TWI230733B - Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues - Google Patents

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慧 員 工 消 印 1230733 五、發明說明（ A7 B7 發明領域 本發明係有關一種用於微電子製備之一種新穎之清潔 組合物，且更特別地係於沈積於基材上之金屬層或氧化物 層電漿敍刻後用以移除於晶圓基材上形成之電聚㈣殘留 物之一種非腐蝕性清潔組合物。 發明背景 於微電路製備中，正光阻物被作為用於使線網之原始 屏：物圖案藉由一列序之照相平板術及電漿蝕刻步驟轉移 至晶圓基材上之中間屏蔽物。微電路製備方法之最後步 之-者係自基材移除具圖案之光阻膜。一般，此步驟係糟 会之者作用。-種方法係涉及潮濕塗層消除步 驟，其間以光阻物覆蓋之基材與主要由有機溶劑及胺組成 之光阻物塗層消除劑溶液接觸。但是，塗層消除劑溶液不 能完全及可信賴地移除光阻物膜，特別是若製備期間光阻 膜已被曝露於uv幸昌射及電聚處理時。某些光 處理而變成高度交聯，且係更難以一认> 此專 ，、更難^，合於塗層消除劑溶液 内。此外，用於此等傳統之潮濕塗層消除方法中之化學品 …h X 3鹵素之氣體使金屬或氧化物層電漿餘刻期間 形成之無機殘留物之移除係無效。 移除光阻膜之另外方法係涉及於稱為電聚灰燼化之方 :光阻物塗覆之晶圓曝露於以氧為主之電裝以便使 光賴自基材表面職。„灰燼切微電路 = 因為其係於真空室内完成，因此，被預： 乂 xe又以空氧為媒介之顆粒或金屬污染。但是，電 漿 本紙張尺錢1巾_標 驟 藉

，裝--------訂--------- c請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 1230733 五、發明說明（2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 灰燼化於移除上元之電漿银刻副產物亦非完全有$文。替代 地，此等電漿蝕刻副產物之移除需藉由其後使光阻膜曝置 於某些清潔溶液内而完成。數種商業產物現可購得以清理 藉由電漿關及其後之電槳灰爐化而留下之電㈣刻副產 ^例如，EKC 265(可得自EKC科技公司）係-種後飯刻清 潔溶液，其係由水、烷醇胺、兒茶酚及羥基胺所組成。此 一組合物被揭示於美國專利第5,279,771號案（Lee)。act 935(可得自Ashiand Chemical)係另一種後蝕刻清潔溶液且 係由水、烷醇胺及羥基胺所組成。此一組合物係揭示於美 國專利第5,419,779號案（Ward)。於二種清況中，羥基胺被 作為腐钱抑制劑。ELM c_3〇(可得自Mhsubishi Gas Chemical)係由水、N，沁二甲基甲醯胺、氟化合物、有機羧 酸醋及糖醇所組成，其中糖醇係作為腐蝕抑制劑。此一組 合物係揭示於美國專利第5,630,904號案（A〇yama等人）。 此等商業產物可有效溶解電漿蝕刻殘留物，但是，其 亦έ攻擊以圖案沈積於基材上之金屬及氧化物層。此係因 EKC 265及ACT 935之pH值係高於11且ELM C-30含有氟化 合物。用於此等產物之腐蝕抑制劑於停止腐蝕作用非完全 有效’因為金屬層（諸如’銅、銘或紹合金（例如，Al-Cu-Si) 等）係對腐蝕作用特別敏感。再者，雖然適當腐蝕抑制劑之 添加對於避免基材金屬層之腐蝕係重要，某些腐蝕抑制劑 易抑制電漿蝕刻殘留物之移除及/或形成沈積於金屬基材 表面上之不可溶之膜。因此，腐蝕抑制劑需被小心選擇。 亦難以平衡超越腐蝕抑制之有效電漿蝕刻殘留物移

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1230733 五、發明說明（3 ) 除，因為電漿蝕刻殘留物之化學組成一般係相似於基材上 之金屬層或氧化物層之組成。用於習知技藝之清潔組合物 之烷醇胺經常被發現於水存在中攻擊電漿蝕刻殘留物及基 材至屬層。因此，其仍需要一種可選擇性及有效地移除電 漿餘刻殘留物而且無對金屬及氧化物層之非所欲之攻擊 (其會造成金屬層之損失）之一種組成物。 於光阻物塗層消除劑/清潔劑之應用領域中之數種其 它專利係以如下所述者存在，即使，其等未揭示使用本發 明之組合物： 曰本專利申請案第7-028254號案（讓渡給Kant〇 Kagaku)揭示一種非腐蝕性之移除光阻物之液體，其包含糖 醇、醇胺、水及四級銨氫氧化物。 PCT公告專利申請案w〇 88-05813號案教示一種正或 負之光阻物塗層消除劑，其含有丁内酯或己内酯、四級錄 氫氧化物化合物及選擇性之非離子性界面活性劑。 美國專利第4,239,661號案（Muraoka等人）揭示一種表 面處理劑’其包含0.001%至2〇%之三烷基（羥基烷基）錢氫 氧化物之水溶液。此試劑被用於移除沈積於中間半導體產 物之表面上之有機及無機之污染物。 美國專利第4,904,571號案（Miyashita等人）教示印刷 電路板光阻物塗層消除劑組合物，其含有溶劑（例如，水、 醇、醚、酮等）、溶於該溶劑内之驗化合物（包含四級銨氯 氧化物）及溶於該溶劑内之氫化硼化合物。 美國專利第5,091103號案（Dean等人）教示一種正光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ ϋ 11 mMmmf ϋ i^i ϋ 1 、_ · I μμ μη· 疆 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 消 !230733 五、 發明說明（4 阻物塗層消除組成物，其含有：（A)N-烷基吡咯烷嗣； (B)l，2-丙烷二醇；及（c)四烷基銨氫氧化物。 美國專利第5，139,607號案（Ward等人）教示正及負光阻 物塗層消除組合物，其含有··（A)四氫糠醛醇；（B)多元醇（例 如，乙二醇或丙二醇）；（c)糠醛醇及伸烷基氧化物之反應 產物；（D)水溶性布忍斯特鹼型之氫氧化物（例如，鹼金屬 氫氧化物、氫氧化銨及四甲基氫氧化銨）；及（E)水。選擇 性地，此組合物亦含有最高達1%之非離子性界面活性劑。 美國專利第5，174,816號案（A〇yama等人）揭示一種移 除於乾式蝕刻後留於鋁線圖案基材表面上之氣之組合物， 此組合物包含含有0.01至15重量％之四級氫氧化銨（諸如， 三甲基（2_羥基乙基）氫氧化銨）及〇1至2〇重量％之糖或糖 醇（諸如，木糖醇、甘露糖、葡萄糖等）之水溶液。 用以消除光阻物之其它組合物包含Η4〇4及氧化劑（諸 如’Η2〇2)之溶液，其產生氧化作用，因而分解有機光阻物。 但是，含有強酸及氧化劑之溶液對於處理上係有害，需於 升高溫度時施用’且於塗層消除被施行後需足夠量之熱去 離子水。因此，需常常補充溶液。溶液補充之需求使此處 理方法有害及經濟上係無效率。此外，此等型式之傳統以 酸為主之化學品於金屬基材上太具攻擊性。 因此，其仍需-種用以自基材移除餘刻殘留物之新型 式之清潔組合物。另外，其仍需不會對基材產生不利影響 之此-清潔組合物。再者，其仍需以水性為主、不具危險 且不會危害環境之此一清潔組合物。 頁 訂 本紙張尺錢財關家鮮（CNS)A4規格⑵f 297公釐） 1230733 A7 五、發明說明（ 發明綜述 本發明係有關一種主要用於自基材移除電漿蝕刻殘留 物之一種非腐蝕性清潔組合物。此組合物含有水；至 少一羥基銨化合物；（c)至少一驗性化合物，較佳係選自胺 及四級銨氫氧化物；及（d)至少一有機羧酸。選擇性地，多 羥基化合物可被包含。組合物之pH值係約2至約6之間。 發明之詳細描述 金屬基材一般係易遭受腐蝕。例如，諸如鋁、銅、銘_ 銅合金、氮化鎢及其它金屬及金屬氮化物之基材可藉由傳 統清潔化學品輕易腐餘。此係由於傳統清潔溶液之高驗 性。此問題係藉由使用本發明之清潔組合物解決，其使金 屬基材有效被清潔且不會促進金屬基材之腐蝕，其係因其 弱酸配方之故。 至少一羥基銨化合物需被包含於本發明組合物内作為 關鍵組份。例如，羥基銨化合物可為具化學式⑴之羥基銨 鹽： n(NR1R2R3〇H)+(Xn) ⑴ 其中R!