DE3316041A1 - Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen durch aetzen und aetzmittel - Google Patents

Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen durch aetzen und aetzmittel

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Description

bauelementen durch Ätzen und Ätzmittel
Die Erfindung betrifft Verfahren, insbesondere ein Ätzverfahren und ein Ätzmittel zur Herstellung eines Musters in einem Polyimid- oder einem ähnlichen Isolationsbelag auf einem Halbleiterbauelement und sie betrifft insbesondere ein verbessertes Verfahren zum Ätzen solcher Muster, bei denen entweder ein positives oder ein negatives Fotoresist verwendet werden kann, um die zu ätzenden Muster zu bestimmen und zu begrenzen, wobei das Ätzverfahren keine gefährlichen Materialien oder Temperaturen erfordert.
Die Verwendung von Polyimid und ähnlichen polymeren Verbindungen als Isolierstoffe für flexible gedruckte Schaltungen und ähnlichen Anwendungen ist bekannt. Bei der Herstellung solcher gedruckter Schaltungen ist es erforderlich, einen Polyimidfilm sowohl an einen Kupferfilm zu binden als auch im Polyimid öffnungen zu ätzen, um Kontakt zum Kupferfilm zu schaffen. Es wurden viele verschiedene anorganische und organische Basen und Amine verwendet, und zwar sowohl zu Oberflächenbehandlungen des Polyimidfilms vor dessen Bindung an das Kupfer, als auch als Ätzmittel zur Herstellung von öffnungen im Polyimidfilm nach dessen Aufbringen auf das Kupfer. Beispiele solcher Verfahren und Verbindungen zur Oberflächenbehandlung und zum Ätzen sind in den üS-PSen 3 361 589; 3 770 528; 3 791 848 und 3 871 930 beschrieben.
Kürzlich wurde es bekannt, Polyimide und diesen verwandte Polymere, wie Polyimid-iso-indrochinazolindion, zu verwen-
* · W β W
den, um Isolationsschichten auf Halbleiterbauelementen, wie integrierte Schaltungen,zu bilden. Auch durch solche Polyimid-Isolationsschichten müssen Kontaktöffnungen geschaffen werden. Im Gegensatz zu gedruckten Schaltungen sind viele der öffnungen in den Isolationsschichten der integrierten Schaltungen viel kleiner, beispielsweise 4 Mikron oder weniger. Solche kleine öffnungen müssen häufig gleichzeitig mit grösseren öffnungen gebildet werden, um Anschlusspads in integrierten Schaltungen zu unten liegenden Aluminiumteilen zu ermöglichen. Da die Aluminiumschicht selbst äusserst dünn ist, muss dafür gesorgt werden, dass für die Polyimid-Isolationsschicht ein Ätzmittel verwendet wird, das auch das darunterliegende Aluminium nicht angreift. Das Erfordernis, ein Angreifen des Aluminiums zu vermeiden und das Erfordernis, sowohl sehr kleine als auch grössere öffnungen gleichzeitig mit ausreichender Präzision herzustellen, bedeutet, dass viele der bei flexiblen gedruckten Schaltungen zum Ätzen von Polyimid verwendeten Ätzmittel zum Ätzen von Polyimid-Isolationsschichten integrierter Schaltungen nicht geeignet sind.
Um einen Angriff auf die Aluminiummetallschicht in integrierten Schaltungen zu vermeiden, ist bereits vorgeschlagen worden, öffnungen im Polyimid unter Verwendung von Sauerstoffplasma zu ätzen, beispielsweise wie es zum Abziehen von Fotoresist bei integrierten Schaltungen verwendet wird. Bei einem solchen Verfahren entfernt das Sau-erstoffplasma ein Fotoresist, das ein Muster von öffnungen aufweist, um Bereiche des Polyimide zu begrenzen, in denen ein Ätzen erwünscht ist, wobei gleichzeitig die exponierten Bereiche des Polyimide geätzt werden. Ein
solches Verfahren ist in der US-PS 3 767 490 beschrieben. Nach den aus den US-PSen 4 113 550 und 4 218 283 bekannten ' Ätzverfahren von Polyimid-Isolationsschichten integrierter Schaltungen wird eine Ätzlösung aus Hydrazin und einem Diamin sowohl für teilweise gehärtete als auch voll ausgehärtete Polyimide verwendet. Hydrazin ist aber ein sehr gefährliches Material und vielen Herstellern von integrierten Schaltungen widerstrebt es, diese Verbindung zu benutzen. Als Ergebnis besteht die Tendenz, anorganische und organische Basen als Ätzmittel zu verwenden, und zwar obwohl diese dazu neigen, Aluminium anzugreifen. Es war schwierig, verschieden grosse Öffnungen gleichzeitig mit einem solchen Ätzmittel zu ätzen und die Neigung der Wände von mit einem solchen Ätzmittel gebildeten Öffnungen gab Anlass zu üneinheitlichkeit. Bei solchen Verfahren wird ferner häufig erhöhte Temperatur angewandt, was wiederum eine erhöhte Gefahr andernfalls brauchbarer Ätzmittel zur Folge hat.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zunÄtzen von Mustern in einer Isolationsschicht aus Polyimid- oder Polyimid-iso-indrochinazolindion (hierin PI oder PIC genannt) auf einem Halbleiterbauelement zu schaffen, bei dem ein Negativ-Fotoresist verwendet werden kann, wobei die PI- oder PIC-Muster durch organische Stripper zum Abziehen des Fotoresists nicht angegriffen und bei dem weder gefährliche Ätzmittel noch erhöhte Ätztemperaturen erforderlich sind. Es ist ferner Aufgabe der Erfindung, eine neue Verbindung zum Ätzen von Mustern in Isolationsschichten von Halbleiternbauelementen zu schaffen, mit der reproduzierbar verschieden grosse Öffnungen gleichzeitig in den Isolationsschichten innerhalb der gleichen
β * «9
• χ ν c
Ätzzeiten geätzt werden können. Sehliesslieh sollen mit dem Ätzverfahren und der Ätzverbindung öffnungen mit einer ■ gleichmässigen Wandsteigung unter Kontrollt des Steigungswinkels geätzt werden können.
