JP3044207B2 - ポジティブフォトレジストストリッピング組成物を用いるプレベーキング法 - Google Patents

ポジティブフォトレジストストリッピング組成物を用いるプレベーキング法

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JP3044207B2 JP10094704A JP9470498A JP3044207B2 JP 3044207 B2 JP3044207 B2 JP 3044207B2 JP 10094704 A JP10094704 A JP 10094704A JP 9470498 A JP9470498 A JP 9470498A JP 3044207 B2 JP3044207 B2 JP 3044207B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はイオンインプランテ
ーションされたポジティブフォトレジスト及びその他の
除去し難い重合体層を基材から除去するための改良され
たストリッピング組成物及び方法に関する。更に詳細に
は、本発明はイオンインプランテーションされたポジテ
ィブフォトレジスト及び同様の除去し難い重合体層を、
下にある基材に損傷を生じずに除去するのに一層進取的
である組成物及び方法に関する。更に、本発明はポジテ
ィブフォトレジストをストリッピング溶液で一層除去し
易くするための新規なプレベーキング（prebaking)法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造中にポジティブフォトレ
ジストを用いて表面に形成された絶縁性及び／または導
電性のパターンを有する半導体ウェーハからポジティブ
フォトレジストを除去するための種々のアミノ化合物を
利用するストリッピング組成物が当業界で知られてい
る。例えば、ＣＡ９４５４０のヘイワード（Hayward)の
ＥＫＣテクノロジィ（Technology）から入手し得るポジ
ストリップ（Posistrip)８３０は、ポジティブフォトレ
ジスト用の最も進取的な市販のストリッパーである。ポ
ジストリップ８３０の主な活性成分は２，（２−アミノ
エトキシ）エタノールである。この目的に使用される別
の物質はＮ−メチルピロリドンである。超大規模集積回
路（ＶＬＳＩ）加工に於いて、ドーパント原子をシリコ
ンまたはその他の半導体物質に添加して半導体物質の導
電率を変化するためにイオンインプランテーションが用
いられる。このようなドーパントの例は、リン、ヒ素、
またはアンチモンの如きドナー原子、すなわちｎ−型ド
ーパント、及びホウ素、アルミニウム、またはガリウム
の如きアクセプター原子、すなわちｐ−型ドーパントを
含む。この目的に、拡散ドーピング法よりもイオンイン
プランテーションの方が優れているため、増大する数の
用途に於いてイオンインプランテーションが拡散ドーピ
ング法に取って代わってきた。
【０００３】上記のイオン種が望ましくない基材領域に
インプランテーションされることを制限するため、イン
プランテーションが望まれる領域に開孔部を設け、適切
なマスキング層をウェーハ表面に存在させる必要があ
る。集積回路加工に於けるこのようなマスキングの目的
のため、フォトレジスト、SiO2、Si3N4 、ポリシリコ
ン、金属フィルム及びポリイミドを含む多くの物質が使
用される。例えば２００〜３００Åの厚さのSiO2の薄層
が通常開孔部に加えられてインプランテーション中の金
属またはその他の不純物による汚染に対する保護スクリ
ーンを与える。インプランティングビームはまず開孔部
中のスクリーニング層を透過しなければならず、その間
にインプランティングビームは半導体基材に達する前に
エネルギーを失なうので、これを行なう時には特にヒ素
インプラントについて一層高エネルギーのインプランタ
