させることなくレジスト８０が充填されているのが分かる。また、レジスト８０の溝４０への充填により、基板Ｗの表面は、高段差パターン４５から見掛け上段差の少ないパターンに変化していることが分かる。このように、第１のレジスト供給工程においては、低速回転と基板Ｗの外周側からのレジスト８０の供給により、高段差パターン４５の溝４０に確実にレジスト８０を充填し、基板Ｗの表面の段差を小さくすることができる。

なお、低速回転の速度は、０〔ｒｐｍ〕以上１８０〔ｒｐｍ〕以下の範囲で任意に設定できるが、あまり遅過ぎると、スループットが低下するので、例えば、５０〔ｒｐｍ〕以上１８０〔ｒｐｍ〕以下の回転数としてもよい。また、レジスト８０の滴下位置が中央に達したら、少し回転数を上昇させて、４８０〔ｒｐｍ〕以下の回転数で余分なレジスト８０を振り切り、基板Ｗ上のレジスト８０を定着させることが好ましい。この時の回転数は、例えば、２００〔ｒｐｍ〕以上４８０〔ｒｐｍ〕以下の適切な回転数に設定してもよい。

また、図１３で説明した第１のレジスト供給工程は、図１２で説明した前処理工程が存在しない場合であっても、十分な効果を有する。有機溶剤の薬液７０が溝４０内に供給されていないと、レジスト８０を溶解して置換する効果は得られないが、内側からの拡散による供給よりも、十分な量のレジスト８０が溝４０の直上から滴下供給されるので、溝４０への充填効率は向上し、気泡１８０も発生し難い供給形態となるからである。よって、図１２で説明した前処理を行うことなく、第１のレジスト供給工程を実行するようにしてもよい。

図１４は、本実施例に係るレジスト塗布方法の第２のレジスト供給工程を示した図である。第２のレジスト供給工程は、最終的に基板Ｗの全面を覆う目的でのレジスト供給工程である。つまり、第１のレジスト供給工程では、基板Ｗの表面は、なお凹凸が多く、場所によってはパターン４５が露出している箇所があるため、これらの箇所にレジスト８１を供給し、表面を全面的に被覆するために行う処理工程である。図１４においては、第１のレジスト供給工程において供給されたレジスト８０の上に、第２のレジスト供給工程で供給されたレジスト８１が滴下供給され、基板Ｗの表面は、均一な膜厚のレジスト８１で覆われた状態となっている。なお、図１４においては、理解の容易のために第１のレジスト供給工程で供給したレジスト８０と、第２のレジスト供給工程で供給したレジスト８１を区別しているが、実際には、レジスト８０とレジスト８１は同じレジストであってよい。

第２のレジスト供給工程におけるレジスト８０の滴下位置は、基本的には、中央滴下によって行われてよい。また、基板Ｗの回転速度も、１５００〔ｒｐｍ〕以上３０００〔ｒｐｍ〕の高速回転で実行されてよい。第１のレジスト供給工程により、基板Ｗの表面（レジスト表面）の段差を相当に小さくなっているため、通常のレジスト塗布方法によっても、十分基板Ｗの表面全体を覆うことができると考えられるからである。しかしながら、第１のレジスト供給工程後のレジスト表面の凹凸状態によっては、外周側から中央へのスキャン移動によりレジスト８１を供給するようにしてもよい。

なお、外周側から中央部にレジスト８１の滴下位置を移動させる動作は、本工程で説明したように、基板を高速回転させている場合にも効果がある。よって、本実施例に係るレジスト塗布方法は、段差の高いパターン４５を有する基板Ｗのみならず、図１で説明したような通常の素子構造を有する基板Ｗ、又は図２で説明した高耐圧素子構造等で段差が大き過ぎないものには、第２のレジスト供給工程の内容を、そのまま１段のみのレジスト供給工程として適用することができる。このように、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの外周側から中央に向かってレジスト８０、８１の滴下位置を移動させるレジスト供給工程は、種々のレジスト供給工程に適用することができる。

このように、本実施例に係るレジスト塗布方法によれば、高段差を有する溝４０に、気泡１８０を混入させることなくレジスト８０、８１を充填し、最終的に、均一な膜厚でカバレッジ性よくレジスト８０、８１を基板Ｗの表面に塗布することができる。

