DE3856202T2 - Triamin-Entschichtungslösung für positive Photolacke - Google Patents
Triamin-Entschichtungslösung für positive PhotolackeInfo
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 28
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical group NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical group CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- -1 1-cyanoethyl-substituted diethylenetriamine Chemical class 0.000 claims description 4
- TYJJJZBLPWLKNN-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]propan-2-ol Chemical compound CC(O)CNCCNCCN TYJJJZBLPWLKNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VSJMLASULXRXNQ-UHFFFAOYSA-N 1-n-(2-aminoethyl)-2-n-benzyl-3-phenylpropane-1,2-diamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1CNC(CNCCN)CC1=CC=CC=C1 VSJMLASULXRXNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HVOBSBRYQIYZNY-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]ethanol Chemical compound NCCNCCNCCO HVOBSBRYQIYZNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ORTUYCUWCKNIND-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]propanenitrile Chemical compound NCCNCCNCCC#N ORTUYCUWCKNIND-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 37
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- DMYOHQBLOZMDLP-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-hydroxy-3-piperidin-1-ylpropoxy)phenyl]-3-phenylpropan-1-one Chemical compound C1CCCCN1CC(O)COC1=CC=CC=C1C(=O)CCC1=CC=CC=C1 DMYOHQBLOZMDLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 1h-indene-1-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)C=CC2=C1 KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920001079 Thiokol (polymer) Polymers 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/948—Radiation resist
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Description
- Diese Erfindung betrifft eine verbesserte Ablösezusammensetzung (stripping composition) und ein Verfahren zum Entfernen eines ionenimplantierten positiven Photoresists und anderer schwierig zu entfernender Polymerschichten von Substraten Genauer betrifft sie eine solche Zusammensetzung und ein Verfahren, das bei der Entfernung eines jonenimplantierten positiven Photoresits und ähnlicher schwierig zu entfernender Polymerschichten aggressiver ist, ohne am darunterliegenden Substrat eine Schädigung zu verursachen.
- Ablösezusammensetzungen unter Verwendung verschiedener Aminverbindungen zur Entfernung eines positiven Photoresists von Halbleiter-Wafern, die auf ihrer Oberfläche definierte isolierende und/oder leitfähige Muster aufweisen, wobei das das Photoresist während der Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet wird, sind in der Technik bekannt. Zum Beispiel ist Posistrip 830, erhältlich von EKC Technology, Hayward, CA 94540, das aggressivste, kommerziell erhältliche Ablösemittel für ein positives Photoresist. Der Hauptwirkstoff von Posistrip 830 ist 2,(-2-Aminoethoxy)ethanol. Ein weiteres Material, das für diesen Zweck verwendet wird, ist N-Methylpyrrolidon.
- Bei der Integrationsherstellung in sehr großen Maßstab (VLSI; very large scale integration) wird eine Ionenimplantation verwendet, um Dotierungsatome zu Silicium oder einem anderen Halbleitermaterial zuzugeben, um die Leitfähigkeit des Halbleitermaterlals zu verändern. Beispiele solcher Dotierungsmittel umfassen Donoratome, oder Dotierungsmittel des n-Typs, wie etwa Phosphor, Arsen oder Antimon, und Akzeptoratome, oder Dotierungsmittel des p-Typs, wie etwa Bor, Aluminium oder Gaillum. Die Überlegenheit der Ionenimplantation gegenüber Diffusionsdotierungsverfahren für diesen Zweck hat bewirkt, daß es das Diffusionsdotieren in einer steigenden Anzahl von Anwendungen ersetzt.
- Um zu verhindern, daß die ionische Spezies in unerwünschte Substratregionen implantiert wird, muß eine geeignete Maskierungsschicht auf der Waferoberfläche vorliegen, mit Öffnungen in den Bereichen, wo eine Implantation gewünscht ist. Viele Materialien werden für solche Maskierungszwecke bei der Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet, einschließlich Photoresist, SiO&sub2;, Si&sub3;N&sub4;, Polysilicium, Metallfilme und Polyimid.
