JPH0778741A - 処理液塗布装置及び方法 - Google Patents
処理液塗布装置及び方法Info
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- JPH0778741A JPH0778741A JP22113693A JP22113693A JPH0778741A JP H0778741 A JPH0778741 A JP H0778741A JP 22113693 A JP22113693 A JP 22113693A JP 22113693 A JP22113693 A JP 22113693A JP H0778741 A JPH0778741 A JP H0778741A
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- solvent
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- liquid
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 少量の処理液で、基板上にフォトレジスト液
を塗布できるようにする。 【構成】 スピンコーター2は、角型の基板1の表面に
フォトレジスト液を塗布する装置であり、基板保持部5
と溶剤塗布部8とフォトレジスト塗布部7とを備えてい
る。基板保持部5は、基板1を保持する。溶剤塗布部8
は、基板保持部5に保持された基板1に溶剤を塗布す
る。フォトレジスト塗布部7は、溶剤塗布部8による溶
剤塗布後に、フォトレジスト液を基板に塗布する。ここ
では、フォトレジスト液の塗布前に基板1に溶剤を塗布
して、基板1の表面を親溶剤性にする。
を塗布できるようにする。 【構成】 スピンコーター2は、角型の基板1の表面に
フォトレジスト液を塗布する装置であり、基板保持部5
と溶剤塗布部8とフォトレジスト塗布部7とを備えてい
る。基板保持部5は、基板1を保持する。溶剤塗布部8
は、基板保持部5に保持された基板1に溶剤を塗布す
る。フォトレジスト塗布部7は、溶剤塗布部8による溶
剤塗布後に、フォトレジスト液を基板に塗布する。ここ
では、フォトレジスト液の塗布前に基板1に溶剤を塗布
して、基板1の表面を親溶剤性にする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の表面に処理液を
塗布する処理液塗布装置と処理液塗布方法とに関する。
塗布する処理液塗布装置と処理液塗布方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体の製造工程や液晶表示装置の製造
工程において、フォトプロセスでパターンを形成する際
には、基板にフォトレジスト液等の処理液を塗布する処
理液塗布工程が不可欠である。処理液塗布工程に用いら
れる処理液塗布装置は、一般に、基板を保持して回転さ
せる基板保持部と、基板保持部に保持された基板上に処
理液を滴下する処理液供給部とを備えている。
工程において、フォトプロセスでパターンを形成する際
には、基板にフォトレジスト液等の処理液を塗布する処
理液塗布工程が不可欠である。処理液塗布工程に用いら
れる処理液塗布装置は、一般に、基板を保持して回転さ
せる基板保持部と、基板保持部に保持された基板上に処
理液を滴下する処理液供給部とを備えている。
【0003】この種の処理液塗布装置では、基板保持部
に保持された停止状態の基板に対して処理液供給部が基
板の上面に塗布液を滴下し、その後に、基板保持部を回
転させることで得た遠心力により塗布液を基板外周側に
流動させ、基板全面に処理液を塗布する。また、基板を
回転させ始めたときに処理液を供給したり、高速回転す
る基板上に処理液を滴下することも行われている。
に保持された停止状態の基板に対して処理液供給部が基
板の上面に塗布液を滴下し、その後に、基板保持部を回
転させることで得た遠心力により塗布液を基板外周側に
流動させ、基板全面に処理液を塗布する。また、基板を
回転させ始めたときに処理液を供給したり、高速回転す
る基板上に処理液を滴下することも行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この種の処理液塗布装
置では、基板の表面にむらなく処理液の膜を形成するた
めに、基板全面に処理液が広がるようにしなければなら
ない。また、基板の表面に形成する必要がある処理液の
膜はごく薄いもの(たとえば1μm程度のもの)で足
り、その膜の形成に必要な処理液の量はごく僅かであ
る。
置では、基板の表面にむらなく処理液の膜を形成するた
めに、基板全面に処理液が広がるようにしなければなら
ない。また、基板の表面に形成する必要がある処理液の
膜はごく薄いもの(たとえば1μm程度のもの)で足
り、その膜の形成に必要な処理液の量はごく僅かであ
る。
【0005】しかし、前記従来の構成では、単に基板上
に処理液を滴下して基板を回転させているだけであるの