次に、図１５を用いて、本実施例に係るレジスト塗布方法の処理フローについて説明する。図１５は、本実施例に係るレジスト塗布方法の処理フロー図である。

ステップ１００では、基板Ｗの表面に、薬液７０が供給される。薬液７０は、レジスト８０との親和性を有する、有機溶剤を含む薬液７０が供給される。

ステップ１１０では、基板Ｗが所定の回転数で回転され、供給された薬液７０が半乾燥状態にされる。これにより、溝４０の底部に薬液７０を残留させ、レジスト８０との親和性を高めることができる。

ステップ１２０では、第１のレジスト供給工程が開始される。基板Ｗは、５０〔ｒｐｍ〕以上１８０〔ｒｐｍ〕以下の低速回転で回転させられるとともに、レジスト供給用ノズル６０が基板Ｗの外周側から中央にスキャン移動しながら、基板Ｗ上にレジスト８０を滴下する。

ステップ１３０では、第１のレジスト工程において、レジスト供給用ノズル６０が基板Ｗの中央に到達し、レジスト８０の基板Ｗへの滴下供給が終わった後、基板Ｗの回転数を例えば２００〜４８０〔ｒｐｍ〕に増加させ、余分なレジスト８０を振り切る。そして、第１のレジスト工程を終了する。

ステップ１４０では、第２のレジスト供給工程が行われる。上述のように、中央滴下によりレジスト８１の供給が行われてもよいし、外周側から中央に向かってレジスト８１の供給が行われてもよいし、それらの組み合わせで行われてもよい。その際の基板Ｗの回転速度は、１５００〜３０００〔ｒｐｍ〕の高速で行われてよい。回転数は、若干低い１０００〜１５００〔ｒｐｍ〕で回転させる工程を含んでもよいが、最終的には、レジスト８１を基板Ｗの全面に拡散させるため、１５００〜３０００〔ｒｐｍ〕の高速回転で締めくくることが好ましい。高速回転終了後、本実施例に係るレジスト塗布方法の処理フローを終了する。

このような、一連の工程により、０．５〜２０〔μｍ〕、１〜２０〔μｍ〕、５〜２０〔μｍ〕又は１０〜２０〔μｍ〕というような高段差パターン４５を含む基板Ｗに対しても、レジスト塗布を良好なカバレッジ性で行うことができる。

また、本実施例に係るレジスト塗布方法は、基板Ｗを回転させ、レジスト８０、８１の滴下位置を基板Ｗの外周側から中央に移動させながらレジスト供給を行う工程を含んでいれば良い。つまり、第１のレジスト供給工程及び第２のレジスト供給工程の双方を含んでいる２段の場合には、第１のレジスト供給工程に含まれていればよく、レジスト供給工程が１段の場合には、当該工程がそのような工程を含んでいればよい。ステップ１００、１１０の前処理工程は、そのような種々のレジスト供給工程の前に、必要に応じて設けられてよい。

次に、図１６及び図１７を用いて、本実施例に係るレジスト塗布方法を実施するためのレジスト塗布装置１５０の一例について説明する。

図１６は、本実施例に係るレジスト塗布方法を実施するためのレジスト塗布装置１５０の全体構成の一例を示した図である。図１６において、レジスト塗布装置１５０は、主要構成要素として、前処理液供給用ノズル５０と、レジスト供給用ノズル６０と、スピンチャック９０と、回転駆動部１００と、基板収容部１１０と、排液管１２０と、制御部１３０と、ケーシング１４０とを備える。

図１６に係るレジスト塗布装置１５０において、ケーシング１４０内には、基板収容部１１０が設けられている。基板収容部１１０は、略円筒状に形成され、基板Ｗを囲むように配置されている。基板収容部１１０の下面には、排液管１２０が接続されている。よって、基板Ｗから飛散した液体は、排液管１２０から排液される。

基板収容部１１０の内部には、基板Ｗを保持して回転させる回転機構としてのスピンチャック９０が設けられている。スピンチャック９０は、水平な上面を有し、上面には、例えば、基板Ｗを吸引する吸引口（図示せず）が設けられていてよい。この吸引口からの吸引により、基板Ｗをスピンチャック９０上に吸着でき、基板Ｗを固定支持することができる。スピンチャック９０は、例えばスピンチャック９０に内蔵されたモータなどを回転駆動させる回転駆動部１００を備えてよく、これにより、基板Ｗを所定の速度で回転させることができる。

