DE3782389T2 - "lift-off" verfahren zur herstellung von leiterbahnen auf einem substrat. - Google Patents
"lift-off" verfahren zur herstellung von leiterbahnen auf einem substrat.Info
- Publication number
- DE3782389T2 DE3782389T2 DE8787112098T DE3782389T DE3782389T2 DE 3782389 T2 DE3782389 T2 DE 3782389T2 DE 8787112098 T DE8787112098 T DE 8787112098T DE 3782389 T DE3782389 T DE 3782389T DE 3782389 T2 DE3782389 T2 DE 3782389T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- lift
- layer
- polyimide
- wiring
- based resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 230000037361 pathway Effects 0.000 title 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 78
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 78
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 76
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 39
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 19
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 81
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
- H05K3/046—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer
- H05K3/048—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer using a lift-off resist pattern or a release layer pattern
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Weting (AREA)
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung einer Verdrahtung auf einem Substrat und insbesondere ein Verfahren zur Bildung einer Verdrahtung auf einem Substrat gemäß einer "Lift-off"-Technik.
- Bis heute umfassen bekannte Verfahren zur Bildung einer Verdrahtung auf einem Substrat gemäß der "Lift-off"-Technik die Bildung eines Verdrahtungsmusters mit einem "Lift-off- Material, anschließende Bildung von Verdrahtungsleitungen aus Al, Cu, Au o.ä. auf den Bereichen mit dem Verdrahtungsmuster und auf dem "Lift-off"-Material durch Dampfabscheidung, Sputtern etc. und Entfernen des Leiters auf Bereichen, die nicht die Verdrahtungsbereiche sind, zusammen mit dem "Lift-off"-Material, wodurch eine Verdrahtung im gewünschten Muster erhalten wird. Beispiele für Verfahren zur Bildung einer Verdrahtung gemäß der "Lift-off"-Technik sind in "Semiconductor International", Dezember 1981, Seiten 72-89, und J. Vac. Sci. Technol. B, Vol. 1, Nr. 2, April - Juni 1983, Seiten 490-493, dargestellt. In den Verfahren gemäß der "Lift-off"-Technik besitzt das "Lift-off"-Material gewöhnlich eine umgekehrt kegelförmige Form, so daß ein Verdrahtungsleiter nicht mit unerwünschten Leitern verbunden wird. Darüber hinaus muß das "Lift-off"-Material gute Wärmebeständigkeit besitzen, da die Dampfabscheidung und das Sputtern des Verdrahtungsleiters, wie Cu, Al oder Au gewöhnlich bei hoher Temperatur, beispielsweise 200 bis 350ºC durchgeführt wird, um das Anhaften an einem Substrat zu verbessern. Weiter darf das "Lift-off"-Material kein Gas etc. freisetzen und muß durch "Lifting-off" schnell zu entfernen sein.
- Gewöhnlich wird als "Lift-off"-Material ein Harz auf Polyimidbasis verwendet, und es werden auch häufig Photoresists verwendet. Diese "Lift-off"-Materialien haben jedoch die folgenden Nachteile.
- Im Fall eines Photoresists als "Lift-off"-Material muß der Verdrahtungsleiter bei Raumtemperatur oder unter Raumtemperatur dampfabgeschieden werden, weil der Photoresist sehr geringe Wärmebeständigkeit besitzt, und es ist daneben schwierig, einen Verdrahtungsleiter mit guter Anhaftung an einem Substrat zu bilden. Wenn der Verdrahtungsleiter bei 100ºC oder darüber dampfabgeschieden wird, wird der Photoresist durch die Wärme gestört und kann selbst unter Verwendung einer Ätzlösung nicht entfernt werden.
- Im Fall eines Harzes auf Polyimidbasis als "Lift-off"-Material treten überhaupt keine Probleme auf, solange das "Lift-off"-Material und der Verdrahtungsleiter jede eine Dicke von ungefähr 1 um besitzen, wogegen ein "Lift-off"- Problem auftritt, wenn die Dicke sich in einem Bereich von 10 bis 20 um bewegt. Genauer wird das Harz auf Polyimidbasis gewöhnlich entweder durch O&sub2;-Plasma oder mit einer Ätzlösung entfernt.
- Das Entfernen bzw. "Lifting-off " des Harzes auf Polyimidbasis durch O&sub2;-Plasma erfordert eine lange Zeitdauer mit einem schlechten Wirkungsgrad, und es ist auch schwierig, den Harzfilm vollständig abzulösen, d. h. daß Harzreste verbleiben.
- Das Entfernen des Harzes auf Polyimidbasis mit einer Ätzlösung weist das Problem auf, daß, wenn ein Verdrahtungsleiter eine größere Dicke besitzt oder wenn eine Harzschicht auf Polyimidbasis, d. h. das "Lift-off"-Material, eine höhere Dicke besitzen muß, es schwierig ist, das "Lift-off"-Material aufzulösen, d. h. das "Lift-off"-Material zu entfernen. Um dieses Problem zu lösen, muß das "Lift-off"-Material für ein paar Stunden in die Ätzlösung eingetaucht werden. Wenn die Verdrahtung aus Al oder Cu für eine lange Zeitdauer in die Ätzlösung getaucht wird, wird der Verdrahtungsteil abgelöst.
- Ein Verdrahtungsleiter mit höherer Dicke, beispielsweise 10-20 um, wird nun in einem Substrat zum Montieren in hoher Integration (LSI) erforderlich, und es ist nötig, ein Verfahren zu entwickeln, um eine Verdrahtung mit einer solchen Dicke wie oben gemäß der "Lift-off"-Technik zu bilden. Der Stand der Technik hinsichtlich der "Lift-off"-Technik umfaßt die offengelegten japanischen Patentanmeldungen Nr. 54-87525 und 52-156583, wobei erstere eine Doppelschichtstruktur eines Photoresists und letztere die Verwendung eines Harzes auf Polyimidbasis als "Lift-off"-Material offenbaren.
- US-A-4 218 283 offenbart ein Verfahren zum Ätzen eines Harzfilms auf Polyimidbasis, insbesondere des Ätzens eines PIQ- Harzes als Polyimid mit einer gemischten Lösung von Hydrazin und Ethylendiamin.
- Die Literaturstelle offenbart weiter ein Verfahren zur Bildung einer vielschichtigen Verdrahtung durch Bilden eines Polyimidfilms auf einem Substrat, Ätzen des Films in einem gewünschten Muster, anschließend Bilden einer leitenden Verdrahtung und Wiederholen dieser Schritte.
- GB-A-1 230 421 beschreibt eine Haltleitervorrichtung mit einer Polyimidschicht und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, das die Beschichtung eines Metallfilms, von Siliciumoxid oder Siliciumnitrid mit einem Polyimidharz und Bilden eines Photoresists darauf umfaßt.
- Die in diesen Literaturstellen beschriebenen Verfahren besitzen jedoch daher Nachteile, daß die Ätzzeit einige Stunden erfordert, was den Herstellungsprozeß solcher Vorrichtungen kompliziert.
- EP-A-133 533 offenbart die Bildung einer isolierenden Schicht aus Polyimid und insbesondere die Verwendung eines Polyimids als Beschichtungsharz.
- Die Literaturstelle offenbart Harzmaterialien mit geringer Wärmeausdehnung, die ein Polyimid umfassen, und einen Formmassenartikel aus mit einem Metall, Keramiken etc. integrierten Harzmaterialien.
- In EP-A-19 391 ist ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung unter Verwendung eines wärmehärtenden Polyadditionspolyimids zur Vermeidung der mit der Bildung von Wasser oder von Substanzen niedriger Molekülmasse während des Härtungsprozesses verbundenen Probleme, wodurch Wulstbildung der Polyimidschichten vermieden wird.
- Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die dargestellten Probleme zu lösen und insbesondere ein Verfahren bereitzustellen, einfach und zuverlässig eine Verdrahtung, selbst in vielen Schichten zu bilden, wobei der Verdrahtungsleiter und das "Lift-off"-Material des Harzes auf Polyimidbasis je eine Dicke von 10 bis 20 um besitzen.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Bildung einer Vielschichtverdrahtung bereitzustellen, wobei die Verdrahtung mit einer Dicke von 10 bis 20 um auf mindestens zwei Schichten gebildet wird.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Verdrahtung gemäß der "Lift-off"-Technik, wie in den Ansprüchen definiert, unter Verwendung von u. a. einem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der untenstehenden Formel Y als "Liftoff"-Material gebildet. Das heißt, daß die Erfinder als Ergebnis ausgedehnter Untersuchungen der Ätzfähigkeiten verschiedener Harze auf Polyimidbasis als einem der wärmebeständigen "Lift-off"-Materialien, die eine Temperatur von 200 bis 350ºC, bei der ein Verdrahtungsleiter dampfabgeschieden oder gesputtert wird, standhalten können, gefunden haben, daß das Harz mit der folgenden Struktureinheit der Formel Y eine beträchtlich hohe Ätzrate besitzt:
- worin R&sub1;:
- sind und n eine ganze Zahl von 15 000 bis 30 000 ist.
- Das Harz mit der Struktureinheit der Formel Y ist herkömmlichen Harzen auf Polyimidbasis auch hinsichtlich der Wärmebeständigkeit überlegen, und es besteht nicht die Gefahr der Freisetzung eines Gases während der Dampfabscheidung. In anderen Worten, es wurde gefunden, daß die Entfernung schnell durchgeführt werden kann, wenn das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y als "Lift-off"-Material verwendet wird.
- Das vorliegende Verfahren zur Bildung einer Verdrahtung wird beispielsweise gemäß den folgenden Schritten (a) bis (e) durchgeführt.
- Schritt (a): Das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y wird als "Lift-off"-Material auf der Oberfläche eines Verdrahtungssubstrats, beispielsweise eines Siliciumwafers, durch Beschichten aufgebracht. Es kann ein Oberflächen-Oxidfilm (SiO&sub2;-Film) an der Oberfläche des Siliciumwafers vorliegen; das "Lift-off"-Material kann selbst auf einer solchen Waferoberfläche gebildet werden. Im Fall von Modulsubstraten etc. zum Montieren von LSI wird die Verdrahtung oft auf einem Aluminiumoxidsubstrat oder einem Siliciumnitridsubstrat gebildet. Das "Lift-off"-Material kann auch bei einem solchen Substrat angewandt werden.
- Schritt (b): Eine Maske zum Ätzen des "Lift-off"-Materials wird in einem erwünschten Verdrahtungsmuster auf der Oberfläche des "Lift-off"-Materials gebildet.
- Wenn ein Verdrahtungsmuster durch Trockenätzen des "Liftoff"-Materials gebildet wird, ist es vorzuziehen, SiO&sub2; etc. als Maske zum Trockenätzen zu verwenden und die Oberfläche des "Lift-off"-Materials mit der Maske durch Sputtern etc. zu einer Dicke von ungefähr von 1 um zu verkleiden. Dann wird die Maske zum Trockenätzen mit einem Photoresist als Maske in einem gewünschten Verdrahtungsmuster ausgebildet.
- Wenn im "Lift-off"-Material mit einer Ätzlösung das Muster erzeugt wird, kann eine Photoresistmaske direkt auf der Oberfläche des "Lift-off"-Materials gebildet werden.
- Schritt (c): Im "Lift-off"-Material wird mit der Maske zum Ätzen des "Lift-off"-Materials das Muster erzeugt, um die Substratoberfläche oder den Oxidfilm auf der Substratoberfläche in einem Verdrahtungsmuster auszubilden.
- Schritt (d): Ein Verdrahtungsleiter aus Al, Cu oder Au wird durch Dampfabscheiden oder Sputtern auf die gesamte Oberfläche des Substrats aufgebracht. Es ist wünschenswert, die Maske zum Ätzen des "Lift-off"-Materials vorher zu entfernen, aber die Maske zum Trockenätzen, wie ein SiO&sub2;-Film, kann, falls sie vorhanden ist, verbleiben wie sie ist.
- Schritt (e): Das "Lift-off"-Material wird in der Ätzlösung durch Eintauchen aufgelöst und entfernt, wodurch das Verdrahtungsleitermaterial an der Oberfläche des "Lift-off"- Materials ebenfalls entfernt wird. Es wird nur der Verdrahtungsleiter im gewünschten Muster auf dem Substrat gebildet.
- Das bisher in der "Lift-off"-Technik weit angewandte Harz auf Polyimidbasis besitzt die folgende Struktureinheit der Formel X:
- worin R&sub1;:
- sind und n eine ganze Zahl von 15 000 bis 30 000 ist.
- Der Unterschied zwischen dem Harz mit der Struktureinheit der Formel Y und dem der Struktureinheit der Formel X liegt in der Struktur von R&sub2;.
- Das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y, das erfindungsgemäß verwendet wird, ist im Sinne einer Auswahl ein neues Harz, und die vorliegende Erfindung ist durch die Bildung einer Verdrahtung unter Verwendung dieses neuen Harzes als "Lift-off"-Material gemäß der "Liftoff"-Technik gekennzeichnet.
- Die Verdrahtung auf einem Substrat ist nicht auf eine Einzelschicht beschränkt, sondern kann auf mehrere Schichten, beispielsweise zwei oder mehr Schichten, angewandt werden.
- Bei der Bildung einer Vielschichtverdrahtung auf einem Substrat ist es wünschenswert, eine Verdrahtung durch Aufbringen des Harzes auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y auf einem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X auf die folgende Weise zu bilden. Ein Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X wird als Unterschicht auf ein Substrat aufgebracht und anschließend ein Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y auf die Oberfläche der Unterschicht aufgebracht. Es ist wünschenswert, daß die Schichtdicke des Harzes auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X ungefähr gleich der Dicke einer Verdrahtungsschicht ist. Beispielsweise muß im Fall der Bildung einer Verdrahtungsschicht mit einer Dicke von 10 bis 20 um das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X eine Dicke von 10 bis 20 um besitzen.
- Nachdem das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X und das mit der Struktureinheit der Formel Y nacheinander auf dem Substrat ausgebildet sind, wird durch Sputtern etc. eine Maske zum Ätzen eines "Lift-off"-Materials, beispielsweise eine SiO&sub2;-Maske zum Trockenätzen, zu einer Dicke von ungefähr von 1 um auf dem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y ausgebildet und das Trockenätzen wird mit O&sub2;-Plasma oder einem O&sub2; enthaltenden Ar-Gas mit Hilfe der Maske durchgeführt, wodurch im "Lift-off"-Material aus dem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y und dem "Lift-off"-Material aus dem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X ein gewünschtes Verdrahtungsmuster erzeugt wird. Wenn das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X eine Schichtdicke von mehr als 10 um besitzt, ist Trockenätzen vorzuziehen, da nasses Ätzen schwer durchzuführen ist. Anschließend wird ein Verdrahtungsleiter aus Al, Cu, Au o. ä. darauf dampfabgeschieden oder gesputtert. Nacheinander werden das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y und das Verdrahtungsleitermaterial, das auf dem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y ausgebildet ist, mit einer Ätzlösung entfernt. Es besteht ein Unterschied in der Ätzrate zwischen dem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X und dem mit der Struktureinheit der Formel Y; für das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X sind einige Stunden für den Ätzvorgang erforderlich, wogegen für das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y einige wenige zehn Minuten für den Ätzvorgang erforderlich sind. So können durch Eintauchen des gesamten Substrats mit dem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X und dem der Struktureinheit der Formel Y in die Ätzlösung für einige wenige zehn Minuten und Entnehmen aus der Ätzlösung nur das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y und der darauf gebildete Verdrahtungsleiter entfernt werden.
- Nach der Bildung der ersten Verdrahtungsschicht auf diese Art wird das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X wieder auf dieses als Unterschicht aufgebracht und das mit der Struktureinheit der Formel Y darauf als Oberschicht zur Bildung des "Lift-off"-Materials aufgebracht. Unter Wiederholung der gleichen Schritte wie oben wird ein Sockel zur Verbindung der ersten Verdrahtungsschicht mit einer zweiten Verdrahtungsschicht gebildet. Die zweite Verdrahtungsschicht wird auf die gleiche Art wie bei der Bildung der ersten Verdrahtungsschicht gebildet. Eine dritte Verdrahtungsschicht und eine vierte Verdrahtungsschicht können nacheinander ähnlich gebildet werden.
- So kann die Oberfläche des "Lift-off"-Materials, indem nur das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y entfernt wird, während das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X verbleibt, und die Schichtdicke des Harzes auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X ungefähr gleich der Dicke der Verdrahtung gemacht wird, flach ausgebildet werden, wenn die zweite und weitere Verdrahtungsschichten gebildet werden. Durch flaches Ausbilden der Oberfläche des "Lift-off"- Materials wird die Ätzrate im wesentlichen gleichmäßig über die gesamte Oberfläche des "Lift-off"-Materials, und die Ausbildung des Musters kann in einem gewünschten Verdrahtungsmuster durchgeführt werden. Das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X und das mit der Struktureinheit der Formel Y befinden sich, wenn sie auf das Substrat aufgetragen werden, in einem Lackzustand und werden daher erwünschtermaßen durch Erwärmen nach dem Aufbringen auf das Substrat gehärtet. Die Aushärtung durch Wärme ist nicht nur zur Bildung einer Verdrahtungsschicht, sondern auch zur Bildung zweier oder mehrerer Verdrahtungsschichten nötig. Die Erwärmungstemperatur zur Wärmehärtung beider Harze auf Polyimidbasis mit den Struktureinheiten der Formeln X und Y beträgt wünschenswert ungefähr 350ºC.
- Die Ätzlösung zur Entfernung des Harzes auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y ist ein Gemisch von Hydrazin und Ethylendiamin mit vorzugsweise einem Hydrazingehalt von 30 bis 70 mol-%.
- Im Verfahren zur Ausbildung einer Verdrahtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein im wesentlichen gleicher Effekt erreicht werden, selbst wenn R&sub1; in der Struktureinheit der Formel Y eine der folgenden Gruppen (I), (II) und (III) ist:
- Es ist auch möglich, in der Struktureinheit der Formel Y die folgende tetravalente Gruppe R&sub2; zu verwenden:
- Das Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y, die diese R&sub2;-Gruppe aufweist, besitzt eine Ätzrate zwischen der des Harzes auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X und der des Harzes auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y.
- Fig. 1 (A) bis (G) sind schematische Ansichten, die die Schritte gemäß einer Ausführungsart der vorliegenden Erfindung zeigen.
- Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht einer Vielschichtverdrahtung, die gemäß der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsart erhalten ist.
- Fig. 3 ist ein Graph, der das Erwärmungsmuster zur Wärmebehandlung eines "Lift-off"-Materials zeigt.
- Fig. 4 (A) bis (E) sind schematische Ansichten, die ein herkömmliches Verfahren zur Bildung einer Verdrahtung zeigen.
- Fig. 5 (A) und (B) sind schematische Ansichten, die ein Beispiel der Entfernung des unteren "Lift-off"-Films bei der Bildung einer Vielschichtverdrahtung zeigen.
- Fig. 6 (A) bis (D) sind schematische Ansichten, die die Schritte gemäß einer anderen Ausführungsart der vorliegenden Erfindung zeigen.
- Eine Ausführungsart der vorliegenden Erfindung wird unten beschrieben, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diese beschränkt.
- Diese Ausführungsart zeigt die Herstellung eines Substrats mit einer Vielschichtverdrahtung, beispielsweise zwei Verdrahtungsschichten, für ein LSI-Modul.
- Wie in Fig. 1 gezeigt, wird eine untere "Lift-off"-Schicht 2 aus einem Harz auf Polyimidbasis mit der folgenden Struktureinheit der Formel X zu einer Dicke von 10 um auf ein Si- Substrat 1 aufgebracht und durch Wärmebehandlung im Vakuum nach dem in Fig. 3 gezeigten Erwärmungsmuster gehärtet.
- worin R&sub1;
- sind und n eine ganze Zahl von 15 000 bis 30 000 ist.
- Dann wird eine obere "Lift-off"-Schicht 3 aus einem Harz auf Polyimidbasis mit der folgenden Struktureinheit der Formel Y zu einer Dicke von 3 um auf die Oberfläche der unteren "Lift-off"-Schicht 2 aufgetragen und ähnlich durch Wärmebehandlung gemäß dem in Fig. 3 gezeigten Erwärmungsmuster gehärtet.
- worin R&sub1;:
- sind und n eine ganze Zahl von 15 000 bis 30 000 ist.
- Anschließend werden Masken 4 aus SiO&sub2; zu einer Dicke von ungefähr 1 um auf der oberen "Lift-off"-Schicht 3 durch Sputtern gebildet und die Ausbildung des Musters mit einem Photoresist durchgeführt (Fig. 1(A)).
- Der Photoresist wird entfernt und anschließend die untere "Lift-off"-Schicht 2 und die obere "Lift-off"-Schicht 3 mit O&sub2;-Plasma zur Ausbildung eines Verdrahtungsmusters trockengeätzt (Fig. 1(B)).
- Anschließend werden Verdrahtungsleiter 5 aus Cu zu einer Dicke von 10 um bei einer Substrattemperatur von 200ºC dampfabgeschieden (Fig. 1(C)).
- Dann wird das Substrat 1 für 30 Minuten in eine Ätzlösung aus Hydrazin und Ethylendiamin bei einem Mischungsverhältnis von 1:1 mol:mol eingetaucht, um die obere "Lift-off"-Schicht durch "Lifting-off" zu entfernen (Fig. 1(D)). Auf diese Art wird die erste Verdrahtungsschicht gebildet.
- Dann wird eine untere "Lift-off"-Schicht 2a aus dem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X auf der unteren "Lift-off"-Schicht 2 und der ersten Schicht des Verdrahtungsleiters 5 gebildet und anschließend darauf auf die gleiche Weise wie in Fig. 1(A) eine obere "Lift-off"-Schicht 3a aus dem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y und dann eine Maske 4a zur Trockenätzung gebildet. Anschließend wird Trockenätzen mit O&sub2;-Plasma durchgeführt, und in den "Lift-off"-Schichten 2a und 3a Muster erzeugt, um ein Durchgangsloch 6 zur Verbindung der ersten Schicht des Verdrahtungsleiters 5 mit einer zweiten Schicht des Verdrahtungsmusters, die nacheinander ausgebildet werden, zu erzeugen (Fig. 1(E)).
- Anschließend wird Kupfer auf der gesamten Oberfläche dampfabgeschieden, wie in Fig. 1(C) dargestellt, und das gesamte Substrat in die gleiche Ätzlösung getaucht wie oben, um die "Lift-off"-Schicht 3a und das auf dieser abgeschiedene Cu zu entfernen. Auf diese Weise wird ein Sockel 7 zur Verbindung gebildet. (Fig. 1(F)).
- Dann wird auf die gleiche Art, wie in den Fig. 1(A) und (B) gezeigt, eine untere "Lift-off"-Schicht 2b aus Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X auf der unteren "Lift-off"-Schicht 2a aus dem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X gebildet und eine obere "Lift-off"-Schicht 3b aus einem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y und eine Maske 4b zum Trockenätzen, die aus einer gesputterten SiO&sub2;-Maske besteht, nacheinander darauf ausgebildet. Anschließend wird in der oberen und der unteren "Lift-off"-Schicht gemäß dem Verdrahtungsmuster der zweiten Schicht das Muster erzeugt (Fig. 1(G)).
- Dann wird ein Verdrahtungsleiter 5a aus Cu für eine zweite Schicht dampfabgeschieden und die obere "Lift-off"-Schicht 3b durch die Ätzlösung entfernt, wodurch eine zweite Verdrahtungsschicht gebildet wird.
- Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht der endgültigen Verdrahtung. Wenn die zweite Verdrahtungsschicht gebildet wird, kann die zweite Schicht der "Lift-off "-Schicht flach ausgebildet werden, indem die untere "Lift-off"-Schicht, die zur Bildung der ersten Verdrahtungsschicht verwendet wurde, belassen wird und die Dicke der unteren "Lift-off"-Schicht gleich der der ersten Verdrahtungsschicht gemacht wird. So verläuft das Ätzen der "Lift-off"-Schicht gleichmäßig über die gesamte Oberfläche, und ein erwünschtes Verdrahtungsmuster kann erzeugt werden.
- Fig. 5(A) zeigt den Zustand, in dem die erste Schicht der unteren "Lift-off"-Schicht 2 entfernt ist, und Fig. 5(B) zeigt den Zustand, in dem eine untere "Lift-off"-Schicht 2a und eine obere "Lift-off"-Schicht 3a ausgehend vom Zustand der Fig. 5(A) ausgebildet sind. Hieraus ist ersichtlich, daß die "Lift-off"-Schichten 2a und 3a nicht flach ausgebildet werden können.
- In diesem Beispiel wird eine Ausführungsart der Ausbildung von nur einer Verdrahtungsschicht angegeben.
- Wie in Fig. 6(A) gezeigt, wird eine "Lift-off"-Schicht 3 aus Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y zu einer Dicke von 15 um auf ein Si-Substrat 1 aufgebracht und durch eine Wärmebehandlung gemäß dem Erwärmungsmuster der Fig. 3 gehärtet. Anschließend werden darauf gesputterte SiO&sub2;-Schichten 4 ausgebildet.
- In der "Lift-off"-Schicht 3 wird durch Trockenätzen mit O&sub2;- Plasma das Muster erzeugt (Fig. 7(B)). Die Mustererzeugung kann über nasses Ätzen mit einer Ätzlösung durchgeführt werden.
- Anschließend werden Verdrahtungsleiter 5 aus Cu zu einer Dicke von 15 um dampfabgeschieden, nachdem die SiO&sub2;-Maske 4 entfernt ist oder wobei die SiO&sub2;-Maske 4 verbleibt (Fig. 6(C)).
- Anschließend werden die "Lift-off"-Schicht 3 und die darauf befindlichen Verdrahtungsleiter 5 mit einer Ätzlösung entfernt (Fig. 6(D)).
- In den vorangehenden Schritten wird die Bildung der "Liftoff"-Schicht 3, die Ausbildung des Musters in der "Liftoff"-Schicht und die Entfernung der "Lift-off"-Schicht auf die gleiche Art wie in Beispiel 1 durchgeführt. Es ist möglich, neben Kupfer Al, Au o. ä. Kupfer als Verdrahtungsleitermaterial zu verwenden.
- Auf diese Weise ist es möglich, eine Verdrahtungsschicht einer Dicke von 10-20 um durch Ätzen zu entfernen, wenn ein Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y als "Lift-off"-Schicht verwendet wird.
- Fig. 4 zeigt ein Verfahren zur Bildung einer Verdrahtung mit einem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X als "Lift-off"-Material.
- Eine "Lift-off"-Schicht 11 aus einem Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X als "Lift-off"-Material wird auf einem Si-Substrat 10 gebildet (Fig. 4(A)).
- Die "Lift-off "-Schicht 11 wird durch eine Wärmebehandlung gemäß dem Erwärmungsmuster der Fig. 3 gehärtet und Masken 12 aus Cr und Resists 13 nacheinander auf diese aufgebracht, um die Maskierung durchzuführen (Fig. 4(B)).
- Anschließend wird durch Trockenätzen mit O&sub2;-Plasma ein Verdrahtungsmuster auf dem Substrat 10 ausgebildet (Fig. 4(C)).
- Verdrahtungsleiter 14 aus Cu oder Al werden auf diesem dampfabgeschieden (Fig. 4(D)).
- Anschließend wird die "Lift-off"-Schicht 11 durch O&sub2;-Plasmabehandlung entfernt, während nur Leiter 14 als Verdrahtung auf dem Substrat 10 verbleibt.
- Bei der Bildung der Verdrahtung muß das Entfernen durch Trockenätzen durchgeführt werden, da Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X nur schwer naß zu ätzen ist und hierbei auch Reste der "Lift-off"-Schicht verbleiben. Darüber hinaus ist es unmöglich, eine Verdrahtungsschicht einer Dicke von 10 bis 20 um zu bilden.
- Wie oben beschrieben, kann eine Verdrahtungsschicht einer Dicke von 10 bis 20 um mit einer Ätzlösung schnell entfernt werden, wenn ein Harz auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y verwendet wird. Unter Verwendung eines Harzes auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel X als untere "Lift-off"-Schicht und eines Harzes auf Polyimidbasis mit der Struktureinheit der Formel Y als obere "Lift-off"-Schicht und durch Entfernen nur der oberen "Lift-off"-Schicht können die "Lift-off"-Schichten in der Vielschichtverdrahtung flach ausgebildet und die Genauigkeit des Verdrahtungsmusters erhöht werden.
Claims (6)
1. "Lift-off"-Verfahren zur Bildung einer Verdrahtung im
gewünschten Muster durch Bilden einer Lift-off-Schicht im
gewünschten Muster auf einem Substrat, Aufbringen eines
Verdrahtungsleitermaterials darauf als Verdrahtung und Entfernen der
Lift-off-Schicht unter Bildung der Verdrahtung im gewünschten
Muster,
gekennzeichnet durch
Erzeugen von zwei Arten der Lift-off-Schicht durch Erzeugen
einer unteren Lift-off-Schicht aus einem Harz auf
Polyimidbasis mit der folgenden Strukturformel X
worin R&sub1;:
bedeuten und n eine
ganze Zahl von 15 000 bis 30 000 ist,
und Erzeugen einer oberen Lift-off-Schicht aus einem Harz auf
Polyimidbasis mit der folgenden Strukturformel Y
bedeuten und n eine ganze Zahl von 15 000 bis 30 000 ist auf
der unteren Lift-off-Schicht;
Erzeugen einer Ätzmaske im gewünschten Muster auf der oberen
Lift-off-Schicht, Ätzen der oberen Lift-off-Schicht und der
unteren Lift-off-Schicht gemäß dem Muster der Ätzmaske, bis
die Substratoberfläche freiliegt; Erzeugen der Verdrahtung auf
der freiliegenden Substratoberfläche und der oberen Lift-off-
Schicht aus einem Verdrahtungsleitermaterial und Entfernen der
oberen Lift-off-Schicht von der unteren Lift-off-Schicht mit
einer gemischten Lösung von Hydrazin und Ethylendiamin als
Ätzlösung.
2. "Lift-off"-Verfahren nach Anspruch 1, wobei als die
Ätzmaske eine gesputterte SiO&sub2;-Schicht erzeugt wird und auf der
oberen Lift-off-Schicht und der unteren Lift-off-Schicht durch
Trockenätzen das Muster erzeugt wird.
3. "Lift-off"-Verfahren nach Anspruch 1, wobei das
Verdrahtungsleitermaterial durch Sputtern oder Aufdampfen zu einer
Dicke erzeugt wird, die im wesentlichen gleich der Dicke der
unteren Lift-off-Schicht ist.
4. "Lift-off"-Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Ätzlösung
einen Hydrazingehalt von 30 bis 70 Mol-% besitzt.
5. "Lift-off"-Verfahren nach Anspruch 1, wobei die untere
Lift-off-Schicht durch Aufbringen eines Harzes auf
Polyimidbasis für die untere Lift-off-Schicht auf dem Substrat und
Erwärmen des Harzes auf Polyimidbasis, wodurch das Harz auf
Polyimidbasis gehärtet wird, erzeugt wird.
6. "Lift-off"-Verfahren nach Anspruch 1, wobei die obere
Lift-off-Schicht durch Aufbringen eines Harzes auf
Polyimidbasis für die obere Lift-off-Schicht auf der unteren Lift-off-
Schicht und Erwärmen des Harzes auf Polyimidbasis, wodurch das
Harz auf Polyimidbasis gehärtet wird, erzeugt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20097186 | 1986-08-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3782389D1 DE3782389D1 (de) | 1992-12-03 |
DE3782389T2 true DE3782389T2 (de) | 1993-05-06 |
Family
ID=16433363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8787112098T Expired - Fee Related DE3782389T2 (de) | 1986-08-27 | 1987-08-20 | "lift-off" verfahren zur herstellung von leiterbahnen auf einem substrat. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4886573A (de) |
EP (1) | EP0261400B1 (de) |
JP (1) | JPH07120647B2 (de) |
KR (1) | KR940009174B1 (de) |
DE (1) | DE3782389T2 (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5006488A (en) * | 1989-10-06 | 1991-04-09 | International Business Machines Corporation | High temperature lift-off process |
US5198298A (en) * | 1989-10-24 | 1993-03-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Etch stop layer using polymers |
US5077382A (en) * | 1989-10-26 | 1991-12-31 | Occidental Chemical Corporation | Copolyimide odpa/bpda/4,4'-oda or p-pda |
US5426071A (en) * | 1994-03-04 | 1995-06-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polyimide copolymer film for lift-off metallization |
US6303488B1 (en) | 1997-02-12 | 2001-10-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming openings to devices and substrates, exposing material from which photoresist cannot be substantially selectively removed |
US6495468B2 (en) | 1998-12-22 | 2002-12-17 | Micron Technology, Inc. | Laser ablative removal of photoresist |
US20080135162A1 (en) * | 2005-06-07 | 2008-06-12 | Yukio Sakashita | Structure for Functional Film Pattern Formation and Method of Manufacturing Functional Film |
KR100643404B1 (ko) * | 2005-09-22 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
US7993972B2 (en) * | 2008-03-04 | 2011-08-09 | Stats Chippac, Ltd. | Wafer level die integration and method therefor |
JP5786548B2 (ja) * | 2011-08-15 | 2015-09-30 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子を作製する方法 |
JP2013243263A (ja) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 3次元積層パッケージにおける電力供給と放熱(冷却)との両立 |
KR102614588B1 (ko) * | 2018-08-20 | 2023-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
JP7099624B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2022-07-12 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 配線モジュール |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3179633A (en) * | 1962-01-26 | 1965-04-20 | Du Pont | Aromatic polyimides from meta-phenylene diamine and para-phenylene diamine |
GB1230421A (de) * | 1967-09-15 | 1971-05-05 | ||
US4218283A (en) * | 1974-08-23 | 1980-08-19 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating semiconductor device and etchant for polymer resin |
JPS52156583A (en) * | 1976-06-23 | 1977-12-27 | Hitachi Ltd | Electrode formation method in semiconductor device |
FR2392495A1 (fr) * | 1977-05-25 | 1978-12-22 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation de dispositifs semi-conducteurs a reseau de conducteurs mono ou multicouche et dispositifs ainsi obtenus |
JPS54138068A (en) * | 1978-04-18 | 1979-10-26 | Toray Ind Inc | Polyimide film |
JPS5527326A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-27 | Ube Ind Ltd | Polyimide resin composition and its preparation |
JPS5565227A (en) * | 1978-11-09 | 1980-05-16 | Ube Ind Ltd | Production of polyimide solution |
EP0019391B1 (de) * | 1979-05-12 | 1982-10-06 | Fujitsu Limited | Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit Vielschicht-Verdrahtungsstruktur |
US4367119A (en) * | 1980-08-18 | 1983-01-04 | International Business Machines Corporation | Planar multi-level metal process with built-in etch stop |
JPS5744618A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Hitachi Chem Co Ltd | Preparation of polyimide copolymer |
JPS5792849A (en) * | 1980-12-01 | 1982-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
US4451971A (en) * | 1982-08-02 | 1984-06-05 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Lift-off wafer processing |
US4428796A (en) * | 1982-08-02 | 1984-01-31 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Adhesion bond-breaking of lift-off regions on semiconductor structures |
US4497684A (en) * | 1983-02-22 | 1985-02-05 | Amdahl Corporation | Lift-off process for depositing metal on a substrate |
DE3486131T2 (de) * | 1983-08-01 | 1993-10-28 | Hitachi Chemical Co Ltd | Harzmaterial mit geringer thermischer Ausdehnung für Verdrahtungsisolationsfolie. |
JPS60110140A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-15 | Hitachi Ltd | 配線構造体形成方法 |
JPS60120723A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 電子装置 |
JPS60157286A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-17 | 株式会社日立製作所 | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
JPS60212428A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ポリイミド樹脂プレポリマ溶液の調整方法 |
US4519872A (en) * | 1984-06-11 | 1985-05-28 | International Business Machines Corporation | Use of depolymerizable polymers in the fabrication of lift-off structure for multilevel metal processes |
US4606998A (en) * | 1985-04-30 | 1986-08-19 | International Business Machines Corporation | Barrierless high-temperature lift-off process |
-
1987
- 1987-08-19 US US07/087,021 patent/US4886573A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-08-20 EP EP87112098A patent/EP0261400B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-20 DE DE8787112098T patent/DE3782389T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-08-26 JP JP62210107A patent/JPH07120647B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-26 KR KR87009328A patent/KR940009174B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63170925A (ja) | 1988-07-14 |
DE3782389D1 (de) | 1992-12-03 |
EP0261400A3 (en) | 1989-05-24 |
EP0261400B1 (de) | 1992-10-28 |
JPH07120647B2 (ja) | 1995-12-20 |
US4886573A (en) | 1989-12-12 |
KR880003550A (ko) | 1988-05-17 |
KR940009174B1 (en) | 1994-10-01 |
EP0261400A2 (de) | 1988-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69111890T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtleiterplatte. | |
DE2448535C2 (de) | Verfahren zum Niederschlagen dünner leitfähiger Filme auf einem anorganischen Substrat | |
DE69226411T2 (de) | Herstellung eines leitenden Gebietes in elektronischen Vorrichtungen | |
DE3339957C2 (de) | ||
EP0012859B1 (de) | Verfahren zum Aufbringen eines Dünnfilmmusters auf ein Substrat | |
DE3782389T2 (de) | "lift-off" verfahren zur herstellung von leiterbahnen auf einem substrat. | |
DE3877412T2 (de) | Bei einer mehrere halbleiterbausteine beinhaltenden verpackung fuer hohe ansprueche verwendbares mehrschichtenverbindungssystem. | |
EP0057738B1 (de) | Verfahren zum Herstellen und Füllen von Löchern in einer auf einem Substrat aufliegenden Schicht | |
DE2729030A1 (de) | Verfahren zum erzeugen eines mehrschichtigen leiterzugsmusters bei der herstellung monolithisch integrierter schaltungen | |
DE3316041C2 (de) | ||
DE69515788T2 (de) | Ein-Lagenresist Abhebeverfahren zur Erzeugung eines Musters auf einem Träger | |
EP0001429A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmmustern unter Anwendung der Abhebetechnologie | |
DE2617914A1 (de) | Verfahren zum herstellen von mustern duenner filme unter verwendung von abloesbaren masken | |
DE69133409T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Mehrschichtstrukturen | |
DE1809115A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von mehrere Schichten umfassenden Leitungsverbindungen fuer Halbleiteranordnungen | |
DE68920291T2 (de) | Verfahren zum Herstellen von leitenden Bahnen und Stützen. | |
DE2401333A1 (de) | Verfahren zur herstellung von isolierfilmen auf verbindungsschichten | |
DE69113743T2 (de) | Verfahren zur produktion von mikrobump-schaltungen für flip-chip-montage. | |
DE4102422A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer in mehreren ebenen angeordneten leiterstruktur einer halbleitervorrichtung | |
DE2709933A1 (de) | Verfahren zum herstellen durchgehender metallischer verbindungen zwischen mehreren metallisierungsebenen in halbleitervorrichtungen | |
DE3544539C2 (de) | Halbleiteranordnung mit Metallisierungsmuster verschiedener Schichtdicke sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE1766297A1 (de) | Verfahren zum Anpassen einer integrierten Schaltung an ein als Traeger dienendes Substrat | |
DE2629996A1 (de) | Verfahren zur passivierung und planarisierung eines metallisierungsmusters | |
DE1764758A1 (de) | Verfahren zum Bilden von Anschlussleitungen an einen Koerper aus Halbleitermaterial | |
EP0013728A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen zwischen Leiterschichten in Halbleiterstrukturen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |