JP2002158162A - 塗布方法および塗布装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 塗布処理における塗布液消費効率の向上と処
理時間の短縮化を同時に実現すること。 【解決手段】 レジストノズル７０およびシンナーノズ
ル８０を基板Ｇの内接円Ｋの直上にセットし、基板Ｇを
所定の低い回転速度でスピン回転させ、シンナーノズル
８０よりシンナーＴを基板内接円Ｋの円周上付近に滴下
し、遠心力により内接円Ｋの外側の領域Ｇbに万遍無く
シンナーＴを塗布する（シンナープリウェット工程）。
次に、レジストノズル７０よりレジスト液Ｒを吐出させ
ながら基板中心点に向かって移動させることにより、内
接円Ｋの円周から基板中心点に向かって環状にレジスト
液Ｒを塗布していく。これにより、レジストノズル７０
が基板内接円Ｋの中心点付近を少し過ぎた位置まで移動
すると、基板内接円Ｋの内側領域つまり前置塗布領域Ｇ
aの全域に隈なくレジスト液Ｒが供給され、所定の膜厚
で塗布膜が形成される（前置塗布工程）。次に、基板Ｇ
を高速度でスピン回転させてレジスト液Ｒを振り切り、
基板Ｇ上のレジスト膜をレベリングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板上に液
体を塗布して塗布膜を形成する方法および装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＬＣＤや半導体デバイスの製
造プロセスにおけるリソグラフィー工程では、被処理基
板（ガラス基板、半導体基板）上にレジスト液を塗布す
るために、いわゆるスピンコート法が常用ないし多用さ
れている。しかし、従来一般のスピンコート法では、被
処理基板をかなりの高速度でスピン回転させるため、多
量のレジスト液が遠心力で基板の外へ飛散して、無駄に
捨てられたりパーティクルの原因になるという問題があ
る。また、基板が大型化すると、スピン回転時に基板外
周部において周速度が大きいために空気の乱流を引き起
こしやすく、レジスト膜の膜厚の変動ひいては解像度の
低下を招きやすいといった問題もある。

【０００３】そこで、スピンコート法に替わる新しいレ
ジスト塗布法として、図２１に示すように、被処理基板
１上でレジストノズル２をたとえば直角ジグザグ状に相
対移動または走査させながらレジストノズル２よりレジ
スト液Ｒを細径の線状で連続的に吐出させることによ
り、高速回転を要することなく基板１上に万遍無く所望
の膜厚でレジスト液Ｒを塗布するようにした技法（スピ
ンレス法）が提案されている。このスピンレス法に使用
されるレジストノズル２は、口径の非常に小さい（たと
えば１００μｍ程度の）吐出口を有し、相当高い圧力で
レジスト液Ｒを吐出するように構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のようなスピンレ
ス法において、被処理基板１の端から端まで均一な膜厚
のレジスト膜を形成するには、少なくとも基板１上では
レジストノズル２からのレジスト液Ｒの供給（吐出）レ
ートを連続的かつ一定に維持しなければならない。この
ため、図２１に示すように、レジストノズル２の走査範
囲を基板１よりも大きめに設定し、レジストノズル２が
各ライン走査の折り返し付近で基板１の外にいったん出
ている間もレジスト液Ｒを吐出し続けるようにしてい
る。しかし、基板１の外で吐出されたレジスト液Ｒは、
基板周囲に配置されたレジスト受部または回収部（図示
せず）に受けられたうえで捨てられ、無駄になってい
る。

【０００５】また、基板１上に細径の線状で供給される
レジスト液Ｒの塗布ラインをライン幅方向に挟いピッチ
で連続または接続させる形で基板全面に均一な膜厚の塗
布膜を得る方式であるため、レジストノズル２の全走査
距離は相当長く、したがって全走査時間つまり塗布処理
時間も相当長くなる。このため、スループットの向上が
難しいという課題がある。

【０００６】さらに、レジストノズル２の吐出口が非常
に小さく、目詰まりを起こしやすいため、メンテナンス
が面倒であるという問題もある。

【０００７】本発明は、上記のような従来技術の問題点
に鑑みてなされたもので、塗布処理における塗布液消費
効率の向上と処理時間の短縮化を同時に実現する塗布方
法を提供することを目的とする。

【０００８】本発明の別の目的は、大型の被処理基板に
対しても均一な膜厚を有する高品質の塗布膜を効率よく
形成できるようにした塗布方法を提供することにある。

【０００９】本発明の別の目的は、塗布液を細径の線状
で吐出する塗布方式において微細径吐出条件を緩和し、
ひいてはノズル等の設計やメンテナンスを容易にする塗
布方法を提供することにある。

【００１０】本発明の他の目的は、本発明の塗布方法を
実施するのに好適な塗布装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の塗布方法は、被処理基板を第１の
回転速度でスピン回転させながら、前記基板上に設定さ
れた基板中心部を含む前置塗布領域に所定の塗布液を供
給して塗布する第１の工程と、前記第１の工程の後に、
前記基板を前記第１の回転速度よりも高速の第２の回転
速度でスピン回転させて、前記基板上で前記塗布液を広
げてほぼ均一な膜厚の塗布膜を形成する第２の工程とを
有する。

【００１２】この第１の塗布方法は、被処理基板に対す
る塗布処理を２段階の工程（第１および第２の工程）で
構成する。第１の工程（前置塗布工程）では、基板を比
較的低速の第１の回転速度でスピン回転させながら基板
上の前置塗布領域に塗布液を塗布するので、該領域内
に、かつその全域に塗布液を速やかに行き渡らせること
ができる。第２の工程（レベリング工程）では、前置塗
布工程における回転速度よりも高速の回転速度でスピン
回転させて前置塗布領域上の塗布液を遠心力で基板外周
端より振り切りながら基板全体に広げ、均一かつ所望の
厚さにする。第２の工程においては、レベリングの精度
を高めるために、好ましくは、基板をほぼ密閉状態の処
理室内でスピン回転させると同時に、処理室を第２の回
転速度またはそれに近い速度で基板と同じ回転方向に回
転させてよい。

