JPH0287616A - 電子線直接描画方法 - Google Patents
電子線直接描画方法Info
- Publication number
- JPH0287616A JPH0287616A JP24146388A JP24146388A JPH0287616A JP H0287616 A JPH0287616 A JP H0287616A JP 24146388 A JP24146388 A JP 24146388A JP 24146388 A JP24146388 A JP 24146388A JP H0287616 A JPH0287616 A JP H0287616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- pattern
- irradiation amount
- resist film
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Control By Computers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路などのパターンを半導体基板上
に直接描画する電子線直接描画方法に関する。
に直接描画する電子線直接描画方法に関する。
近年、半導体集積回路の製造に於いて、超微細パターン
を必要とするバイポーラトメモリあるいはＭＯＳメモリ
等で電子線（ＥＢ）による直接描画法が用いられている
。また、ゲートアレー等カスタムＬＳＩの配線工程に於
いてもターンアラウンドタイム短縮のため電子線直接描
画法が用いられている。
を必要とするバイポーラトメモリあるいはＭＯＳメモリ
等で電子線（ＥＢ）による直接描画法が用いられている
。また、ゲートアレー等カスタムＬＳＩの配線工程に於
いてもターンアラウンドタイム短縮のため電子線直接描
画法が用いられている。
第６図は従来の電子線直接描画法を説明するための電子
線直描装置の一例の模式図である。
線直描装置の一例の模式図である。
装置本体は電子ビーム１００を発生する電子銃部１０１
．電子ビーム１００の成形・ブランキング・ビーム照射
位置決め・照射量決め等を行なうべく電子レンズやアパ
チャ、各種電極等から構成される電子鏡筒部１０２．露
光されるべきウェーハ１０４を載せるウェーハ台１０５
及びその位置を制御するためのＸ−Ｙステージ１０６が
含まれている試料室１０３より構成されている。本体各
部はそれぞれ真空ポンプ１０８Ａ。
．電子ビーム１００の成形・ブランキング・ビーム照射
位置決め・照射量決め等を行なうべく電子レンズやアパ
チャ、各種電極等から構成される電子鏡筒部１０２．露
光されるべきウェーハ１０４を載せるウェーハ台１０５
及びその位置を制御するためのＸ−Ｙステージ１０６が
含まれている試料室１０３より構成されている。本体各
部はそれぞれ真空ポンプ１０８Ａ。
１０８Ｂ、１０８Ｃによって真空引きされ、防雲台１０
７上に載置されている。コンピュータ１０っはパターン
データ保存部１１０よりパターンデータを受は取り、そ
のデータ及びあらかじめ決められた各描画パラメータに
従って電子鏡筒部１０２、ステージ１０６を制御し、パ
ターン描画が行なわれる。ウェーハ上に塗布されたレジ
ストに対する最適電子ビーム照射量はあらかじめ描画パ
ラメータの一つとしてコンピュータ１０９に入力されて
いるが近接効果補正のためを除いて、通常ウェーハ上で
はすべてのパターンが同一照射量で描画されている。
７上に載置されている。コンピュータ１０っはパターン
データ保存部１１０よりパターンデータを受は取り、そ
のデータ及びあらかじめ決められた各描画パラメータに
従って電子鏡筒部１０２、ステージ１０６を制御し、パ
ターン描画が行なわれる。ウェーハ上に塗布されたレジ
ストに対する最適電子ビーム照射量はあらかじめ描画パ
ラメータの一つとしてコンピュータ１０９に入力されて
いるが近接効果補正のためを除いて、通常ウェーハ上で
はすべてのパターンが同一照射量で描画されている。
第７図は描画されるウェーハの断面図である。
ウェーハ３０１上にはパターン転写のためのレジスト膜
３０２が塗布されている。ところで、このレジスト膜３
０２がウェーハ上に塗布される場合、従来、まずウェー
ハ中心部にレジスト液を滴下した後、ウェーハを回転す
ることによってウェーハ上でレジスト膜厚が均一になる
様に工夫されている。しかしながら、レジスト膜厚を完
全に均一にするのは難しく、直径６インチのウェーハの
場合、１μｍ程度の塗布膜厚としたとき、０．１μｍ程
度の膜厚差は存在する。第８図はレジスト膜厚とＥＢ描
画・現像後のパターン寸法の関係を示した図である。あ
る照射量Ｑｏで描画を行なった場合、ポジ形レジストを
用い残しパターン寸法を測定すると、レジスト膜厚ｔ１
ではパターン寸法！！１、レジスト膜厚がｔ２ではパタ
ーン寸法ｅ２が得られる。ｔ２−ｔｘ 嬌Ｑ、ｌ １ｔ