、I及R3係個別選自氫、具上至#個碳原子之較低烷 基、具1至4個碳原子之較低烷氧基、羥基及具丨至4個碳原 子之羥基取代之較低烷基，但R〗、R2及I之至少二者係氫、 較低烷基或較低烷氧基，且其中X係與羥基銨陽離子或四 級銨陽離子形成水溶性鹽之陰離子部份，且χ之價數且 係1至3。可被用以形成適於以本發明清潔方法使用之清潔 組合物之羥基銨化合物包含羥基銨鹽，諸如，羥基銨硝酸 表紙張尺度適1中關家標準（CNS)A4規格（21G X 297公餐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝--------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

1230733 五、發明說明（6 ) 鹽（亦稱為HAN)'羥基銨硫酸鹽（亦稱為HAS)、羥基銨磷酸 鹽、羥基銨氯化物、羥基銨草酸鹽、羥基銨檸檬酸鹽、羥 基銨氟化物、N，N-二乙基羥基銨硫酸鹽、N，N-二乙基羥基 銨硝酸鹽等。 备基銨化合物係以約〇 · 〇 1重量％至約3 〇重量％間範圍 内存在於本發明組合物内。較佳地，於組合物内係具約〇 . 1 重里/〇至約2 0重置G/o之备基銨化合物。相對於驗性銨及/或 四級銨氫氧化物含量之羥基銨化合物之量被調整以使整體 組合物之pH值被保持於約2至約6間之範圍内，較佳係於約 3.0至約4.5間之範圍内。羥基銨化合物促進電漿蝕刻殘留 物之移除及抑制金屬基材之腐蝕。 本發明包含至少一鹼性化合物。鹼性化合物可為，例 如，胺或四級銨氫氧化物。可作為本發明清潔組合物之鹼 性組份之胺包含羥基胺及其它烷醇胺（諸如，單乙醇胺、二 乙醇胺、三乙醇胺、二伸乙基-二醇胺、N-羥基乙基哌嗪 荨）。可作為本發明清潔組合物之驗性組份之四級銨氫氧化 物包含具甲基、乙基、丙基、丁基、羥基乙基及其等之混 合之四烷基氫氧化銨（例如，四甲基氫氧化銨（其後稱為 TMAH))、四乙基氫氧化銨、三甲基經基乙基氮氧化錢、 曱基三（羥基乙基）氫氧化銨、四（羥基乙基）氫氧化銨、苯甲 基二甲基氫氧化銨等。另外，氫氧化銨與一或多種四級銨 氫氧化物之混合物亦可被使用。 鹼性化合物係以約0.01重量％至約3重量％間之範圍内 存在於本發明清潔組合物。較佳地，於組合物内具有約〇 〇5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C--------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230733 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 重量％至約2重量％之鹼性化合物。 至少一有機羧酸需被包含於本發明組合物内。幾酸係 作為腐蝕抑制劑。羧酸（特別是含有羥基者）可有效抑制 紹、銅及其合金之金屬腐蝕。此等羧酸對於此等金屬具有 螯合作用。適當之羧酸包含單羧酸及多羧酸。例如，魏酸 可為甲酸、乙酸、丙酸、戊酸、異戊酸、草酸、丙二酸、 丁 一自文、戊一酸、馬來酸、福馬酸、S太酸、1，2，3 -苯三叛酸、 二醇酸、乳酸、檸檬酸、水揚酸、酒石酸、葡萄糖酸及其 等之混合物，但不限於此。較佳之有機羧酸係擰檬酸及乳 酸。 有機羧酸方便地係以約0_01重量％至約100重量。/〇間 之量添加。較佳地，約0.05重量％至約3 ·〇重量0/。且最佳係 約0.1重量％至約丨.0重量％之羧酸被包含於組合物内。 本發明組合物可選擇性地包含聚羥基化合物。聚經基 化合物可為，例如，乙二醇、丙二醇、甘油及其等之混合 物。 本發明可進一步包含添加物。諸如螯合化合物及表面 /舌性劑之添加劑可促進本發明組合物之自晶圓表面移除顆 粒及/或金屬污染物之效力。適當添加劑係，例如，非離子 性界面活性劑，特別是稱為CS4之螯合基附接之聚氧乙烯 型式之界面活性劑，其可購自BASF。 於本發明之較佳實施例中，用於移除於基材上形成之 電漿蝕刻殘留物之組合物包含：水、約0.2重量％至約2〇重 里％之备基銨硫酸鹽、約〇 · Q 1重量〇/〇至約〇 · 1重量％之四甲基 本紙張尺度適财國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 10 -裝--------訂--------- (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明說明（8 ) 氫氧化銨，及約°，1重量%至约3重量%之檸檬酸。此實施例 之組合物之pH值係約2至約6之間，且較佳係約3至約4之 間0 、主基材可藉由任何適當方法與清潔組合物接觸，諸如， 月J、、且Β物置於槽内及使基材浸人清潔組合物内。較佳 地，基材係以清潔組合物喷灑沖洗。 本發明'亦包含一種舆下述光阻物塗層肖除方法（其典 ，上係於本發明清潔方法前進行）結合之清潔方法。任何適 當之乾七肖除方法可被使用，包含％電漿灰爐化、臭氧氣 相處理、氟相處理、熱Κ氣體處理（於美國專利第5 號案中描述）等。較佳消除方法係Q2電漿灰燼化。’ ’ 此外’清潔方法亦可與有機濕式清除方法結合使用。 «濕式清除可於本發明m法之前、之後或其前後 丁之。任何傳統之有機濕式清除溶液可被使用且熟習此 項技藝者能選擇適當有機濕式之塗層消除劑。車交佳之濕式 塗層消除方法係以與本發明清潔組合物結合之臭氧化之水 處理°因&’本發明之清潔方法可被用以取代以有機溶劑 為主之後塗層清除沖洗。此係因較佳清潔組合物係非腐蝕 性且係中性至弱酸性之水溶液（其不會對環境有害）。再 者用於本务明清潔方法之清潔組合物可被棄置於用於水 性化學廢料之一般排水系統。 «艰划網或鋁之基材移除殘留物之方法包含之步月 係：施用包含⑷水，⑻至少一經基銨化合物，⑷至^ 驗性化合物，及⑷至少—有機㈣之清潔組合物至基材 1230733 A7 _______B7__ 五、發明說明（9 ) 驗性化合物較佳係選自胺及四級氫氧化銨。此外，清潔組 合物亦可包含聚羥基化合物。亦較佳者係清潔組合物之pH 值係約2至約6。更佳地，pH值應為約3·〇至約4.5。 為例示說明本發明，下列範例被提供。需瞭解本發明 不被限制於所述之範例。 範例1 清潔溶液係藉由使21克之羥基銨硫酸鹽（HAS)及1克 之檸檬酸（CA)溶於9968克之去離子水且使形成溶液之pH 值藉由添加1克之25重量％之四甲基氫氧化銨（tmah)調整 至3.3至3.4範圍内而製得。形成之溶液具有下述之每一組 份濃度：1^八8 0.21重量％，CA0.1重量％，TMAH0.01重量 % ’及餘量係水。 測試晶圓係藉由使多層物沈積於矽基材上，其後於光 阻膜平版印刷之微圖案化後使上三層電漿|虫刻而製得： ⑴沈積Si02(底層）、Cu、Si3N4、低-k介電層（SiLK⑧， 由陶氏化學公司提供）、Si〇2及光阻物（上層），其中所有其 匕層藉由CVD(化學蒸氣沈積）沈積，但SiLK及光阻層除 外’其係被旋轉塗覆；及 (2)上Si〇2層之電漿蝕刻係藉由使用具圖案之光阻膜 作為具含氟氣體之屏蔽物，其後SiLK層之第二電漿蝕刻及 藉由使用含氧氣體使光阻屏蔽物灰燼化而為之。 幵〉成之晶圓具有一塊沈積於穿孔内側之後姓刻殘留 物。其後於551：時使晶圓以上述清潔組合物處理15分鐘， 其後於室溫以水沖洗5分鐘，然後藉由使氮氣喷射流體吹於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12 1230733 A7 ^^------B7 五、發明說明（10 ) 晶圓表面上乾燥之。 被清潔之晶圓被切割以於掃目苗電子顯微鏡（s E M )下觀 看穿孔之截面圖。SEM檢測顯示後餘刻殘留物自穿孔完全 矛夕除，且對其它層（即，SiLK、Cu、Si3N4及上SiO』）無任 何損傷。 範例2 清潔溶液係藉由使20_5克之固態HAS、3.41克之88重量 /〇之乳酸（LA)水溶液及0.91克之25重量％TMAH水溶液添 加至去離子水（75.18克）而製得。形成之溶液具有下述之每 —組份濃度：11八8 20.5重量％，：[^3.〇重量％，τμαη〇·23 重量％，及餘量係水。 測試晶圓係藉由使多層物沈積於石夕基材上，其後於光 阻膜平版印刷之微圖案化後使上三層電漿钱刻而製得： (1) 沈積 Si〇2(底層）、TiN、Al-Cu合金（Cu 1%)、TiN及 光阻物（上層），其中所有其它層藉由CVD沈積，但光阻物 層係被旋轉塗覆；及 (2) Al-Cu層及上及下氮化物層之電漿蝕刻係藉由使用 具含氣氣體之圖案化之光阻屏蔽物，其後藉由使用含氧氣 體使光阻屏蔽物灰燼化而為之。 形成之aa圓具有0.6微米線寬度之尺寸之Al-Cu金屬 線，且於金屬線之側壁及頂部上具附著之後蝕刻殘留物。 於60°C時使晶圓以上述清潔組合物處理30分鐘，其後於室 溫以水沖洗5分鐘，然後藉由使氮氣喷射流體吹於晶圓表面 上乾燥之。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 丨^^ 裝--------tr---------^ww-. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230733 A7 ---------- B7_____ 五、發明說明（11 ) 被清潔之晶圓被切割以於SEM下觀看八丨—^線之截面 圖以決定藉由此處理造成之…—(^金屬之線損失。SEM顯示 後蝕刻殘留物完全被移除，且線損失係低於總線寬度之 5%，其被認為係可接受之程度。 範例3 (比較） 清潔組合物以相同於範例1所述之方式製得，但擰檬酸 未被添加至清潔溶液。相同測試晶圓被用於如範例丨中者之 測試。 SEM檢測顯示如範例1般後蝕刻殘留物自穿孔完全移 除，但於如範例1所施用之相同測試條件下，相較於範例ι 之結果，銅層顯著被腐蝕。 範例4(比較） 清潔組合物以相同於範例2所述之方式製得，但乳酸未 被添加至清潔溶液。相同測試晶圓被用於如範例2中者之測 試。 SEM檢測顯示相似於範例2般後蝕刻殘留物被完全移 除，但於如範例2所施用之相同測試條件下，線損失係多於 總鋁線之5%。 雖然本發明已於上述參考其特殊實施例描述，明顯地 許多變化、改良及改變可在未偏離此間揭露之發明技術思 想下為之。因此，欲包含落於所附申請專利範圍之精神及 廣泛範圍内之所有此等變化、改良及改變。此間所引述之 所有專利申請案、專利案及其它公告案在此被全完併入以 供參考。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 第89124045號專利申請案申請專利範圍修正本 93.12.3 1· 一種用於移除於基材上形成之電漿蝕刻殘留物之清潔 組合物，其包含：⑷水； (b) 至少一羥基銨化合物以〇 〇1 wt%至3〇 wt%間之 量存在’其係以該組合物之總重量為基準計； (c) 至少一驗性化合物以0.01 wt%至3 wt%間之量 存在，其係以該組合物之總重量為基準計；及 (d) 至少一有機羧酸以0 01加％至1〇 wt%間之量存 在’其係以該組合物之總重量為基準計。 2·如申請專利範圍第1項之組合物，其中該羥基銨化合物 係選自經基銨硫酸鹽、經基錢琐酸鹽、經基銨填酸鹽、 羥基銨氣化物、羥基銨氟化物、羥基銨草酸鹽、羥基銨 檸檬酸鹽、羥基銨乳酸鹽及其等之混合物。 3 ·如申請專利範圍第1項之組合物，其中該鹼性化合物係 選自胺及四級氫氧化銨。 4·如申請專利範圍第3項之組合物，其中該鹼性化合物係 四級氫氧化銨，其係選自四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧 化銨及其等之混合物。 5 ·如申請專利範圍第1項之組合物，其中該有機羧酸係選 自乳酸、檸檬酸、乙二胺四乙酸、甲酸、草酸、乙酸、 丙酸、戊酸、異戊酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、馬來 酸、福馬酸、酞酸、1，2,3-苯三魏酸、二醇酸、水楊酸、 酒石酸、葡萄糖酸及其等之混合物。 15 1230733 六、申請專利範圍 6·如申請專利範圍第丨項之組合物’其進一步包含多羥基 化合物。 7.如申明專利範圍第6項之組合物，其中該多羥基化合物 係選自乙二醇、丙二醇、甘油及其等之混合物。 8·如申請專利範圍第丨項之組合物，其中該組合物具有2 至6之pH值。 鲁 9.如申請專利範圍第8項之組合物’其中該組合物具有3 至4.5之pH值。 10·如申請專利範圍第丨項之組合物，其中該組合物包含： 0)水； (b) 0.2wt%至20wt%之經基銨硫酸鹽； (c) 0.01 wt%至〇.1 wt〇/0之四甲基氫氧化銨；及 (d) 0.1 wt%至3 wt%之檸檬酸。 Π· —種自基材清除殘留物之方法，其包含施用一種清潔 組合物至該基材之步驟，其中該組合物包含： ⑷水； (b) 至少一羥基銨化合物以〇〇1 —%至3〇 wt%間之量存 在，其係以該組合物之總重量為基準計； (c) 至少一鹼性化合物以〇 〇1 wt%至3 wt%間之量存 在，其係以該組合物之總重量為基準計；及 (d) 至少一有機羧酸以001 wt%至1〇 wt%間之量存在， 其係以該組合物之總重量為基準計。 12·如申請專利範圍第丨丨項之方法，其中該鹼性化合物係 選自胺及四級氫氧化銨。 16 1230733 六、申請專利範圍 其中該清潔組合物進 其中該清潔組合物具 其中ό亥基材係金屬基 13.如申請專利範圍第11項之方法 一步包含多羥基化合物。 14·如申請專利範圍第11項之方法 有2至6之pH值。 15·如申請專利範圍第11項之方法 材0 16· 種用於移除於基材上形成 組合物，其包含·· ⑷水； 之電漿蝕刻殘留物之清潔 (b) 至少一羥基銨化合物； (c) 至少一鹼性化合物；及 (d) 至少一有機羧酸以〇 〇1赠％至1〇赠％間之量存 在，其係以該組合物之總重量為基準計， 其中該組合物具有一 2至6之PH值。 17.如申請專利範圍第16項之組合物，其中該㈣錢化合 物係選自g基錢硫酸冑、輕基銨石肖酸冑、經基鍵石舞酸 ^ ^基銨氯化物、羥基録氟化物、羥基錢草酸鹽、羥 基銨檸檬酸鹽、羥基銨乳酸鹽及其等之混合物。 18 ·如申#專利範圍第16項之組合物，其中該經基銨化合 物係以0 · 01 w t %至3 0 w t %間之量存在，其係以該組合物 之總重量為基準計。 19·如申請專利範圍第16項之組合物，其中該鹼性化合物 係選自胺及四級氫氧化銨。 2〇·如申請專利範圍第19項之組合物，其中該鹼性化合物 1230733

   六、申請專利範圍 係四級氫氧化銨，其係選自四曱基氫氧化銨、四乙基氫 氧化銨及其等之混合物。 21. 如申請專利範圍第16項之組合物，其中該驗性化合物 係以〇·〇1 wt%至3 wt%間之量存在，其係以該組合物之 總重量為基準計。 22. 如申請專利範圍第16項之組合物，其中該有機魏酸係 選自乳酸、檸檬酸、乙二胺四乙酸、甲酸、草酸、乙酸、 丙酸、戊酸、異戊酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、馬來 酸、福馬酸、酞酸、1，2,3-苯三羧酸、二醇酸、水楊酸、 酒石酸、葡萄糖酸及其等之混合物。 23. 如申請專利範圍第16項之組合物，其進一步包含多羥 基化合物。 24. 如申請專利範圍第23項之組合物，其中該多羥基化合 物係選自乙二醇、丙二醇、甘油及其等之混合物。 25·如申請專利範圍第16項之組合物，其中該組合物具有3 至4.5之pH值。 26. —種自基材清除殘留物之方法，其包含施用一種清潔 組合物至該基材之步驟，其中該組合物包含： (a) 水； (b) 至少一羥基銨化合物； (c) 至少一鹼性化合物；及 (d) 至少一有機羧酸以0 01〜％至1〇 wt〇/❹間之量存在， 其係以該組合物之總重量為基準計， 其中該組合物具有一 2至6之pH值。

   ]8 1230733 六、申請專利範圍 27. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該鹼性化合物係 選自胺及四級氫氧化銨。 28. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該清潔組合物進 一步包含多羥基化合物。 29. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該清潔組合物具 有一 3至4.5之pH值。 30. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該基材係金屬基 材。

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