【００１３】この第１の塗布方法では、好ましい一態様
として、前置塗布領域を、基板上の内接円またはそれに
近い円を境界としてその内側の領域とすることができ
る。このように、基板中心部を含む円形領域に設定する
ことで、基板の回転運動を利用して前置塗布領域に膜厚
または密度の均一な前置塗布膜を効率よく形成できると
ともに、レベリング工程においても前置塗布領域からの
塗布液の均一拡散を効率よく行える。

【００１４】このような内接円前置塗布方式において
は、第２の工程の前に、基板上の前置塗布領域よりも外
側の領域に溶剤を塗布する第３の工程（プリウェット工
程）を行うことが好ましい。このように基板上の前置塗
布領域よりも外側の領域を溶剤で濡らしておくことによ
り、レベリング工程において基板上のレジスト液膜の拡
散・平坦化をスムースに行い、精度の高いレベリングを
実現できる

【００１５】上記第３の工程の好ましい一態様は、第１
の工程の前またはそれと同時に、基板を第２の回転速度
よりも低速の第３の回転速度または第１の回転速度でス
ピン回転させながら、第２のノズルより溶剤を前置塗布
領域の外周または境界付近に滴下して、前置塗布領域よ
りも外側の基板領域に溶剤をほぼ万遍無く塗布する。こ
のように基板の回転運動を利用することで、前置塗布領
域の回りに溶剤を速やかにかつ均一に塗布することがで
きる。

【００１６】前置塗布領域の好ましい別の態様として、
基板上の外接円またはそれに近い円を境界としてその内
側の領域を設定することができる。かかる外接円前置塗
布方式は、基板上に全面塗布するため、プリウェット工
程は不要であり、レベリング工程における高速スピン回
転の回転速度を下げることができる。

【００１７】本発明の第２の塗布方法は、被処理基板に
向けて所定の塗布液を吐出するノズルを前記基板に対し
て相対的に移動させて、前記基板に設定された前置塗布
パターン上に前記塗布液を塗布する第１の工程と、前記
第１の工程の後に、前記基板を前記第１の回転速度より
も高速の第２の回転速度でスピン回転させて、前記基板
上で前記塗布液を広げてほぼ均一な膜厚の塗布膜を形成
する第２の工程とを有する。

【００１８】この第２の塗布方法でも、被処理基板に対
する塗布処理を２段階の工程で構成する。第１の工程
（前置塗布工程）では、ノズルを所定の前置塗布パター
ンをなぞるようにして基板上を走査させる。前置塗布パ
ターンとしては、たとえば、基板の形状に応じた渦巻き
形状、斜めジグザグ形状あるいは直角ジグザグ形状を選
択することができ、ノズルを基板の外に出さずに始終基
板内を走査させ、基板全体に一様な密度または分布で前
置塗布膜を形成することができる。第２の工程（レベリ
ング工程）では、上記第１の塗布方法と同様に、前置塗
布工程における回転速度よりも高速の回転速度でスピン
回転させて前置塗布領域上の塗布液を遠心力で基板外周
端より振り切りながら基板全体に広げ、均一かつ所望の
厚さに平坦化する。

【００１９】本発明の塗布装置は、被処理基板を水平姿
勢で保持するための回転可能な保持手段と、前記保持手
段を収容する実質的に密閉可能な処理容器と、前記保持
手段に保持される前記基板に向けて所定の塗布液を吐出
するためのノズルを含む塗布液供給手段と、前記基板に
設定された所定の前置塗布領域または所定の前置塗布パ
ターン上に前記塗布液を塗布するために前記ノズルを前
記基板に対して相対的に移動させるための走査手段と、
前記基板を前記保持手段と一体にスピン回転させるため
の第１の回転手段と、前記処理容器をスピン回転させる
ための第２の回転手段とを有する。

【００２０】上記の装置構成において、上記第１の塗布
方法における前置塗布工程を行うために、好ましくは、
走査手段が、第１のノズルを基板の中心部の位置と基板
の内接円またはそれに近い円の円周上の位置との間で移
動させる手段を含む構成、あるいは第１のノズルを基板
の中心部の位置と基板の外接円の円周上の位置との間で
移動させる手段を含む構成としてよい。

【００２１】また、上記第２の塗布方法における前置塗
布工程を行うために、好ましくは、走査手段が、第１の
ノズルを保持手段上の基板と平行な面内で任意の方向に
移動させる手段を含む構成としてよい。

【００２２】また、レベリング工程に先立って、基板上
の所望の領域を溶剤でプリウェットするために、保持手
段に保持される基板上の所望の位置に溶剤を滴下するた
めの溶剤供給手段を有してよい。この場合、溶剤吐出用
のノズル（第２のノズル）を塗布液吐出用のノズル（第
１のノズル）と一体的に移動させる構成とすることがで
きる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図２０を参照して本
発明の好適な実施形態を説明する。

【００２４】図１に、本発明による塗布装置が組み込み
可能なシステム例として塗布現像処理システムを示す。
この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置
され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製
造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗
浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベー
クの各処理を行うものである。露光処理は、このシステ
ムに隣接して設置される外部の露光装置（図示せず）で
行われる。

【００２５】この塗布現像処理システムは、大きく分け
て、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と、プロセス
ステーション（Ｐ／Ｓ）１２と、インタフェース部（Ｉ
／Ｆ）１４とで構成される。

【００２６】システムの一端部に設置されるカセットス
テーション（Ｃ／Ｓ）１０は、複数の基板Ｇを収容する
カセットＣを所定数たとえば４個まで載置可能なカセッ
トステージ１６と、このステージ１６上のカセットＣに
ついて基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２０とを備えて
いる。この搬送機構２０は、基板Ｇを保持できる手段た
とえば搬送アームを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作
可能であり、後述するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）
１２側の主搬送装置３８と基板Ｇの受け渡しを行えるよ
うになっている。

【００２７】プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２は、
上記カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０側から順に洗
浄プロセス部２２と、塗布プロセス部２４と、現像プロ
セス部２６とを基板中継部２３、薬液供給ユニット２５
およびスペース２７を介して（挟んで）横一列に設けて
いる。

【００２８】洗浄プロセス部２２は、２つのスクラバ洗
浄ユニット（ＳＣＲ）２８と、上下２段の紫外線照射／
冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０と、加熱ユニット
（ＨＰ）３２と、冷却ユニット（ＣＯＬ）３４とを含ん
でいる。

【００２９】塗布プロセス部２４は、レジスト塗布ユニ
ット（ＣＴ）４０と、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２
と、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）４４と、上下２
段型アドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４
６と、上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）
４８と、加熱ユニット（ＨＰ）５０とを含んでいる。

【００３０】現像プロセス部２６は、３つの現像ユニッ
ト（ＤＥＶ）５２と、２つの上下２段型加熱／冷却ユニ
ット（ＨＰ／ＣＯＬ）５５と、加熱ユニット（ＨＰ）５
３とを含んでいる。

【００３１】各プロセス部２２，２４，２６の中央部に
は長手方向に搬送路３６，５２，５８が設けられ、主搬
送装置３８，５４，６０が各搬送路に沿って移動して各
プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Ｇの搬入
／搬出または搬送を行うようになっている。なお、この
システムでは、各プロセス部２２，２４，２６におい
て、搬送路３６，５２，５８の一方の側にスピンナ系の
ユニット（ＳＣＲ，ＣＴ，ＤＥＶ等）が配置され、他方
の側に熱処理または照射処理系のユニット（ＨＰ，ＣＯ
Ｌ，ＵＶ等）が配置されている。

【００３２】システムの他端部に設置されるインタフェ
ース部（Ｉ／Ｆ）１４は、プロセスステーション１２と
隣接する側にイクステンション（基板受け渡し部）５７
およびバッファステージ５６を設け、露光装置と隣接す
る側に搬送機構５９を設けている。

【００３３】図２に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ
／Ｓ）１０において、搬送機構２０が、ステージ１６上
の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の洗浄プロセス部
２２の主搬送装置３８に渡す（ステップＳ1）。

【００３４】洗浄プロセス部２２において、基板Ｇは、
先ず紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０に
順次搬入され、上段の紫外線照射ユニット（ＵＶ）では
紫外線照射による乾式洗浄を施され、次に下段の冷却ユ
ニット（ＣＯＬ）では所定温度まで冷却される（ステッ
プＳ2）。この紫外線照射洗浄では基板表面の有機物が
除去される。これによって、基板Ｇの濡れ性が向上し、
次工程のスクラビング洗浄における洗浄効果を高めるこ
とができる。

【００３５】次に、基板Ｇはスクラバ洗浄ユニット（Ｓ
ＣＲ）２８の１つでスクラビング洗浄処理を受け、基板
表面から粒子状の汚れが除去される（ステップＳ3）。
スクラビング洗浄の後、基板Ｇは、加熱ユニット（Ｈ
Ｐ）３２で加熱による脱水処理を受け（ステップＳ
4）、次いで冷却ユニット（ＣＯＬ）３４で一定の基板
温度まで冷却される（ステップＳ5）。これで洗浄プロ
セス部２２における前処理が終了し、基板Ｇは、主搬送
装置３８により基板受け渡し部２３を介して塗布プロセ
ス部２４へ搬送される。

【００３６】塗布プロセス部２４において、基板Ｇは、
先ずアドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４
６に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）では疎水化処理（ＨＭＤＳ）を受け（ステップＳ
6）、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度ま
で冷却される（ステップＳ7）。

【００３７】その後、基板Ｇは、レジスト塗布ユニット
（ＣＴ）４０でレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥
ユニット（ＶＤ）４２で減圧による乾燥処理を受け、次
いでエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）４４で基板周縁
部の余分（不要）なレジストを除かれる（ステップＳ
8）。

【００３８】次に、基板Ｇは、加熱／冷却ユニット（Ｈ
Ｐ／ＣＯＬ）４８に順次搬入され、最初の加熱ユニット
（ＨＰ）では塗布後のベーキング（プリベーク）が行わ
れ（ステップＳ9）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一
定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。なお、
この塗布後のベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５０を
用いることもできる。

【００３９】上記塗布処理の後、基板Ｇは、塗布プロセ
ス部２４の主搬送装置５４と現像プロセス部２６の主搬
送装置６０とによってインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４
へ搬送され、そこから露光装置に渡される（ステップＳ
11）。露光装置では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パ
ターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基
板Ｇは、露光装置からインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４
に戻される。インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４の搬送機
構５９は、露光装置から受け取った基板Ｇをイクステン
ション５７を介してプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１
２の現像プロセス部２６に渡す（ステップＳ11）。

【００４０】現像プロセス部２６において、基板Ｇは、
現像ユニット（ＤＥＶ）５２のいずれか１つで現像処理
を受け（ステップＳ12）、次いで加熱／冷却ユニット
（ＨＰ／ＣＯＬ）５５の１つに順次搬入され、最初の加
熱ユニット（ＨＰ）ではポストベーキングが行われ（ス
テップＳ13）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基
板温度まで冷却される（ステップＳ14）。このポストベ
ーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５３を用いることもで
きる。

【００４１】現像プロセス部２６での一連の処理が済ん
だ基板Ｇは、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）２４内の
搬送装置６０，５４，３８によりカセットステーション
（Ｃ／Ｓ）１０まで戻され、そこで搬送機構２０により
いずれか１つのカセットＣに収容される（ステップＳ
1）。

【００４２】この塗布現像処理システムにおいては、塗
布プロセス部２４のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０
に本発明を適用することができる。以下、図３〜図２０
につき本発明をレジスト塗布ユニット（ＣＴ）に適用し
た実施形態を説明する。

【００４３】図３および図４に、第１の実施形態におけ
るレジスト塗布ユニット（ＣＴ）の要部の構成を示す。

【００４４】このレジスト塗布ユニット（ＣＴ）は、基
板Ｇをほぼ水平姿勢で保持して一体に回転するスピンチ
ャック６０と、このスピンチャック６０およびチャック
上の基板Ｇの側方の周囲を包囲する回転可能な有底円筒
状の回転カップ６２と、この回転カップ６２の上部開口
を閉塞可能な蓋体（図示せず）と、回転カップ６２の外
周を取り囲む固定設置型のドレインカップ６４と、基板
Ｇの上面（被処理面）にレジスト液を供給するレジスト
供給機構６６と、基板Ｇ上の後述する所定の領域に溶剤
たとえばシンナーを供給する溶剤供給機構６８とを備え
ている。