ｍのときｅ２ ｅ＋は電子線描画置、レジスト材料や現
像方法によって異なるが、電子線の加速電圧２０ｋＶ、
電流密度０．４Ａ／ｃｍ２、可変整形ビームを用い、Ｓ
ｉウェーハ上にＭＰ２４００レジスト（シブレイ社）を
塗布したものに０，５μｍ寸法のパターンを描画し、Ｍ
Ｐ２４０１現像液（シブレイ社）でパドル現像を行なっ
た場合、２□−！、〉０．１μｍとなることもある。通
常、ウェーハ内でのパターン寸法のバラツキはパターン
寸法の１／１０未満で制御される必要があり、特にトラ
ンジスタのゲート長ではこれを越えると性能劣化を招い
てしまう。
３０２が塗布されている。ところで、このレジスト膜３
０２がウェーハ上に塗布される場合、従来、まずウェー
ハ中心部にレジスト液を滴下した後、ウェーハを回転す
ることによってウェーハ上でレジスト膜厚が均一になる
様に工夫されている。しかしながら、レジスト膜厚を完
全に均一にするのは難しく、直径６インチのウェーハの
場合、１μｍ程度の塗布膜厚としたとき、０．１μｍ程
度の膜厚差は存在する。第８図はレジスト膜厚とＥＢ描
画・現像後のパターン寸法の関係を示した図である。あ
る照射量Ｑｏで描画を行なった場合、ポジ形レジストを
用い残しパターン寸法を測定すると、レジスト膜厚ｔ１
ではパターン寸法！！１、レジスト膜厚がｔ２ではパタ
ーン寸法ｅ２が得られる。ｔ２−ｔｘ 嬌Ｑ、ｌ １ｔ
ｍのときｅ２ ｅ＋は電子線描画置、レジスト材料や現
像方法によって異なるが、電子線の加速電圧２０ｋＶ、
電流密度０．４Ａ／ｃｍ２、可変整形ビームを用い、Ｓ
ｉウェーハ上にＭＰ２４００レジスト（シブレイ社）を
塗布したものに０，５μｍ寸法のパターンを描画し、Ｍ
Ｐ２４０１現像液（シブレイ社）でパドル現像を行なっ
た場合、２□−！、〉０．１μｍとなることもある。通
常、ウェーハ内でのパターン寸法のバラツキはパターン
寸法の１／１０未満で制御される必要があり、特にトラ
ンジスタのゲート長ではこれを越えると性能劣化を招い
てしまう。
上述した従来の電子線直接描画方法ではウェーハ上でパ
ターン描画する際の照射量は一定に保たれるため、ウェ
ーハ上のレジスト膜厚が均一でない場合、パターンの寸
法が正確に制御されず、集積回路装置の性能が劣化する
、歩留まりが低下する等の影響があり、高品質集積回路
装置を低価格で大量に安定供給できないという欠点があ
る。
ターン描画する際の照射量は一定に保たれるため、ウェ
ーハ上のレジスト膜厚が均一でない場合、パターンの寸
法が正確に制御されず、集積回路装置の性能が劣化する
、歩留まりが低下する等の影響があり、高品質集積回路
装置を低価格で大量に安定供給できないという欠点があ
る。
本発明の目的は、パターン寸法を正確に制御できる電子
線直接描画方法を提供することにある。
線直接描画方法を提供することにある。
本発明の電子線直接描画方法は、半導体基板上に塗布さ
れた電子線感光性有機膜に、パターンデータに従って順
次電子線で描画を行なう電子線直接描画方法に於いて、
あらかじめ前記半導体基板上での前記電子線感光性有機
膜の膜厚分布を測定し、その膜厚分布に応じ、前記半導
体基板内での各パターン描画に於ける電子線照射量を変
化させることにより構成される。
れた電子線感光性有機膜に、パターンデータに従って順
次電子線で描画を行なう電子線直接描画方法に於いて、
あらかじめ前記半導体基板上での前記電子線感光性有機
膜の膜厚分布を測定し、その膜厚分布に応じ、前記半導
体基板内での各パターン描画に於ける電子線照射量を変
化させることにより構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するための電子線
描画装置の模式図である。基本的構成は従来とほとんど
同じであるが、この装置はレジスト膜厚を測定するため
の膜厚測定部を有している。すなわち、膜厚測定部は光
源２０１（レジストを前述のＭＰ２４００ （シブレイ
社）を使用する場合、波長０．３５〜０．６５μｍの白
色光のものを使う）、ハーフミラ−２０２，レンズ系２
０３．検出系２０４．Ｘ−Ｙステージ２０７．Ｘ−Ｙス
テージ上のウェーハ載置台２０６及びカバー２０５より
構成される。Ｘ−Ｙステージ２０７及びつ工−ハ載置台
２０６はウェーハ１０４でのレジスト膜厚測定後、試料
室１０３横に移動し、ウェーハ載置台１０５上にウェー
ハ１０４を載置可能となっている。
描画装置の模式図である。基本的構成は従来とほとんど
同じであるが、この装置はレジスト膜厚を測定するため
の膜厚測定部を有している。すなわち、膜厚測定部は光
源２０１（レジストを前述のＭＰ２４００ （シブレイ
社）を使用する場合、波長０．３５〜０．６５μｍの白
色光のものを使う）、ハーフミラ−２０２，レンズ系２
０３．検出系２０４．Ｘ−Ｙステージ２０７．Ｘ−Ｙス
テージ上のウェーハ載置台２０６及びカバー２０５より
構成される。Ｘ−Ｙステージ２０７及びつ工−ハ載置台
２０６はウェーハ１０４でのレジスト膜厚測定後、試料
室１０３横に移動し、ウェーハ載置台１０５上にウェー
ハ１０４を載置可能となっている。
第２図はウェーハの上面図である。電子線感光性有機膜
、つまりレジスト膜の塗布されたウェーハ３０１上にチ
ップ１．．２．３．・・・の順に描画を行なう場合、第
１図に於ける膜厚測定部に於いてチップ］、２，３．・
・・のレジスト膜厚を描画に先立ち測定し、その測定デ
ータに応じて各チップ１．２．３・・・の電子線照射量
を各チップ間でのパターン寸法差かなくなる様に調整す
る。
、つまりレジスト膜の塗布されたウェーハ３０１上にチ
ップ１．．２．３．・・・の順に描画を行なう場合、第
１図に於ける膜厚測定部に於いてチップ］、２，３．・
・・のレジスト膜厚を描画に先立ち測定し、その測定デ
ータに応じて各チップ１．２．３・・・の電子線照射量
を各チップ間でのパターン寸法差かなくなる様に調整す
る。
第３図は電子線照射量と現像後のパターン寸法との関係
を示した図である。レジスト膜厚がｔ３のとき照射量Ｑ
３ではパターン寸法１３が得られる。レジスト膜厚がｔ
４のとき照射量Ｑ３ではパターン寸法ｅ４となり、ｅ３
と異なってしまう。
を示した図である。レジスト膜厚がｔ３のとき照射量Ｑ
３ではパターン寸法１３が得られる。レジスト膜厚がｔ
４のとき照射量Ｑ３ではパターン寸法ｅ４となり、ｅ３
と異なってしまう。
この場合照射量をＱ４とするとパターン寸法で３が得ら
れる。
れる。
第４図はパターン寸法１３を得る時のレジス１へ膜厚と
照射量との関係を示したものである。各チップでの膜厚
測定結果からこのグラフをもとに作業者が照射量を求め
ても良いか、あらかじめ第４図のデータをコンピュータ
１０９に入力しておき膜厚測定結果からコンピュータに
より自動的に必要照射量を算出し、それに従って照射さ
れる方法が最も有効である。ここで、膜厚測定は全チッ
プについて行なうばかりでなく、何チップかを選択測定
し、他のチップはそれらの測定結果をもとに近似しても
良い。
照射量との関係を示したものである。各チップでの膜厚
測定結果からこのグラフをもとに作業者が照射量を求め
ても良いか、あらかじめ第４図のデータをコンピュータ
１０９に入力しておき膜厚測定結果からコンピュータに
より自動的に必要照射量を算出し、それに従って照射さ
れる方法が最も有効である。ここで、膜厚測定は全チッ
プについて行なうばかりでなく、何チップかを選択測定
し、他のチップはそれらの測定結果をもとに近似しても
良い。
第５図は本発明の第２の実施例を説明するためのフロー
チャートである。
チャートである。
第１の実施例ではパターン寸法制御を高精度で行なうた
め、全ウェーハについてレジスト膜厚測定を行なうが、
測定に時間を要する。そこで、第２の実施例ではロット
内からあらかじめ何枚かのウェーハを抜き取り、例えば
、２５枚のウェーハで構成されるロットから５枚を抜き
取り、その５枚についで第１の実施例と同様に各チップ
のレジスト膜厚測定を行なう。次に、これら５枚分のデ
ータから各チップごとの平均膜厚を求め、この平均膜厚
からさらに各チップごとの電子線照射量を求め、これに
従って２５枚全部の電子線描画を行なうものである。
め、全ウェーハについてレジスト膜厚測定を行なうが、
測定に時間を要する。そこで、第２の実施例ではロット
内からあらかじめ何枚かのウェーハを抜き取り、例えば
、２５枚のウェーハで構成されるロットから５枚を抜き
取り、その５枚についで第１の実施例と同様に各チップ
のレジスト膜厚測定を行なう。次に、これら５枚分のデ
ータから各チップごとの平均膜厚を求め、この平均膜厚
からさらに各チップごとの電子線照射量を求め、これに
従って２５枚全部の電子線描画を行なうものである。
以上説明したように本発明はウェーハ内のレジスト膜厚
を求め、それをもとに最適電子線照射量を変化すること
により、ウェーハ上にレジストが均一膜厚で塗布されな
い場合でもパターン寸法が一定に形成され、高性能・低
価格の集積回路が多量に安価に供給されるという効果が
ある。
を求め、それをもとに最適電子線照射量を変化すること
により、ウェーハ上にレジストが均一膜厚で塗布されな
い場合でもパターン寸法が一定に形成され、高性能・低
価格の集積回路が多量に安価に供給されるという効果が
ある。
なお、最適電子線照射量はチップごとに変化させる例を
説明したが、描画フィールドごと、サブフィールドごと
等要求精度に応じて変化させるようにしても良い。
説明したが、描画フィールドごと、サブフィールドごと
等要求精度に応じて変化させるようにしても良い。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するための電子線
′描画装置の模式図、第２図は第１図の実施例を説明す
るためのウェーハの上面図、第３図は電子線照射量とパ
ターン寸法の関係を示す特性図、第４図はレジスト膜厚
と電子線照射量との関係を示す特性図、第５図は第２の
実施例を説明するためのフローチャート、第６図は従来
の電子線描画装置、の模式図、第７図は従来例を説明す
るためのウェーハの断面図、第８図はレジスト膜厚とパ
ターン寸法との関係を示す特性図である。 １００・・・電子線、１０１・・・電子銃部、１０２・
・・電子鏡筒部、１０３・・・試料室、１０４・・・ウ
ェーハ １０５・・・ウェーハ台、１０６・・・Ｘ−Ｙ
ステージ、１０７・・・防雲台、１０８Ａ、Ｂ、Ｃ・・
・真空ポンプ、１０９・・・コンピュータ、１１０・・
・データ保存部、２００・・・光、２０１・・・光源、
２０２・・・ハーフミラ−１２０３・・・レンス系、２
０４・・・検出器、２０５・・・カバー ２０６・・・
ウェーハ台、２０７・・・Ｘ−Ｙステージ、３０１・・
・ウェーハ、３０２・・・レジスト膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 ち し〉“スト胴−厚 万 図 声 乙 図 ’ｆｅｚ−も１〉 ０．１）ｔｍ 粥 図 声 β 図
′描画装置の模式図、第２図は第１図の実施例を説明す
るためのウェーハの上面図、第３図は電子線照射量とパ
ターン寸法の関係を示す特性図、第４図はレジスト膜厚
と電子線照射量との関係を示す特性図、第５図は第２の
実施例を説明するためのフローチャート、第６図は従来
の電子線描画装置、の模式図、第７図は従来例を説明す
るためのウェーハの断面図、第８図はレジスト膜厚とパ
ターン寸法との関係を示す特性図である。 １００・・・電子線、１０１・・・電子銃部、１０２・
・・電子鏡筒部、１０３・・・試料室、１０４・・・ウ
ェーハ １０５・・・ウェーハ台、１０６・・・Ｘ−Ｙ
ステージ、１０７・・・防雲台、１０８Ａ、Ｂ、Ｃ・・
・真空ポンプ、１０９・・・コンピュータ、１１０・・
・データ保存部、２００・・・光、２０１・・・光源、
２０２・・・ハーフミラ−１２０３・・・レンス系、２
０４・・・検出器、２０５・・・カバー ２０６・・・
ウェーハ台、２０７・・・Ｘ−Ｙステージ、３０１・・
・ウェーハ、３０２・・・レジスト膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 ち し〉“スト胴−厚 万 図 声 乙 図 ’ｆｅｚ−も１〉 ０．１）ｔｍ 粥 図 声 β 図
Claims (1)
- 半導体基板上に塗布された電子線感光性有機膜に、パタ
ーンデータに従って順次電子線で描画を行なう電子線直
接描画方法に於いて、あらかじめ前記半導体基板上での
前記電子線感光性有機膜の膜厚分布を測定し、その膜厚
分布に応じ、前記半導体基板内での各パターン描画に於
ける電子線照射量を変化させることを特徴とする電子線
直接描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24146388A JP2926718B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 電子線直接描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24146388A JP2926718B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 電子線直接描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287616A true JPH0287616A (ja) | 1990-03-28 |
| JP2926718B2 JP2926718B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=17074692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24146388A Expired - Fee Related JP2926718B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 電子線直接描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2926718B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6114093A (en) * | 1998-06-17 | 2000-09-05 | Nec Corporation | Method of drawing a pattern by direct writing with charged particle beam utilizing resist containing metal powder |
| JP2007095835A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | 露光システム、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2011198922A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP24146388A patent/JP2926718B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6114093A (en) * | 1998-06-17 | 2000-09-05 | Nec Corporation | Method of drawing a pattern by direct writing with charged particle beam utilizing resist containing metal powder |
| JP2007095835A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | 露光システム、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2011198922A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2926718B2 (ja) | 1999-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101432658B (zh) | 半导体处理中控制形成在晶片上的结构的临界尺寸的方法和系统 | |
| KR100719975B1 (ko) | 리소그래피 시스템에서 초점 정확도 개선을 위한 시스템및 방법 | |
| JP2960746B2 (ja) | ビーム照射方法および電子ビーム描画方法とビーム照射装置並びに電子ビーム描画装置 | |
| JP3251875B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JP2816866B2 (ja) | 処理方法および処理装置 | |
| US6536964B1 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
| JPH0287616A (ja) | 電子線直接描画方法 | |
| JPS6234136B2 (ja) | ||
| JPH10135099A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JP2002170764A (ja) | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光装置の調整方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH11194506A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH09230607A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH05251318A (ja) | 荷電粒子ビーム描画によるパターン形成方法 | |
| JP3022896B2 (ja) | 露光用マスクの製造方法 | |
| JPH0955352A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JPH11274038A (ja) | パターン描画方法及び描画装置 | |
| KR0139814B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPH11204404A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPH04278516A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPH0210821A (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JPS6133640Y2 (ja) | ||
| JPH04298017A (ja) | 現像装置又はウェットエッチング装置における温度安定化法及び装置 | |
| JP2015231020A (ja) | 露光システム及び露光方法 | |
| JPH0897123A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPS6262518A (ja) | 電子ビ−ム転写装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |