JPH0778741A - 処理液塗布装置及び方法 - Google Patents
処理液塗布装置及び方法Info
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- JPH0778741A JPH0778741A JP22113693A JP22113693A JPH0778741A JP H0778741 A JPH0778741 A JP H0778741A JP 22113693 A JP22113693 A JP 22113693A JP 22113693 A JP22113693 A JP 22113693A JP H0778741 A JPH0778741 A JP H0778741A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 少量の処理液で、基板上にフォトレジスト液
を塗布できるようにする。 【構成】 スピンコーター２は、角型の基板１の表面に
フォトレジスト液を塗布する装置であり、基板保持部５
と溶剤塗布部８とフォトレジスト塗布部７とを備えてい
る。基板保持部５は、基板１を保持する。溶剤塗布部８
は、基板保持部５に保持された基板１に溶剤を塗布す
る。フォトレジスト塗布部７は、溶剤塗布部８による溶
剤塗布後に、フォトレジスト液を基板に塗布する。ここ
では、フォトレジスト液の塗布前に基板１に溶剤を塗布
して、基板１の表面を親溶剤性にする。
を塗布できるようにする。 【構成】 スピンコーター２は、角型の基板１の表面に
フォトレジスト液を塗布する装置であり、基板保持部５
と溶剤塗布部８とフォトレジスト塗布部７とを備えてい
る。基板保持部５は、基板１を保持する。溶剤塗布部８
は、基板保持部５に保持された基板１に溶剤を塗布す
る。フォトレジスト塗布部７は、溶剤塗布部８による溶
剤塗布後に、フォトレジスト液を基板に塗布する。ここ
では、フォトレジスト液の塗布前に基板１に溶剤を塗布
して、基板１の表面を親溶剤性にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の表面に処理液を
塗布する処理液塗布装置と処理液塗布方法とに関する。
塗布する処理液塗布装置と処理液塗布方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程や液晶表示装置の製造
工程において、フォトプロセスでパターンを形成する際
には、基板にフォトレジスト液等の処理液を塗布する処
理液塗布工程が不可欠である。処理液塗布工程に用いら
れる処理液塗布装置は、一般に、基板を保持して回転さ
せる基板保持部と、基板保持部に保持された基板上に処
理液を滴下する処理液供給部とを備えている。
工程において、フォトプロセスでパターンを形成する際
には、基板にフォトレジスト液等の処理液を塗布する処
理液塗布工程が不可欠である。処理液塗布工程に用いら
れる処理液塗布装置は、一般に、基板を保持して回転さ
せる基板保持部と、基板保持部に保持された基板上に処
理液を滴下する処理液供給部とを備えている。
【０００３】この種の処理液塗布装置では、基板保持部
に保持された停止状態の基板に対して処理液供給部が基
板の上面に塗布液を滴下し、その後に、基板保持部を回
転させることで得た遠心力により塗布液を基板外周側に
流動させ、基板全面に処理液を塗布する。また、基板を
回転させ始めたときに処理液を供給したり、高速回転す
る基板上に処理液を滴下することも行われている。
に保持された停止状態の基板に対して処理液供給部が基
板の上面に塗布液を滴下し、その後に、基板保持部を回
転させることで得た遠心力により塗布液を基板外周側に
流動させ、基板全面に処理液を塗布する。また、基板を
回転させ始めたときに処理液を供給したり、高速回転す
る基板上に処理液を滴下することも行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この種の処理液塗布装
置では、基板の表面にむらなく処理液の膜を形成するた
めに、基板全面に処理液が広がるようにしなければなら
ない。また、基板の表面に形成する必要がある処理液の
膜はごく薄いもの（たとえば１μｍ程度のもの）で足
り、その膜の形成に必要な処理液の量はごく僅かであ
る。
置では、基板の表面にむらなく処理液の膜を形成するた
めに、基板全面に処理液が広がるようにしなければなら
ない。また、基板の表面に形成する必要がある処理液の
膜はごく薄いもの（たとえば１μｍ程度のもの）で足
り、その膜の形成に必要な処理液の量はごく僅かであ
る。
【０００５】しかし、前記従来の構成では、単に基板上
に処理液を滴下して基板を回転させているだけであるの
で、基板の面積が大きい場合や角型基板を用いる場合に
は、均一に処理液を広げるのは困難である。このため、
これらの場合には、塗り残し領域の発生を避けるため
に、大量の処理液を供給しなければならなくなる。そし