- Eine dünne Schicht von SiO&sub2; von z.B. 200 bis 300 Angström Dicke wird üblicherweise in den Öffnungen zugegeben, um einen Schutzschirm gegen eine Verunreinigung durch Metalle oder andere Verunreinigen während der Implantation bereitzustellen. Wenn dies gemacht wird, werden lmplantationsvorrichtungen mit höherer Energie benötigt, insbesondere für Arsenimplantate, da der implantierende Strahl zunächst die Schirmschicht in den Öffnungen durchdringen muß, während welcher Zeit er Energie verliert, bevor er auf dem Halbleitersubstrat ankommt. Moderne VLSI-Verfahren verwenden Implantationsdosen im Bereich von etwa 10¹¹ bis 10¹&sup6; Ionen/cm². Nach starken Dosen kann es schwierig werden, eine Photoresist-Maskierungsschicht zu entfernen.
- Als Folge solcher Entfernungsschwierigkeiten ist das häufigste Verfahren zum Entfernen eines ionenimplantierten Photoresists ein Sauerstoffplasma- Verfahren, welches zeitraubend und teuer ist. Kommerziell erhältliche Photoresist-Ablöselösungen, einschließlich der oben erwähnten Posistrip 830 Lösung und des N-Methylpyrrolidons haben sich als nicht geeignet zum Ablösen eines solchen ionenimplantierten Photoresists, insbesondere bei hohen Dosisleveln, erwiesen. Der Stand der Technik der Ionenimplantations- Verfahren wird bei Stanley Wolf und Richard N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era, Kapitel 9, "Ion Implantation for VLSI", Seiten 280 bis 330 diskutiert, einschließlich der Schwierigkeit des Ablösens eines ionenimplantierten Photoresists.
- Entsprechend ist es eine Aufgabe dieser Erfindung, eine Ablöselösung und ein Verfahren zum Ablösen eines positiven Photoresists bereitzustellen, die vollständig und zuverlässig ein Photoresist entfernen, das einer Ionenimplantation, insbesondere bei starken Ionenimplantationsdosen ausgesetzt war.
- Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine solche Ablöselösung und ein Verfahren bereitzustellen, das mit üblicherweise verwendeten, kommerziell erhältlichen positiven Photoresists durchführbar ist.
- Es ist noch eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine solche Ablöselösung und ein Ablöseverfahren für ein ionenimplantiertes positives Photoresist bereitzustellen, das zur Verwendung in moderner VLSI-Verarbeitung geeignet ist.
- Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, die Notwendigkeit Sauerstoffplasma-Ausrüstung und -Verfahren zur Entfernung eines ionenimplantierten positiven Photoresists und anderer schwierig zu entfernender Polymermaterialien von Substraten zu verwenden, zu eliminieren.
- Es ist noch eine weitere Aufgabe der Erfindung ein verbessertes Verfahren zum Entfernen eines positiven Photoresists mit einer Ablöseflüssigkeit bereitzustellen, die das positive Photoresist leichter entfernbar macht.
- Diese und ähnliche Aufgaben können durch die Verwendung der neuen Ablöselösung und des Verfahrens zum Ablösen eines positiven Photoresists und anderer schwierig zu entfernender polymerer Beschichtungen von Substraten, die hierin offenbart sind, gelöst werden. Ein positives Photoresist gemäß dieser Erfindung weist ein Triamin als seinen Hauptwirkstoff auf.
- Entsprechend stellt die vorliegende Erfindung eine Zusammensetzung zum Entfernen eines ionenimplantierten positiven organischen Photoresists von einem Substrat bereit, welche ein Triamin in einer Menge von 40 bis 75 Gewichtsprozent und ein polares organisches Lösungsmittel in einer Menge von 25 bis 60 Gewichtsprozent umfaßt, worin das polare organische Lösungsmittel N-Methylpyrrolidon, Dimethylformamid oder ein Gemisch davon ist.
- Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren zum Ablösen eines positiven organischen Photoresists von einem Substrat bereit, wobei das Verfahren das Inkontaktbringen des positiven Photoresists mit einer Ablösezusammensetzung wie hierin beschrieben zum Entfernen des Photoresists umfaßt. Das positive Photoresist wird mit der Zusammensetzung typischerweise bei einer Temperatur von etwa 80 ºC bis 120 ºC für eine Zeit von etwa einer Minute bis etwa 20 Minuten in Kontakt gebracht.
- Die vorliegende Erfindung stellt weiterhin ein Herstellungsverfahren für einen integrierten Schaltkreis bereit, welches das Bilden einer positiven organischen Photoresistschicht auf einem Halbleiter-Wafer, Definieren einer Öffnung in der positiven organischen Photoresistschicht, die einer gewünschten Dotierungsfläche in dem Halbleiter-Wafer entspricht, Dotieren des Halbleiter-Wafers durch Ionenimplantation einer Dotierungsverunreinigung in den Halbleiter-Wafer durch die Öffnung in der positiven organischen Photoresistschicht und Ablösen der positiven organischen Photoresistschicht von dem Halbleiter-Wafer mit einer Ablösezusammensetzung wie hierin beschrieben umfaßt.
- Aufgrund ihrer starken Basizität sind die Triamin-Ablöselösungen dieser Erfindung in der Lage, ein ionenimplantiertes positives Photoresist zu entfernen, selbst wenn starke Dosen für die VLSI-Herstellung verwendet wurden. Gleichzeitig greifen diese Lösungen die bei der Herstellung von integrierten Schaltungen üblicherweise verwendeten Substratmaterialien, einschließlich Silicium, Siliciumdioxid, Siliciumnitrid und Galliumarsenid unter normalen Verarbeitungsbedingungen nicht an.
- Das Erreichen der vorhergehenden und ähnlicher Aufgaben, die Vorteile und Merkmale der Erfindung werden den Fachleuten leichter ersichtlich nach Durchsicht der folgenden genaueren Beschreibung der Erfindung.
- Positive Photoresists basieren auf der Verwendung eines Novolak- Matrixharzes und typischerweiser einer Diazochinon-photoaktiven Verbindung oder Sensibilisators. Novolak-Harze sind in üblichen organischen Lösungsmitteln löslich und sind auch löslich in wäßrigen basischen Lösungen aufgrund der Säureeigenschaft ihrer Phenolfunktionalität. Die Diazochinonderivate sind in üblichen organischen Lösungsmitteln löslich, aber sie sind in wäßrigen Basen unlöslich. Nach Behandeln mit Licht gehen diese Substanzen eine Reihe von Reaktionen ein, die in der Bildung einer Indencarbonsäure kulminieren. Das Photoprodukt, ist anders als sein Vorläufer, in wäßrigen Basen aufgrund seiner Carbonsäurefunktionalität äußerst gut löslich. Diese Substanzen reagieren mit Übergangs- und nicht Übergangsmetallen, wie etwa Phosphor, Arsen und Antimon, wobei sie eine ausgedehnte Chemie von Organometallverbindungen bilden. Während einer Ionenimplantation ist das Photoresist einem Hochenergiebeschuß ausgesetzt, was eine ideale Umgebung für die Bildung der organometallischen Verbindungen ist. Diese organometallischen Verbindungen haben verschiedene Löslichkeitseigenschaften, was es schwierig macht, sie in üblichen Lösungsmitteln zu lösen und sie sind auch unempfindlich gegenüber starken Oxidationsmitteln, wie etwa Schwefelsäure.
