JPWO2017195549A1 - 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
基板に塗布液を供給して当該基板の中心部に局所的な液溜まりA1を形成する第1のステップと、次いで前記液溜まりA1の周縁部に限定的に希釈液を供給して混合液A2を形成する第2のステップと、続いて前記基板を回転させ、遠心力によって前記混合液A2を前記基板の周縁部に向けて展伸させて基板の周縁部を当該混合液A2により被覆し、前記液溜まりを当該混合液A2に被覆された基板の周縁部に向けて展伸させて前記塗布膜を形成する第3のステップと、が実施されるように処理を行う。
【選択図】図8
Description
基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転機構と、
前記基板の表面に塗布膜を形成するための塗布液を前記基板の中心部に供給する塗布液供給ノズルと、
前記塗布液の粘度を低下させるための希釈液を前記基板に供給し、前記塗布液が希釈された混合液を形成するための希釈液供給ノズルと、
前記基板に前記塗布液を供給して当該基板の中心部に局所的な液溜まりを形成する第1のステップと、次いで前記液溜まりの周縁部に限定的に希釈液を供給して混合液を形成する第2のステップと、続いて前記基板を回転させ、遠心力によって前記混合液を前記基板の周縁部に向けて展伸させて基板の周縁部を当該混合液により被覆し、前記液溜まりを当該混合液に被覆された基板の周縁部に向けて展伸させて前記塗布膜を形成する第3のステップと、が行われるように制御信号を出力する制御部と、
を含むことを特徴とする。
基板保持部により基板を水平に保持する工程と、
次いで、塗布液供給ノズルにより、基板の表面に塗布膜を形成するための塗布液を前記基板に供給して、当該基板の中心部に局所的な液溜まりを形成する工程と、
その後、希釈液供給ノズルにより、前記塗布液の粘度を低下させるための希釈液を前記液溜まりの周縁部に限定的に供給して、前記塗布液が希釈された混合液を形成する工程と、
然る後、前記基板保持部を介して基板を回転させる回転機構により前記基板を回転させ、遠心力によって前記混合液を前記基板の周縁部に向けて展伸させて基板の周縁部を当該混合液により被覆し、前記液溜まりを当該混合液に被覆された基板の周縁部に向けて展伸させて前記塗布膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の塗布膜形成方法を実施するためのステップ群が組み込まれていることを特徴とする。
・評価試験1
本発明に関連して行われた評価試験について説明する。評価試験1−1として、上記した発明の実施例の処理として説明した手順に沿って、ウエハWにレジスト膜60を形成した。評価試験1−2として、図5〜図7で説明したプリウエット、レジスト40の液溜まりA1の形成を順次行った後、液溜まりA1の外側にシンナー50を供給し、然る後、ウエハWの回転数を上昇させて液溜まりA1をウエハWの周縁部へ展伸させて、レジスト膜60を形成した。つまり、評価試験1−2では、混合液A2の代わりに、液溜まりA1の形成後に供給されたシンナー50によってウエハWの周縁部が被覆された状態で、液溜まりA1がウエハWの周縁部へと展伸されて、レジスト膜60が形成されるようにした。また、評価試験1−3として、図15、図16で説明した、液溜まりA1の形成後にウエハWへのシンナー50の供給が行われない比較例の処理を行い、レジスト膜60を形成した。
膜厚の不均一性(%)=((測定された膜厚の最大値−測定された膜厚の最小値)/測定された膜厚の平均値)×100・・・式1
A2 混合液
W ウエハ
1 レジスト膜形成装置
10 制御部
11 スピンチャック
12 回転機構
40 レジスト
41 レジスト供給ノズル
51 シンナー供給ノズル
Claims (8)
- 基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転機構と、
前記基板の表面に塗布膜を形成するための塗布液を前記基板の中心部に供給する塗布液供給ノズルと、
前記塗布液の粘度を低下させるための希釈液を前記基板に供給し、前記塗布液が希釈された混合液を形成するための希釈液供給ノズルと、
前記基板に前記塗布液を供給して当該基板の中心部に局所的な液溜まりを形成する第1のステップと、次いで前記液溜まりの周縁部に限定的に希釈液を供給して混合液を形成する第2のステップと、続いて前記基板を回転させ、遠心力によって前記混合液を前記基板の周縁部に向けて展伸させて基板の周縁部を当該混合液により被覆し、前記液溜まりを当該混合液に被覆された基板の周縁部に向けて展伸させて前記塗布膜を形成する第3のステップと、が行われるように制御信号を出力する制御部と、
を含むことを特徴とする塗布膜形成装置。 - 前記塗布液の粘度は、500cP〜5000cPであることを特徴とする請求項1記載の塗布膜形成装置。
- 前記第2のステップは、第1の回転数で前記基板を回転させるステップを含み、
前記第3のステップは、前記第1の回転数よりも高い第2の回転数で基板を回転させるステップを含むことを特徴とする請求項1記載の塗布膜形成装置。 - 前記希釈液供給ノズルを移動させるためのノズル移動機構が設けられ、
前記第2のステップは、前記基板の表面において希釈液が供給される位置が前記液溜まりの径方向に沿って移動するように、前記ノズル移動機構によって前記希釈液供給ノズルを移動させるステップを含むことを特徴とする請求項1記載の塗布膜形成装置。 - 前記第2のステップは、
前記基板において前記塗布液の液溜まりの外側に前記希釈液を供給するステップと、
続いて回転する前記基板において当該希釈液が供給される位置が前記塗布液の液溜まりの中心部側へ向かうように前記希釈液供給ノズルを移動させて、前記塗布液の液溜まりの周縁部に当該希釈液を供給するステップと、を含むことを特徴とする請求項4記載の塗布膜形成装置。 - 前記第3のステップは、
前記希釈液供給ノズルから前記希釈液を供給するステップと、
前記基板の表面において希釈液が供給される位置が、展伸される前記液溜まりの端部の位置に対応して前記基板の中心部側から周縁部側へ向けて移動するように、前記ノズル移動機構によって前記希釈液供給ノズルを移動させるステップと、を含むことを特徴とする請求項1記載の塗布膜形成装置。 - 基板保持部により基板を水平に保持する工程と、
次いで、塗布液供給ノズルにより、基板の表面に塗布膜を形成するための塗布液を前記基板に供給して、当該基板の中心部に局所的な液溜まりを形成する工程と、
その後、希釈液供給ノズルにより、前記塗布液の粘度を低下させるための希釈液を前記液溜まりの周縁部に限定的に供給して、前記塗布液が希釈された混合液を形成する工程と、
然る後、前記基板保持部を介して基板を回転させる回転機構により前記基板を回転させ、遠心力によって前記混合液を前記基板の周縁部に向けて展伸させて基板の周縁部を当該混合液により被覆し、前記液溜まりを当該混合液に被覆された基板の周縁部に向けて展伸させて前記塗布膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする塗布膜形成方法。 - 基板に塗布膜を形成する塗布膜形成装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項7記載の塗布膜形成方法を実施するためのステップ群が組み込まれていることを特徴とする記憶媒体。
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