Das erfindungsgemässe Verfahren dient zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer gemusterten PI- oder PIC-Isolationssehieht. Auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers wird eine Schicht aus ungehärtetem PI- oder PIC-Harz aufgebracht. Diese Harzschicht wird dann erwärmt, um eine erste Stufe einer Teilhärtung der Harzsehieht zu bilden. Danach wird auf diese teilweise gehärtete Harzsehieht ein Fotoresist, also eine Fotolackmaske aufgebraeht und entwickelt, um die teilweise gehärtete Harzschicht da wo sie entfernt werden soll, blosszulegen. Danach wird geätzt, um die mit Muster versehene Schicht herzustellen. Diese wird dann erwärmt/ um ©ine zweit© Stuf© der Teilhärtung zu schaffen, die ausreicht, um zu verhindern, dass die organischen Stripper für das Fotoresist die gemustert© Schicht angreift. Nachdem dann das Fotoresist mit einem organischen Abziehmittel entfernt ist, wird die mit Muster versehene PI- oder PIC-Schieht welter erwärmt, und zwar ausreichend, um das Harz vollständig auszuhärten. Di© erste Stufe zum teilweisen Aushärten der Harzsehieht erfolgt vorzugsweise bei einer Temperatur von ©twa 120ö bis 150° C, ausreichend lange, um Lösungsmittel aus dem Harz zu entfernen. Dies kann einige Minuten aber auch etwa eine Stunde dauern. Das Erwärmen zur Bildung der zweiten Stufe des Aushärten der mit Muster versehenen Schicht, vor Abziehen der Fotolaekmask© wird bei einer Temperatur von ©twa 180° C bis zu etwa 220° C während etwa 15 Minuten bis zu mehreren Stunden durchgeführt. Bevorzugt wird ©ine Temperatur von ©twa 200° C über 30 Minuten. Das endgültige Aushärten der mit Muster versehenen
.•"•'.Λ. " ·..-..·· 33 1 6OA 1
Schicht, nachdem das Fotoresist abgezogen ist, erfolgt bei einer Temperatur von mMestens etwa 300° C, und zwar • wieder während etwa 15 Minuten bis zu mehreren Stunden.
Die in zwei Stufen durchgeführte Teilhärtung des PI- oder PIC-Harzes gestattet die Verwendung eines Negativ-Fotoresist, das verglichen mit einem Positiv-Fotoresist eine bessere Haftung auf der PI- oder PIC-Harzschicht aufweist. Die zweite Stufe der Teilhärtung gestattet das Abziehen der Nagativ-Fotolackmaske mit herkömmlichen organischen Entfernern, wie sie üblicherweise mit solchen Fotolacken verwendet werden. Die untenliegende mit Mustern versehene PI- oder PIC-Schicht wird dabei nicht angegriffen. Das erfindungsgemässe Verfahren kann aber auch mit einem RBitiv-Fotoresist durchgeführt werden.
Herkömmliche anorganische oder organische basische Ätzmittel für das PI- oder PIC-Harz können beim erfindungsgemässen Verfahren eingesetzt werden, so beispielsweise Alkalimetallhydroxide oder ein quaternäres Ammoniumhydroxid. Bei einer bevorzugten Ausführungsform werden jedoch neue Amin-Ätzmittel verwendet. Der Vorteil liegt einmal darin, dass diese erfindungsgemässen Ätzmittel die unter der Fotolackmaske liegende Aluminium-Verbindungsschicht des Halbleiterbauelements nicht angreifen und zum anderen, weil mit ihnen mehr verschieden grosse reproduzierbare öffnungen geätzt werden können als mit Alkalimetallhydroxid-Ätzmitteln,
Alternativ können quaternäre Ammoniumhydroxid-N-alkylpyrrolidinon-Ätzmittel verwendet werden, mit denen gleichzeitig verschieden grosse öffnungen innerhalb derselben Ätzzeit geätzt werden können, obwohl allerdings diese Ätzmittel Aluminium angreifen.