基板Ｗの上方には、レジスト供給用ノズル６０が設けられている。レジスト供給用ノズル６０は、例えば、レジスト供給管６１によってレジスト液供給源６３に連通している。レジスト供給管６１には、バルブ６２が設けられており、このバルブ６２の開閉動作により所定のタイミングでレジスト供給用ノズル６０からレジストを滴下供給することができる。また、図１６においては図示されていないが、レジスト供給用ノズル６０は、基板Ｗの径方向にスキャン移動可能に構成され、移動機構を備える。この点については、後述する。

また、スピンチャック９０に保持された基板Ｗの上方には、前処理液供給用ノズル５０が配置されている。前処理液供給用ノズル５０は、前処理液供給管５１によって前処理用の薬液７０の前処理液供給源５３に接続されている。前処理液供給管５１は、例えば前処理液供給用ノズル５０が接続されている先端部から水平方向に延びて前処理液供給源５３の上方まで到達し、その後下方に直角に屈折して、バルブ５２を介して前処理液供給源５３内に挿通されている。

制御部１３０は、上述のスピンチャック９０の回転駆動動作、バルブ５２、６２の開閉動作、上述のレジスト供給用ノズル６０の移動機構などの駆動系の動作の制御を行う。制御部１３０は、このような演算処理を行う手段として構成され、例えば、プログラムにより動作するコンピュータにより構成されてもよいし、所定の電子回路等から構成されてもよい。

次に、図１７を用いて、レジスト液供給用ノズル６０の移動機構６７の一例について説明する。図１７は、図１６に係るレジスト塗布装置１５０の平面図である。

図１７に示すように、例えば基板収容部１１０の手前側には、Ｘ方向に沿って延在するレール６６が形成されている。レール６６は、基板Ｗの半径分を移動可能なように、基板Ｗの半径分をカバーするように形成されている。レール６６には、駆動部６５が取り付けられている。駆動部６５には、アーム６４が設けられ、アーム６４には、レジスト供給用ノズル６０が支持されている。アーム６４は、例えばモータなどの駆動部６５によってレール６６上を移動自在であり、レジスト液供給用ノズル６０を基板Ｗの外周側から、中央に向かって径方向にスキャン移動させることができる。

例えば、このような移動機構６７を設けることにより、レジスト供給用ノズル６０を移動させ、レジスト８０、８１の滴下位置を、外周側から中央に移動させることができる。

また、前処理液である薬液７０の供給は、基板Ｗの中央からでよいので、前処理液供給用ノズル５０は、基板Ｗの中央に固定された配置となっている。これにより、前処理液である薬液７０を、基板Ｗの中央部から安定して供給することができる。

なお、図１６及び図１７においては、レジスト供給用ノズル６０は、Ｘ方向に平行移動する構成の例を挙げて説明したが、例えば、図１７の前処理液供給用ノズル５０とレジスト供給用ノズル６０とを交換し、図１７の前処理液供給用ノズル５０を、支点５５を回転中心として回転移動可能に構成してもよい。このような機構によっても、レジスト８０、８１の滴下位置を、基板Ｗの外周側から中央に移動させることが可能となる。なお、この場合には、レジスト供給用ノズル６０は、移動機構６７を設けず、中央に固定する構成としてもよい。

このように、レジスト供給用ノズル６０を移動可能に構成し、チャックテーブル９０の回転数を制御可能に構成することにより、本実施例に係るレジスト塗布方法を好適に実行することができる。また、レジスト８０、８１は１種類でよいので、レジスト供給用ノズル６０も１本用意するだけでよく、レジスト塗布装置１５０を簡素に構成することが可能となる。

なお、図１６及び図１７で示したレジスト塗布装置１５０は、本実施例に係るレジスト塗布方法を実施するための装置の一例に過ぎず、他の態様の装置によっても実施可能であることは言うまでも無い。

以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。

本実施例に係るレジスト塗布方法に適用され得る基板Ｗの断面構造図である。 基板Ｗの図１とは異なる断面構造の一例を示した図である。 基板Ｗの図１及び図２とは異なる断面構造の一例を示した図である。 孤立形状構造を含む溝４０によるパターン４５ａを示した図である。図４（ａ）は、孤立形状構造を含むパターン４５ａの平面構成の一例を示した図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＣ−Ｄで切断した断面構成を示した図である。 レジスト滴下前処理工程を示した図である。 第１のレジスト供給工程の開始段階を示した図である。 第１のレジスト供給工程の終了段階を示した図である。 第２のレジスト供給工程の開始段階を示す図である。 第２のレジスト供給工程の最終段階を示した図である。 基板Ｗに形成された平面パターンの一例を示した図である。 図１０のパターン４５をＣ−Ｄ断面で切断した断面図である。 レジスト滴下前処理工程における溝４０の状態を示した図である。 第１のレジスト供給工程における溝４０の状態を示した図である。 第２のレジスト供給工程を示した図である。 本実施例に係るレジスト塗布方法の処理フロー図である。 レジスト塗布装置１５０の全体構成の一例を示した図である。 図１６に係るレジスト塗布装置１５０の平面図である。 従来のレジスト塗布方法によるレジスト塗布のウエハの状態を示した図である。図１８（ａ）は、ウエハ断面図の一例を示した図である。図１８（ｂ）はウエハ表面状態の一例を示した図である。 従来のレジスト塗布方法による不具合の発生状態を示した図である。図１９（ａ）は、ウエハＷ上に形成されたパターン４５を示した平面図の一例である。図１９（ｂ）は、図１９（ａ）のＡ−Ｂ断面を示したパターン断面図である。 従来のスプレーを用いた塗布方法を行ったウエハＷの断面を示した図である。

符号の説明

１０ アイソレーション
２０ 配線
３０ 層間膜
４０ 溝
４５、４５ａ、４６、４６ａ、４７、４７ａ、４８ａ パターン
５０ 前処理液供給用ノズル
５１ 前処理液供給管
５２、６２ バルブ
５３ 前処理液供給源
５５ 支点
６０ レジスト供給用ノズル
６１ レジスト供給管
６３ レジスト供給源
６４ アーム
６５ 駆動部
６６ レール
６７ 移動機構
７０ 薬液
８０、８１ レジスト
９０ スピンチャック
１００ 回転駆動部
１１０ 基板収容部
１２０ 排液管
１３０ 制御部
１４０ ケーシング
１５０ レジスト塗布装置
１６０ スプレーノズル
１７０ 塗布ムラ
１８０ 気泡
１９０ 空洞

Claims (12)

1. 段差を有する基板の表面に、レジストを滴下して塗布するレジスト塗布方法であって、
   前記基板を所定の回転速度で回転させ、前記レジストの滴下位置を、前記基板の外周側から中央に移動させながら供給するレジスト供給工程を含むことを特徴とするレジスト塗布方法。
2. 前記レジスト供給工程の後に、前記基板を前記所定の回転速度よりも高速の第２の回転速度で回転させ、前記レジストを滴下して供給する第２のレジスト供給工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のレジスト塗布方法。
3. 前記第２のレジスト供給工程の前記レジストの滴下位置は、前記基板の中央付近の位置であることを特徴とする請求項２に記載のレジスト塗布方法。
4. 前記第２のレジスト供給工程の前記レジストの滴下位置を、前記基板の外周側から中央に移動させながら供給することを特徴とする請求項２に記載のレジスト塗布方法。
5. 前記レジスト供給工程の前に、有機溶剤を含む薬液を前記基板の表面に滴下して供給する前処理工程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のレジスト塗布方法。
6. 前記前処理工程は、前記薬液が供給された状態で、前記所定の回転速度よりも高速かつ前記第２の回転速度よりも低速で前記基板を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項５に記載のレジスト塗布方法。
7. 前記薬液は、前記レジストを溶解する有機溶剤であることを特徴とする請求項５又は６に記載のレジスト塗布方法。
8. 前記薬液は、前記レジストよりも低粘度のレジスト液であることを特徴とする請求項５又は６に記載のレジスト塗布方法。
9. 前記段差は、深さの方が幅よりも大きい溝を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のレジスト塗布方法。
10. 前記段差は、周辺部との差が０．５μｍ以上２０μｍ以下の段差を含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のレジスト塗布方法。
11. 溝と平坦部を有する基板の表面に、レジストを滴下して塗布するレジスト塗布方法であって、
    前記レジストを滴下する前に、前記レジストを溶解する有機溶剤を前記基板の表面に滴下して供給し、
    前記有機溶剤が前記溝内に残留し、前記平坦部は乾燥する半乾燥状態となるように前記基板を回転させ、その後前記レジストを前記基板に滴下して前記レジストの塗布を行うことを特徴とするレジスト塗布方法。
12. 前記基板の回転数は、５００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下の回転数であることを特徴とする請求項１１に記載のレジスト塗布方法。

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