ーが必要とされる。最近のＶＬＳＩ法は、約１０11〜１
０16イオン／cm2 の範囲のインプラント線量を用いる。
多量の線量の後には、フォトレジストマスキング層は除
去し難くなることがある。このように除去が困難になる
結果、イオンインプランテーションされたフォトレジス
トを除去するための最も普通な方法は酸素プラズマ法で
あり、この方法は時間を浪費し高価である。上記のポジ
ストリップ８３０溶液及びＮ−メチルピロリドンを含
む、市販のフォトレジストストリッピング溶液は、特に
多量の線量水準でイオンインプランテーションされたこ
のようなフォトレジストをストリッピングするには不適
であることがわかった。イオンインプランテーション処
理技術の状況は、 Silicon Processing for the VLSI E
ra９章２８０〜３３０頁のスタンリィウォルフ（Stanly
Wolf)及びリチャードＮ．タウバー（Richard N. Taube
r)著“Ion Implantation for VLSI ”に検討されてお
り、この文献はイオンインプランテーションされたフォ
トレジストをストリッピングすることが困難であること
を含む。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、特に多量のイオンインプランテーション線量で、イ
オンインプランテーションにかけられたフォトレジスト
を完全に且つ信頼性よく除去する、ポジティブフォトレ
ジストをストリッピングするためのストリッピング溶液
及び方法を提供することである。本発明の別の目的は、
通常使用される市販のポジティブフォトレジストに使用
し得るストリッピング溶液及び方法を提供することであ
る。本発明の更に別の目的は、最近のＶＬＳＩ処理用に
適したイオンインプランテーションされたフォトレジス
ト用のストリッピング溶液及び方法を提供することであ
る。本発明の別の目的は、イオンインプランテーション
されたポジティブフォトレジスト及びその他の除去し難
い重合体物質を基材から除去するために酸素プラズマ装
置及び方法を使用する必要をなくすことである。本発明
の更に別の目的は、ポジティブフォトレジストを一層容
易に除去し易くするストリッピング液体を用いてポジテ
ィブフォトレジストを除去するための改良方法を提供す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、イ
オンインプランテーションされたポジティブ有機フォト
レジスト層を１５分〜３０分間、１５０℃〜２２０℃の
温度でプレベーキングすることを含み、次にイオンイン
プランテーションされたポジティブ有機フォトレジスト
層を有機フォトレジスト用液体フォトレジストストリッ
パー溶液と接触させる、イオンインプランテーションさ
れたポジティブ有機フォトレジスト層を基材からストリ
ッピングする方法により解決される。また、本発明の目
的及び関連する目的は、本明細書に開示された基材から
ポジティブフォトレジスト及びその他の除去し難い重合
体被覆物をストリッピングするための新規なストリッピ
ング溶液及び方法の使用により達成し得る。本発明のポ
ジティブフォトレジストはその主な活性成分としてトリ
アミンを有している。上記のストリッピング組成物は、
約２５重量％〜約１００重量％のトリアミン及び約０重
量％〜約７５重量％の好適な極性または非極性の有機溶
媒を含有すべきである。本発明のポジティブフォトレジ
ストを基材からストリッピングする方法は、ポジティブ
フォトレジストを上記のトリアミン組成物とフォトレジ
ストを除去するのに充分な温度及び時間、典型的には約
８０℃〜約１２０℃の温度で約１分〜約２０分の時間で
接触することを含む。
【０００６】本発明の方法の別の局面に於いて、ポジテ
ィブ有機フォトレジスト層が半導体ウェーハ上に形成さ
れる。開孔部が、半導体ウェーハ中の所望のドーピング