• * »4
Bh Ätzmittel gemäss der Erfindung zur Bildung von Mustern 1 in PI- oder PIC-Isolationsschichten eines Halbleiters besteht aus einer wässrigen Lösung eines Amins der Formel R-CH2-CH2-NH2/ worin R eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 C- Atomen oder eine Arylgruppe mit 6 bis 12 C-Atomen bedeutet. Alternativ kann die Wasserlösung ein Gemisch aus einem quaternären Ammoniumhydroxid und einem N-Alkylpyrrolidinon enthalten. Bevorzugte Amine sind Phenethylamin und n-Propylamin. Das bevorzugte quaternäre Ammoniumhydroxid ist Tetramethylammoniumhydroxid. Das bevorzugte N-Alkylpyrrolidinon ist N-methylpyrrolidinon. Die Amin-Ätzmittel werden vorzugsweise in einer im wesentlichen äquimolaren Lösung mit Wasser verwendet. Das quaternäre Ammoniumhydroxid und N-Alkylpyrrolidinon-Ätzmittel wird vorzugsweise in im wesentlichen gleichen Volumteilen einer Lösung verwendet, die von etwa 1 bis 10 Gew.-% quaternäres Ammoniumhydroxid in Wasser und N-Alkylpyrrolidinon enthält. Bei dem bevorzugten Phenethylamin-Ätzmittel ist eine Variation von etwa -15% der äquimolaren Anteile von Phenethylamin und Wasser brauchbar. Polglich kann die Lösung von etwa 85 Gew.-% bis etwa 90 Gew.-% Phenethylamin und etwa 10 bis 15 Gew.-% Wasser enthalten. Bei dem bevorzugten n-Propylamin-Ätzmittel ist eine Abweichung von - 10% der äquimolaren Anteile von n-Propylamin und Wasser brauchbar. So kann die Lösung von etwa 75 Gew.-% bis etwa ,78 Gew.-% n-Propylamin und von etwa 22 bis etwa 25 Gew.-% Wasser enthalten.
Die Ätzmittel gemäss dieser Erfindung können entweder mit dem oben beschriebenen Zweistufenverfahren des Härtens des Harzes oder mit einem herkömmlichen Teilhärtungsverfahren gemäss US-PS 4 113 550 verwendet werden, wobei im
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letztgenannten Fall das in der Patentschrift beschriebene Hydrazin-Ethylendiamin-Ätzmittel durch das erfindungsgemässe Ätzmittel ersetzt wird. Es kann bei Zimmertemperatur geätzt werden. Die Phenethylamin-Ätzmittel ergeben öffnungen mit gleichmässig geneigten Seitenwänden von 45°, die n-Propylamin-Ätzmittel geben gerade 90°-Seitenwände, während die quaternären Ammoniumhydroxid-N-Alkylpyrrolidion-Ätzmittel öffnungen ergeben, die gleichmässig geneigte Seitenwände in einem Winkel von 60° - 65° aufweisen.
Die Erfindung wird anhand des in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer erfindungsgemäss hergestellten Struktur;
Fig. 2 ein Beispiel einer typischen Struktur, die durch Verwendung eines bekannten Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements erhalten wurde; und
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht eines anderen Halbleiterbauelements, das nacii dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellt wurde.
In Fig. 1 ist ein Durchgangsloch 10, das mit Hilfe eines erfindungsgemässen Ätzmittels unter Verwendung des erfindungsgemässen Verfahrens geätzt wurde. Das Durchgangsloch ist in einer PI-Schicht 12 gebildet, um eine Aluminiumschicht 14 freizulegen, die Teil einer metallurgischen Verbindung in einer integrierten Schaltung bildet, um einen elektrischen Kontakt zur Aluminiumschicht 14 zu schaffen. Die Seitenwände 16 des Durchgangsloches 10 haben einen Neigungswinkel von 45°, hergestellt durch das Phenethylamin-Ätzmittel. Die Abmessungen des Durchgangsloches 10
betragen etwa 10 Mikron zwischen gegenüberliegenden Kanten 18. Die Fig. 1, 2 und 3 stammen von abgetasteten Elektronenmikroskop-Fotografien von erfindungsgemäss hergestellten Halbleiterbauelementen.
Die als Ätzmittel geeigneten PI-Harze sind bekannt und haben vorzugsweise folgende allgemeine Formel:
.CO
N -
CO
worin R1 und R2 Radikale einer vierwertigen aromatischen Gruppe darstellen und N eine positive ganze Zahl bedeutet, Harze dieser Art können als ein Kondensationsprodukt eines aromatischen Dicarbonsäuredianhydrids mit einem aromatischen Diamin hergestellt werden. Solche Harze und Verfahren zu deren Herstellung sind u.a. in der US-PS 3 179 634 beschrieben und im Handel erhältlich.
Geeignete PIC-Harze haben die allgemeine Formel
0Nv
m ·—
worin R1, R-, R3 und R4 mehrwertige aromatische Gruppen darstellen, m und η jeweils eine positive ganze Zahl und Y -CO-
oder SO2 bedeuten. Solche PIC-Harze können durch Umsetzen eines aromatischen Diamine, eines aromatischen Säuredianhydrids und eines aromatischen Kohlenwasserstoffamids oder dergleichen hergestellt werden. Harze und Verfahren zu deren Herstellung sind im japanischen Patent 702 696 beschrieben.
Entsprechende spezifische Beispiele von Amin-Ätzmitteln, die sich zur Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens sowie als Ätzmittel hierfür eignen, sind n-Propylamin, Isobutylamin, Phenethylamin und dergleichen.
Geeignete quaternäre Ammoniumhydroxide haben die Formel
worin R1 und R, gleiche oder unterschiedliche Alkylgruppen
3
mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen; R eine Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen oder eine Alkenylgruppe mit 1
4
bis 18 Kohlenstoffatomen; und R eine Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, eine Alkenylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, Phenyl, Alkylphenyl, in dem der Alkylanteil 1 bis 18 Kohlenstoffatome enthält, Benzyl oder Alkylbenzyl, worin der Alkylanteil des Radikals 1 bis 18 Kohlenstoffatome aufweist, darstellen. Geeignete spezifische Beispiele solcher quaternärer Ammoniumhydroxide sind folgende:
Tetramethylammoniumhydroxid,
Tetraethylammoniumhydroxid,
. Tetrabutylairanoniumhydroxid,
Benzyltrimethylammoniumhydroxid,
Phenyltrimethylammoniumhydroxid,
Dodecyltrimethylammoniumhydroxid,
Hexadecy 1 tr inte thy 1 ammon iumhydr ox id,
Octadecyltrimethylammoniumhydroxid,
Dodecyltriethylammoniumhydroxid,
Hexadecyltriethylammoniumhydroxid,
Octadecyltriethylammoniumhydroxid,
Dodecyltr i-n-propylanunoniumhydroxid,
Dodecyltri -isopropylainmoniumhydroxid, Benzyldimethylhexadecylanmoniumhydroxid, Dimethylethylhexadecylammoniumhydroxid, p-Dodecylbenzyltrimethylairanoniumhydroxid/ Benzyldimethyloctadecylammoniumhydroxid.
Solche quaternäre Ammoniumhydroxide können entweder allein oder als Gemische aus zwei oder mehr verschiedenen quaternären Ammoniumhydroxiden verwendet werden.
Geekjnete spezifische Beispiele von N-Alkylpyrrolidinonen zur Verwendung zusammen mit quaternären Ammoniumhydroxiden sind N-Methylpyrrolidinon, N-Ethylpyrrolidinon, N-iso-Propylpyrrolidinon, N-Butylpyrrolidinon und dergleichen.
Der Zweistufen-Teilhärtungsprozess gemäss der Erfindung kann im wesentlichen mit irgendeinem handelsüblichen Negativ-Fotoresist verwendet werden, so beispielsweise Waycoat Negativ IC Resist Type 3 der Philip A. Hunt Chemical Corporation, Selectilux Negativresist der E. M. Merck Corporation, Negativresist von Eastman Kodak Company oder KTI Corporation, oder dergleichen. Das Verfahren kann auch mit einem Positiv-Fotoresist,
wie Shipley AZ135OH, AZ135OJ, AZ1470 und AZ111, oder dergleichen durchgeführt werden. Die erfindungsgemässen Ätzmittel können im wesentlichen mit irgendeinem handelsüblichen Negativ-Fotoresist, einschliesslich der obengenannten, verwendet werden.
Ausser den erfindungsgemässen Ätzmitteln können bei der Durchführung des erfindungsgemässen Zweistufen-Teilhärtungsverfahrens herkömmliche Basis-Ätzmittel für die PI oder PlC-Schichten verwendet werden. Typische Beispiele soleher Ätzmittel sind Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Lithiumhydroxid und Ammoniumhydroxid.
Die Erfindung wird anhand einiger Beispiele näher erläutert.
Beispiel 1
Die in Fig. 1 gezeigte Ausführungsform wurde wie folgt hergestellt:
Ein mit Aluminium metallisiertes Silizium-Halbleiterplättchen, bei dem die Metallisierung nach in der Halbleitertechnik üblichen Verfahren durchgeführt wurde, wurde 20 Minuten bei 200° C gebacken und dabei dehydriert. Ein als PIC-Koppler bezeichneter organischer Aluminiumkomplex (der Firma Hitachi Chemical Company) wurde 20 Sekunden mit 4000 ü/M auf das Halbleiterplättchen aufgeschleudert. Der PIC-Koppler wurde 30 Minuten bei 325° C gebacken, um den Koppler in AI5O3 umzuwandeln. Ein PIC-Harz (der Hitachi Chemical Company) bestehend aus 15 Gew.-% PIC-Harz in 85 Gew.-% N-Methylpyrrolidinon mit einer Lösungsviskosität von 1200 cP wurde während 20 Sekunden mit 4000 ü/M auf das Plättchen aufgeschleudert. Das Halbleiterplättchen wurde flach in
einen Ofen eingebra-eht und die PIC-Harzschicht wurde 30 Min. bei 13O0C weich gebacken, um eine erste Stufe der . Teilhärtung zu erreichen. Ein Hexamethvldisilizan (HMDS) wurde als Haftverbesserer auf die PIC-Schicht während 20 Sekunden mit 4000 U/M aufgeschleudert.
Ein Waycoat-Negativ-IC-Resist Type 3 mit einer Viskosität von 59 cSt. (der Philip A. Hunt Chemical Corporation) wurde während 20 Sekunden bei 3000 ü/M über den Haftverbesserer aufgeschleudert. Das Resist wurde dann 20 Minuten bei 80° C weich gebacken. Ein Muster zur Bildung von 3, 10 und 50 μ2-öffnungen in der PIC-Schicht wurde ausgerichtet und dazu verwendet, um das Resist auf einem Perkin Eimer Model 140 Projektionsausrichter auszusetzen, und zwar mit einer Einstellung der öffnung 3, Schlitz 1,0 und Abtast 400. Das exponierte Fotoresist wurde 10 Sekunden in Xylol sprühentwickelt, 10 Sekunden in N-Butylacetat gespült und 10 Sekunden bei 5000 ü/M schleudergetrocknet. Die getrocknete Fotoresistschicht wurde 20 Minuten bei 130° C hart gebacken.
Die Teile der PIC-Harzschicht, die durch die Öffnungen in der Resistschicht blossgelegt waren, wurden in einer äquimolaren Lösung aus Phenethylamin und Wasser 40 bis 50 Sekunden geätzt. Danach wurde das Plättchen zunächst 20 Sekunden in N-Methylpyrrolidinon und dann mit Wasser gespült und anschliessend schleudergetrocknet. Das so behandelte Plättchen wurde 30 Min. bei 200° C gebacken, um eine weitere Teilhärtung der restlichen Bereiche der PIC-Harzschichten zu erreichen.
Das Fotoresist wurde dann mit einem handelsüblichen organischen Fotoresist-Stripper (712D der EKC Technology,Inc.,
Hayward, California) 20 Min. bei 90° C abgezogen, danach 30 Sek. mit Methylalkohol und dann mit Wasser gespült und schleudergetrocknet. Die Untersuchung des Siliziumplättchens zeigte, dass das Fotoresist vollständig entfernt war, ohne dass die teilweise gehärteten Bereiche der PIC-Harzschicht angegriffen waren. Wenn das weitere teilweise Aushärten der PIC-Schicht nach dem Atzen nicht durchgeführt wird, greift das Abziehmittel für das Fotoresist die geätzte PIC-Schicht an. Wenn die geätzte PIC-Schicht vor dem Abziehen des Fotoresists vollständig ausgehärtet wird, kann das Fotoresist mit dem organischen Stripper nicht vollständig entfernt werden.
Die PIC-Schicht wurde dann 60 Minuten bei 325° C gebacken, um sie vollständig auszuhärten, und danach einem Sauer-Stoffplasma ausgesetzt, und zwar 2 Minuten bei 450 W in einer Plasmatrommel.
Die Untersuchung des Siliziumplättchen zeigte, dass die 3, 10 und 50 μ Öffnungen in der PIC-Schicht auf dem Plättchen einheitlich geätzt waren, ohne dass die darunterliegende Aluminiumschicht angegriffen war. Die Öffnungen hatten gleichmässig 45° geneigte Seitenwände, wobei das Ätzen für jede Grosse der Öffnungen gleichzeitig erfolgte, d.h. wenn die 3 μ Löcher vollständig geöffnet waren, waren die 50 μ Öffnungen nicht überätzt. Fig. 1 zeigt eine 10 μ2 Öffnung, die nach dem erfindungsgemässen Verfahren geätzt wurde und sie stammt von einer Raster-Elektronenmikroskop-Fotografie der Halbleiterscheibe nachdem diese in der genannten Weise behandelt worden war.
Die Fig. 2 und 3 zeigen einen wichtigen Vorteil, der bei Verwendung des Verfahrens und Phenethylamin-Ätzmitteln zu
verzeichnen ist. Fig. 2 zeigt metallische Aluminium-Verbindung smu ate r 50, die auf einer herkömmlichen aufgedampften Siliziumdioxid-Schicht 52 auf einem oxidierten Siliziumsubstrat (nicht dargestellt) angeordnet und geätzt wurden. Die Siliziumdioxid-Schicht 52 hat Seiten 56, die mit ihrer Horizontalfläche einen Winkel von etwa 90° einschliessen, und zwar mit der Fläche auf die die Schicht auf die darunterliegenden Aluminiumbereiche (nicht dargestellt) aufgebracht ist. Die Folge ist, dass beim Aufbringen der metallischen Aluminiumschicht 50 durch Vakuumverdampfung oder Zerstäubung auf das Oxid 52, scharfe Stufen gebildet werden. Diese scharfen Stufen befinden sich wo das Aluminium einmal bei 58 über den Seiten 56 und bei 60, wo sich die Öffnungen in der Oxid-Schicht 52 bis zu Aluminiumbereichen (nicht dargestellt) erstrecken, zu denen durch die Verbindung der metallischen Muster Kontakt geschaffen wird. Solche scharfe Stufen 58 und 60 führen zu einer Verdünnung der metallischen Aluminiumschicht bei 62, mit der Folge, dass an diesen dünnen Stellen erhöhter Widerstand auftritt. Ja es kann sogar zu einem offenen Stromkreis führen, falls bei 58 oder 60 ein Spalt oder Ritz in der Metallschicht entsteht.
Fig. 3 zeigt ähnliche Muster der Aluminiummetallisierung 70, die auf einer PIC-Harzschicht 71 aufgebracht sind.
Die Muster wurden im Zweistufen-Teilhärtungsverfahren mit Phenethylamin geätzt, um Öffnungen 64 in der PIC-Schicht bis zur darunterliegenden Aluminiumschicht zu bilden, und zwar wie in Fig. 2. Da die Seitenwände der PIC-Harzschicht bei 68 einen Winkel von 45° mit den darunterliegenden Aluminium- und den oxidierten Siliziumflächen einschliessen, treten bei den Öffnungen 64 keine dünnen Stellen in den Metallschichten 70 auf. Beim Aufbringen der PIC-Schicht 71 auf die darunterliegenden
Aluminiumbereiche (nicht sichtbar) gibt es auch leichte Neigungen bei 66 in dieser Schicht. Da das Ätzmittel Phenethylamin zusammen mit dem erfindungsgemäss durchgeführten Verfahren eine solche Neigung von 45° der Wände bei 68 bewirkt und keine scharfen Stufen bei 66 auftreten, sind an dieser Stelle keine dünnen Bereiche in den Mustern 70 der Aluminiummetallisierung festzustellen. Die Muster 70 haben die gleiche Form wie die Muster 50 in Fig. 2, aber der Effekt der perspektivischen Verkürzung der den Fig. 2 und 3 entnommenen Raster-Elektronenmikroskop-Fotografien, bewirkt einen scheinbaren Unterschied in der Form.