【００４５】レジスト供給機構６６は、基板Ｇにレジス
ト液を吐出して供給するためのレジストノズル７０と、
このレジストノズル７０にレジスト供給管７２を介して
レジスト液を送るレジスト供給部（図示せず）と、レジ
ストノズル７０をアーム７４の先端部で支持し、垂直方
向に延在する回転軸７６を回転中心としてアーム７４お
よびノズル７０を水平面内で回動またはスウィングさせ
るノズル駆動部７８とを有している。ノズル駆動部７８
内に、回転軸７６を昇降させてアーム７４およびノズル
７０を上下移動させる昇降機構を設けてもよい。アーム
７４は、レジストノズル７０を回転カップ６２内でスピ
ンチャック６０に保持されている基板Ｇの中心部の直上
まで運べるほどのアーム長を有している。

【００４６】溶剤供給機構６８は、基板Ｇにシンナーを
吐出または滴下して供給するためのシンナーノズル８０
と、このシンナーノズル８０にシンナー供給管８２を介
してシンナーを送るシンナー供給部（図示せず）とを有
している。シンナーノズル８０は、レジストノズル７０
に付着または付随してノズルアーム駆動部７８に取り付
けられており、レジストノズル７０と一緒に移動するよ
うになっている。

【００４７】ドレインカップ６４の外には、Ｙ方向に延
びる一対のガイドレール８４，８４が設けられ、両ガイ
ドレール８４，８４上を一対の搬送アーム８６，８６が
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０と乾燥ユニット（Ｖ
Ｄ）４２（図１）との間で移動できるようになってい
る。

【００４８】スピンチャック６０は、スピンチャック駆
動部８８に結合され、駆動部８８の回転駆動により垂直
回転軸を中心としてスピン回転し、駆動部８８の昇降駆
動により垂直方向で上下移動するようになっている。ス
ピンチャック６０の上面には、負圧源たとえば真空ポン
プに接続されているチャック吸引口（図示せず）が設け
られており、チャック吸引口で基板Ｇの裏面を吸着する
ようになっている。

【００４９】回転カップ６２は、スピンチャック駆動部
８８と共通の、または別個のカップ駆動部（図示せず）
に結合され、該カップ駆動部の回転駆動によりスピンチ
ャック６０と一緒につまり等速度で同じ回転方向に回転
するように構成されている。回転カップ６２の上面開口
を閉塞するための上記カップ蓋体は、ロボットハンド
（図示せず）によるハンドリング操作で回転カップ６２
の開口周縁部に着脱可能に係合され、係合状態では回転
カップ６２と一体に回転するようになっている。ドレイ
ンカップ６４は、回転カップ６２からの排気や排液をい
ったん受け入れて、所定の排気または廃液処理部（図示
せず）へ送るように構成されている。

【００５０】図５および図６に、この実施形態における
レジストノズル７０の構成例を示す。図５に示すよう
に、レジストノズル７０の本体は、たとえばステンレス
鋼（ＳＵＳ）からなり、レジスト供給管７２の終端（図
示せず）よりレジスト液を導入するための導入通路７０
ａと、導入したレジスト液Ｒをいったん溜めるバッファ
室７０ｂと、バッファ室７０ｂの底面より垂直下方に延
在する１個または複数個のノズル吐出流路７０ｃと、各
ノズル吐出流路７０ｃの終端に設けられた微細径の吐出
口７０ｄとを有している。

【００５１】この実施形態では、後述するように基板Ｇ
に対するレジスト液の吐出流を従来のスピンレス法（図
２１）ほど微細径にする必要はないので、吐出口７０ｄ
を比較的大きな口径たとえば３００μｍ程度に選ぶこと
も可能である。図示の例のように複数個の吐出口７０ｄ
を一列または複数列に配列するノズル構成とした場合
は、その吐出口配列方向をアーム７４の長手方向と直交
させることで、基板Ｇの内接円または外接円の半径方向
とほぼ平行にすることができる。

【００５２】図６に示すように、この実施形態では、ノ
ズル吐出流路７０ｃの終端部が断面テーパ状に先細り
（７１）になって吐出口７０ｄに接続している。そし
て、吐出口７０ｄの流路はエッジ付近で口径を拡大させ
ながら、好ましくは湾曲状（７３）に拡大させながら、
開口している。かかる構成によれば、レジスト液Ｒが吐
出口７２ｄ付近で渦流を生じることなく安定した層流で
吐出され、吐出流の直進性が向上する。

【００５３】図７に、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）に
おける処理の手順を示す。以下に、図８〜図１４を参照
してこの処理手順の作用を説明する。

【００５４】先ず、塗布処理前の基板Ｇが本ユニット内
に搬入される（ステップＡ1）。本実施形態の塗布現像
処理システムでは、主搬送装置５４（図１）により塗布
処理前の基板Ｇが搬入され、スピンチャック６０が図４
に示すように回転カップ６２の上部開口よりも高い位置
に上昇して該基板Ｇを受け取る。なお、カップ蓋体は所
定位置に退避しており、回転カップ６２の上部開口は開
放されている。スピンチャック６０の上面に基板Ｇが移
載または載置されると、チャック吸引口からの吸着力が
作用して基板Ｇが固定保持される。しかる後、スピンチ
ャック６０は後述するシンナープリウェット工程および
前置塗布工程のための所定の高さ位置まで降ろされる。

【００５５】次に、初期化として、ノズル駆動部７８が
作動してレジストノズル７０およびシンナーノズル８０
をホームポジションＨＰ（図３および図４の位置）から
回転カップ６２の内側へ移動させ、基板Ｇ上の設定位置
つまり図８に示すように基板Ｇの内接円Ｋの円周上に両
ノズル７０，８０を位置合わせする（ステップＡ2）。
好ましくは、シンナーノズル８０を優先的に設定位置
（内接円Ｋの円周上）に合わせてよい。ここで、内接円
Ｋは、前置塗布工程においてレジスト液Ｒが塗布される
基板Ｇ上の領域つまり前置塗布領域Ｇaの外周または境
界線を規定する。

【００５６】次に、両ノズル７０，８０が上記設定位置
に固定された状態の下で、スピンチャック駆動部８８が
スピンチャック６０を回転駆動し、スピンチャック６０
と一体に基板Ｇを所定の低い回転速度たとえば１００〜
２００ｒｐｍでスピン回転させる（ステップＡ3）。

【００５７】そして、上記の低速度でスピン回転する基
板Ｇに対し、シンナープリウェット工程として、溶剤供
給機構６８がシンナーノズル８０よりシンナーＴを直下
の基板内接円Ｋの円周上付近に滴下する（ステップＡ
4）。シンナーノズル８０より基板Ｇ上に滴下されたシ
ンナーＴは粘性が低いため、図９に示すように、１００
ｒｐｍ程度の回転速度でも遠心力によって内接円Ｋより
外側の基板領域（シンナープリウェット領域）Ｇbに広
がる。こうして上記設定位置でシンナーＴの滴下を所定
時間継続すると、図１０に示すように、シンナープリウ
ェット領域Ｇbの全面に万遍無くシンナーＴが所定の膜
厚で塗布される。

【００５８】上記のようなシンナープリウェット工程を
終えて、シンナーノズル８０がシンナーの吐出を停止し
たなら、次にレジスト供給機構６６においてレジストノ
ズル７０よりレジスト液Ｒの吐出を開始する（ステップ
Ａ5）。この際、レジスト液Ｒの吐出を開始するに先立
って、レジストノズル７０の位置を調整してもよい。た
とえば、シンナーノズル８０とレジストノズル７０との
間隔が無視できないほど大きい場合は、レジストノズル
７０を基板内接円Ｋの直上へ位置合わせしてよい。

【００５９】そして、レジスト供給機構６６において
は、上記のようにレジスト液Ｒの吐出を開始したなら、
ノズル駆動部７８がアーム７４を所定方向（図８〜図１
２において反時計回り）にスウィングさせ、基板Ｇの前
置塗布領域Ｇa上でレジストノズル７０をスタート位置
（基板内接円Ｋの円周上の位置）から基板内接円Ｋの中
心点に向かって移動させる（ステップＡ6）。

【００６０】こうして、スピン回転している基板Ｇに対
して、レジストノズル７０がレジスト液Ｒを吐出したま
ま円形状の前置塗布領域Ｇa上を外側から中心に向かっ
て径方向に走査することにより、前置塗布領域Ｇa上に
は外側から環状にレジスト液Ｒが塗布されていき、図１
１に示すように、その塗布域はレジストノズル７０の移
動（走査）につれて次第に基板内接円Ｋの中心部へ延び
る。この際、スピン回転の回転速度が低く、レジスト液
Ｒの粘性が大きいため、基板Ｇ上のレジスト液Ｒを基板
外周側へ広げるほどの遠心力は働かない。なお、この前
置塗布処理（ステップＡ5）におけるスピン回転速度は
前工程の上記シンナープリウェット工程（ステップＡ
4）と同じであってもよく、あるいは多少違う値に切り
換えてもよい。

【００６１】そして、レジストノズル７０が基板内接円
Ｋの中心点付近を少し過ぎた走査終点位置まで移動する
と、図１２に示すように、基板内接円Ｋの内側領域つま
り前置塗布領域Ｇaの全域に隈なくレジスト液Ｒが供給
され、所定の膜厚で塗布膜が形成される。ここで、レジ
スト供給機構６６におけるレジスト液Ｒの供給（吐出）
を終了し（ステップＡ7）、直後に基板Ｇのスピン回転
を停止する（ステップＡ8）。

【００６２】上記のようにして前置塗布工程を終了した
なら、ノズル駆動部７８が両ノズル７０，８０をホーム
ポジションＨＰへ戻す（ステップＡ9）。この時点また
は段階で、基板Ｇにおいては、図１３に示すように、基
板中心部回りの前置塗布領域Ｇa上にはレジスト液Ｒの
塗布膜（液膜）がほぼ一定の厚さＤaで形成され、前置
塗布領域Ｇaより外側の領域（シンナープリウェット領
域Ｇb）上にはシンナーＴの塗布膜（液膜）がほぼ一定
の厚さＤbで形成されている。もっとも、シンナープリ
ウェット領域Ｇbは、表面全体がシンナーで程よく濡れ
ていればよく、シンナー液の膜厚Ｄbは適当でよい。

【００６３】次に、回転カップ６２の開口にカップ蓋体
が被せられ、回転カップ６２内の処理空間が密閉される
（ステップＡ10）。このカップ閉塞動作の前後で、スピ
ンチャック駆動部８８により基板Ｇの高さ位置を調整ま
たは変更してもよい。

【００６４】上記のように回転カップ６２を閉じた状態
で、レジスト液膜のレベリングつまり膜厚均一化のため
の高速スピン回転を行う（ステップＡ11）。より詳細に
は、スピンチャック駆動部８８がスピンチャック６０を
回転駆動して基板Ｇを高速の回転速度たとえば１０００
ｒｐｍでスピン回転させる（ステップＡ11）。同時に、
カップ駆動部が回転カップ６２を一緒にスピン回転させ
る。かかる閉空間における高速スピン回転により、回転
カップ６２内の基板Ｇ上では、前置塗布領域Ｇaのレジ
スト液Ｒが半径方向に強い遠心力を受けて外側へ放射状
に広がる。ここで、外側領域であるシンナープリウェッ
ト領域Ｇにはシンナーが塗られているので、レジスト液
Ｒは該領域Ｇ上で円滑・迅速に広がる。この際、基板Ｇ
の外周端より相当量のレジスト液Ｒが遠心力で振り切ら
れる（捨てられる）が、レジスト消費量は従来一般のス
ピンコート法に比して半減する。

【００６５】上記のレベリング工程が終了すると、図１
４に示すように、基板Ｇの上面（被処理面）全体に均一
な厚さＤgで広がるレジスト液Ｒの塗布膜が得られる。
この膜厚Ｄgは、最終目的のレジスト膜厚であり、上記
前置塗布処理によって得られる前置塗布領域Ｇa上の前
置塗布膜の膜厚Ｄaや高速スピン回転の回転速度等を膜
厚条件として調整できる。

【００６６】上記のようにして１枚の基板Ｇに対するレ
ジスト塗布処理が終了すると、その処理済みの基板Ｇが
本レジスト塗布ユニット（ＣＴ）から搬出され、それと
入れ替わりに未処理の基板Ｇがユニット（ＣＴ）内に上
記と同様にして搬入される（ステップＡ1）。処理済み
の基板Ｇの搬出は、搬送アーム８６，８６によって行わ
れる。より詳細には、回転カップ６２の蓋が開いてか
ら、搬送アーム８６，８６がガイドレール８４，８４上
を移動して回転カップ６２の内側に入ってきて、該基板
Ｇをスピンチャック６０から持ち上げ（受け取り）、隣
接する減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２（図１）へ搬送す
る。

【００６７】上記したように、この実施形態では、被処
理基板（ＬＣＤ基板）Ｇを低速の回転速度（たとえば１
００〜２００ｒｐｍ）でスピン回転させながら基板Ｇ上
の内接円内側の前置塗布領域Ｇaにレジスト液Ｒを塗布
し、しかる後に基板Ｇを比較的高速の回転速度（たとえ
ば１０００ｒｐｍ）でスピン回転させて前置塗布領域Ｇ
aのレジスト液膜を基板全面に広げてレベリングするこ
とにより、基板Ｇ上に均一かつ所望の膜厚のレジスト塗
布膜を形成する。

【００６８】かかる方式によれば、前置塗布工程および
レベリング工程のいずれも基板Ｇの回転を利用してレジ
スト液Ｒを速やかに所期の領域に行き渡らせることが可
能であり、全処理工程においてもスピンレス法（図２
１）より格段に短いタクトを達成できる。また、前置塗
布工程では、微細径吐出型のレジストノズル７０を走査
しながらレジスト液Ｒを基板Ｇ上の前置塗布領域Ｇaに
拡散供給するので（一点集中の滴下ではないので）、基
板Ｇに対する衝撃が小さく、レジスト滴下痕等の欠陥を
生じるおそれはない。

【００６９】また、前置塗布工程で使用されるレジスト
ノズル７０の微細径吐出条件は従来のスピンレス法ほど
厳しくないため、ノズル７０やレジスト供給部の設計・
製作が容易であるうえ、メンテナンスも簡単になる。

【００７０】加えて、この実施形態では、基板Ｇの中心
部を含む前置塗布領域Ｇaにはレジスト液Ｒを塗布する
一方で、前置塗布領域Ｇaの回りの領域Ｇbをシンナー
（溶剤）で濡らしておくことにより、レベリング工程に
おいて基板Ｇ上のレジスト液膜の拡散・平坦化をスムー
スに行い、精度の高いレベリングを実現することができ
る。

【００７１】上記した実施形態では、レジストノズル７
０とシンナーノズル８０を共通のアーム７４で移動させ
るようにしたが、両ノズル７０，８０を各専用のアーム
で個別に移動できる構成も可能である。その場合は、シ
ンナープリウェット工程と前置塗布工程を同時に実行で
きる。

【００７２】また、上記実施形態では前置塗布領域Ｇa
を基板Ｇの内接円Ｋより内側の領域と定義したが、内接
円Ｋから多少ずれた円の内側領域とすることもできる。

【００７３】あるいは、前置塗布領域Ｇaを基板Ｇの外
接円Ｌ（またはこれに近い円）より内側の領域に設定す
る方式も可能である。この方式では、図１５に示すよう
に、レジストノズル７０を基板Ｇの中心点付近の位置と
外接円Ｌの円周上の位置との間で少なくとも１回走査す
ればよい。基板Ｇの外周縁部に対してはレジストノズル
７０より吐出されたレジスト液Ｒの一部が基板Ｇから外
れるため、そのぶんレジスト消費量は若干増えるが、そ
れでも従来一般のスピンコート法よりは格段に少なくて
済む。また、シンナープリウェット工程が要らなくな
り、シンナーノズル８０等の溶剤供給系を省ける。ま
た、前置塗布工程の終了段階で基板Ｇの全面にほぼ均一
な膜厚でレジスト液Ｒの液膜が形成されるため、次工程
のレベリング工程における特性条件が緩和され、高速ス
ピン回転の回転速度を下げることもできる。

【００７４】この外接円前置塗布方式では、図１６に示
すように、アーム７４の長手方向に吐出口７０を配列し
てなる構成のレジストノズル７０を使用してもよい。そ
の場合は、レジストノズル７０を外接円Ｌの円周上まで
移動させなくても基板Ｇの全面にレジスト液Ｒを塗布で
きる。

【００７５】図１７および図１８に、本発明の第２の実
施形態によるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）の要部の構
成を示す。図中、上記第１の実施形態における各部と共
通する構成または機能を有する部分には同一の符号を附
してある。

【００７６】この第２の実施形態では、図１８に示すよ
うに、レジストノズル７０をＸＹ走査機構９０によりＸ
Ｙ平面で任意の方向に走査する。ＸＹ走査機構９０にお
いては、Ｙ方向に延びる一対のＹガイドレール９２，９
２がスピンチャック６０（図１７）の両側に配置される
とともに、両Ｙガイドレール９２，９２の間にＸ方向に
延在するＸガイドレール９４がＹ方向に移動可能に架け
渡されている。所定位置たとえば片側のＹガイドレール
９２の一端に配置されたＹ方向駆動部９６が，無端ベル
ト等の伝動機構（図示せず）を介してＸガイドレール９
４を両Ｙガイドレール９２，９２に沿ってＹ方向に駆動
するようになっている。また、Ｘガイドレール９４に沿
ってＸ方向にたとえば自走式または外部駆動式で移動で
きるキャリッジ（搬送体）９８が設けられており、この
キャリッジ９８にレジストノズル７０が取り付けられて
いる。

【００７７】図１７において、駆動部１００はスピンチ
ャック６０を回転駆動および昇降駆動するスピンチャッ
ク駆動部８８（図４）を含むとともに、回転カップ６２
を回転駆動するカップ駆動部を含んでいる。回転カップ
６２の底部は、筒状の支持部材１０２を介して駆動部１
００に含まれるカップ駆動部に作動接続されている。

【００７８】回転カップ６２の上方には、ロボットアー
ム１０４により上下移動可能なカップ蓋体１０６が配置
されている。前置塗布工程の間は、蓋体１０６がＸＹ走
査機構９０の上方に退避している。レベリング工程に際
しては蓋体１０６が降りてきて回転カップ６２を閉じ
る。なお、図示省略するが、蓋体１０６および回転カッ
プ６２の上面は相互に係合する構成になっている。レベ
リング工程では、駆動部１００の回転駆動によりスピン
チャック６０と回転カップ６２が一緒に回転することに
より、基板Ｇ上でレジスト液Ｒが遠心力で広げられ、基
板Ｇの外に飛散したレジスト液Ｒは回転カップ６２に受
けられる。スピンチャック６０の下面には回転カップ６
２の底面を密閉するためのリング状シール部材１０８が
取付されている。