て、実際に基板上に供給された処理液の大部分が、基板
の回転により基板の表面から振り切られ、無駄に消費さ
れてしまう。
に処理液を滴下して基板を回転させているだけであるの
で、基板の面積が大きい場合や角型基板を用いる場合に
は、均一に処理液を広げるのは困難である。このため、
これらの場合には、塗り残し領域の発生を避けるため
に、大量の処理液を供給しなければならなくなる。そし
て、実際に基板上に供給された処理液の大部分が、基板
の回転により基板の表面から振り切られ、無駄に消費さ
れてしまう。
【０００６】本発明の目的は、少量の処理液で基板上に
処理液を塗布できるようにすることにある。
処理液を塗布できるようにすることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る処理液
塗布装置は、基板の表面に処理液を塗布する装置であ
る。この装置は、基板保持手段と溶剤塗布手段と処理液
塗布手段とを備えている。基板保持手段は基板を保持す
る。溶剤塗布手段は、基板保持手段に保持された基板に
溶剤を塗布する。処理液塗布手段は、基板保持手段に保
持された基板に処理液を塗布する。
塗布装置は、基板の表面に処理液を塗布する装置であ
る。この装置は、基板保持手段と溶剤塗布手段と処理液
塗布手段とを備えている。基板保持手段は基板を保持す
る。溶剤塗布手段は、基板保持手段に保持された基板に
溶剤を塗布する。処理液塗布手段は、基板保持手段に保
持された基板に処理液を塗布する。
【０００８】第２の発明に係る処理液塗布装置は、基板
保持手段と溶剤塗布手段と処理液塗布手段とを備えてい
る。基板保持手段は基板を保持する。溶剤塗布手段は、
基板保持手段に保持された基板に溶剤を塗布する。処理
液塗布手段は、溶剤塗布手段による溶剤塗布後に処理液
を基板に塗布する。第３の発明に係る処理液塗布方法
は、基板の表面に処理液を塗布する方法であって、基板
に溶剤を塗布する溶剤塗布工程と、溶剤塗布工程の後に
基板に処理液を塗布する処理液塗布工程とを含んでい
る。
保持手段と溶剤塗布手段と処理液塗布手段とを備えてい
る。基板保持手段は基板を保持する。溶剤塗布手段は、
基板保持手段に保持された基板に溶剤を塗布する。処理
液塗布手段は、溶剤塗布手段による溶剤塗布後に処理液
を基板に塗布する。第３の発明に係る処理液塗布方法
は、基板の表面に処理液を塗布する方法であって、基板
に溶剤を塗布する溶剤塗布工程と、溶剤塗布工程の後に
基板に処理液を塗布する処理液塗布工程とを含んでい
る。
【０００９】
【作用】第１の発明に係る処理液塗布装置では、基板保
持手段に保持された基板に溶剤塗布手段が溶剤を塗布
し、また処理液塗布手段が処理液を塗布する。ここで
は、基板保持手段に保持された基板に溶剤を塗布できる
ので、基板表面を親溶剤性として処理液が広がりやすい
状態を作り出すことができる。このため、少ない処理液
量で基板表面に処理液を塗布できるようになる。
持手段に保持された基板に溶剤塗布手段が溶剤を塗布
し、また処理液塗布手段が処理液を塗布する。ここで
は、基板保持手段に保持された基板に溶剤を塗布できる
ので、基板表面を親溶剤性として処理液が広がりやすい
状態を作り出すことができる。このため、少ない処理液
量で基板表面に処理液を塗布できるようになる。
【００１０】第２の発明に係る処理液塗布装置では、基
板保持手段に保持された基板に溶剤塗布手段が溶剤を塗
布する。そして、溶剤塗布後に、処理液塗布手段が処理
液を基板に塗布する。ここでは、溶剤により表面が親溶
剤性となった基板に対して処理液が塗布されるので、処
理液が基板上を広がりやすくなる。このため、少ない処
理液量で基板上に処理液を塗布できる。
板保持手段に保持された基板に溶剤塗布手段が溶剤を塗
布する。そして、溶剤塗布後に、処理液塗布手段が処理
液を基板に塗布する。ここでは、溶剤により表面が親溶
剤性となった基板に対して処理液が塗布されるので、処
理液が基板上を広がりやすくなる。このため、少ない処
理液量で基板上に処理液を塗布できる。
【００１１】第３の発明に係る処理液塗布方法では、溶
剤塗布後に処理液が塗布されるので、基板表面が親溶剤
性になり、処理液が広がりやすくなる。このため、少な
い処理液量で基板表面に処理液を塗布できる。
剤塗布後に処理液が塗布されるので、基板表面が親溶剤
性になり、処理液が広がりやすくなる。このため、少な
い処理液量で基板表面に処理液を塗布できる。
【００１２】
【実施例】図１及び図２において、本発明の一実施例を
採用した角型基板処理装置は、角型基板１の表面にフォ
トレジストの薄膜を形成するスピンコーター２と、薄膜
が形成された角型基板１の端縁及び裏面から不要な薄膜
を除去する基板端縁洗浄装置３と、角型基板１を乾燥さ
せるオーブン４とから主に構成されている。
採用した角型基板処理装置は、角型基板１の表面にフォ
トレジストの薄膜を形成するスピンコーター２と、薄膜
が形成された角型基板１の端縁及び裏面から不要な薄膜