領域に相当するポジティブ有機フォトレジスト層中に形
成される。半導体ウェーハは、ドーパント不純物をポジ
ティブ有機フォトレジスト層中の開孔部を通して半導体
にイオンインプランテーションすることによりドーピン
グされる。半導体ウェーハ上のポジティブ有機フォトレ
ジスト層は、ポジティブ有機フォトレジスト用のストリ
ッピング液体でポジティブ有機フォトレジスト層を一層
容易に除去し得るようにするのに充分な温度及び時間で
プレベーキングされる。ついでポジティブ有機フォトレ
ジスト層は、ポジティブ有機フォトレジスト用の液体フ
ォトレジストストリッパーと、ポジティブ有機フォトレ
ジスト層を半導体ウェーハから除去するのに充分な時間
で接触される。
【０００７】本発明のトリアミンストリッピング溶液
は、それらが強いアルカリ度であるが故に、ＶＬＳＩ加
工に使用される多量の線量でイオンインプランテーショ
ンされたポジティブフォトレジストでさえも、これを除
去し得る。同時に、これらの溶液は通常の処理条件で、
シリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素及びヒ化ガリウム
を含む集積回路加工に通常使用される基材物質を侵蝕し
ない。プレベーキング法はトリアミンストリッピング溶
液と併用される時特に有利であるが、このようなプレベ
ーキング法はまたポジティブ有機フォトレジストの存在
下でイオンインプランテーション後にポジティブ有機フ
ォトレジストをその他のポジティブ有機フォトレジスト
用ストリッピング液体で一層容易に除去し易くする。上
記の目的及び関連する目的の達成、本発明の利点及び特
徴は、以下の本発明の一層詳細な説明を見れば当業者に
一層明瞭となろう。
【０００８】
【発明の実施の形態】
〔発明の詳細な説明〕ポジティブフォトレジストは、ノ
ボラックマトリクス樹脂及び典型的にはジアゾキノン感
光性化合物すなわち増感剤の使用をベースとする。ノボ
ラック樹脂は通常の有機溶媒に可溶性であり、それらの
フェノール性官能基の酸性特性により水性の塩基溶液に
も可溶性である。ジアゾキノン誘導体は通常有機溶媒に
可溶性であるが水性塩基には不溶性である。これらの物
質は、光に暴露されると、インデンカルボン酸の形成を
もたらす一連の反応を受ける。光生成物は、その前駆物
質と異なり、そのカルボン酸官能基のために水性塩基に
極めて可溶性である。これらの物質はリン、ヒ素、及び
アンチモンの如き遷移金属及び非遷移金属と反応して有
機金属化合物の広範な化学的性質を形成する。イオンイ
ンプランテーション中に、フォトレジストは高エネルギ
ー衝撃に暴露され、これは有機金属化合物の形成に理想
的な環境である。これらの有機金属化合物はそれらを通
常の溶媒に可溶化し難くする異なる溶解性を有してお
り、これらの化合物はまた硫酸の如き強い酸化剤に対し
抵抗性がある。本発明の方法は、金属フィルムをリフト
オフ法で除去するために、高温プレベーキング、強アル
カリ性溶媒、ジエチレントリアミン及び超音波振動の組
合せを用いることが好ましい。有機金属フィルムの高温
プレベーキングは、有機金属フィルムの形成が完結され
ることを確実にする。プレベーキング工程は、約１５０
℃〜約２２０℃、好ましくは約１８０℃〜約２００℃の
温度で約１５分〜約３０分の時間で行なわれる。一層高
温では一層短かい時間が用いられる。
【０００９】本発明の組成物及び方法に有用なトリアミ
ンは、 一般式 H2N−R1−NH−R2−NH2 （式中、Ｒ1 及びＲ2 は、夫々の場合に独立で、二官能
の、直鎖もしくは分岐鎖のヒドロカルビル基または直鎖
及び分岐鎖、複素環基、芳香族基、ハロゲン基、ヒドロ
キシル基及びシアノ置換脂肪族基を含み約２〜約２０個
の炭素原子を有する置換ヒドロカルビル基である）を有
する。本発明の組成物及び方法に使用可能なトリアミン
の好適な特別の例は、ジエチレントリアミン、１−ベン