- Triamine, die in der Zusammensetzung und dem Verfahren dieser Erfindung verwendbar sind, haben die allgemeine Formel
- worin R&sub1; und R&sub2; jedesmal unabhängig voneinander eine difunktionelle geradkettige oder verzweigtkettige Kohlenwasserstoff- oder substituierte Kohlenwasserstoffgruppe mit etwa 2 bis etwa 20 Kohlenstoffatomen sind, einschließlich geradkettig und verzweigtkettig, heterocyclisch, aromatisch, Halogen-, Hydroxy- und Cyano-substituierten aliphatischen Gruppen. Geeignete spezifische Beispiele von verwendbaren Triaminen für die Zusammensetzung und das Verfahren dieser Erfindung umfassen Diethylentriamin, 1-Benzyl- und 1-Cyanoethyl-substituiertes Diethylentriamin, 1,2-Dibenzyl-diethylentriamin, Lauryldiethylentriamin, N- (2-Hydroxyethyl)diethylentriamin, N-(2-hydroxypropyl)diethylentriamin u dgl. Das bevorzugte Triamin ist Diethylentriamin. Das polare organische Lösungsmittel für die Zusammensetzung und das Verfahren ist N- Methylpyrrolidon oder Dimethylformamid.
- Die Lösungsmittel können allein oder als Gemische verwendet werden. Es sollten aufgrund der im Verfahren verwendeten erhöhten Temperaturen Lösungsmittel mit einem hohen Siedepunkt verwendet werden.
- Der Zusammensetzungsbereich beträgt von etwa 40 bis etwa 75 Gewichtsprozent des Triamins und von etwa 60 bis etwa 25 Gewichtprozent des organischen Lösungsmittels, wobei etwa 50 Gewichtsprozent jedes Bestandteils besonders bevorzugt sind.
- Es ist bevorzugt, das mit der Zusammensetzung und dem Verfahren dieser Erfindung abzulösende Photoresist mit Ultraschallenergie zu behandeln, bringt, um die vollständige Entfernung des Photoresists, insbesondere nach Behandeln des Photoresists mit höheren Dosisniveaus einer Ionenimplantation, zu unterstützen. Herkömmliche Bedingungen für die Anwendung der Ultraschallenergie werden für diesen Zweck verwendet, wie etwa durch die Verwendung eines Ultraschalltransducers, der bei einer Frequenz von etwa 30 bis 50 MHz und einer Leistung von etwa 0,1 bis etwa 2,5 Watt/Zoll³ betrieben wird, der extern an einem Behälter angebracht ist, der die Photoresist-beschichteten Wafer und die Triamin- Ablösezusammensetzung enthält.
- Die Zusammensetzung und das Verfahren dieser Erfindung sind zur Verwendung mit allen üblicherweise eingesetzten Photoresists, die in der Halbleiterindustrie verwendet werden, geeignet. Beispiele von geeigneten positiven Photoresists umfassen Shipley 1325 und 1822 Resists, MacDermid EPA 914 Resist, Kodak 820 und 825 Resists und Dyna-Chem Thiokol OFPR-800 Resist u.dgl.
- Die folgenden nicht beschränkenden Beispiele stellen bevorzugte Formen und von dem Erfinder zur Durchführung dieser Erfindung in Betracht gezogene beste Ausführungsformen dar, sowie eine Veranschaulichung der durch ihre Verwendung erhaltenen Ergebnisse.