で、基板の面積が大きい場合や角型基板を用いる場合に
は、均一に処理液を広げるのは困難である。このため、
これらの場合には、塗り残し領域の発生を避けるため
に、大量の処理液を供給しなければならなくなる。そし
て、実際に基板上に供給された処理液の大部分が、基板
の回転により基板の表面から振り切られ、無駄に消費さ
れてしまう。
に処理液を滴下して基板を回転させているだけであるの
で、基板の面積が大きい場合や角型基板を用いる場合に
は、均一に処理液を広げるのは困難である。このため、
これらの場合には、塗り残し領域の発生を避けるため
に、大量の処理液を供給しなければならなくなる。そし
て、実際に基板上に供給された処理液の大部分が、基板
の回転により基板の表面から振り切られ、無駄に消費さ
れてしまう。
【0006】本発明の目的は、少量の処理液で基板上に
処理液を塗布できるようにすることにある。
処理液を塗布できるようにすることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】第1の発明に係る処理液
塗布装置は、基板の表面に処理液を塗布する装置であ
る。この装置は、基板保持手段と溶剤塗布手段と処理液
塗布手段とを備えている。基板保持手段は基板を保持す
る。溶剤塗布手段は、基板保持手段に保持された基板に
溶剤を塗布する。処理液塗布手段は、基板保持手段に保
持された基板に処理液を塗布する。
塗布装置は、基板の表面に処理液を塗布する装置であ
る。この装置は、基板保持手段と溶剤塗布手段と処理液
塗布手段とを備えている。基板保持手段は基板を保持す
る。溶剤塗布手段は、基板保持手段に保持された基板に
溶剤を塗布する。処理液塗布手段は、基板保持手段に保
持された基板に処理液を塗布する。
【0008】第2の発明に係る処理液塗布装置は、基板
保持手段と溶剤塗布手段と処理液塗布手段とを備えてい
る。基板保持手段は基板を保持する。溶剤塗布手段は、
基板保持手段に保持された基板に溶剤を塗布する。処理
液塗布手段は、溶剤塗布手段による溶剤塗布後に処理液
を基板に塗布する。第3の発明に係る処理液塗布方法
は、基板の表面に処理液を塗布する方法であって、基板
に溶剤を塗布する溶剤塗布工程と、溶剤塗布工程の後に
基板に処理液を塗布する処理液塗布工程とを含んでい
る。
保持手段と溶剤塗布手段と処理液塗布手段とを備えてい
る。基板保持手段は基板を保持する。溶剤塗布手段は、
基板保持手段に保持された基板に溶剤を塗布する。処理
液塗布手段は、溶剤塗布手段による溶剤塗布後に処理液
を基板に塗布する。第3の発明に係る処理液塗布方法
は、基板の表面に処理液を塗布する方法であって、基板
に溶剤を塗布する溶剤塗布工程と、溶剤塗布工程の後に
基板に処理液を塗布する処理液塗布工程とを含んでい
る。
【0009】
【作用】第1の発明に係る処理液塗布装置では、基板保
持手段に保持された基板に溶剤塗布手段が溶剤を塗布
し、また処理液塗布手段が処理液を塗布する。ここで
は、基板保持手段に保持された基板に溶剤を塗布できる
ので、基板表面を親溶剤性として処理液が広がりやすい
状態を作り出すことができる。このため、少ない処理液
量で基板表面に処理液を塗布できるようになる。
持手段に保持された基板に溶剤塗布手段が溶剤を塗布
し、また処理液塗布手段が処理液を塗布する。ここで
は、基板保持手段に保持された基板に溶剤を塗布できる
ので、基板表面を親溶剤性として処理液が広がりやすい
状態を作り出すことができる。このため、少ない処理液
量で基板表面に処理液を塗布できるようになる。
【0010】第2の発明に係る処理液塗布装置では、基
板保持手段に保持された基板に溶剤塗布手段が溶剤を塗
布する。そして、溶剤塗布後に、処理液塗布手段が処理
液を基板に塗布する。ここでは、溶剤により表面が親溶
剤性となった基板に対して処理液が塗布されるので、処
理液が基板上を広がりやすくなる。このため、少ない処
理液量で基板上に処理液を塗布できる。
板保持手段に保持された基板に溶剤塗布手段が溶剤を塗
布する。そして、溶剤塗布後に、処理液塗布手段が処理
液を基板に塗布する。ここでは、溶剤により表面が親溶
剤性となった基板に対して処理液が塗布されるので、処
理液が基板上を広がりやすくなる。このため、少ない処
理液量で基板上に処理液を塗布できる。
【0011】第3の発明に係る処理液塗布方法では、溶
剤塗布後に処理液が塗布されるので、基板表面が親溶剤
性になり、処理液が広がりやすくなる。このため、少な
い処理液量で基板表面に処理液を塗布できる。
剤塗布後に処理液が塗布されるので、基板表面が親溶剤
性になり、処理液が広がりやすくなる。このため、少な
い処理液量で基板表面に処理液を塗布できる。
【0012】
【実施例】図1及び図2において、本発明の一実施例を
採用した角型基板処理装置は、角型基板1の表面にフォ
トレジストの薄膜を形成するスピンコーター2と、薄膜
が形成された角型基板1の端縁及び裏面から不要な薄膜
を除去する基板端縁洗浄装置3と、角型基板1を乾燥さ
せるオーブン4とから主に構成されている。
採用した角型基板処理装置は、角型基板1の表面にフォ
トレジストの薄膜を形成するスピンコーター2と、薄膜
が形成された角型基板1の端縁及び裏面から不要な薄膜
を除去する基板端縁洗浄装置3と、角型基板1を乾燥さ
せるオーブン4とから主に構成されている。
【0013】スピンコーター2は、角型基板1を吸着保
持する基板保持部5と、基板保持部5を周囲から覆うカ
ップ6と、角型基板1の中心にフォトレジスト液を滴下
するフォトレジスト塗布部7と、角型基板1の中心に溶
剤を滴下する溶剤塗布部8とを有している。基板保持部
5は、円板状の部材であり、表面に基板1を吸着保持可
能である。また、基板保持部5は、基板回転モータ22
(図3)により1000rpmで回転駆動される。
持する基板保持部5と、基板保持部5を周囲から覆うカ
ップ6と、角型基板1の中心にフォトレジスト液を滴下
するフォトレジスト塗布部7と、角型基板1の中心に溶
剤を滴下する溶剤塗布部8とを有している。基板保持部
5は、円板状の部材であり、表面に基板1を吸着保持可
能である。また、基板保持部5は、基板回転モータ22
(図3)により1000rpmで回転駆動される。
【0014】フォトレジスト塗布部7は、図2に実線で
示す退避位置と二点鎖線で示す滴下位置との間で旋回可
能なレジストアーム9を有している。フォトレジスト塗
布部7は、滴下位置にレジストアーム9が配置された状
態で、レジストアーム9の先端から基板1の中心にフォ
トレジスト液を滴下し得る。溶剤塗布部8は、図2に実
線で示す退避位置と一点鎖線で示す滴下位置との間で旋
回可能な溶剤アーム10を有している。溶剤塗布部8
は、滴下位置に溶剤アーム10が配置された状態で、溶
剤アーム10の先端から基板1の中心に溶剤を滴下し得
る。
示す退避位置と二点鎖線で示す滴下位置との間で旋回可
能なレジストアーム9を有している。フォトレジスト塗
布部7は、滴下位置にレジストアーム9が配置された状
態で、レジストアーム9の先端から基板1の中心にフォ
トレジスト液を滴下し得る。溶剤塗布部8は、図2に実
線で示す退避位置と一点鎖線で示す滴下位置との間で旋
回可能な溶剤アーム10を有している。溶剤塗布部8
は、滴下位置に溶剤アーム10が配置された状態で、溶
剤アーム10の先端から基板1の中心に溶剤を滴下し得
る。
【0015】溶剤としては以下の液を用いることができ
る。乳酸エチル(EL)、メチル・イソブチル・ケトン
(MIBK)、エチレン・グリコール・モノ・エチル・
エーテル・アセテート(ECA)、酢酸ブチル、N−メ
チル・ピロリドン(NMP)、ピルビン酸エチル(E
P)、エチル−3−エトキシ・プロピオネート(EE
P)、メチル−3−メトキシ・プロピオネート(MM
P)、メチル・アミル・ケトン(MAK)、1−メトキ
シ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノー
ル、3−メトキシ−ブタノール、乳酸メチル、ダイアセ
トンアルコール、アニソール、キシレン、ジエチレング
リコール・ジメチルエーテル、メチルエチルケトン、エ
チレングリコール・モノエチル・エーテル(EC)、エ
チレングリコール・モノメチルエーテル・アセテート
(MCA)、プロピレングリコール・モノメチルエーテ
ル・アセテート(PGMEA)。
る。乳酸エチル(EL)、メチル・イソブチル・ケトン
(MIBK)、エチレン・グリコール・モノ・エチル・
エーテル・アセテート(ECA)、酢酸ブチル、N−メ
チル・ピロリドン(NMP)、ピルビン酸エチル(E
P)、エチル−3−エトキシ・プロピオネート(EE
P)、メチル−3−メトキシ・プロピオネート(MM
P)、メチル・アミル・ケトン(MAK)、1−メトキ
シ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノー
ル、3−メトキシ−ブタノール、乳酸メチル、ダイアセ
トンアルコール、アニソール、キシレン、ジエチレング
リコール・ジメチルエーテル、メチルエチルケトン、エ
チレングリコール・モノエチル・エーテル(EC)、エ
チレングリコール・モノメチルエーテル・アセテート
(MCA)、プロピレングリコール・モノメチルエーテ
ル・アセテート(PGMEA)。
【0016】特に、乳酸エチルやプロピレングリコール
・モノメチルエーテル・アセテート等に代表されるレジ
ストの主溶剤、メチル・イソブチル・ケトン、酢酸ブチ
ル等の低沸点溶剤が好ましい。さらに、酢酸ブチルの揮
発性を1とすると、揮発性が0.5〜1.5の範囲の溶
剤(たとえば、プロピレングリコール・モノメチルエー
テル・アセテート、メチル−3−メトキシ・プロピオネ
ートや、1−メトキシ−2−プロパノールや、1−エト
キシ−2−プロパノール等の溶剤)がより好ましい。こ
れは、レジスト液滴下時に基板表面が乾燥し過ぎず、す
なわち基板表面を親溶剤性にでき、しかも溶剤が残り過
ぎて処理液の膜の厚みの均一性を損なうことのないよう
にするためである。
・モノメチルエーテル・アセテート等に代表されるレジ
ストの主溶剤、メチル・イソブチル・ケトン、酢酸ブチ
ル等の低沸点溶剤が好ましい。さらに、酢酸ブチルの揮
発性を1とすると、揮発性が0.5〜1.5の範囲の溶
剤(たとえば、プロピレングリコール・モノメチルエー
テル・アセテート、メチル−3−メトキシ・プロピオネ
ートや、1−メトキシ−2−プロパノールや、1−エト
キシ−2−プロパノール等の溶剤)がより好ましい。こ
れは、レジスト液滴下時に基板表面が乾燥し過ぎず、す
なわち基板表面を親溶剤性にでき、しかも溶剤が残り過
ぎて処理液の膜の厚みの均一性を損なうことのないよう
にするためである。
【0017】基板端縁洗浄装置3は、表面に薄膜が形成
された角型基板1を載置して真空吸着する基板保持部1
1と、基板保持部11の周囲4か所に配置されて角型基
板1に溶剤を塗布する4つの溶剤吐出部12とから主に
構成されている。スピンコーター2と基板端縁洗浄装置
3との間には、基板搬送用の第1アーム13が、また基
板端縁洗浄装置3と乾燥用のオーブン4との間には基板
搬送用の第2アーム14がそれぞれ設けられている。ま
た、スピンコーター2と基板端縁洗浄装置3との間に
は、第1アーム13のアーム部19の基板接触部分を洗
浄するためのアーム洗浄部15が配置されている。
された角型基板1を載置して真空吸着する基板保持部1
1と、基板保持部11の周囲4か所に配置されて角型基
板1に溶剤を塗布する4つの溶剤吐出部12とから主に
構成されている。スピンコーター2と基板端縁洗浄装置
3との間には、基板搬送用の第1アーム13が、また基
板端縁洗浄装置3と乾燥用のオーブン4との間には基板
搬送用の第2アーム14がそれぞれ設けられている。ま
た、スピンコーター2と基板端縁洗浄装置3との間に
は、第1アーム13のアーム部19の基板接触部分を洗
浄するためのアーム洗浄部15が配置されている。
【0018】第1アーム13は、ベース16上に垂直軸
回りに旋回可能かつ上下移動可能に立設された可動支柱
17と、その上端に配置された支持ボックス18と、支
持ボックス18の内側から水平方向に片持ち状に突出し
た4本のアームからなるアーム部19とを有している。
アーム部19は支持ボックス18に対して進退可能であ
る。なお、第2アーム14も同様の構成である。
回りに旋回可能かつ上下移動可能に立設された可動支柱
17と、その上端に配置された支持ボックス18と、支
持ボックス18の内側から水平方向に片持ち状に突出し
た4本のアームからなるアーム部19とを有している。
アーム部19は支持ボックス18に対して進退可能であ
る。なお、第2アーム14も同様の構成である。
【0019】基板処理装置は、図3に示すように、装置
全体を制御する本体制御部20と、本体制御部20に双
方向通信可能に接続されたスピンコーター制御部21と
を有している。スピンコーター制御部21には、基板保
持部5を回転させる基板回転モータ22と、基板保持部
5で基板1を吸着する際の吸引圧の供給/停止を司る吸
着バルブ23と、レジストアーム9を旋回させるための
レジストアーム旋回部24と、レジスト液の供給をオン
オフするレジスト液バルブ25と、溶剤アーム10を旋
回させる溶剤アーム旋回部26と、溶剤の供給をオンオ
フする溶剤バルブ27と、他の入出力部とが接続されて
いる。
全体を制御する本体制御部20と、本体制御部20に双
方向通信可能に接続されたスピンコーター制御部21と
を有している。スピンコーター制御部21には、基板保
持部5を回転させる基板回転モータ22と、基板保持部
5で基板1を吸着する際の吸引圧の供給/停止を司る吸
着バルブ23と、レジストアーム9を旋回させるための
レジストアーム旋回部24と、レジスト液の供給をオン
オフするレジスト液バルブ25と、溶剤アーム10を旋
回させる溶剤アーム旋回部26と、溶剤の供給をオンオ
フする溶剤バルブ27と、他の入出力部とが接続されて
いる。
【0020】次に、上述の実施例の動作を、主としてス
ピンコーター2に着目して説明する。なお、図4は、ス
ピンコーター2の制御フローチャートを示している。基
板保持部5に角型基板1(以下、単に基板1という)が
セットされると、まず基板1を基板保持部5で吸着保持
する。次に、溶剤アーム10を旋回させて、基板1の中
心に溶剤を滴下する。そして、基板保持部5を1000
rpmで回転させる。所定時間が経過して、溶剤が基板
1の全面にわたり塗布されれば、基板保持部5の回転を
停止させる。
ピンコーター2に着目して説明する。なお、図4は、ス
ピンコーター2の制御フローチャートを示している。基
板保持部5に角型基板1(以下、単に基板1という)が
セットされると、まず基板1を基板保持部5で吸着保持
する。次に、溶剤アーム10を旋回させて、基板1の中
心に溶剤を滴下する。そして、基板保持部5を1000
rpmで回転させる。所定時間が経過して、溶剤が基板
1の全面にわたり塗布されれば、基板保持部5の回転を
停止させる。
【0021】溶剤による処理が終われば、レジストアー
ム9をレジスト滴下位置に旋回し、所定量のフォトレジ
スト液を基板1の中心位置に滴下する。ここでは、予め
溶剤による処理が施されているので、滴下量は従来より
少量でよい。次に、基板保持部5を1500rpmで回
転させる。所定時間が経過して、レジスト液が基板1の
全面にわたり塗布され、余剰のフォトレジスト液が振り
切られれば、基板保持部5の回転を停止させる。なお、
基板1が予め溶剤により処理されているので、回転によ
る膜形成は短時間で行える。
ム9をレジスト滴下位置に旋回し、所定量のフォトレジ
スト液を基板1の中心位置に滴下する。ここでは、予め
溶剤による処理が施されているので、滴下量は従来より
少量でよい。次に、基板保持部5を1500rpmで回
転させる。所定時間が経過して、レジスト液が基板1の
全面にわたり塗布され、余剰のフォトレジスト液が振り
切られれば、基板保持部5の回転を停止させる。なお、
基板1が予め溶剤により処理されているので、回転によ
る膜形成は短時間で行える。
【0022】フォトレジスト膜の形成が完了すれば、基
板1の吸着を解除する。そして、第1アーム13により
基板1を洗浄装置3に搬送する。洗浄装置3では、基板
1を基板保持部11で吸着し、基板1の周縁の余分なレ
ジスト膜を除去する。レジスト膜の除去が終わった基板
1は、第2アーム14によりオーブン4に搬送され、乾
燥処理が施される。
板1の吸着を解除する。そして、第1アーム13により
基板1を洗浄装置3に搬送する。洗浄装置3では、基板
1を基板保持部11で吸着し、基板1の周縁の余分なレ
ジスト膜を除去する。レジスト膜の除去が終わった基板
1は、第2アーム14によりオーブン4に搬送され、乾
燥処理が施される。
【0023】上述の動作において、スピンコーター2は
次のように制御されて動作する。スピンコーター2の制
御動作を示す図4において、ステップS1では、基板保
持部5に基板1がセットされるのを待つ。基板保持部5
に基板1がセットされるとステップS2に移行する。ス
テップS2では、吸着バルブ23を開き、基板1を基板
保持部5で吸着保持する。ステップS3では、溶剤アー
ム10を退避位置から溶剤滴下位置に旋回し、溶剤バル
ブ27を開いて基板1の中心に溶剤を滴下し、滴下後に
溶剤アーム10を退避位置に復帰させる。ステップS4
では、基板回転モータ22の回転を開始し、基板保持部
5を1000rpmで回転させる。ステップS5では、
時間T1の経過を待つ。この時間T1は、溶剤が基板1
の全面にわたり塗布され、振り切られるのに充分な時間
であり、たとえば、10秒〜20秒である。時間T1が
経過するとステップS6に移行し、基板回転モータ22
を停止する。
次のように制御されて動作する。スピンコーター2の制
御動作を示す図4において、ステップS1では、基板保
持部5に基板1がセットされるのを待つ。基板保持部5
に基板1がセットされるとステップS2に移行する。ス
テップS2では、吸着バルブ23を開き、基板1を基板
保持部5で吸着保持する。ステップS3では、溶剤アー
ム10を退避位置から溶剤滴下位置に旋回し、溶剤バル
ブ27を開いて基板1の中心に溶剤を滴下し、滴下後に
溶剤アーム10を退避位置に復帰させる。ステップS4
では、基板回転モータ22の回転を開始し、基板保持部
5を1000rpmで回転させる。ステップS5では、
時間T1の経過を待つ。この時間T1は、溶剤が基板1
の全面にわたり塗布され、振り切られるのに充分な時間
であり、たとえば、10秒〜20秒である。時間T1が
経過するとステップS6に移行し、基板回転モータ22
を停止する。
【0024】ステップS6に続いてステップS7では、
時間T2の経過を待つ。この時間T2は、基板1に塗布
された溶剤を所望の乾燥程度まで乾燥させるために十分
な時間であり、たとえば5秒程度である。なお、溶剤種
類や時間T1等の条件により、ステップS4からS6ま
での振り切りの間に所望の乾燥程度になるような場合に
あっては、このステップS7での時間T2は実質的には
0であってもよい。
時間T2の経過を待つ。この時間T2は、基板1に塗布
された溶剤を所望の乾燥程度まで乾燥させるために十分
な時間であり、たとえば5秒程度である。なお、溶剤種
類や時間T1等の条件により、ステップS4からS6ま
での振り切りの間に所望の乾燥程度になるような場合に
あっては、このステップS7での時間T2は実質的には
0であってもよい。
【0025】ステップS8では、レジストアーム9をレ
ジスト滴下位置に旋回し、所定量のフォトレジスト液を
基板1の中心位置に滴下し、滴下後にレジストアーム9
を退避位置に復帰させる。ここでの滴下量は、従来より
少量でよい。ステップS9では、基板回転モータ22の
回転を開始し、基板1を1500rpmで回転させる。
ステップS10では時間T3の経過を待つ。この時間T
3はフォトレジスト液が基板1上の全面にわたり塗布さ
れ、振り切られるのに充分な時間であり、たとえば20
秒である。時間T3が経過するとステップS11に移行
し、基板回転モータ22の回転を停止する。ステップS
12では、吸着バルブ23を閉じて基板1の吸着保持を
解除する。ステップS13では、本体制御部20にレジ
スト液の塗布が終了したことを示す終了信号を出力し、
ステップS1に戻る。以上の制御による処理シーケンス
は図5に示すものとなる。
ジスト滴下位置に旋回し、所定量のフォトレジスト液を
基板1の中心位置に滴下し、滴下後にレジストアーム9
を退避位置に復帰させる。ここでの滴下量は、従来より
少量でよい。ステップS9では、基板回転モータ22の
回転を開始し、基板1を1500rpmで回転させる。
ステップS10では時間T3の経過を待つ。この時間T
3はフォトレジスト液が基板1上の全面にわたり塗布さ
れ、振り切られるのに充分な時間であり、たとえば20
秒である。時間T3が経過するとステップS11に移行
し、基板回転モータ22の回転を停止する。ステップS
12では、吸着バルブ23を閉じて基板1の吸着保持を
解除する。ステップS13では、本体制御部20にレジ
スト液の塗布が終了したことを示す終了信号を出力し、
ステップS1に戻る。以上の制御による処理シーケンス
は図5に示すものとなる。
【0026】なお、ステップS3では、プロピレングリ
コール・モノメチルエーテル・アセテートやメチル−3
−メトキシ・プロピオネートや、1−メトキシ−2−プ
ロパノールや、1−エトキシ−2−プロパノール等の溶
剤(揮発性が0.5〜1.5の範囲の溶剤)を使用する
のが好ましい。なぜなら、ステップS5で時間T1間溶
剤を振り切った後にフォトレジスト液を塗布するため、
ステップS8でのレジスト液滴下時に基板1の表面が乾
燥し過ぎていると、フォトレジスト液の滴下量の削減に
効果がなくなり、また逆に溶剤が揮発せずに基板1上に
残り過ぎていても膜厚分布に悪影響があるからである。
コール・モノメチルエーテル・アセテートやメチル−3
−メトキシ・プロピオネートや、1−メトキシ−2−プ
ロパノールや、1−エトキシ−2−プロパノール等の溶
剤(揮発性が0.5〜1.5の範囲の溶剤)を使用する
のが好ましい。なぜなら、ステップS5で時間T1間溶
剤を振り切った後にフォトレジスト液を塗布するため、
ステップS8でのレジスト液滴下時に基板1の表面が乾
燥し過ぎていると、フォトレジスト液の滴下量の削減に
効果がなくなり、また逆に溶剤が揮発せずに基板1上に
残り過ぎていても膜厚分布に悪影響があるからである。
【0027】ここでは、溶剤を塗布した後にフォトレジ
スト液を塗布しているので、フォトレジスト液塗布時に
基板上が予め親溶剤性となっており、少量のフォトレジ
スト液でフォトレジスト液を薄膜状にむらなく塗布でき
る。 〔他の実施例〕 (a) 溶剤を基板全面に塗布する代わりに、たとえば
円形の基板にあってはその外周縁に沿った部分のみに、
矩形の角型基板にあってはその四隅のみあるいは四隅を
含むように周縁に沿った部分のみに、溶剤を塗布しても
よい。たとえば図6(a)に示すように、溶剤アーム1
0を基板1の中心から外れた所定の位置まで旋回させて
停止させ、矩形の基板1を回転させながら溶剤を滴下
し、図中に斜線で示した部分のみに溶剤を塗布する。し
かる後に図6(b)に示すようにその中央部にレジスト
液を滴下して塗布を行う。これは、基板の外周に沿った
部分、特に角型基板にあってはその四隅の部分等では、
処理液が拡散しにくくなることがあるためである。少な
くともこの部分のみに溶剤を塗布しておくことで、処理
液の塗布の均一性を保ちつつ処理液の使用量を低減する
点で、従来の通常の技術と比べて顕著な効果がある。 (b) 低回転で基板を回転させながら基板中央に処理
液を滴下し、それとともに基板の周囲に溶剤を滴下し、
そのあとに基板を高速回転させてもよい。たとえば図6
(c)に示すように、レジストアーム9を旋回させて基
板1の中心位置に停止させ、溶剤アーム10を旋回させ
て基板1の中心位置から外れた位置に停止させ、基板1
を低回転で回転させながら溶剤とフォトレジスト液とを
同時に基板1上に滴下し、その後に基板1を高回転で回
転させる。この場合の処理シーケンスは図7に示すよう
になる。これによっても、基板1の外周に沿った部分を
親溶剤性にでき、処理液使用量の低減に効果があり、か
つこの場合には、溶剤と処理液とを同時に滴下できるの
で、処理時間を短縮できる。 (c) 溶剤と処理液とのためにそれぞれ別々のアーム
を用いる代わりに、溶剤を吐出するノズルと処理液を吐
出するノズルとを1つのアームに設けてもよい。 (d) 溶剤と処理液とのためにそれぞれ別々のアーム
を用いる代わりに、1つのアームに1つのノズルを設
け、ノズルに到る配管を切り替えるなどしてノズルから
吐出する液を溶剤と処理液とに切り替えられるように構
成してもよい。 (e) スピンコーターは、図示の開放型に限定され
ず、密閉型もしくは特開平4−61955号公報記載の
ような半密閉型でもよい。 (f) 上記実施例では、まず溶剤を単独で塗布してい
たが、塗布膜を形成しようとするフォトレジスト液を混
合した溶剤をまず塗布し、その後にそのフォトレジスト
液の希釈しない原液を塗布して所定の膜厚を得るように
しても、全体としてのフォトレジスト液の使用量を低減
できる。この場合、溶剤としては、混合しようとするフ
ォトレジスト液に含まれている溶剤成分と同種のもので
あることが望ましい。たとえば、粘度10〜30cpの
フォトレジスト液を塗布して所定の膜厚を得ようとする
場合、そのフォトレジスト液に含まれる溶剤によってフ
ォトレジスト液を粘度0.5〜1cp程度まで希釈した
液を、本発明でいうところの溶剤としてまず基板表面に
塗布し、その後に希釈しないフォトレジスト液を塗布し
ても、同様の効果を得ることができる。
スト液を塗布しているので、フォトレジスト液塗布時に
基板上が予め親溶剤性となっており、少量のフォトレジ
スト液でフォトレジスト液を薄膜状にむらなく塗布でき
る。 〔他の実施例〕 (a) 溶剤を基板全面に塗布する代わりに、たとえば
円形の基板にあってはその外周縁に沿った部分のみに、
矩形の角型基板にあってはその四隅のみあるいは四隅を
含むように周縁に沿った部分のみに、溶剤を塗布しても
よい。たとえば図6(a)に示すように、溶剤アーム1
0を基板1の中心から外れた所定の位置まで旋回させて
停止させ、矩形の基板1を回転させながら溶剤を滴下
し、図中に斜線で示した部分のみに溶剤を塗布する。し
かる後に図6(b)に示すようにその中央部にレジスト
液を滴下して塗布を行う。これは、基板の外周に沿った
部分、特に角型基板にあってはその四隅の部分等では、
処理液が拡散しにくくなることがあるためである。少な
くともこの部分のみに溶剤を塗布しておくことで、処理
液の塗布の均一性を保ちつつ処理液の使用量を低減する
点で、従来の通常の技術と比べて顕著な効果がある。 (b) 低回転で基板を回転させながら基板中央に処理
液を滴下し、それとともに基板の周囲に溶剤を滴下し、
そのあとに基板を高速回転させてもよい。たとえば図6
(c)に示すように、レジストアーム9を旋回させて基
板1の中心位置に停止させ、溶剤アーム10を旋回させ
て基板1の中心位置から外れた位置に停止させ、基板1
を低回転で回転させながら溶剤とフォトレジスト液とを
同時に基板1上に滴下し、その後に基板1を高回転で回
転させる。この場合の処理シーケンスは図7に示すよう
になる。これによっても、基板1の外周に沿った部分を
親溶剤性にでき、処理液使用量の低減に効果があり、か
つこの場合には、溶剤と処理液とを同時に滴下できるの
で、処理時間を短縮できる。 (c) 溶剤と処理液とのためにそれぞれ別々のアーム
を用いる代わりに、溶剤を吐出するノズルと処理液を吐
出するノズルとを1つのアームに設けてもよい。 (d) 溶剤と処理液とのためにそれぞれ別々のアーム
を用いる代わりに、1つのアームに1つのノズルを設
け、ノズルに到る配管を切り替えるなどしてノズルから
吐出する液を溶剤と処理液とに切り替えられるように構
成してもよい。 (e) スピンコーターは、図示の開放型に限定され
ず、密閉型もしくは特開平4−61955号公報記載の
ような半密閉型でもよい。 (f) 上記実施例では、まず溶剤を単独で塗布してい
たが、塗布膜を形成しようとするフォトレジスト液を混
合した溶剤をまず塗布し、その後にそのフォトレジスト
液の希釈しない原液を塗布して所定の膜厚を得るように
しても、全体としてのフォトレジスト液の使用量を低減
できる。この場合、溶剤としては、混合しようとするフ
ォトレジスト液に含まれている溶剤成分と同種のもので
あることが望ましい。たとえば、粘度10〜30cpの
フォトレジスト液を塗布して所定の膜厚を得ようとする
場合、そのフォトレジスト液に含まれる溶剤によってフ
ォトレジスト液を粘度0.5〜1cp程度まで希釈した
液を、本発明でいうところの溶剤としてまず基板表面に
塗布し、その後に希釈しないフォトレジスト液を塗布し
ても、同様の効果を得ることができる。
【0028】
【発明の効果】本発明に係る処理液塗布装置及び方法で
は、溶剤により基板を親溶剤性の状態にして処理液を基
板に塗布できるので、少量の処理液で基板上に処理液を
むらなく均一に塗布できる。
は、溶剤により基板を親溶剤性の状態にして処理液を基
板に塗布できるので、少量の処理液で基板上に処理液を
むらなく均一に塗布できる。
【図1】本発明の一実施例を採用した基板処理装置の全
体側面概略図。
体側面概略図。
【図2】その平面概略図。
【図3】スピンコーター制御部の制御構成を示すブロッ
ク図。
ク図。
【図4】スピンコーター制御部の制御フローチャート。
【図5】処理シーケンスを示すタイムチャート。
【図6】他の実施例の処理シーケンスを示す模式図。
【図7】他の実施例の処理シーケンスを示すタイムチャ
ート。
ート。
2 スピンコーター 5 基板保持部 7 フォトレジスト塗布部 8 溶剤塗布部 21 スピンコーター制御部
Claims (3)
- 【請求項1】基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布
装置であって、 前記基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に溶剤を塗布する溶
剤塗布手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に前記処理液を塗布
する処理液塗布手段と、を備えた処理液塗布装置。 - 【請求項2】基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布
装置であって、 前記基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に溶剤を塗布する溶
剤塗布手段と、 前記溶剤塗布手段による溶剤塗布後に、前記基板に前記
処理液を塗布する処理液塗布手段と、を備えた処理液塗
布装置。 - 【請求項3】基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布
方法であって、 前記基板に溶剤を塗布する溶剤塗布工程と、 前記溶剤塗布工程の後に前記基板に前記処理液を塗布す
る処理液塗布工程と、を含む処理液塗布方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22113693A JPH0778741A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 処理液塗布装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22113693A JPH0778741A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 処理液塗布装置及び方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0778741A true JPH0778741A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16762028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22113693A Pending JPH0778741A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 処理液塗布装置及び方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0778741A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002158162A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法および塗布装置 |
JP5931230B1 (ja) * | 2015-01-15 | 2016-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置、及び記録媒体。 |
-
1993
- 1993-09-06 JP JP22113693A patent/JPH0778741A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002158162A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法および塗布装置 |
JP5931230B1 (ja) * | 2015-01-15 | 2016-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置、及び記録媒体。 |
KR20160088225A (ko) * | 2015-01-15 | 2016-07-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 방법, 액 처리 장치 및 기록 매체 |
CN105810558A (zh) * | 2015-01-15 | 2016-07-27 | 东京毅力科创株式会社 | 液体处理方法和液体处理装置 |
US9791778B2 (en) | 2015-01-15 | 2017-10-17 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, liquid processing apparatus and recording medium |
TWI624308B (zh) * | 2015-01-15 | 2018-05-21 | 東京威力科創股份有限公司 | 液體處理方法、液體處理裝置及記錄媒體 |
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