【００７９】回転カップ６２に回収されたレジスト液Ｒ
は、カップ６２底部の外周縁部に形成されているドレイ
ン口１１０を通ってドレインカップ６４へ導かれ、ドレ
インカップ６４底部のドレイン口１１２より廃液処理部
（図示せず）へ送られる。なお、スピン回転中にドレイ
ン口１１２より空気が流出して回転カップ６２内部が負
圧になるのを防止するために、回転カップ６２の上部ま
たは蓋体１０６に適当な給気口（図示せず）が設けられ
てよい。回転カップ６２側からドレインカップ６４内に
流入した空気はドレインカップ６４の外周面に形成され
た排気口１１４より排気系統（図示せず）へ排出され
る。

【００８０】この第２の実施形態では、基板Ｇの上面
（被処理面）の全域を前置塗布領域として、この領域を
網羅するように設定した前置塗布パターン上にレジスト
液Ｒを塗布する前置塗布工程を行ってから、上記第１の
実施形態と同様のレベリング工程を行う。前置塗布工程
では、静止状態の基板Ｇ上でレジストノズル７０がレジ
スト液Ｒを吐出しながら予め設定された前置塗布パター
ン（経路）に沿ってＸＹ面内で移動する。必要に応じ
て、レジストノズル７０の運動に同期して基板Ｇを移動
（回転）させることも可能である。

【００８１】図１９に、この第２の実施形態における好
適な前置塗布パターンの例を示す。図１９（Ａ）のパタ
ーンは、基板Ｇの形状に合わせた四角形の渦巻き形状で
あり、通常は図示のように外側（基板外周部）から内側
（基板中心部）に収束させるのが好ましい。このパター
ンは径方向の対称性がよいため、次工程のレベリング
（高速スピン）には好ましい。

【００８２】図１９（Ｂ）のような斜めジグザク形状の
パターンや、図１９（Ｃ）のような直角ジグザク形状の
パターンは、基板全域にほぼ均一な分布または配分で前
置塗布膜を効率よく形成するのに適している。

【００８３】図１９の前置塗布パターンのように、レジ
ストノズル７０が比較的大きな角度で、特に直角に方向
転換する箇所が多くある場合は、図２０に示すように、
レジストノズル７０の吐出口７０ｄの配列方向を走査ま
たは移動方向に対して斜めの角度（たとえば４５゜）に
設定することで、走査中に基板Ｇ上に得られるレジスト
塗布ラインＲＪの幅の変動を小さくすることができる。

【００８４】この第２の実施形態では、前置塗布工程に
おいて、レジストノズル７０を基板Ｇの外へ出すことな
く始終基板Ｇ上で走査して基板Ｇのほぼ全域にレジスト
液を塗布することが可能であり、吐出したレジスト液の
一部を無駄に捨てることもない。このことにより、レジ
スト液の消費量は従来一般のスピンコート法よりも格段
に少なくて済む。また、前置塗布工程では、基板Ｇ上に
レジスト液Ｒをある程度広く分布させて供給すればよ
く、基板全面にむらなく均一塗布する必要はないので、
レベリング工程と合わせた全塗布処理時間でも従来のス
ピンレス法より短いタクトを実現できる。また、シンナ
ープリウェットが不要なので、溶剤供給系を省ける。も
っとも、前置塗布工程で基板中心部回りにレジスト液を
塗布し、その回りをシンナーでプリウェットすることも
可能である。レベリング工程では、上記第１の実施形態
における外接円前置塗布方式（図１５，図１６）と同程
度まで高速スピン回転の回転速度を下げることができ
る。

【００８５】なお、上記のようにレジストズル７０をＸ
Ｙ面内で移動させるＸＹ走査機構９０を用いる場合は基
板Ｇを静止させて前置塗布工程を行うことになるが、基
板Ｇ側を移動させてもよく、たとえば基板ＧをＹ方向に
移動させレジストノズル７０をＸ方向に移動させる構成
も可能である。

【００８６】上記した実施形態はＬＣＤ製造の塗布現像
処理システムにおけるレジスト塗布方法および装置に係
るものであったが、本発明は被処理基板上に塗布液を供
給する任意のアプリケーションに適用可能である。本発
明における塗布液としては、レジスト液以外にも、たと
えば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の液体も可
能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限
らず、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマ
スク、プリント基板等も可能である。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
塗布処理における塗布液消費効率の向上と処理時間の短
縮化を同時に実現することができる。また、被処理基板
が大型化しても、基板上に面内均一な膜厚を有する高品
質の塗布膜を効率よく形成することができる。さらに
は、ノズルの微細径吐出条件を緩和し設計やメンテナン
スを容易にすることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板処理装置が適用可能な塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。

【図２】実施形態の塗布現像処理システムにおける処理
の手順を示すフローチャートである。

【図３】第１の実施形態によるレジスト塗布ユニットの
要部の構成を示す平面図である。

【図４】第１の実施形態のレジスト塗布ユニットの要部
の構成を示す側面図である。

【図５】実施形態におけるレジストノズルの構成例を示
す縦断面図である。

【図６】実施形態におけるレジストノズルの要部を拡大
して示す部分拡大断面図である。

【図７】実施形態のレジスト塗布ユニットにおける処理
の手順を示すフローチャートである。

【図８】実施形態のレジスト塗布ユニットにおける作用
の一段階を模式的に示す略平面図である。

【図９】実施形態のレジスト塗布ユニットにおける作用
の一段階を模式的に示す略平面図である。

【図１０】実施形態のレジスト塗布ユニットにおける作
用の一段階を模式的に示す略平面図である。

【図１１】実施形態のレジスト塗布ユニットにおける作
用の一段階を模式的に示す略平面図である。

【図１２】実施形態のレジスト塗布ユニットにおける作
用の一段階を模式的に示す略平面図である。

【図１３】第１の実施形態において前置塗布工程により
基板上に形成される塗布膜を示す側面図である。

【図１４】第１の実施形態においてレベリング工程によ
り基板上に形成される塗布膜を示す側面図である。

【図１５】第１の実施形態における前置塗布工程の変形
例を示す略平面図である。

【図１６】第１の実施形態におけるレジストノズルの変
形例を示す略平面図である

【図１７】第２の実施形態によるレジスト塗布ユニット
の要部の構成を示す平面図である。

【図１８】第２の実施形態のレジスト塗布ユニットに設
けられるＸＹ走査機構の構成を示す斜視図である。

【図１９】第２の実施形態における前置塗布パターンの
例を模式的に示す略平面図である。

【図２０】第２の実施形態に好適なレジストノズルの吐
出口配列方向を模式的に示す略平面図である。

【図２１】従来のスピンレス法によるレジスト塗布処理
を模式的に示す斜視図である。

【符号の説明】

４０ レジスト塗布ユニット（ＣＴ） ６０ スピンチャック ６２ 回転カップ ６６ レジスト供給機構 ７８ レジスト液タンク ８０ 流路切換部 ８２，８８，９０ 配管 ８４ ポンプ ９２ 圧力制御弁 １００ 制御部 １１４，１１６ ソレノイドバルブ １１８ スピンチャック １２０ 駆動部 １２２ 回転カップ １３０ 蓋体

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/16 Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０１ ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｄ (72)発明者 三浦 雄一郎 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地 東京エレクトロン九州株式会社大津 事業所内 (72)発明者 元田 公男 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地 東京エレクトロン九州株式会社大津 事業所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB08 AB15 AB16 AB17 EA04 4D075 AC64 AC84 AC92 DA06 DC22 4F042 AA07 EB18 EB25 EB29 5F046 JA13 JA21

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を第１の回転速度でスピン回
   転させながら、前記基板上に設定された基板中心部を含
   む前置塗布領域に所定の塗布液を供給して塗布する第１
   の工程と、 前記第１の工程の後に、前記基板を前記第１の回転速度
   よりも高速の第２の回転速度でスピン回転させて、前記
   基板上で前記塗布液を広げてほぼ均一な膜厚の塗布膜を
   形成する第２の工程とを有する塗布方法。
2. 【請求項２】 前記前置塗布領域が、前記基板上の内接
   円またはそれに近い円を境界としてその内側の領域であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の塗布方法。
3. 【請求項３】 前記第２の工程の前に、前記基板上の前
   記前置塗布領域よりも外側の領域に溶剤を塗布する第３
   の工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の塗布方
   法。
4. 【請求項４】 前記第３の工程が、前記第１の工程の前
   またはそれと同時に、前記基板を前記第２の回転速度よ
   りも低速の第３の回転速度または前記第１の回転速度で
   スピン回転させながら、第２のノズルより前記溶剤を前
   記境界付近に滴下して、前記基板上の前記前置塗布領域
   よりも外側の領域に前記溶剤をほぼ万遍無く塗布するこ
   とを特徴とする請求項３に記載の塗布方法。
5. 【請求項５】 前記前置塗布領域が、前記基板上の外接
   円またはそれに近い円を境界としてその内側の領域であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の塗布方法。
6. 【請求項６】 被処理基板に向けて所定の塗布液を吐出
   するノズルを前記基板に対して相対的に移動させて、前
   記基板に設定された前置塗布パターン上に前記塗布液を
   塗布する第１の工程と、 前記第１の工程の後に、前記基板を前記第１の回転速度
   よりも高速の第２の回転速度でスピン回転させて、前記
   基板上で前記塗布液を広げてほぼ均一な膜厚の塗布膜を
   形成する第２の工程とを有する塗布方法。
7. 【請求項７】 前記前置塗布パターンが前記基板の形状
   に対応した渦巻き形状であることを特徴とする請求項６
   に記載の塗布方法。
8. 【請求項８】 前記前置塗布パターンが斜めジグザグ形
   状であることを特徴とする請求項６に記載の塗布方法。
9. 【請求項９】 前記前置塗布パターンが直角ジグザグ形
   状であることを特徴とする請求項６に記載の塗布方法。
10. 【請求項１０】 前記第２の工程が、前記基板をほぼ密
    閉状態の処理室内でスピン回転させると同時に、前記処
    理室を前記第２の回転速度またはそれに近い速度で前記
    基板と同じ回転方向に回転させることを特徴とする請求
    項１〜９のいずれかに記載の塗布方法。
11. 【請求項１１】 被処理基板を水平姿勢で保持するため
    の回転可能な保持手段と、 前記保持手段を収容する実質的に密閉可能な処理容器
    と、 前記保持手段に保持される前記基板に向けて所定の塗布
    液を吐出するための第１のノズルを含む塗布液供給手段
    と、 前記基板に設定された所定の前置塗布領域または所定の
    前置塗布パターン上に前記塗布液を塗布するために前記
    第１のノズルを前記基板に対して相対的に移動させるた
    めの走査手段と、 前記基板を前記保持手段と一体にスピン回転させるため
    の第１の回転手段と、 前記処理容器をスピン回転させるための第２の回転手段
    とを有する塗布装置。
12. 【請求項１２】 前記走査手段が、前記第１のノズルを
    前記基板の中心部の第１の位置と前記基板の内接円また
    はそれに近い円の円周上の第２の位置との間で移動させ
    る手段を含むことを特徴とする請求項１１に記載の塗布
    装置。
13. 【請求項１３】 前記走査手段が、前記第１のノズルを
    前記基板の中心部の第１の位置と前記基板の外接円の円
    周上の第２の位置との間で移動させる手段を含むことを
    特徴とする請求項１１に記載の塗布装置。
14. 【請求項１４】 前記走査手段が、前記第１のノズルを
    前記保持手段に保持される前記基板と平行な面内で任意
    の方向に移動させる手段を含むことを特徴とする請求項
    １１に記載の塗布装置。
15. 【請求項１５】 前記保持手段に保持される前記基板上
    の所望の位置に溶剤を滴下するための溶剤供給手段を有
    することを特徴とする請求項１１〜１４のいずれかに記
    載の塗布装置。
16. 【請求項１６】 前記溶剤供給手段が、前記溶剤を吐出
    するための前記第１のノズルと一体的に移動可能な第２
    のノズルを含むことを特徴とする請求項１５に記載の塗
    布装置。