Beispiel 2
Es wurden folgende zusätzliche Schritte mit dem Süiziumplättchen aus Beispiel 1 durchgeführt, um die in Fig. 3 gezeigte Struktur zu erhalten. Auf das Plättchen wurde eine Unterlage aus einer Titan-Wolfram-Legierung in einer Dicke von 1200 Angstroem aufgesprüht. Die Titan-Wolfram-Legierungsoberfläche wurde mit einem Wasserstrahl gründlich gereinigt und eine 1,5 μ dicke Aluminiumschicht wurde mit einem Varian-Elektronenstrahlverdampfer bei 220° C im Vakuum aufgedampft. Die Aluminium- und Titan-Wolframlegierungs-Schichten wurden maskiert und in herkömmlicher Weise mit einem wässrigen Gemisch aus Phosphorsäure und Essigsäure geätzt, um das in Fig.3 gezeigte Muster zu bilden. Die PIC-Schicht 71, die der Siliziumdioxidschicht 52 in Fig. 2 entspricht, weist an den Seitenwänden 68 der öffnungen 64 eine Winkelneigung von 45° und bei 66 eine leichte Neigung auf. Im Gegensatz zu den 90° Kanten bei 58 und 60 in Fig. 2, ist an der obenliegenden Aluminiummetallisierung 70 an diesen Stellen, andeis als in Fig. 2, keine Verdünnung festzustellen.
Beispiel 3
Die Verfahrensschritte gemäss Beispiel 1 wurden wiederholt, . mit Ausnahme der Spülung, die anstelle von N-Methylpyrrolidinon mit 1,2-(Bismethoxyethoxy)ethan über 15 Sekunden mit anschliessender Spülung in Methylalkohol über 15 Sekunden durchgeführt wurde. Es wurden äquivalente Ergebnisse erzielt.
Beispiel 4
Die Verfahrensschritte gemäss Beispiel 1 wurden wiederholt, mit Ausnahme des Ätzmittels. Anstelle der wässrigen Phenethylamin-Ätzlösung für die PIC-Schicht wurde ein Gemisch aus gleichen Volumteilen N-Methylpyrrolidinon und wässrigem 5 Gew.-% Tetramethylammoniumhydroxid verwendet und es wurde zwischen 50 und 60 Sekunden geätzt. Mit dieser Ätzlösung wurde die Spülung mit N-Methylpyrrolidinon gemäss Beispiel 1 vermieden und nach dem Ätzen wurde nur mit Wasser gespült. Die Seitenwände der geätzten PIC-Schicht hatten eine Neigung von einem Winkel zwischen 60 und 65°. Der Ätzvorgang war für die 3, 10 und 50 μ2 Öffnungen gleichzeitig beendet, d.h. nach Beendigung des Ätzens der 3 μ Öffnungen erfolgte keine Überätzung der 50 μ Öffnungen. Da dieses Ätzmittel tieferliegendes Aluminium angreifen würde, ist es wichtig, dass kein Überätzen stattfindet.
Beispiel 5
Die Verfahrensschritte gemäss Beispiel 1 wurden wiederholt, mit Ausnahme, dass das Weichbacken der PIC-Harzschicht über 30 Miunten bei 140° C durchgeführt wurde und eine äquimolare Lösung aus n-Propylamin und Wasser anstelle der wässrigen Phenethylaminlösung verwendet wurde, wobei die Ätzdauer 5 Sekunden betrug. Das Ätzmittel n-Propylamin ergab 3, 10 und 50μ2 Öffnungen in der PIC-Schicht mit 90"
geraden Seitenwänden, ohne dass die darunterliegende Aluminiumschicht angegriffen wurde. Der Ätzvorgang für • die verschieden grossen Öffnungen war gleichzeitig beendet, d.h. es wurde kein Überätzen der 50 μ Offnungen festgestellt, als die 3 μ Öffnungen fertig geätzt waren. Eine solche 90° gerade Seitenwand der öffnungen ist zweckmässig, wenn es erwünscht ist, eine geätzte PIC-Schicht als eine Maske für Ionenimplantation zu verwenden, da damit eine scharfe Kantenbestimmung erhalten wird.
Anstelle des in den Beispielen verwendeten PIC-Harzes können äquivalente Mengen eines handelsüblichen Pyre-ML Harzes von E. I. DuPont de Nemours & Company mit ähnlich vorteilhaften Ergebnissen eingesetzt werden.
Die Beispiele zeigen, dass mit den erfindungsgemässen Ätzverfahren und dem Ätzmittel Vorteile gegenüber dem Stand der Technik erzielt werden. Das Zweistufen-Teilhärtungsverfahren gestattet die Verwendung eines Negativ-Fotoresists, um Bereiche zu definieren, an denen ein PI oder PIC-Harz geätzt werden soll. Die anschliessend verwendeten organischen Fotoresist-Stripper, um verbleibendes Fotoresist von den PI- oder PIC-Schichten abzuziehen, greifen diese Schichten nicht an. Die Amin-Ätzmittel und quaternäre Ammoniumhydroxid-N-alkylpyrrolidinon-Ätzmittel ergeben Öffnungen mit einer 45° Neigung der Seitenwände, 90° gerade Seitenwände oder eine 60 bis 65° Neigung an den Seitenwänden, mit einer engen Kontrolle der Öffnungsgeometrie und gleichzeitiger Beendigung des Ätzvorgangs verschieden grosser Öffnungen in jedem Fall. Folglich ersetzen die erfindungsgemässen Ätzmittel so gefährliche
Stoffe wie Hydrazin oder heisse Basen zum Ätzen von PI und PIC-Isolierschichten bei der Herstellung von integrierten Schaltungen und/oder Halbleiterbauelementen.
Es können ohne Abweichung vom Erfindungsgedanken verschiedene Änderungen der Form und Einzelheiten der Verfahrensschritte vorgenommen werden.

Claims (19)

  1. • e o et.«
    Dipl.-Chem. I. SCHULZE SSSSSl«. .
    Dipl.-Ing. E. GUTSCHER Telephon 06221/23269
    Abe. tXpl.-Chem. I. Schulze, Dipi.-Ing. E. Qutecher. Patenlanwalle ~1 UNSER ZEICHEN: 4083 SB2 Galsbergstraße 3. 6900 Heidelberg 1 IHR ZEICHEN:
    Anmelder: National Semiconductor Corporation,
    2900 Semiconductor Drive, Santa Clara, Californien 94051, V. St. A.
    PATENTANSPRÜCHE
    1/. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen durch Ätzen einer gemusterten Polyimid- oder Polyimid-isoindrochinazolindion-Isolationsschicht, dadurch gekennzeichnet, dass man auf eine Oberfläche des Bauelements eine Schicht aus ungehärtetem Polyimid- oder Polyimid-iso-indrochinazolindion-Harz aufbringt und diese Harzschicht bis zu einer ersten Stufe einer Teilhärtung in dieser Schicht erwärmt, auf diese teilgehärtete Harzschicht eine Fotoresistschicht aufgebracht, diese entwickelt und dabei die teilweise gehärtete Harzschicht da wo sie entfernt werden soll blossgelegt wird, diese teilweise gehärtete Harzschicht geätzt und die mit Muster versehene Schicht gebildet wird, die
    Europäischer Patentvertreter - European Patent Attorney - Mandateire en Brevet· Europeen»
    ihrerseits erwärmt und in einer zweiten Stufe die Harzschicht soweit teilgehärtet wird, dass ein Angreifen " dieser Schicht durch organische Fotoresist-Stripper verhindert wird, das entwickelte Fotoresist mit einem organischen Abziehmittel entfernt wird und anschliessend die mit Muster versehene Schicht ausreichend erwärmt und dabei das Polyimid- oder Polyimid-iso-indrochinazolindion-Harz vollständig ausgehärtet wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in der ersten Stufe zum teilweisen Härten der Harzschicht auf eine Temperatur von etwa 120° bis zu etwa 150° C erwärmt und dabei Lösungsmittel aus dem Harz entfernt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Stufe des Härtungsprozesses der mit Muster versehenen Schicht bei einer Temperatur von etwa 180° C bis zu etwa 220° C durchgeführt wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Aushärten der mit Muster versehenen Schicht bei einer Temperatur von mindestens etwa 300° C durchgeführt wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Negativ-Fotoresist verwendet wird.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die teilweise gehärtete Harzschicht mit einem Amin-Ätzmittel der Formel R-CH2-CHj-NH2, worin R eine Alkyijruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Arylgruppe mit 6 bis 12 Kohlenstoffatomen bedeutet, oder mit einem Ätzmittel aus einem Gemisch eines quaternären Ammoniumhydroxids und einem N-Alky!pyrrolidinon geätzt wird.
    Of* OO O
    ο ο tt ο ο β ο
    ο ο ο ο 9 β ο ο ο θ ο ο > » ο · α φ ο β
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass R eine Methylgruppe bedeutet.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Amin-Ätzmittel in einer im wesentlichen äquimolaren Lösung mit Wasser verwendet wird.
  9. .9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass R eine Phenylgruppe bedeutet.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Amin-Ätzmittel in einer im wesentlichen äquimolaren Lösung mit Wasser verwendet wird.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Ätzen mit einem niederen Alkylbisalkoxyalkan oder Alkanol gespült wird.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass aus quaternärem Ammoniumhydroxid und N-Alkylpyrrolydinon bestehende Ätzmittel in im wesentlichen gleichen Volumteilen einer Lösung verwendet wird,die von etwa 1 bis 10 Gew.-% quaternäres Ammoniumhydroxid in Wasser und dem N-Alkylpyrrolidinon enthält.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das quaternäre Ammoniumhydroxid Tetramethylammoniumhydroxid ist. '
  14. 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das N-Alkylpyrrolidinon N-Methylpyrrolidinon ist.
  15. 15. Ätzmittellösung zur Durchführung des Ätzverfahrens nach Anspruch 1 und zur Bildung von Ätzmustern in einer Polyimid- oder Polyimid-iso-indrochinazolindion-Isolationsschicht eines Halbleiterbauelements; bestehend aus einer wässrigen Lösung von etwa 1,0 bis etwa 10 Gew.-% eines quaternären Ammoniumhydroxids und etwa 40 bis 60 Gew.-% eines N-Alkylpyrrolidinon.
  16. 16. Ätzmittellösung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das N-Alky}pyrrolidinon N-Methylpyrrolidinon ist.
  17. 17. Ätzmittellösung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das quaternäre Ammoniumhydroxid Tetramethylammoniumhydroxid ist.
  18. 18. Ätzmittellösung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es aus im wesentlichen äquimolaren Anteilen eines Amins der Formel R-CH2-CH2-NH2, worin R eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Arylgruppe mit 6 bis 12 Kohlenstoffatomen bedeutet und Wasser besteht.
  19. 19. Ätzmittellösung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass R eine Methyl- oder eine Phenylgruppe bedeutet.
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2095905B (en) * 1981-03-27 1985-01-16 Philips Electronic Associated Infra-red radiation imaging devices and methods for their manufacture
US4487652A (en) * 1984-03-30 1984-12-11 Motorola, Inc. Slope etch of polyimide
EP0177905B1 (de) * 1984-10-09 1990-12-05 Hoechst Japan Kabushiki Kaisha Verfahren zum Entwickeln und zum Entschichten von Photoresistschichten mit quaternären Ammomiumverbindungen
US4827326A (en) * 1987-11-02 1989-05-02 Motorola, Inc. Integrated circuit having polyimide/metal passivation layer and method of manufacture using metal lift-off
DE3740369A1 (de) * 1987-11-25 1989-06-08 Schering Ag Verfahren zur vorbehandlung von kunststoffen
US4857143A (en) * 1988-12-16 1989-08-15 International Business Machines Corp. Wet etching of cured polyimide
US5183534A (en) * 1990-03-09 1993-02-02 Amoco Corporation Wet-etch process and composition
US5091290A (en) * 1990-12-03 1992-02-25 Micron Technology, Inc. Process for promoting adhesion of a layer of photoresist on a substrate having a previous layer of photoresist
US5470693A (en) * 1992-02-18 1995-11-28 International Business Machines Corporation Method of forming patterned polyimide films
US5242864A (en) * 1992-06-05 1993-09-07 Intel Corporation Polyimide process for protecting integrated circuits
US5804090A (en) * 1995-03-20 1998-09-08 Nissan Motor Co., Ltd. Process for etching semiconductors using a hydrazine and metal hydroxide-containing etching solution
US5925260A (en) * 1997-01-02 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Removal of polyimide from dies and wafers
KR100837987B1 (ko) * 2000-06-21 2008-06-16 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 용해 수지를 이용하는 마이크로 전기기계 시스템 장치의재코팅 방법
US6739931B2 (en) * 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
EP1343206B1 (de) * 2002-03-07 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung, elektronische Vorrichtung, Beleuchtungsvorrichtung und Herstellungsverfahren der lichtemittierenden Vorrichtung
KR100941129B1 (ko) * 2002-03-26 2010-02-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
GB2387026A (en) * 2002-03-28 2003-10-01 Zarlink Semiconductor Ltd Method of coating contact holes in MEMS and micro-machining applications
US7579771B2 (en) 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US7897979B2 (en) 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4216008B2 (ja) 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
JP4373086B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
DE10394275T5 (de) * 2003-07-28 2006-06-22 Dow Corning Corp., Midland Verfahren zur Ätzung einer Siliconschicht in Musterform
JP2005085799A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Seiko Epson Corp 成膜方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
US20070120089A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 3M Innovative Properties Company Polymer etchant and method of using same
CN104617111B (zh) * 2015-02-03 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制造方法、显示装置
TWI658936B (zh) * 2018-02-07 2019-05-11 台虹科技股份有限公司 覆蓋膜及其應用

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3179634A (en) * 1962-01-26 1965-04-20 Du Pont Aromatic polyimides and the process for preparing them
US3361589A (en) * 1964-10-05 1968-01-02 Du Pont Process for treating polyimide surface with basic compounds, and polyimide surface having thin layer of polyamide acid
US3767490A (en) * 1971-06-29 1973-10-23 Ibm Process for etching organic coating layers
US3770528A (en) * 1971-09-29 1973-11-06 Martin Processing Co Inc Method for the surface treatment of polyimide materials
US3791848A (en) * 1972-05-19 1974-02-12 Western Electric Co A method of improving the adherence of a metal deposit to a polyimide surface
US3871930A (en) * 1973-12-19 1975-03-18 Texas Instruments Inc Method of etching films made of polyimide based polymers
US4113550A (en) * 1974-08-23 1978-09-12 Hitachi, Ltd. Method for fabricating semiconductor device and etchant for polymer resin
US4218283A (en) * 1974-08-23 1980-08-19 Hitachi, Ltd. Method for fabricating semiconductor device and etchant for polymer resin

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1230421A (de) * 1967-09-15 1971-05-05
DE2541624C2 (de) * 1975-09-18 1982-09-16 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Wässrige Ätzlösung und Verfahren zum Ätzen von Polymerfilmen oder Folien auf Polyimidbasis

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3179634A (en) * 1962-01-26 1965-04-20 Du Pont Aromatic polyimides and the process for preparing them
US3361589A (en) * 1964-10-05 1968-01-02 Du Pont Process for treating polyimide surface with basic compounds, and polyimide surface having thin layer of polyamide acid
US3767490A (en) * 1971-06-29 1973-10-23 Ibm Process for etching organic coating layers
US3770528A (en) * 1971-09-29 1973-11-06 Martin Processing Co Inc Method for the surface treatment of polyimide materials
US3791848A (en) * 1972-05-19 1974-02-12 Western Electric Co A method of improving the adherence of a metal deposit to a polyimide surface
US3871930A (en) * 1973-12-19 1975-03-18 Texas Instruments Inc Method of etching films made of polyimide based polymers
US4113550A (en) * 1974-08-23 1978-09-12 Hitachi, Ltd. Method for fabricating semiconductor device and etchant for polymer resin
US4218283A (en) * 1974-08-23 1980-08-19 Hitachi, Ltd. Method for fabricating semiconductor device and etchant for polymer resin

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP Patent 702 696 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE3316041C2 (de) 1992-09-17
US4411735A (en) 1983-10-25
JPH0416010B2 (de) 1992-03-19
DE3348416C2 (de) 1993-10-07
JPS58218124A (ja) 1983-12-19

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