ジル及び１−シアノ置換ジエチレントリアミン、１，２
−ジベンジルジエチレントリアミン、ラウリルジエチレ
ントリアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ジエチレ
ントリアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）ジエチ
レントリアミン等を含む。好ましいトリアミンはジエチ
レントリアミンである。本発明の組成物及び方法に好適
な極性の有機溶媒の特別な例は、Ｎ−メチルピロリド
ン、ジメチルホルムアミド、ブチロラクトン、グリコー
ルエーテル、グリコールエーテルアセタール等を含む。
好ましい極性の有機溶媒はＮ−メチルピロリドン、及び
ジメチルホルムアミドである。非極性の有機溶媒の好適
な特別の例は、ベンゼン、アルキルベンゼン、ミネラル
スピリット等の如き、脂肪族及び芳香族の炭化水素溶媒
及び塩素化炭化水素溶媒を含む。好ましい非極性の有機
溶媒は芳香族溶媒及び塩素化溶媒である。これらの溶媒
は単独で、あるいは混合物として使用してもよい。本法
に於いて使用される高温のため、高沸点溶媒を使用すべ
きである。
【００１０】好ましい組成範囲は、約４０〜約７５重量
％のトリアミン及び約６０〜約２５重量％の有機溶媒で
あり、約５０重量％の各成分が特に好ましい。フォトレ
ジスト、特にフォトレジストを高線量水準のイオンイン
プランテーションにかけた後のフォトレジストを完全に
除去することを助けるために、本発明の組成物及び方法
でストリッピングされるべきフォトレジストをトリアミ
ン組成物と接触する間、そのフォトレジストを超音波エ
ネルギーにかけることが好ましい。フォトレジストが被
覆されたウェーハ及びトリアミンストリッピング組成物
を保持する容器の外側に取りつけられた、約３０〜５０
MHz の周波数及び約0.１〜約2.５ワット／立方インチの
電力で作動する超音波変換器の使用によるような、超音
波エネルギーの適用の通常の条件が、この目的に使用さ
れる。本発明の組成物及び方法は、半導体工業に使用さ
れる全ての通常使用されるポジティブフォトレジストに
使用するのに適している。好適なフォトレジストの例
は、シプレイ（Shipley)１３２５及び１８２２レジス
ト、マクダーミッド（MacDermid)ＥＰＡ９１４レジス
ト、コダック（Kodak)８２０及び８２５レジスト及びダ
イナーケム チオコール（Dyna-Chem Thiokol)ＯＦＰＲ
−８００レジスト等を含む。以下の非制限的な実施例
は、本発明を実施するため本発明者により意図される好
ましい形態及び最良の態様を表わし、本発明の使用によ
り得られる結果を示すものである。
【００１１】
【実施例】
実施例１ 二酸化ケイ素被覆されたシリコンウェーハをヘキサメチ
ルジシリザン（ＨＭＤＳ）で下塗し、各フォトレジスト
供給者の指示に従って市販のゴダック８２５フォトレジ
スト、ＯＦＰＲ−８００フォトレジスト、シプレイ１３
７５及び１８２２フォトレジスト、及びマクダーミッド
９１４フォトレジストをスピン・オンしついで１５０℃
で３０分ベーキングした。これらのフォトレジスト被覆
ウェーハを１×１０10及び１×１０16イオン／cm2 の線
量水準で８０、１００、１２０及び１５０keV のエネル
ギー水準でヒ素でインプランテーションした。ついでこ
のフォトレジストを、以下の操作を用いてＮ−メチルピ
ロリドン中の４０重量％及び５０重量％のジエチレント
リアミン溶液中でストリッピングした。ウェーハを１８
０℃で１５分間プレベーキングした。上記のジエチレン
トリアミンストリッピング溶液６００mlをビーカー中に
入れ９０±５℃に加熱した。これらのウェーハをストリ
ッパー溶液中に２〜５分間入れ、脱イオン水ダンプリン
サーに５分間移し、フォトレジスト残分を目視で調べて
表１に示した結果を得た。比較の目的で、上記の操作に
従って調製されたウェーハを、市販のポジストリップ８
３０ジグリコールアミン溶液を用いてストリッピングし
た。
【００１２】 表 Ｉ インプラン 溶液Ａ 溶液Ｂ ポジストリップ テーション 50% トリアミン／ 40% トリアミン／ ８３０ エネルギー 50% ＮＭＰ 60% ＮＭＰ (keV) インプランテーション線量： １×１０10 ８０ ２分間の溶解に ５分間の溶解に 除去不能 より完全な除去 より完全な除去 １００ 〃 〃 〃 １２０ 〃 リフトオフにより 〃 ５分間でより完全 な除去 １５０ 〃 〃 〃 インプランテーション線量： １×１０16 ８０ ９５％除去 ８０％除去 除去不能 １００ ８０％ 〃 ７５％ 〃 〃 １２０ ６０％ 〃 ５０％ 〃 〃１５０ ５０％ 〃 ３０％ 〃 〃
【００１３】上記の結果は、ジエチレントリアミン溶液
が１×１０10イオン／cm2 のインプランテーションされ
た線量水準ではフォトレジストを溶解することによりフ
ォトレジストをうまくストリッピングし、１×１０16の
イオンインプランテーションされた線量水準では不完全
なフォトレジスト除去を生じたことを示す。ジグリコー
ルアミン溶液は両方の線量水準でフォトレジストを除去
するのに失敗した。 実施例２ １×１０16イオン／cm2 のヒ素イオンインプランテーシ
ョンされた線量水準のウェーハ、１００±５℃のストリ
ッピング溶液１〜５分のストリッピング時間を用い、４
０MHz 及び0.２７ワット／立方インチの電力水準で作動
する外部超音波変換器を備えた超音波浴中の加熱ストリ
ッピング溶液を用いた以外は、実施例１の操作を繰り返
した。得られた結果を下記の表IIに示す。
【００１４】 表 II インプラン 溶液Ａ 溶液Ｂ ポジストリップ テーション 50% トリアミン／ 40% トリアミン／ ８３０ エネルギー 50% ＮＭＰ 60% ＮＭＰ (keV) インプランテーション線量： １×１０16 ８０ １分間で完全な除去 １分間で完全な除去 除去不能 １００ 〃 〃 〃 １２０ 〃 〃 〃１５０ 〃 〃 〃
【００１５】上記の結果は、ジエチレントリアミン溶液
が多量のイオンインプランテーションされた線量水準で
リフトオフ法によりフォトレジストをうまくストリッピ
ングしたが、ジグリコールアミン溶液はフォトレジスト
を再度除去し得なかったことを示す。
【００１６】比較例１ 実施例１のジエチレントリアミン溶液を使用して、実施
例１のようにして調製されたフォトレジスト被覆ウェー
ハをストリッピングした。但し、ウェーハ上のフォトレ
ジストをプレベーキングせず、比較ストリッパーとして
Ｎ−メチルピロリドンを単独で使用した。ジエチレント
リアミンストリッピング溶液６００mlをビーカーに入れ
１１０℃に加熱した。ウェーハをストリッピング溶液中
に５分間置き、脱イオン水ダンプリンサーまたはスプレ
ーリンサーに５分間移し、フォトレジスト残分を目視で
調べた。ジエチレントリアミン溶液は、イオンインプラ
ンテーションされた線量水準１×１０10イオン／cm2で
はフォトレジストを溶解することによりフォトレジスト
をうまくストリッピングし、イオンインプランテーショ
ンされた線量水準１×１０10イオン／cm2では６５％の
フォトレジスト除去を生じた。Ｎ−メチルピロリドンを
単独で使用した場合、両方の線量水準でわずかに４５％
のフォトレジスト除去が得られた。
【００１７】比較例２ 実施例１のジエチレントリアミン溶液を用いて実施例１
のようにして調製されたフォトレジスト被覆ウェーハを
ストリッピングした。但し、ウェーハ上のフォトレジス
トのプレベーキングは行なわず、以下の操作を用いてフ
ォトレジストストリッピング中に超音波エネルギーを適
用した。２ガロンの量のジエチレントリアミンストリッ
ピング溶液を、外部超音波変換器を備えた５ガロンのタ
ンク中に入れ、１１０℃に加熱した。ウェーハをストリ
ッピング溶液中に５分間入れ、その間外部超音波変換器
を４０MHz、0.７ワット／立方インチの電力水準で作動
させた。ついで、ウェーハを脱イオン水ポンプリンサー
またはスプレーリンサーに５分間移し、フォトレジスト
残分を目視で調べた。ジエチレントリアミン溶液は、１
×１０10イオン／cm2のイオンインプランテーションさ
れた染料水準ではフォトレジストを溶解することにより
フォトレジストをうまくストリッピングし、１×１０16
イオン／cm2のイオンインプランテーションされた線量
水準では８０％のフォトレジスト除去を生じた。ストリ
ッピング時間を３０分に延長することにより、一層高い
線量水準でフォトレジストの１００％除去が得られた。
【００１８】実施例５ 実施例１のジエチレントリアミンを使用して、プレベー
キング工程を含み、超音波エネルギーは適用せず、以下
の操作を用いて、実施例１のように調製されたフォトレ
ジスト被覆ウェーハをストリッピングした。６００mlの
量のジエチレントリアミン溶液をビーカーに入れ、１１
０℃に加熱した。ウェーハをストリッピング溶液に５分
間入れ、脱イオン水ポンプリンサーまたはスプレーリン
サーに５分間移し、フォトレジスト残分を目視で調べ
た。結果は、ジエチレントリアミン溶液が１×１０10イ
オン／cm2 のイオンインプランテーションされた線量水
準ではフォトレジストを溶解することによりフォトレジ
ストをうまくストリッピングし、一層高いイオンインプ
ランテーションされた線量水準では７５％のフォトレジ
スト除去を生じたことを示した。
【００１９】実施例６ 実施例１のジエチレントリアミン溶液を使用して、プレ
ベーキング工程を含み、フォトレジストストリッピング
中に超音波エネルギーを適用し、比較ストリッパーとし
てＮ−メチルピロリドンを単独で使用し、以下の操作を
用いて、実施例１のように調製されたフォトレジスト被
覆ウェーハをストリッピングした。２ガロンの量のジエ
チレントリアミンストリッピング溶液を、外部超音波変
換器を備えた５ガロンのタンクに入れ、１１０℃に加熱
した。ウェーハをストリッピング溶液中に５分間置き、
その間外部超音波変換器を４０MHz 電力水準0.７ワット
／立方インチで作動させた。ついでウェーハを脱イオン
水ポンプリンサーまたはスプレーリンサーに５分間移
し、フォトレジスト残分を目視で調べた。ジエチレント
リアミン溶液は、１×１０10イオン／cm2 のイオンイン
プランテーションされた線量水準では、フォトレジスト
を溶解することによりフォトレジストをうまくストリッ
ピングし、１×１０16イオン／cm2 のイオンインプラン
テーションされた線量水準では１００％のフォトレジス
ト除去を生じた。ジエチレントリアミン溶液は一層高い
イオンインプランテーションされた線量水準ではリフト
オフ法によりフォトレジストをうまくストリッピングし
たが、Ｎ−メチルピロリドンは両方の線量水準で不完全
なフォトレジスト除去を生じた。
【００２０】実施例７ １５０keV で１×１０15イオン／cm2 の線量水準でホウ
素でイオンインプランテーションした以外は実施例１の
操作に従って調製されたウェーハを、実施例６のストリ
ッピング操作を用いて、ジメチルホルムアミド中７５重
量％のジエチレントリアミンからなる溶液中でストリッ
ピングした。結果は５分以内のストリッピング時間でフ
ォトレジストの１００％除去を示した。上記の実施例の
操作に於いてその他のトリアミンで置換し、同様の有利
な結果を得る。本発明の前記の目的を達成し得る新規な
フォトレジストストリッピング組成物及び方法が提供さ
れたことが、当業者に今明瞭となったであろう。トリア
ミン溶液及び方法は、高いイオンインプランテーション
線量水準であっても、イオンインプランテーションされ
たポジティブフォトレジストを半導体ウェーハを侵蝕せ
ずに半導体ウェーハから完全に除去する。上記の組成物
及び方法は、ＶＬＳＩ集積回路加工に使用される通常用
いられるポジティブフォトレジスト用に好適である。上
記の本発明の形態及び詳細に種々の変化がなし得ること
は当業者に明らかであろう。このような変化は特許請求
の範囲の精神及び範囲に含まれることが意図される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 イオンインプランテーションされたポジ
    ティブ有機フォトレジスト層を１５分〜３０分間、１５
    ０℃〜２２０℃の温度で更にプレベーキングすることを
    含み、次にイオンインプランテーションされたポジティ
    ブ有機フォトレジスト層を有機フォトレジスト用液体フ
    ォトレジストストリッパー溶液と接触させる、イオンイ
    ンプランテーションされたポジティブ有機フォトレジス
    ト層を基材からストリッピングする方法。
  2. 【請求項２】 イオンインプランテーションされたポジ
    ティブ有機フォトレジストを該液体フォトレジストスト
    リッパー溶液と接触させる間にイオンインプランテーシ
    ョンされたポジティブ有機フォトレジストを超音波振動
    にかけることを更に含む請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 イオンインプランテーションされたポジ
    ティブ有機フォトレジスト層を１分〜２０分間、８０℃
    〜１２０℃の温度で該液体フォトレジストストリッパー
    溶液と接触させる請求項１又は２記載の方法。
  4. 【請求項４】 半導体ウェーハの上にポジティブ有機フ
    ォトレジスト層を形成し、半導体ウェーハ中の所望のド
    ーピング領域に相当するポジティブ有機フォトレジスト
    層中に開孔部を形成し、ドーパント不純物をポジティブ
    有機フォトレジスト層中の開孔部を通して半導体ウェー
    ハ中にイオンインプランテーションすることにより半導
    体ウェーハをドーピングし、イオンインプランテーショ
    ンされたポジティブ有機フォトレジスト層をプレベーキ
    ングし、ついでイオンインプランテーションされたポジ
    ティブ有機フォトレジスト層を液体フォトレジストスト
    リッパー溶液と接触させることを含む、集積回路加工方
    法。
  5. 【請求項５】 イオンインプランテーションされたポジ
    ティブ有機フォトレジスト層を１５分〜３０分間、１５
    ０℃〜２２０℃の温度でプレベーキングする請求項４記
    載の集積回路加工方法。
  6. 【請求項６】 イオンインプランテーションされたポジ
    ティブ有機フォトレジスト層を該液体フォトレジストス
    トリッパー溶液と接触させる間に、イオンインプランテ
    ーションされたポジティブ有機フォトレジスト層を超音
    波振動にかけることを更に含む請求項４又は５記載の集
    積回路加工方法。
  7. 【請求項７】 イオンインプランテーションされたポジ
    ティブ有機フォトレジスト層を、該液体フォトレジスト
    ストリッパー溶液と１分〜２０分間、８０℃〜１２０℃
    の温度で接触させる請求項４〜６のいずれか一項に記載
    の集積回路加工方法。
  8. 【請求項８】 該液体フォトレジストストリッパー溶液
    が４０〜７５重量％の下記の一般式で表されるトリアミ
    ンと２５〜６０重量％の極性溶媒を含む、請求項5に記
    載の集積回路加工方法： 一般式 Ｈ2Ｎ−Ｒ1−ＮＨ−Ｒ2−ＮＨ2 （式中、Ｒ1及びＲ2は、夫々独立に、二官能の、直鎖も
    しくは分岐鎖のヒドロカルビル基、または置換ヒドロカ
    ルビル基を表す）。
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