JP2003007680A - ドライエッチング残渣除去剤 - Google Patents
ドライエッチング残渣除去剤Info
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- JP2003007680A JP2003007680A JP2001189593A JP2001189593A JP2003007680A JP 2003007680 A JP2003007680 A JP 2003007680A JP 2001189593 A JP2001189593 A JP 2001189593A JP 2001189593 A JP2001189593 A JP 2001189593A JP 2003007680 A JP2003007680 A JP 2003007680A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、デバイスを製造する過程で発生す
るドライエッチング残渣の除去効果に優れ、デバイスに
含まれる金属を腐食させる虞れのないドライエッチング
残渣除去剤を提供することを課題とする。 【解決手段】 本発明のドライエッチング残渣除去剤
は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸のアンモニウ
ム塩を含有することを特徴とする。
るドライエッチング残渣の除去効果に優れ、デバイスに
含まれる金属を腐食させる虞れのないドライエッチング
残渣除去剤を提供することを課題とする。 【解決手段】 本発明のドライエッチング残渣除去剤
は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸のアンモニウ
ム塩を含有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
残渣除去剤に関する。更に詳しくは、本発明は、半導体
デバイス、液晶デバイス等のデバイスを製造する過程で
発生するドライエッチング残渣を除去するための組成物
に関する。
残渣除去剤に関する。更に詳しくは、本発明は、半導体
デバイス、液晶デバイス等のデバイスを製造する過程で
発生するドライエッチング残渣を除去するための組成物
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス、液晶デバイス等のデバ
イスを製造する過程において、絶縁膜をドライエッチン
グする際に生成するドライエッチング残渣を、デバイス
を構成する金属を腐食させることなく効率的に除去する
ことは、デバイスの歩留まり及びデバイスの性能を確保
する上で重要なことである。
イスを製造する過程において、絶縁膜をドライエッチン
グする際に生成するドライエッチング残渣を、デバイス
を構成する金属を腐食させることなく効率的に除去する
ことは、デバイスの歩留まり及びデバイスの性能を確保
する上で重要なことである。
【０００３】ドライエッチング残渣除去剤は、基板上に
形成された導電性金属膜及び絶縁膜上にフォトレジスト
を塗布し、露光現像してレジストパターンを形成し、こ
のパターンをマスクとして金属膜及び絶縁膜を選択的に
エッチングしたり、イオンを注入して回路を形成したり
した後、不要のレジストをアッシングによって除去し、
その後残されたドライエッチング残渣を導電膜及び絶縁
膜を腐食させることなく除去するものである。
形成された導電性金属膜及び絶縁膜上にフォトレジスト
を塗布し、露光現像してレジストパターンを形成し、こ
のパターンをマスクとして金属膜及び絶縁膜を選択的に
エッチングしたり、イオンを注入して回路を形成したり
した後、不要のレジストをアッシングによって除去し、
その後残されたドライエッチング残渣を導電膜及び絶縁
膜を腐食させることなく除去するものである。
【０００４】従来、ドライエッチング残渣を除去するた
めに、例えば塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸等の強酸、ヒド
ロキシルアミン、モノエタノールアミン等のアミン類、
ヒドラジン等のヒドラジン類、過酸化水素、アンモニ
ア、フッ化アンモニウム等の化合物を主剤とし、これら
を有機溶剤と組み合わせて使用している。しかしなが
ら、上記化合物は劇物又は危険物であり、また有機溶媒
を使用することによる作業面及び環境面での安全性に問
題がある。
めに、例えば塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸等の強酸、ヒド
ロキシルアミン、モノエタノールアミン等のアミン類、
ヒドラジン等のヒドラジン類、過酸化水素、アンモニ
ア、フッ化アンモニウム等の化合物を主剤とし、これら
を有機溶剤と組み合わせて使用している。しかしなが
ら、上記化合物は劇物又は危険物であり、また有機溶媒
を使用することによる作業面及び環境面での安全性に問
題がある。