を除去する基板端縁洗浄装置３と、角型基板１を乾燥さ
せるオーブン４とから主に構成されている。
【００１３】スピンコーター２は、角型基板１を吸着保
持する基板保持部５と、基板保持部５を周囲から覆うカ
ップ６と、角型基板１の中心にフォトレジスト液を滴下
するフォトレジスト塗布部７と、角型基板１の中心に溶
剤を滴下する溶剤塗布部８とを有している。基板保持部
５は、円板状の部材であり、表面に基板１を吸着保持可
能である。また、基板保持部５は、基板回転モータ２２
（図３）により１０００ｒｐｍで回転駆動される。
持する基板保持部５と、基板保持部５を周囲から覆うカ
ップ６と、角型基板１の中心にフォトレジスト液を滴下
するフォトレジスト塗布部７と、角型基板１の中心に溶
剤を滴下する溶剤塗布部８とを有している。基板保持部
５は、円板状の部材であり、表面に基板１を吸着保持可
能である。また、基板保持部５は、基板回転モータ２２
（図３）により１０００ｒｐｍで回転駆動される。
【００１４】フォトレジスト塗布部７は、図２に実線で
示す退避位置と二点鎖線で示す滴下位置との間で旋回可
能なレジストアーム９を有している。フォトレジスト塗
布部７は、滴下位置にレジストアーム９が配置された状
態で、レジストアーム９の先端から基板１の中心にフォ
トレジスト液を滴下し得る。溶剤塗布部８は、図２に実
線で示す退避位置と一点鎖線で示す滴下位置との間で旋
回可能な溶剤アーム１０を有している。溶剤塗布部８
は、滴下位置に溶剤アーム１０が配置された状態で、溶
剤アーム１０の先端から基板１の中心に溶剤を滴下し得
る。
示す退避位置と二点鎖線で示す滴下位置との間で旋回可
能なレジストアーム９を有している。フォトレジスト塗
布部７は、滴下位置にレジストアーム９が配置された状
態で、レジストアーム９の先端から基板１の中心にフォ
トレジスト液を滴下し得る。溶剤塗布部８は、図２に実
線で示す退避位置と一点鎖線で示す滴下位置との間で旋
回可能な溶剤アーム１０を有している。溶剤塗布部８
は、滴下位置に溶剤アーム１０が配置された状態で、溶
剤アーム１０の先端から基板１の中心に溶剤を滴下し得
る。
【００１５】溶剤としては以下の液を用いることができ
る。乳酸エチル（ＥＬ）、メチル・イソブチル・ケトン
（ＭＩＢＫ）、エチレン・グリコール・モノ・エチル・
エーテル・アセテート（ＥＣＡ）、酢酸ブチル、Ｎ−メ
チル・ピロリドン（ＮＭＰ）、ピルビン酸エチル（Ｅ
Ｐ）、エチル−３−エトキシ・プロピオネート（ＥＥ
Ｐ）、メチル−３−メトキシ・プロピオネート（ＭＭ
Ｐ）、メチル・アミル・ケトン（ＭＡＫ）、１−メトキ
シ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノー
ル、３−メトキシ−ブタノール、乳酸メチル、ダイアセ
トンアルコール、アニソール、キシレン、ジエチレング
リコール・ジメチルエーテル、メチルエチルケトン、エ
チレングリコール・モノエチル・エーテル（ＥＣ）、エ
チレングリコール・モノメチルエーテル・アセテート
（ＭＣＡ）、プロピレングリコール・モノメチルエーテ
ル・アセテート（ＰＧＭＥＡ）。
る。乳酸エチル（ＥＬ）、メチル・イソブチル・ケトン
（ＭＩＢＫ）、エチレン・グリコール・モノ・エチル・
エーテル・アセテート（ＥＣＡ）、酢酸ブチル、Ｎ−メ
チル・ピロリドン（ＮＭＰ）、ピルビン酸エチル（Ｅ
Ｐ）、エチル−３−エトキシ・プロピオネート（ＥＥ
Ｐ）、メチル−３−メトキシ・プロピオネート（ＭＭ
Ｐ）、メチル・アミル・ケトン（ＭＡＫ）、１−メトキ
シ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノー
ル、３−メトキシ−ブタノール、乳酸メチル、ダイアセ
トンアルコール、アニソール、キシレン、ジエチレング
リコール・ジメチルエーテル、メチルエチルケトン、エ
チレングリコール・モノエチル・エーテル（ＥＣ）、エ
チレングリコール・モノメチルエーテル・アセテート
（ＭＣＡ）、プロピレングリコール・モノメチルエーテ
ル・アセテート（ＰＧＭＥＡ）。
【００１６】特に、乳酸エチルやプロピレングリコール
・モノメチルエーテル・アセテート等に代表されるレジ
ストの主溶剤、メチル・イソブチル・ケトン、酢酸ブチ
ル等の低沸点溶剤が好ましい。さらに、酢酸ブチルの揮
発性を１とすると、揮発性が０．５〜１．５の範囲の溶
剤（たとえば、プロピレングリコール・モノメチルエー
テル・アセテート、メチル−３−メトキシ・プロピオネ
ートや、１−メトキシ−２−プロパノールや、１−エト
キシ−２−プロパノール等の溶剤）がより好ましい。こ
れは、レジスト液滴下時に基板表面が乾燥し過ぎず、す
なわち基板表面を親溶剤性にでき、しかも溶剤が残り過
ぎて処理液の膜の厚みの均一性を損なうことのないよう
にするためである。
・モノメチルエーテル・アセテート等に代表されるレジ
ストの主溶剤、メチル・イソブチル・ケトン、酢酸ブチ
ル等の低沸点溶剤が好ましい。さらに、酢酸ブチルの揮
発性を１とすると、揮発性が０．５〜１．５の範囲の溶
剤（たとえば、プロピレングリコール・モノメチルエー
テル・アセテート、メチル−３−メトキシ・プロピオネ
ートや、１−メトキシ−２−プロパノールや、１−エト
キシ−２−プロパノール等の溶剤）がより好ましい。こ
れは、レジスト液滴下時に基板表面が乾燥し過ぎず、す
なわち基板表面を親溶剤性にでき、しかも溶剤が残り過
ぎて処理液の膜の厚みの均一性を損なうことのないよう
にするためである。
【００１７】基板端縁洗浄装置３は、表面に薄膜が形成
された角型基板１を載置して真空吸着する基板保持部１
１と、基板保持部１１の周囲４か所に配置されて角型基
板１に溶剤を塗布する４つの溶剤吐出部１２とから主に
構成されている。スピンコーター２と基板端縁洗浄装置
３との間には、基板搬送用の第１アーム１３が、また基
板端縁洗浄装置３と乾燥用のオーブン４との間には基板
搬送用の第２アーム１４がそれぞれ設けられている。ま
た、スピンコーター２と基板端縁洗浄装置３との間に
は、第１アーム１３のアーム部１９の基板接触部分を洗
浄するためのアーム洗浄部１５が配置されている。
された角型基板１を載置して真空吸着する基板保持部１
１と、基板保持部１１の周囲４か所に配置されて角型基
板１に溶剤を塗布する４つの溶剤吐出部１２とから主に
構成されている。スピンコーター２と基板端縁洗浄装置
３との間には、基板搬送用の第１アーム１３が、また基
板端縁洗浄装置３と乾燥用のオーブン４との間には基板
搬送用の第２アーム１４がそれぞれ設けられている。ま
た、スピンコーター２と基板端縁洗浄装置３との間に
は、第１アーム１３のアーム部１９の基板接触部分を洗
浄するためのアーム洗浄部１５が配置されている。
【００１８】第１アーム１３は、ベース１６上に垂直軸
回りに旋回可能かつ上下移動可能に立設された可動支柱
１７と、その上端に配置された支持ボックス１８と、支
持ボックス１８の内側から水平方向に片持ち状に突出し
た４本のアームからなるアーム部１９とを有している。
アーム部１９は支持ボックス１８に対して進退可能であ
る。なお、第２アーム１４も同様の構成である。
回りに旋回可能かつ上下移動可能に立設された可動支柱
１７と、その上端に配置された支持ボックス１８と、支
持ボックス１８の内側から水平方向に片持ち状に突出し
た４本のアームからなるアーム部１９とを有している。
アーム部１９は支持ボックス１８に対して進退可能であ
る。なお、第２アーム１４も同様の構成である。
【００１９】基板処理装置は、図３に示すように、装置
全体を制御する本体制御部２０と、本体制御部２０に双
方向通信可能に接続されたスピンコーター制御部２１と
を有している。スピンコーター制御部２１には、基板保
持部５を回転させる基板回転モータ２２と、基板保持部
５で基板１を吸着する際の吸引圧の供給／停止を司る吸
着バルブ２３と、レジストアーム９を旋回させるための
レジストアーム旋回部２４と、レジスト液の供給をオン
オフするレジスト液バルブ２５と、溶剤アーム１０を旋
回させる溶剤アーム旋回部２６と、溶剤の供給をオンオ
フする溶剤バルブ２７と、他の入出力部とが接続されて
いる。
全体を制御する本体制御部２０と、本体制御部２０に双
方向通信可能に接続されたスピンコーター制御部２１と
を有している。スピンコーター制御部２１には、基板保
持部５を回転させる基板回転モータ２２と、基板保持部
５で基板１を吸着する際の吸引圧の供給／停止を司る吸
着バルブ２３と、レジストアーム９を旋回させるための
レジストアーム旋回部２４と、レジスト液の供給をオン
オフするレジスト液バルブ２５と、溶剤アーム１０を旋
回させる溶剤アーム旋回部２６と、溶剤の供給をオンオ
フする溶剤バルブ２７と、他の入出力部とが接続されて
いる。
【００２０】次に、上述の実施例の動作を、主としてス
ピンコーター２に着目して説明する。なお、図４は、ス
ピンコーター２の制御フローチャートを示している。基
板保持部５に角型基板１（以下、単に基板１という）が
セットされると、まず基板１を基板保持部５で吸着保持
する。次に、溶剤アーム１０を旋回させて、基板１の中
心に溶剤を滴下する。そして、基板保持部５を１０００
ｒｐｍで回転させる。所定時間が経過して、溶剤が基板
１の全面にわたり塗布されれば、基板保持部５の回転を
停止させる。
ピンコーター２に着目して説明する。なお、図４は、ス
ピンコーター２の制御フローチャートを示している。基
板保持部５に角型基板１（以下、単に基板１という）が
セットされると、まず基板１を基板保持部５で吸着保持
する。次に、溶剤アーム１０を旋回させて、基板１の中
心に溶剤を滴下する。そして、基板保持部５を１０００
ｒｐｍで回転させる。所定時間が経過して、溶剤が基板
１の全面にわたり塗布されれば、基板保持部５の回転を
停止させる。
【００２１】溶剤による処理が終われば、レジストアー
ム９をレジスト滴下位置に旋回し、所定量のフォトレジ
スト液を基板１の中心位置に滴下する。ここでは、予め
溶剤による処理が施されているので、滴下量は従来より
少量でよい。次に、基板保持部５を１５００ｒｐｍで回
転させる。所定時間が経過して、レジスト液が基板１の
全面にわたり塗布され、余剰のフォトレジスト液が振り
切られれば、基板保持部５の回転を停止させる。なお、
基板１が予め溶剤により処理されているので、回転によ
る膜形成は短時間で行える。
ム９をレジスト滴下位置に旋回し、所定量のフォトレジ
スト液を基板１の中心位置に滴下する。ここでは、予め
溶剤による処理が施されているので、滴下量は従来より
少量でよい。次に、基板保持部５を１５００ｒｐｍで回
転させる。所定時間が経過して、レジスト液が基板１の
全面にわたり塗布され、余剰のフォトレジスト液が振り
切られれば、基板保持部５の回転を停止させる。なお、
基板１が予め溶剤により処理されているので、回転によ
る膜形成は短時間で行える。
【００２２】フォトレジスト膜の形成が完了すれば、基
板１の吸着を解除する。そして、第１アーム１３により
基板１を洗浄装置３に搬送する。洗浄装置３では、基板
１を基板保持部１１で吸着し、基板１の周縁の余分なレ
ジスト膜を除去する。レジスト膜の除去が終わった基板
１は、第２アーム１４によりオーブン４に搬送され、乾
燥処理が施される。
板１の吸着を解除する。そして、第１アーム１３により
基板１を洗浄装置３に搬送する。洗浄装置３では、基板
１を基板保持部１１で吸着し、基板１の周縁の余分なレ
ジスト膜を除去する。レジスト膜の除去が終わった基板
１は、第２アーム１４によりオーブン４に搬送され、乾
燥処理が施される。
【００２３】上述の動作において、スピンコーター２は
次のように制御されて動作する。スピンコーター２の制
御動作を示す図４において、ステップＳ１では、基板保
持部５に基板１がセットされるのを待つ。基板保持部５
に基板１がセットされるとステップＳ２に移行する。ス
テップＳ２では、吸着バルブ２３を開き、基板１を基板
保持部５で吸着保持する。ステップＳ３では、溶剤アー
ム１０を退避位置から溶剤滴下位置に旋回し、溶剤バル
ブ２７を開いて基板１の中心に溶剤を滴下し、滴下後に
溶剤アーム１０を退避位置に復帰させる。ステップＳ４
では、基板回転モータ２２の回転を開始し、基板保持部
５を１０００ｒｐｍで回転させる。ステップＳ５では、
時間Ｔ１の経過を待つ。この時間Ｔ１は、溶剤が基板１
の全面にわたり塗布され、振り切られるのに充分な時間
であり、たとえば、１０秒〜２０秒である。時間Ｔ１が
経過するとステップＳ６に移行し、基板回転モータ２２
を停止する。
次のように制御されて動作する。スピンコーター２の制
御動作を示す図４において、ステップＳ１では、基板保
持部５に基板１がセットされるのを待つ。基板保持部５
に基板１がセットされるとステップＳ２に移行する。ス
テップＳ２では、吸着バルブ２３を開き、基板１を基板
保持部５で吸着保持する。ステップＳ３では、溶剤アー
ム１０を退避位置から溶剤滴下位置に旋回し、溶剤バル
ブ２７を開いて基板１の中心に溶剤を滴下し、滴下後に
溶剤アーム１０を退避位置に復帰させる。ステップＳ４
では、基板回転モータ２２の回転を開始し、基板保持部
５を１０００ｒｐｍで回転させる。ステップＳ５では、
時間Ｔ１の経過を待つ。この時間Ｔ１は、溶剤が基板１
の全面にわたり塗布され、振り切られるのに充分な時間
であり、たとえば、１０秒〜２０秒である。時間Ｔ１が
経過するとステップＳ６に移行し、基板回転モータ２２
を停止する。
【００２４】ステップＳ６に続いてステップＳ７では、
時間Ｔ２の経過を待つ。この時間Ｔ２は、基板１に塗布
された溶剤を所望の乾燥程度まで乾燥させるために十分
な時間であり、たとえば５秒程度である。なお、溶剤種
類や時間Ｔ１等の条件により、ステップＳ４からＳ６ま
での振り切りの間に所望の乾燥程度になるような場合に
あっては、このステップＳ７での時間Ｔ２は実質的には
０であってもよい。
時間Ｔ２の経過を待つ。この時間Ｔ２は、基板１に塗布
された溶剤を所望の乾燥程度まで乾燥させるために十分
な時間であり、たとえば５秒程度である。なお、溶剤種
類や時間Ｔ１等の条件により、ステップＳ４からＳ６ま
での振り切りの間に所望の乾燥程度になるような場合に
あっては、このステップＳ７での時間Ｔ２は実質的には
０であってもよい。
【００２５】ステップＳ８では、レジストアーム９をレ
ジスト滴下位置に旋回し、所定量のフォトレジスト液を
基板１の中心位置に滴下し、滴下後にレジストアーム９
を退避位置に復帰させる。ここでの滴下量は、従来より
少量でよい。ステップＳ９では、基板回転モータ２２の
回転を開始し、基板１を１５００ｒｐｍで回転させる。
ステップＳ１０では時間Ｔ３の経過を待つ。この時間Ｔ
３はフォトレジスト液が基板１上の全面にわたり塗布さ
れ、振り切られるのに充分な時間であり、たとえば２０
秒である。時間Ｔ３が経過するとステップＳ１１に移行
し、基板回転モータ２２の回転を停止する。ステップＳ
１２では、吸着バルブ２３を閉じて基板１の吸着保持を
解除する。ステップＳ１３では、本体制御部２０にレジ
スト液の塗布が終了したことを示す終了信号を出力し、
ステップＳ１に戻る。以上の制御による処理シーケンス
は図５に示すものとなる。
ジスト滴下位置に旋回し、所定量のフォトレジスト液を
基板１の中心位置に滴下し、滴下後にレジストアーム９
を退避位置に復帰させる。ここでの滴下量は、従来より
少量でよい。ステップＳ９では、基板回転モータ２２の
回転を開始し、基板１を１５００ｒｐｍで回転させる。
ステップＳ１０では時間Ｔ３の経過を待つ。この時間Ｔ
３はフォトレジスト液が基板１上の全面にわたり塗布さ
れ、振り切られるのに充分な時間であり、たとえば２０
秒である。時間Ｔ３が経過するとステップＳ１１に移行
し、基板回転モータ２２の回転を停止する。ステップＳ
１２では、吸着バルブ２３を閉じて基板１の吸着保持を
解除する。ステップＳ１３では、本体制御部２０にレジ
スト液の塗布が終了したことを示す終了信号を出力し、
ステップＳ１に戻る。以上の制御による処理シーケンス
は図５に示すものとなる。
【００２６】なお、ステップＳ３では、プロピレングリ
コール・モノメチルエーテル・アセテートやメチル−３
−メトキシ・プロピオネートや、１−メトキシ−２−プ
ロパノールや、１−エトキシ−２−プロパノール等の溶
剤（揮発性が０．５〜１．５の範囲の溶剤）を使用する
のが好ましい。なぜなら、ステップＳ５で時間Ｔ１間溶
剤を振り切った後にフォトレジスト液を塗布するため、
ステップＳ８でのレジスト液滴下時に基板１の表面が乾
燥し過ぎていると、フォトレジスト液の滴下量の削減に
効果がなくなり、また逆に溶剤が揮発せずに基板１上に
残り過ぎていても膜厚分布に悪影響があるからである。
コール・モノメチルエーテル・アセテートやメチル−３
−メトキシ・プロピオネートや、１−メトキシ−２−プ
ロパノールや、１−エトキシ−２−プロパノール等の溶
剤（揮発性が０．５〜１．５の範囲の溶剤）を使用する
のが好ましい。なぜなら、ステップＳ５で時間Ｔ１間溶
剤を振り切った後にフォトレジスト液を塗布するため、
ステップＳ８でのレジスト液滴下時に基板１の表面が乾
燥し過ぎていると、フォトレジスト液の滴下量の削減に
効果がなくなり、また逆に溶剤が揮発せずに基板１上に
残り過ぎていても膜厚分布に悪影響があるからである。
【００２７】ここでは、溶剤を塗布した後にフォトレジ
スト液を塗布しているので、フォトレジスト液塗布時に
基板上が予め親溶剤性となっており、少量のフォトレジ
スト液でフォトレジスト液を薄膜状にむらなく塗布でき
る。 〔他の実施例〕 （ａ） 溶剤を基板全面に塗布する代わりに、たとえば
円形の基板にあってはその外周縁に沿った部分のみに、
矩形の角型基板にあってはその四隅のみあるいは四隅を
含むように周縁に沿った部分のみに、溶剤を塗布しても
よい。たとえば図６（ａ）に示すように、溶剤アーム１
０を基板１の中心から外れた所定の位置まで旋回させて
停止させ、矩形の基板１を回転させながら溶剤を滴下
し、図中に斜線で示した部分のみに溶剤を塗布する。し
かる後に図６（ｂ）に示すようにその中央部にレジスト
液を滴下して塗布を行う。これは、基板の外周に沿った
部分、特に角型基板にあってはその四隅の部分等では、
処理液が拡散しにくくなることがあるためである。少な
くともこの部分のみに溶剤を塗布しておくことで、処理
液の塗布の均一性を保ちつつ処理液の使用量を低減する
点で、従来の通常の技術と比べて顕著な効果がある。 （ｂ） 低回転で基板を回転させながら基板中央に処理
液を滴下し、それとともに基板の周囲に溶剤を滴下し、
そのあとに基板を高速回転させてもよい。たとえば図６
（ｃ）に示すように、レジストアーム９を旋回させて基
板１の中心位置に停止させ、溶剤アーム１０を旋回させ
て基板１の中心位置から外れた位置に停止させ、基板１
を低回転で回転させながら溶剤とフォトレジスト液とを
同時に基板１上に滴下し、その後に基板１を高回転で回
転させる。この場合の処理シーケンスは図７に示すよう
になる。これによっても、基板１の外周に沿った部分を
親溶剤性にでき、処理液使用量の低減に効果があり、か
つこの場合には、溶剤と処理液とを同時に滴下できるの
で、処理時間を短縮できる。 （ｃ） 溶剤と処理液とのためにそれぞれ別々のアーム
を用いる代わりに、溶剤を吐出するノズルと処理液を吐
出するノズルとを１つのアームに設けてもよい。 （ｄ） 溶剤と処理液とのためにそれぞれ別々のアーム
を用いる代わりに、１つのアームに１つのノズルを設
け、ノズルに到る配管を切り替えるなどしてノズルから
吐出する液を溶剤と処理液とに切り替えられるように構
成してもよい。 （ｅ） スピンコーターは、図示の開放型に限定され
ず、密閉型もしくは特開平４−６１９５５号公報記載の
ような半密閉型でもよい。 （ｆ） 上記実施例では、まず溶剤を単独で塗布してい
たが、塗布膜を形成しようとするフォトレジスト液を混
合した溶剤をまず塗布し、その後にそのフォトレジスト
液の希釈しない原液を塗布して所定の膜厚を得るように
しても、全体としてのフォトレジスト液の使用量を低減
できる。この場合、溶剤としては、混合しようとするフ
ォトレジスト液に含まれている溶剤成分と同種のもので
あることが望ましい。たとえば、粘度１０〜３０ｃｐの
フォトレジスト液を塗布して所定の膜厚を得ようとする
場合、そのフォトレジスト液に含まれる溶剤によってフ
ォトレジスト液を粘度０．５〜１ｃｐ程度まで希釈した
液を、本発明でいうところの溶剤としてまず基板表面に
塗布し、その後に希釈しないフォトレジスト液を塗布し
ても、同様の効果を得ることができる。
スト液を塗布しているので、フォトレジスト液塗布時に
基板上が予め親溶剤性となっており、少量のフォトレジ
スト液でフォトレジスト液を薄膜状にむらなく塗布でき
る。 〔他の実施例〕 （ａ） 溶剤を基板全面に塗布する代わりに、たとえば
円形の基板にあってはその外周縁に沿った部分のみに、
矩形の角型基板にあってはその四隅のみあるいは四隅を
含むように周縁に沿った部分のみに、溶剤を塗布しても
よい。たとえば図６（ａ）に示すように、溶剤アーム１
０を基板１の中心から外れた所定の位置まで旋回させて
停止させ、矩形の基板１を回転させながら溶剤を滴下
し、図中に斜線で示した部分のみに溶剤を塗布する。し
かる後に図６（ｂ）に示すようにその中央部にレジスト
液を滴下して塗布を行う。これは、基板の外周に沿った
部分、特に角型基板にあってはその四隅の部分等では、
処理液が拡散しにくくなることがあるためである。少な
くともこの部分のみに溶剤を塗布しておくことで、処理
液の塗布の均一性を保ちつつ処理液の使用量を低減する
点で、従来の通常の技術と比べて顕著な効果がある。 （ｂ） 低回転で基板を回転させながら基板中央に処理
液を滴下し、それとともに基板の周囲に溶剤を滴下し、
そのあとに基板を高速回転させてもよい。たとえば図６
（ｃ）に示すように、レジストアーム９を旋回させて基
板１の中心位置に停止させ、溶剤アーム１０を旋回させ
て基板１の中心位置から外れた位置に停止させ、基板１
を低回転で回転させながら溶剤とフォトレジスト液とを
同時に基板１上に滴下し、その後に基板１を高回転で回
転させる。この場合の処理シーケンスは図７に示すよう
になる。これによっても、基板１の外周に沿った部分を
親溶剤性にでき、処理液使用量の低減に効果があり、か
つこの場合には、溶剤と処理液とを同時に滴下できるの
で、処理時間を短縮できる。 （ｃ） 溶剤と処理液とのためにそれぞれ別々のアーム
を用いる代わりに、溶剤を吐出するノズルと処理液を吐
出するノズルとを１つのアームに設けてもよい。 （ｄ） 溶剤と処理液とのためにそれぞれ別々のアーム
を用いる代わりに、１つのアームに１つのノズルを設
け、ノズルに到る配管を切り替えるなどしてノズルから
吐出する液を溶剤と処理液とに切り替えられるように構
成してもよい。 （ｅ） スピンコーターは、図示の開放型に限定され
ず、密閉型もしくは特開平４−６１９５５号公報記載の
ような半密閉型でもよい。 （ｆ） 上記実施例では、まず溶剤を単独で塗布してい
たが、塗布膜を形成しようとするフォトレジスト液を混
合した溶剤をまず塗布し、その後にそのフォトレジスト
液の希釈しない原液を塗布して所定の膜厚を得るように
しても、全体としてのフォトレジスト液の使用量を低減
できる。この場合、溶剤としては、混合しようとするフ
ォトレジスト液に含まれている溶剤成分と同種のもので
あることが望ましい。たとえば、粘度１０〜３０ｃｐの
フォトレジスト液を塗布して所定の膜厚を得ようとする
場合、そのフォトレジスト液に含まれる溶剤によってフ
ォトレジスト液を粘度０．５〜１ｃｐ程度まで希釈した
液を、本発明でいうところの溶剤としてまず基板表面に
塗布し、その後に希釈しないフォトレジスト液を塗布し
ても、同様の効果を得ることができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明に係る処理液塗布装置及び方法で
は、溶剤により基板を親溶剤性の状態にして処理液を基
板に塗布できるので、少量の処理液で基板上に処理液を
むらなく均一に塗布できる。
は、溶剤により基板を親溶剤性の状態にして処理液を基
板に塗布できるので、少量の処理液で基板上に処理液を
むらなく均一に塗布できる。
【図１】本発明の一実施例を採用した基板処理装置の全
体側面概略図。
体側面概略図。
【図２】その平面概略図。
【図３】スピンコーター制御部の制御構成を示すブロッ
ク図。
ク図。
【図４】スピンコーター制御部の制御フローチャート。
【図５】処理シーケンスを示すタイムチャート。
【図６】他の実施例の処理シーケンスを示す模式図。
【図７】他の実施例の処理シーケンスを示すタイムチャ
ート。
ート。
２ スピンコーター ５ 基板保持部 ７ フォトレジスト塗布部 ８ 溶剤塗布部 ２１ スピンコーター制御部
Claims (3)
- 【請求項１】基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布
装置であって、 前記基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に溶剤を塗布する溶
剤塗布手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に前記処理液を塗布
する処理液塗布手段と、を備えた処理液塗布装置。 - 【請求項２】基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布
装置であって、 前記基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に溶剤を塗布する溶
剤塗布手段と、 前記溶剤塗布手段による溶剤塗布後に、前記基板に前記
処理液を塗布する処理液塗布手段と、を備えた処理液塗
布装置。 - 【請求項３】基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布
方法であって、 前記基板に溶剤を塗布する溶剤塗布工程と、 前記溶剤塗布工程の後に前記基板に前記処理液を塗布す
る処理液塗布工程と、を含む処理液塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22113693A JPH0778741A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 処理液塗布装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22113693A JPH0778741A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 処理液塗布装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778741A true JPH0778741A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16762028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22113693A Pending JPH0778741A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 処理液塗布装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778741A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158162A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法および塗布装置 |
| JP5931230B1 (ja) * | 2015-01-15 | 2016-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置、及び記録媒体。 |
-
1993
- 1993-09-06 JP JP22113693A patent/JPH0778741A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158162A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法および塗布装置 |
| JP5931230B1 (ja) * | 2015-01-15 | 2016-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置、及び記録媒体。 |
| KR20160088225A (ko) * | 2015-01-15 | 2016-07-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 방법, 액 처리 장치 및 기록 매체 |
| CN105810558A (zh) * | 2015-01-15 | 2016-07-27 | 东京毅力科创株式会社 | 液体处理方法和液体处理装置 |
| US9791778B2 (en) | 2015-01-15 | 2017-10-17 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, liquid processing apparatus and recording medium |
| TWI624308B (zh) * | 2015-01-15 | 2018-05-21 | 東京威力科創股份有限公司 | 液體處理方法、液體處理裝置及記錄媒體 |
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