- Siliciumdioxid-beschichtete Silicium-Wafer wurden mit Hexamethyldisilazan (HMDS) grundiert und kommerziell erhältliche Kodak 825, OFPR-800, Shipley 1375 und 1822 und MacDermid 914 Photoresists wurden aufgesponnen und bei 150 ºC für 30 Minuten gemäß den Instruktionen jedes Photoresist-Lieferanten gebrannt. Die Photoresist-beschichteten Wafer wurden mit Arsen bei Energieniveaus von 80, 100, 120 und 150 KeV bei Dosisniveaus von 1 x 10¹&sup0; und 1 x 10¹&sup6; Ionen/cm² implantiert. Das Photoresist wurde dann in 40 und 15 Gew.-%-igen Lösungen von Diethylentriamin in N-Methylpyrrolidon unter Verwendung der folgenden Vorgehensweise abgelöst: Die Wafer wurden bei 180 ºC für 50 Minuten vorgebrannt. 600 ml der Diethylentriamin-Ablöselösungen wurden in ein Becherglas gegeben und auf 90 ± 5 ºC erwärmt. Die Wafer wurden in die Ablöselösung für 2 bis 5 Minuten gegeben, für 5 Minuten in eine Vorratsspülvorrichtung mit deionisiertem Wasser übertragen und optisch auf Photoresist-Rückstände inspiziert, was die in Tabelle 1 gezeigten Ergebnisse ergab. Für Vergleichszwecke wurden gemäß der obigen Vorgehensweise hergestellte Wafer auch mit einer kommerziell erhältlichen Posistrip 830 Diglykolamin-Lösung abgelöst. Tabelle 1
- Die obigen Ergebnisse zeigen, daß die Diethylentriaminlösungen erfolgreich die Photoresists bei Ionenimplantations-Dosisniveaus von 1 x 10¹&sup0; Ionen/cm² durch Auflösen des Photoresists ablösten und eine unvollständige Photoresistentfernung bei Ionenimplantations-Dosisniveaus von 1 x 10¹&sup6; Ionen/cm² ergaben. Mit der Diglykolaminlösung gelang es bei beiden Dosisgehalten nicht, das Photoresist zu entfernen.
- Die Vorgehensweise von Beispiel 1 wurde wiederholt, aber mit bei Dosisniveaus von 1 x 10¹&sup6; Ionen/cm² Arsen-ionenimplantierten Wafers, einer Ablöselösungstemperatur von 100 ± 5 ºC, einer Ablösezeit von 1 bis 5 Minuten und mit den erwärmten Ablöselösungen in einem Ultraschallbad mit einem externen Ultraschalltransducer, der bei 40 MHz und einem Leistungsniveau von 0,2 Watt/Zoll³ betrieben wurde. Die erhaltenen Ergebnisse sind unten in Tabelle II gezeigt. Tabelle II
- Die obigen Ergebnisse zeigen, daß die Diethylentriaminlösungen erfolgreich die Photoresists bei dem starken Ionenimplantationsdosisniveau durch ein Abhebeverfahren ablösten, daß aber die Diglykolaminlösung wiederum nicht in der Lage war, die Photoresists zu entfernen.
- Die Diethylentriaminlösungen wie in Beispiel 1 wurden verwendet, um Photoresist-beschichtete Wafer, wie in Beispiel 1 hergestellt, abzulösen, aber ohne Vorbrennen des Photoresists auf den Wafern und mit N- Methylpyrrolidon, das alleine als Vergleichsablösemittel verwendet wurde. 600 ml der Diethylentriamin-Ablöselösungen wurden in ein Becherglas gegeben und auf 110 ºC erwärmt. Die Wafer wurden in die Ablöselösung für 5 Minuten gegeben, in eine Vorratsspülvorrichtung mit deionisiertem Wasser oder eine Sprühspülvorrichtung für 5 Minuten übertragen und optisch auf Photoresistrückstände inspiziert. Die Diethylentriaminlösungen lösten die Photoresists bei Ionenimplantations-Dosisniveaus von 1 x 10¹&sup0; Ionen/cm² durch Lösen des Photoresists erfolgreich auf und ergaben eine 65 %-ige Photoresistentfernung bei Ionenimplantations-Dosisniveaus von 1 x 10¹&sup6; Ionen/cm². Mit der Verwendung von N-Methylpyrrolidon allein wurde nur eine 45 %-ige Photoresistentfernung bei beiden Dosisniveaus erhalten.
- Die Diethylentriaminlösungen wie in Beispiel 1 wurden verwendet, um Photoresist-beschichte Wafer, wie in Beispiel 1 hergestellt, abzulösen, aber ohne Vorbrennen des Photoresists auf den Wafern, mit dem Anlegen von Ultraschallenergie während des Photoresistablösens unter Verwendung der folgenden Vorgehensweise. Eine Menge von 2 Gallonen Diethylentriamin- Ablöselösungen wurde in einen fünf Gallonen-Behälter mit einem externen Ultraschalltransducer gegeben und auf 110 ºC erwärmt. Die Wafer wurden in die Ablöselösung für 5 Minuten gegeben, wobei der externe Ultraschalltransducer bei 40 MHz und einem Leistungsniveau von 0,7 Watt/Zoll³ betrieben wurde. Die Wafer wurden dann in eine Vorratsspülvorrichtung mit deionisiertem Wasser oder eine Sprühspülvorrichtung für 5 Minuten übertragen und optisch auf Photoresistrückstände inspiziert. Die Diethylentriaminlösungen lösten die Photoresists bei Ionenimplantations-Dosisniveaus von 1 x 10¹&sup0; Ionen/cm² durch Lösen des Photoresists erfolgreich auf und bildeten eine 80 %-ige Photoresistentfernung bei Ionenimplantations-Dosisniveaus von 1 x 10¹&sup6; Ionen/cm². Eine 100 %-ige Entfernung des Photoresists wurde bei dem höheren Dosisniveau durch Erhöhen der Ablösezeit auf 30 Minuten erhalten.
- Die Diethylentriamin-Lösungen, wie in Beispiel 1, wurden verwendet, um Photoresist-beschichte Wafer, hergestellt wie in Beispiel 1, abzulösen, einschließlich des Vorbrennschrittes, aber ohne die Anwendung von Ultraschallenergie, unter Verwendung der folgenden Vorgehensweise. Eine Menge von 600 ml der Diethylentriaminlösung wurde in ein Becherglas gegeben und auf 110 ºC erwärmt. Die Wafer wurden in die Ablöselösung für 5 Minuten gegeben, in eine Vorratsspülvorrichtung mit deionisiertem Wasser oder eine Sprühspülvorrichtung für 5 Minuten übertragen und optisch auf Photoresistrückstände inspiziert. Die Ergebnisse zeigten, daß die Diethylentriaminlösungen die Photoresists bei Ionenimplantations- Dosisniveaus von 1 x 10¹&sup0; Ionen/cm² durch Auflösen der Photoresists erfolgreich ablösten und eine 75 %-ige Photoresistentfernung bei dem höheren Ionenimplantations-Dosisniveau ergaben.
- Die Diethylentriaminlösungen, wie in Beispiel 1, wurden verwendet, um Photoresist-beschichtete Wafer, hergestellt wie in Beispiel 1, abzulösen, einschließlich des Vorbrennschritts, mit Anlegen von Ultraschallenergie während des Photoresistablösens und mit N-Methylpyrrolidon alleine, das als Vergleichsablösemittel verwendet wurde, unter Verwendung der folgenden Vorgehensweise. Eine Menge von 2 Gallonen Diethylentriamin- Ablöselösungen wurden in einen fünf Gallonen-Behälter mit einem externen Ultraschalltransducer gegeben und auf 110 ºC erwärmt. Die Wafer wurden in die Ablöselösung für 5 Minuten gegeben, wobei der externe Ultraschalltransducer bei 40 MHz und einem Leistungsniveau von 0,7 Watt/Zoll³ betrieben wurde. Die Wafer wurden dann in eine Vorratsspülvorrichtung mit deionisiertem Wasser oder eine Sprühspülvorrichtung für 5 Minuten übertragen und optisch auf Photoresistrückstände inspiziert. Die Diethylentriaminlösungen lösten die Photoresists bei Ionenimplantations-Dosisniveaus von 1 x 10¹&sup0; Ionen/cm² durch Auflösen der Photoresists erfolgreich auf und bildeten eine 100 %-ige Photoresistentfernung bei Ionenimplantations-Dosisniveaus von 1 x 10¹&sup6; Ionen/cm². Die Diethylentriaminlösungen lösten die Photoresists erfolgreich bei dem höheren Ionenimplantations-Dosisniveau durch einen Abhebevorgang ab, aber N-Methylpyrrolidon bildete ein unvollständiges Photoresistentfernen bei beiden Dosisniveaus.
- Wafer, hergestellt gemäß der Vorgehensweise von Beispiel 1, aber ionenimplantiert mit Bor bei 150 KeV und einem Dosisniveau von 1 x 10¹&sup5; Ionen/cm², wurden in einer Lösung bestehend aus 75 Gew.-% Diethylentriamin in Dimethylformamid abgelöst, unter Verwendung der Ablösevorgehensweise von Beispiel 6. Die Ergebnisse zeigten ein 100 %- iges Entfernen der Photoresists innerhalb von 5 Minuten Ablösezeit.
- Eine Substitution von anderen Triaminen in den Vorgehensweisen der obigen Beispiele ergibt gleiche, vorteilhafte Ergebnisse.
- Es wird nun den Fachleuten leicht ersichtlich sein, daß eine neue Photoresist-Ablösezusammensetzung und ein Verfahren bereitgestellt wurden, die in der Lage sind, die angegebenen Aufgaben der Erfindung zu lösen. Die Triaminlösung und das Verfahren entfernen vollständig ionenimplantierte positive Photoresists von Halbleiterwafern ohne die Wafer anzugreifen, selbst bei hohen Ionenimplantations-Dosisniveaus. Die Zusammensetzung und das Verfahren sind zur Verwendung mit den üblicherweise eingesetzten positiven Photoresists geeignet, die in der VLSI- Herstellung für integrierte Schaltungen verwendet werden.
Claims (10)
1. Zusammensetzung zum Entfernen eines Ionenimplantierten positiven
organischen Photoresists von einem Substrat, welche ein Triamin in
einer Menge von 40 bis 75 Gewichtsprozent und ein polares
organisches Lösungsmittel in einer Menge von 25 bis 60
Gewichtsprozent umfaßt, worin das polare organische Lösungsmittel
N-Methylpyrrolidon, Dimethylformamid oder ein Gemisch davon ist.
2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, worin das Triamin
Diethylentriamin ist.
3. Zusammensetzung nach Anspruch 1, worin das Triamin
1-Benzyl- oder 1-Cyanoethyl-substituiertes Diethylentriamin, 1,2-
Dibenzyldiethylentriamin, Lauryldiethylentriamin, N-(2-
Hydroxyethyl)diethylentriamin oder N-(2-
Hydroxypropyl)diethylentriamin ist.
4. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, worin das
Triamin und das polare organische Lösungsmittel jeweils in einer
Menge von etwa 50 Gewichtsprozent vorliegen.
5. Verfahren zum Ablösen eines positiven organischen Photoresist von
einem Substrat, wobei das Verfahren umfaßt Inkontaktbringen des
positiven organischen Photoresists mit einer Zusammensetzung nach
einem der vorhergehenden Ansprüche, um das positive organische
Photoresist vom Substrat zu entfernen.
6. Verfahren nach Anspruch 5, worin das positive organische
Photoresist mit der Zusammensetzung bei einer Temperatur im
Bereich von 80 ºC bis 120 ºC für eine Zeitdauer von 1 Minute bis 20
Minuten in Kontakt gebracht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, worin das Substrat ein Halbleiter-
Wafer ist.
8. Herstellungsverfahren für einen integrierten Schaltkreis, umfassend
Bilden einer positiven organischen Photoresistschicht auf einem
Halbleiter-Wafer, Definieren einer Öffnung in der positiven
organischen Photoresist-Schicht, die einer gewünschten
Dotierungsfläche in dem Halbleiter-Wafer entspricht, Dotieren des
Halbleiter-Wafers durch Ionenimplantation einer
Dotierungsverunreinigung in den Halbleiter-Wafer durch die Öffnung
in der positiven organischen Photoresistschicht und Ablösen der
positiven organischen Photoresistschicht von dem Halbleiter-Wafer
mit einer Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 5.