【０００５】特開平１１−３１６４６４号公報は、脂肪
族ポリカルボン酸及びその塩並びにアミノポリカルボン
酸及びその塩からなる群より選ばれた少なくとも１種を
有効成分として含有し、有機溶剤を含有しないドライエ
ッチング残渣除去剤を開示している。
族ポリカルボン酸及びその塩並びにアミノポリカルボン
酸及びその塩からなる群より選ばれた少なくとも１種を
有効成分として含有し、有機溶剤を含有しないドライエ
ッチング残渣除去剤を開示している。
【０００６】また、米国特許第５９７７０４１号明細書
は、水、乳酸、酒石酸、酢酸、グルコン酸、フタル酸等
の水溶性有機酸及び水溶性界面活性剤を含有し、ｐＨが
２〜５の範囲にあるドライエッチング残渣除去剤を開示
している。
は、水、乳酸、酒石酸、酢酸、グルコン酸、フタル酸等
の水溶性有機酸及び水溶性界面活性剤を含有し、ｐＨが
２〜５の範囲にあるドライエッチング残渣除去剤を開示
している。
【０００７】これらのドライエッチング残渣除去剤は、
有機溶剤を含有していないために、作業面及び環境面で
の安全性の点で問題はないが、ドライエッチング残渣の
除去効果が十分ではなく、また半導体デバイス、液晶デ
バイス等のデバイスを構成している金属を腐食させる虞
れがあり、ドライエッチング残渣除去剤として満足でき
るものではない。
有機溶剤を含有していないために、作業面及び環境面で
の安全性の点で問題はないが、ドライエッチング残渣の
除去効果が十分ではなく、また半導体デバイス、液晶デ
バイス等のデバイスを構成している金属を腐食させる虞
れがあり、ドライエッチング残渣除去剤として満足でき
るものではない。
【０００８】近年、デバイスの微細化に伴い、ドライエ
ッチング残渣除去能力がより一層優れたドライエッチン
グ残渣除去剤の開発が望まれている。
ッチング残渣除去能力がより一層優れたドライエッチン
グ残渣除去剤の開発が望まれている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ドラ
イエッチング残渣の除去効果が一段と優れたドライエッ
チング残渣除去剤を提供することである。
イエッチング残渣の除去効果が一段と優れたドライエッ
チング残渣除去剤を提供することである。
【００１０】本発明の課題は、作業面及び環境面での安
全性の点で問題がないドライエッチング残渣除去剤を提
供することである。
全性の点で問題がないドライエッチング残渣除去剤を提
供することである。
【００１１】本発明の課題は、半導体デバイス、液晶デ
バイス等のデバイスに含まれている金属を腐食させる虞
れのないドライエッチング残渣除去剤を提供することで
ある。
バイス等のデバイスに含まれている金属を腐食させる虞
れのないドライエッチング残渣除去剤を提供することで
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために鋭意研究を重ねた結果、α−ヒドロキシ
脂肪族モノカルボン酸のアンモニウム塩を含有させるこ
とにより、本発明の課題が解決できることを見い出し
た。本発明は、斯かる知見に基づき完成されたものであ
る。 １．本発明は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の
アンモニウム塩を含有することを特徴とするドライエッ
チング残渣除去剤である。 ２．本発明は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の
アンモニウム塩がグリコール酸アンモニウム及び乳酸ア
ンモニウムからなる群より選ばれた少なくとも１種であ
る上記１に記載のドライエッチング残渣除去剤である。 ３．本発明は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の
アンモニウム塩を０．３〜５０重量％含有する上記１に
記載のドライエッチング残渣除去剤である。 ４．本発明は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の
アンモニウム塩を０．３〜５０重量％含有し、残りが水
である上記１に記載のドライエッチング残渣除去剤であ
る。 ５．本発明は、ｐＨが２〜９．５の範囲にある請求項１
に記載のドライエッチング残渣除去剤である。
解決するために鋭意研究を重ねた結果、α−ヒドロキシ
脂肪族モノカルボン酸のアンモニウム塩を含有させるこ
とにより、本発明の課題が解決できることを見い出し
た。本発明は、斯かる知見に基づき完成されたものであ
る。 １．本発明は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の
アンモニウム塩を含有することを特徴とするドライエッ
チング残渣除去剤である。 ２．本発明は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の
アンモニウム塩がグリコール酸アンモニウム及び乳酸ア
ンモニウムからなる群より選ばれた少なくとも１種であ
る上記１に記載のドライエッチング残渣除去剤である。 ３．本発明は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の
アンモニウム塩を０．３〜５０重量％含有する上記１に
記載のドライエッチング残渣除去剤である。 ４．本発明は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の
アンモニウム塩を０．３〜５０重量％含有し、残りが水
である上記１に記載のドライエッチング残渣除去剤であ
る。 ５．本発明は、ｐＨが２〜９．５の範囲にある請求項１
に記載のドライエッチング残渣除去剤である。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明のドライエッチング残渣除
去剤は、半導体デバイス製造プロセス、液晶デバイス製
造プロセス等のデバイス製造プロセスにおいて、ドライ
エッチングの際に生成する有機金属、レジスト除去のた
めの酸素プラズマ灰化処理等によってこの有機金属が変
化した金属酸化物等を含有する、ポリマーと称されるド
ライエッチング残渣を除去するための組成物である。
去剤は、半導体デバイス製造プロセス、液晶デバイス製
造プロセス等のデバイス製造プロセスにおいて、ドライ
エッチングの際に生成する有機金属、レジスト除去のた
めの酸素プラズマ灰化処理等によってこの有機金属が変
化した金属酸化物等を含有する、ポリマーと称されるド
ライエッチング残渣を除去するための組成物である。
【００１４】本発明のドライエッチング残渣除去剤は、
α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸のアンモニウム塩
を含有する。
α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸のアンモニウム塩
を含有する。
【００１５】α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸のア
ンモニウム塩としては、公知のものを広く使用できる。
α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の炭素数は２〜６
程度がよい。α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の炭
素数が７以上になると、ドライエッチング残渣除去性能
が低下してくるので、好ましくない。
ンモニウム塩としては、公知のものを広く使用できる。
α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の炭素数は２〜６
程度がよい。α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の炭
素数が７以上になると、ドライエッチング残渣除去性能
が低下してくるので、好ましくない。
【００１６】α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸のア
ンモニウム塩は、グリコール酸アンモニウム及び乳酸ア
ンモニウムが好ましい。
ンモニウム塩は、グリコール酸アンモニウム及び乳酸ア
ンモニウムが好ましい。
【００１７】本発明では、α−ヒドロキシ脂肪族モノカ
ルボン酸のアンモニウム塩を１種単独で使用してもよい
し、２種以上併用してもよい。
ルボン酸のアンモニウム塩を１種単独で使用してもよい
し、２種以上併用してもよい。
【００１８】本発明除去剤中に含有されるα−ヒドロキ
シ脂肪族モノカルボン酸のアンモニウム塩の濃度は、除
去対象であるドライエッチング残渣の種類等により異な
り一概には言えないが、通常０．３〜５０重量％、好ま
しくは５〜３０重量％、より好ましくは１０〜３０重量
％である。
シ脂肪族モノカルボン酸のアンモニウム塩の濃度は、除
去対象であるドライエッチング残渣の種類等により異な
り一概には言えないが、通常０．３〜５０重量％、好ま
しくは５〜３０重量％、より好ましくは１０〜３０重量
％である。
【００１９】本発明除去剤のｐＨは、除去対象であるド
ライエッチング残渣の種類等により異なり一概には言え
ないが、通常２〜９．５、好ましくは６〜９である。
ライエッチング残渣の種類等により異なり一概には言え
ないが、通常２〜９．５、好ましくは６〜９である。
【００２０】本発明除去剤のｐＨを調整するに当たって
は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸又はアンモニ
アを使用するのが好ましい。例えば、本発明除去剤のｐ
Ｈを低くする場合にはα−ヒドロキシ脂肪族モノカルボ
ン酸を、また本発明除去剤のｐＨを高くする場合にはア
ンモニアをそれぞれ使用するのがよい。ｐＨの調整に使
用されるα−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸は、本発
明除去剤の有効成分であるアンモニア塩を構成している
モノカルボン酸と同一のものであってもよいし、異なっ
ていてもよい。アンモニアは、アンモニアガス又はアン
モニア水の形態で使用される。α−ヒドロキシ脂肪族モ
ノカルボン酸及びアンモニア以外の酸又はアルカリを使
用してｐＨ調整する場合は、α−ヒドロキシ脂肪族モノ
カルボン酸アンモニウム塩が分解されたり、本発明除去
剤のアンモニウム塩以外の酸とアルカリとの中和物が生
成したりして、ひいては本発明除去剤のドライエッチン
グ残渣の除去性能が低下するので、好ましくない。
は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸又はアンモニ
アを使用するのが好ましい。例えば、本発明除去剤のｐ
Ｈを低くする場合にはα−ヒドロキシ脂肪族モノカルボ
ン酸を、また本発明除去剤のｐＨを高くする場合にはア
ンモニアをそれぞれ使用するのがよい。ｐＨの調整に使
用されるα−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸は、本発
明除去剤の有効成分であるアンモニア塩を構成している
モノカルボン酸と同一のものであってもよいし、異なっ
ていてもよい。アンモニアは、アンモニアガス又はアン
モニア水の形態で使用される。α−ヒドロキシ脂肪族モ
ノカルボン酸及びアンモニア以外の酸又はアルカリを使
用してｐＨ調整する場合は、α−ヒドロキシ脂肪族モノ
カルボン酸アンモニウム塩が分解されたり、本発明除去
剤のアンモニウム塩以外の酸とアルカリとの中和物が生
成したりして、ひいては本発明除去剤のドライエッチン
グ残渣の除去性能が低下するので、好ましくない。
【００２１】本発明除去剤は、エッチング残渣の除去効
果をより一段と向上させるため及び／又は金属の腐食を
防止するために、界面活性剤及びキレート剤からなる群
から選ばれた少なくとも１種を含有していてもよい。
果をより一段と向上させるため及び／又は金属の腐食を
防止するために、界面活性剤及びキレート剤からなる群
から選ばれた少なくとも１種を含有していてもよい。
【００２２】本発明除去剤は、α−ヒドロキシ脂肪族モ
ノカルボン酸のアンモニウム塩を上記所定量含有する水
溶液である。
ノカルボン酸のアンモニウム塩を上記所定量含有する水
溶液である。
【００２３】本発明除去剤は、例えば、α−ヒドロキシ
脂肪族モノカルボン酸のアンモニウム塩の所定量を水に
溶解させることにより調製される。或いは、本発明除去
剤は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸及びアンモ
ニアのそれぞれ所定量を水に溶解し、中和反応させて、
α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸のアンモニウム塩
を生成させることによっても調製される。
脂肪族モノカルボン酸のアンモニウム塩の所定量を水に
溶解させることにより調製される。或いは、本発明除去
剤は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸及びアンモ
ニアのそれぞれ所定量を水に溶解し、中和反応させて、
α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸のアンモニウム塩
を生成させることによっても調製される。
【００２４】本発明除去剤を使用するに当たっては、公
知のドライエッチング残渣除去剤と同様の方法にて使用
すればよい。例えば、ドライエッチング残渣を除去すべ
き被処理体を所定温度に保持された本発明除去剤の中に
所定時間浸漬すればよい。また、スプレー塗布等の公知
の塗布手段に従って本発明除去剤を被処理体に塗布し、
所定温度に所定時間加熱してもよい。
知のドライエッチング残渣除去剤と同様の方法にて使用
すればよい。例えば、ドライエッチング残渣を除去すべ
き被処理体を所定温度に保持された本発明除去剤の中に
所定時間浸漬すればよい。また、スプレー塗布等の公知
の塗布手段に従って本発明除去剤を被処理体に塗布し、
所定温度に所定時間加熱してもよい。
【００２５】除去処理の温度及び時間は、除去対象とな
るドライエッチング残渣の種類により異なり、特に限定
されるものではなく、ドライエッチング残渣の除去性と
金属の腐食性とから適宜決定される。例えば、除去処理
の際の温度が低いと除去処理に必要な時間が長くなり、
逆に除去処理の際の温度が高くなると除去処理に必要な
時間が短くなる。処理温度は、通常常温〜８０℃程度、
処理時間は、通常５〜５０分程度である。より具体的に
は、処理温度が３５℃の場合には処理時間は３５〜４０
分程度、処理温度が６０℃の場合には処理時間は５〜１
０分程度がよい。
るドライエッチング残渣の種類により異なり、特に限定
されるものではなく、ドライエッチング残渣の除去性と
金属の腐食性とから適宜決定される。例えば、除去処理
の際の温度が低いと除去処理に必要な時間が長くなり、
逆に除去処理の際の温度が高くなると除去処理に必要な
時間が短くなる。処理温度は、通常常温〜８０℃程度、
処理時間は、通常５〜５０分程度である。より具体的に
は、処理温度が３５℃の場合には処理時間は３５〜４０
分程度、処理温度が６０℃の場合には処理時間は５〜１
０分程度がよい。
【００２６】本発明除去剤の対象となるドライエッチン
グ残渣は、通常のフォトレジストであり、斯かるフォト
レジストはポジ型であってもネガ型であってもよい。本
発明除去剤が特に有効なフォトレジストは、ノボラック
型フォトレジストである。
グ残渣は、通常のフォトレジストであり、斯かるフォト
レジストはポジ型であってもネガ型であってもよい。本
発明除去剤が特に有効なフォトレジストは、ノボラック
型フォトレジストである。
【００２７】本発明除去剤が特に有効なドライエッチン
グ残渣は、Ａｌの酸素プラズマ灰化処理物を含有するも
のである。
グ残渣は、Ａｌの酸素プラズマ灰化処理物を含有するも
のである。
【００２８】
【発明の効果】本発明のドライエッチング残渣除去剤
は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸のアンモニウ
ム塩を含有する水溶液である。本発明のドライエッチン
グ残渣除去剤は、有機溶剤を含有していないので、火災
や健康上の危険性がなく、作業面及び環境面での安全性
の点で問題が生じない。
は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸のアンモニウ
ム塩を含有する水溶液である。本発明のドライエッチン
グ残渣除去剤は、有機溶剤を含有していないので、火災
や健康上の危険性がなく、作業面及び環境面での安全性
の点で問題が生じない。
【００２９】本発明のドライエッチング残渣除去剤は、
水溶液であるので、本発明除去剤を用いて処理した後
は、水、例えば純水で洗浄するだけで、本発明除去剤を
被処理体から洗い流すことができる。
水溶液であるので、本発明除去剤を用いて処理した後
は、水、例えば純水で洗浄するだけで、本発明除去剤を
被処理体から洗い流すことができる。
【００３０】本発明のドライエッチング残渣除去剤は、
ドライエッチング残渣の除去効果に極めて優れており、
微細化されたデバイスに対しても好適に使用され得る。
ドライエッチング残渣の除去効果に極めて優れており、
微細化されたデバイスに対しても好適に使用され得る。
【００３１】本発明のドライエッチング残渣除去剤は、
半導体デバイス、液晶デバイス等のデバイスに含まれる
金属を腐食させる虞れがない。
半導体デバイス、液晶デバイス等のデバイスに含まれる
金属を腐食させる虞れがない。
【００３２】
【実施例】以下に実施例を掲げて、本発明をより一層明
らかにする。以下の実施例においては、被処理体として
次のものを用いた。 被処理体：７００μｍ厚のＳｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／
ＴｉＮの積層基板に対し、ノボラック樹脂材質のポジ型
フォトレジストを用いてパターン化し、プラズマエッチ
ング処理を行った。エッチング処理ガスとして塩素系、
フッ素系を含む混合ガスを用いた。この積層基板を酸素
を含むプラズマ中に暴露して酸素プラズマ灰化処理を行
ってフォトレジストを除去し、被処理体を得た。
らかにする。以下の実施例においては、被処理体として
次のものを用いた。 被処理体：７００μｍ厚のＳｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／
ＴｉＮの積層基板に対し、ノボラック樹脂材質のポジ型
フォトレジストを用いてパターン化し、プラズマエッチ
ング処理を行った。エッチング処理ガスとして塩素系、
フッ素系を含む混合ガスを用いた。この積層基板を酸素
を含むプラズマ中に暴露して酸素プラズマ灰化処理を行
ってフォトレジストを除去し、被処理体を得た。
【００３３】実施例１
グリコール酸（７０重量％水溶液）、アンモニア水（２
８重量％水溶液）及び水（脱イオン水）を用いて、本発
明のドライエッチング残渣除去剤を調製した。この除去
剤は、グリコール酸アンモニウムが２９．１重量％及び
アンモニア（ｐＨ調整用）が２．５重量％含まれ、残り
の６８．４重量％が水であった。この除去剤のｐＨは
９．０であった。
８重量％水溶液）及び水（脱イオン水）を用いて、本発
明のドライエッチング残渣除去剤を調製した。この除去
剤は、グリコール酸アンモニウムが２９．１重量％及び
アンモニア（ｐＨ調整用）が２．５重量％含まれ、残り
の６８．４重量％が水であった。この除去剤のｐＨは
９．０であった。
【００３４】このドライエッチング残渣除去剤に被処理
体を浸漬し、処理温度及び処理時間を変えてドライエッ
チング残渣の除去処理を行った。
体を浸漬し、処理温度及び処理時間を変えてドライエッ
チング残渣の除去処理を行った。
【００３５】除去処理後の積層基板について、ドライエ
ッチング残渣の除去状況及び金属腐食を走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）写真により評価した。結果を表１に示す。
ッチング残渣の除去状況及び金属腐食を走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）写真により評価した。結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】表１から、本発明のドライエッチング残渣
除去剤を使用すれば、広い温度及び時間領域にわたっ
て、ドライエッチング残渣除去を金属腐食を伴うことな
く、良好に行い得ることがわかる。
除去剤を使用すれば、広い温度及び時間領域にわたっ
て、ドライエッチング残渣除去を金属腐食を伴うことな
く、良好に行い得ることがわかる。
【００３８】実施例２
グリコール酸（７０重量％水溶液）、アンモニア水（２
８重量％水溶液）及び水（脱イオン水）を用いて、ｐＨ
の異なる各種ドライエッチング残渣除去剤を調製した。
これら除去剤の組成及びｐＨを、表２に示す。
８重量％水溶液）及び水（脱イオン水）を用いて、ｐＨ
の異なる各種ドライエッチング残渣除去剤を調製した。
これら除去剤の組成及びｐＨを、表２に示す。
【００３９】上記で調製された各種のドライエッチング
残渣除去剤に被処理体を浸漬し、処理温度５５℃、処理
時間１５分でドライエッチング残渣の除去処理を行っ
た。
残渣除去剤に被処理体を浸漬し、処理温度５５℃、処理
時間１５分でドライエッチング残渣の除去処理を行っ
た。
【００４０】除去処理後の積層基板について、ドライエ
ッチング残渣の除去状況及び金属腐食を走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）写真により評価した。結果を表２に併せて
示す。
ッチング残渣の除去状況及び金属腐食を走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）写真により評価した。結果を表２に併せて
示す。
【００４１】
【表２】
【００４２】表２から、広いｐＨ領域にわたって、ドラ
イエッチング残渣除去を金属腐食を伴うことなく、良好
に行い得ることがわかる。
イエッチング残渣除去を金属腐食を伴うことなく、良好
に行い得ることがわかる。
【００４３】実施例３
乳酸（８５．５重量％水溶液）、アンモニア水（２８重
量％水溶液）及び水（脱イオン水）を用いて、ｐＨの異
なる各種ドライエッチング残渣除去剤を調製した。これ
ら除去剤の組成及びｐＨを、表３に示す。
量％水溶液）及び水（脱イオン水）を用いて、ｐＨの異
なる各種ドライエッチング残渣除去剤を調製した。これ
ら除去剤の組成及びｐＨを、表３に示す。
【００４４】上記で調製された各種のドライエッチング
残渣除去剤に被処理体を浸漬し、処理温度５５℃、処理
時間１５分でドライエッチング残渣の除去処理を行っ
た。
残渣除去剤に被処理体を浸漬し、処理温度５５℃、処理
時間１５分でドライエッチング残渣の除去処理を行っ
た。
【００４５】除去処理後の積層基板について、ドライエ
ッチング残渣の除去状況及び金属腐食を走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）写真により評価した。結果を表３に併せて
示す。
ッチング残渣の除去状況及び金属腐食を走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）写真により評価した。結果を表３に併せて
示す。
【００４６】
【表３】
【００４７】表３から、広いｐＨ領域にわたって、ドラ
イエッチング残渣除去を金属腐食を伴うことなく、良好
に行い得ることがわかる。
イエッチング残渣除去を金属腐食を伴うことなく、良好
に行い得ることがわかる。
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フロントページの続き
(72)発明者 山本 博正
大阪府大阪市中央区伏見町三丁目３番７号
岸本産業株式会社内
(72)発明者 平塚 勝大
東京都中央区日本橋本町四丁目11番２号
岸本産業株式会社内
(72)発明者 金子 紀男
千葉県東葛飾郡関宿町西高野353 フアイ
ンポリマーズ株式会社内
(72)発明者 大串 建
千葉県東葛飾郡関宿町西高野353 フアイ
ンポリマーズ株式会社内
(72)発明者 須賀 重政
千葉県東葛飾郡関宿町西高野353 フアイ
ンポリマーズ株式会社内
(72)発明者 佐藤 愛彦
千葉県東葛飾郡関宿町西高野353 フアイ
ンポリマーズ株式会社内
(72)発明者 正富 恒彦
徳島県徳島市川内町加賀須野463 大塚化
学株式会社徳島工場内
(72)発明者 引田 章二
徳島県徳島市川内町加賀須野463 大塚化
学株式会社徳島工場内
Ｆターム(参考） 4H003 BA12 DA15 EB08 ED02 FA21
FA28
5F004 AA09 BD01 DB26 FA08
Claims (5)
- 【請求項１】 α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の
アンモニウム塩を含有することを特徴とするドライエッ
チング残渣除去剤。 - 【請求項２】 α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の
アンモニウム塩がグリコール酸アンモニウム及び乳酸ア
ンモニウムからなる群より選ばれた少なくとも１種であ
る請求項１に記載のドライエッチング残渣除去剤。 - 【請求項３】 α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の
アンモニウム塩を０．３〜５０重量％含有する請求項１
に記載のドライエッチング残渣除去剤。 - 【請求項４】 α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸の
アンモニウム塩を０．３〜５０重量％含有し、残りが水
である請求項１に記載のドライエッチング残渣除去剤。 - 【請求項５】 ｐＨが２〜９．５の範囲にある請求項１
に記載のドライエッチング残渣除去剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001189593A JP2003007680A (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | ドライエッチング残渣除去剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001189593A JP2003007680A (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | ドライエッチング残渣除去剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007680A true JP2003007680A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19028489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001189593A Pending JP2003007680A (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | ドライエッチング残渣除去剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003007680A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100921447B1 (ko) * | 2008-09-26 | 2009-10-13 | (주)국민산업 | 긴장력의 효율적 분배를 통한 콘크리트 구조물 보수 보강공법 |
| JP2011245565A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細構造体の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515254A (ja) * | 1999-11-15 | 2003-04-22 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | プラズマエッチング残渣を除去するための非腐食性洗浄組成物 |
-
2001
- 2001-06-22 JP JP2001189593A patent/JP2003007680A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515254A (ja) * | 1999-11-15 | 2003-04-22 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | プラズマエッチング残渣を除去するための非腐食性洗浄組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100921447B1 (ko) * | 2008-09-26 | 2009-10-13 | (주)국민산업 | 긴장력의 효율적 분배를 통한 콘크리트 구조물 보수 보강공법 |
| JP2011245565A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細構造体の製造方法 |
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