9. Herstellungsverfahren für einen integrierten Schaltkreis nach
Anspruch 8, worin die positive organische Photoresistschicht von
dem Halbleiter-Wafer durch Inkontaktbringen des Halbleiter-Wafers
mit der Zusammensetzung bei einer Temperatur im Bereich von 80
ºC bis 1 20 ºC für eine Dauer von 1 Minute bis 20 Minuten abgelöst
wird.
10. Herstellungsverfahren für einen integrierten Schaltkreis nach
Anspruch 8 oder 9, weiterhin umfassend Behandeln des Halbleiter-
Wafers mit Ultraschallschwingungen, während die positive
organische Photoresistschicht mit der Zusammensetzung abgelöst
wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/079,714 US4824763A (en) | 1987-07-30 | 1987-07-30 | Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3856202D1 DE3856202D1 (de) | 1998-07-16 |
| DE3856202T2 true DE3856202T2 (de) | 1998-10-22 |
Family
ID=22152327
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3856553T Expired - Lifetime DE3856553T2 (de) | 1987-07-30 | 1988-07-20 | Wärmebehandlungsverfahren zum Erleichtern der Entfernung eines positiven Photoresists mit Entschichtungslösungen |
| DE3856202T Expired - Fee Related DE3856202T2 (de) | 1987-07-30 | 1988-07-20 | Triamin-Entschichtungslösung für positive Photolacke |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3856553T Expired - Lifetime DE3856553T2 (de) | 1987-07-30 | 1988-07-20 | Wärmebehandlungsverfahren zum Erleichtern der Entfernung eines positiven Photoresists mit Entschichtungslösungen |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4824763A (de) |
| EP (2) | EP0846984B1 (de) |
| JP (2) | JP2930956B2 (de) |
| KR (1) | KR890003003A (de) |
| AT (2) | ATE231987T1 (de) |
| DE (2) | DE3856553T2 (de) |
| HK (2) | HK1011882A1 (de) |
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- 1987-07-30 US US07/079,714 patent/US4824763A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-07-20 DE DE3856553T patent/DE3856553T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-20 DE DE3856202T patent/DE3856202T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-20 AT AT97121197T patent/ATE231987T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-07-20 EP EP97121197A patent/EP0846984B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-20 EP EP88306659A patent/EP0301756B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-20 AT AT88306659T patent/ATE167310T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-07-29 JP JP63190475A patent/JP2930956B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-30 KR KR1019880009806A patent/KR890003003A/ko not_active Application Discontinuation
-
1992
- 1992-04-06 US US07/864,376 patent/US5399464A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-04-07 JP JP10094704A patent/JP3044207B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-09 HK HK98113027A patent/HK1011882A1/xx not_active IP Right Cessation
- 1998-12-09 HK HK98113026A patent/HK1012166A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3856553T2 (de) | 2004-02-19 |
| ATE231987T1 (de) | 2003-02-15 |
| EP0846984A3 (de) | 2000-03-22 |
| DE3856553D1 (de) | 2003-03-06 |
| EP0846984A2 (de) | 1998-06-10 |
| US4824763A (en) | 1989-04-25 |
| US5399464A (en) | 1995-03-21 |
| EP0301756B1 (de) | 1998-06-10 |
| EP0846984B1 (de) | 2003-01-29 |
| KR890003003A (ko) | 1989-04-12 |
| EP0301756A2 (de) | 1989-02-01 |
| HK1012166A1 (en) | 1999-07-23 |
| JP3044207B2 (ja) | 2000-05-22 |
| DE3856202D1 (de) | 1998-07-16 |
| JPH01105949A (ja) | 1989-04-24 |
| JP2930956B2 (ja) | 1999-08-09 |
| HK1011882A1 (en) | 1999-07-23 |
| EP0301756A3 (de) | 1990-11-14 |
| JPH10319609A (ja) | 1998-12-04 |
| ATE167310T1 (de) | 1998-06-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |