JP2000147794A - フォトレジスト剥離液 - Google Patents
フォトレジスト剥離液Info
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- JP2000147794A JP2000147794A JP32241398A JP32241398A JP2000147794A JP 2000147794 A JP2000147794 A JP 2000147794A JP 32241398 A JP32241398 A JP 32241398A JP 32241398 A JP32241398 A JP 32241398A JP 2000147794 A JP2000147794 A JP 2000147794A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子の配線工程における、ドライエッチ
ング後の残存する無機質基体上のマスク形成されたフォ
トレジストやレジスト残渣を短時間で除去できるフォト
レジスト剥離液および該フォトレジスト剥離液を使用し
た剥離方法を提供すること。 【解決手段】酸化剤０．１〜６０重量％、キレート剤
０．０１〜５重量％を含んでなるフォトレジスト剥離
液。
ング後の残存する無機質基体上のマスク形成されたフォ
トレジストやレジスト残渣を短時間で除去できるフォト
レジスト剥離液および該フォトレジスト剥離液を使用し
た剥離方法を提供すること。 【解決手段】酸化剤０．１〜６０重量％、キレート剤
０．０１〜５重量％を含んでなるフォトレジスト剥離
液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジスト剥
離液および該剥離液を使用した剥離方法に関し、さらに
詳しくは、半導体集積回路および液晶表示装置の製造工
程において、フォトレジスト層を剥離するための剥離液
および剥離方法に関するものである。
離液および該剥離液を使用した剥離方法に関し、さらに
詳しくは、半導体集積回路および液晶表示装置の製造工
程において、フォトレジスト層を剥離するための剥離液
および剥離方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子の
製造においては、一般にリソグラフィー法が採用されて
いる。このリソグラフィー法により半導体素子を製造す
る場合には、通常シリコンウエハーなどの基板上に、酸
化ケイ素膜などの絶縁膜や導電用として配線を行うため
の金属膜などの導電薄膜を形成した後、その表面にフォ
トレジストを均質に塗布して感光層を設け、これに選択
的露光及び現像処理を施して所望のレジストパターンを
形成し、次いでこのレジストパターンをマスクとして下
層部の薄膜に選択的エッチング処理を施す事によりレジ
ストパターンを形成し、次いで該レジストパターンを完
全に除去するという一連の工程がとられている。ところ
で、近年、半導体素子は高集積化が進み、クオーターミ
クロン以下のパターン形成が必要となってきておりこの
様な加工寸法の超微細化に伴い、上記選択的エッチング
処理においては、ドライエッチング法が主流となってき
ており、又、レジストパターンの除去も、酸素プラズマ
による灰化処理（アッシング）が用いられるようになっ
てきた。しかしながら、このドライエッチング処理にお
いては、形成されたパターン周辺部に、ドライエッチン
グガス、レジスト及び導電薄膜などに起因するレジスト
の残渣物（以下、レジスト残渣と称する。）が生成する
事が知られている。このようなレジスト残渣が、特にヴ
ィアホール内部及びその周辺部に残存すると、高抵抗化
を招いたり、電気的に短絡が生じたりするなどの、好ま
しくない事態を招来する。したがって、このレジスト残
渣を除去することは、高品質の半導体素子を得るために
は、極めて重要なことである。
製造においては、一般にリソグラフィー法が採用されて
いる。このリソグラフィー法により半導体素子を製造す
る場合には、通常シリコンウエハーなどの基板上に、酸
化ケイ素膜などの絶縁膜や導電用として配線を行うため
の金属膜などの導電薄膜を形成した後、その表面にフォ
トレジストを均質に塗布して感光層を設け、これに選択
的露光及び現像処理を施して所望のレジストパターンを
形成し、次いでこのレジストパターンをマスクとして下
層部の薄膜に選択的エッチング処理を施す事によりレジ
ストパターンを形成し、次いで該レジストパターンを完
全に除去するという一連の工程がとられている。ところ
で、近年、半導体素子は高集積化が進み、クオーターミ
クロン以下のパターン形成が必要となってきておりこの
様な加工寸法の超微細化に伴い、上記選択的エッチング
処理においては、ドライエッチング法が主流となってき
ており、又、レジストパターンの除去も、酸素プラズマ
による灰化処理（アッシング）が用いられるようになっ
てきた。しかしながら、このドライエッチング処理にお
いては、形成されたパターン周辺部に、ドライエッチン
グガス、レジスト及び導電薄膜などに起因するレジスト
の残渣物（以下、レジスト残渣と称する。）が生成する
事が知られている。このようなレジスト残渣が、特にヴ
ィアホール内部及びその周辺部に残存すると、高抵抗化
を招いたり、電気的に短絡が生じたりするなどの、好ま
しくない事態を招来する。したがって、このレジスト残
渣を除去することは、高品質の半導体素子を得るために
は、極めて重要なことである。
【０００３】従来、上記レジスト残渣を除去する剥離液
としては、特開昭６２−４９３５５号公報及び、特開昭
６４−４２６５３号公報等にはアルカノールアミンと有
機溶剤の混合系からなる有機アミン系剥離液が開示され
ているが、これらの剥離液では、処理温度が比較的高
く、剥離液中の可燃性有機化合物が蒸発し、そのために
引火性を有する。また、使用時に吸湿した水分により、
アミンが解離してアルカリ性を呈する。さらにレジスト
残渣の剥離の後に、アルコール等の有機溶剤を使用しな
いで水洗を行った場合には、アルカリ性を呈し金属膜等
を腐食するためリンス液としてアルコール等の有機溶剤
を必要とする等の種々の欠点を有する。このため、有機
アミン系剥離液よりもレジスト残渣の除去能力が高く、
低温で使用できる方法として、特開平７−２０１７９４
号公報および特開平８−２０２０５号公報等には、フッ
素化合物、有機溶剤及び防食剤とからなるフッ素系水溶
液が開示されている。しかしながら、近年、半導体素子
や液晶パネル素子の製造工程におけるドライエッチン
グ、アッシング等の処理条件が厳しくなり、フォトレジ
ストがより変性することにより、上記、有機アミン系剥
離液やフッ素系水溶液では完全な除去が出来なくなって
いる。また、レジスト残渣を除去せずに放置しておくと
抵抗の増加、断線、あるいは短絡や配線異常等の電気的
トラブルを生じるため、上記レジスト残渣を完全に除去
出来る様なフォトレジスト剥離液が強く要望されてい
る。
としては、特開昭６２−４９３５５号公報及び、特開昭
６４−４２６５３号公報等にはアルカノールアミンと有
機溶剤の混合系からなる有機アミン系剥離液が開示され
ているが、これらの剥離液では、処理温度が比較的高
く、剥離液中の可燃性有機化合物が蒸発し、そのために
引火性を有する。また、使用時に吸湿した水分により、
アミンが解離してアルカリ性を呈する。さらにレジスト
残渣の剥離の後に、アルコール等の有機溶剤を使用しな
いで水洗を行った場合には、アルカリ性を呈し金属膜等
を腐食するためリンス液としてアルコール等の有機溶剤
を必要とする等の種々の欠点を有する。このため、有機
アミン系剥離液よりもレジスト残渣の除去能力が高く、
低温で使用できる方法として、特開平７−２０１７９４
号公報および特開平８−２０２０５号公報等には、フッ
素化合物、有機溶剤及び防食剤とからなるフッ素系水溶
液が開示されている。しかしながら、近年、半導体素子
や液晶パネル素子の製造工程におけるドライエッチン
グ、アッシング等の処理条件が厳しくなり、フォトレジ
ストがより変性することにより、上記、有機アミン系剥
離液やフッ素系水溶液では完全な除去が出来なくなって
いる。また、レジスト残渣を除去せずに放置しておくと
抵抗の増加、断線、あるいは短絡や配線異常等の電気的
トラブルを生じるため、上記レジスト残渣を完全に除去
出来る様なフォトレジスト剥離液が強く要望されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体集積
回路または液晶表示装置に用いられる半導体素子の配線
工程における、ドライエッチング後に残存する無機質基
体上のマスク形成されたフォトレジストやレジスト残渣
を短時間で除去出来、且つ種々の配線材料や絶縁膜材料
等を腐食しないフォトレジスト剥離液並びに該剥離液を
使用した剥離方法を提供することを目的とするものであ
る。
回路または液晶表示装置に用いられる半導体素子の配線
工程における、ドライエッチング後に残存する無機質基
体上のマスク形成されたフォトレジストやレジスト残渣
を短時間で除去出来、且つ種々の配線材料や絶縁膜材料
等を腐食しないフォトレジスト剥離液並びに該剥離液を
使用した剥離方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、無機質基体上
に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後に
残存するマスク形成さてたフォトレジストおよびレジス
ト残渣、あるいはドライエッチング後にアッシングを行
い残存するレジスト残渣を短時間で容易に剥離出来、そ
の際、配線材料や絶縁膜等を全く腐食せずに超微細加工
が可能であり、更にリンス液としてアルコールの様な有
機溶媒を使用する必要がなく、水のみでリンスをするこ
とが出来、高精度の回路配線を製造出来る様な酸化剤と
キレート剤とからなるフォトレジスト剥離液および該剥
離液を使用したフォトレジストの剥離方法を見いだし
た。本発明はかかる知見に基いて完成したものである。
すなわち、本発明は、酸化剤０．１〜６０重量％およ
び、キレート剤０．０１〜５重量％含んでなるフォトレ
ジスト剥離液並びに、無機質基体上に、フォトレジスト
膜を塗布し、次いでマスク形成を行い、非マスク領域を
ドライエッチングし、ドライエッチング時に発生するレ
ジスト残渣および／またはマスク形成されたフォトレジ
ストを上記剥離液を用いて剥離することを特徴とするフ
ォトレジストの剥離方法を提供するものである。また上
記方法において、ドライエッチング後、所望によりさら
に灰化処理を行い、しかる後に、ドライエッチング時に
発生したレジスト残渣を、上記酸化剤とキレート剤とか
らなる剥離液によって除去することもできる。
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、無機質基体上
に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後に
残存するマスク形成さてたフォトレジストおよびレジス
ト残渣、あるいはドライエッチング後にアッシングを行
い残存するレジスト残渣を短時間で容易に剥離出来、そ
の際、配線材料や絶縁膜等を全く腐食せずに超微細加工
が可能であり、更にリンス液としてアルコールの様な有
機溶媒を使用する必要がなく、水のみでリンスをするこ
とが出来、高精度の回路配線を製造出来る様な酸化剤と
キレート剤とからなるフォトレジスト剥離液および該剥
離液を使用したフォトレジストの剥離方法を見いだし
た。本発明はかかる知見に基いて完成したものである。
すなわち、本発明は、酸化剤０．１〜６０重量％およ
び、キレート剤０．０１〜５重量％含んでなるフォトレ
ジスト剥離液並びに、無機質基体上に、フォトレジスト
膜を塗布し、次いでマスク形成を行い、非マスク領域を
ドライエッチングし、ドライエッチング時に発生するレ
ジスト残渣および／またはマスク形成されたフォトレジ
ストを上記剥離液を用いて剥離することを特徴とするフ
ォトレジストの剥離方法を提供するものである。また上
記方法において、ドライエッチング後、所望によりさら
に灰化処理を行い、しかる後に、ドライエッチング時に
発生したレジスト残渣を、上記酸化剤とキレート剤とか
らなる剥離液によって除去することもできる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明で用いられるフォトレジス
ト剥離液は、酸化剤とキレート剤とからなるものであ
り、特に好ましくは酸化剤とキレート剤とを含有する水
溶液から構成される。ここで用いられる酸化剤として
は、過酸化水素、オゾン、次亜塩素酸等の無機過酸化
物並びに過酸化ベンゾイル等の有機過酸化物およびこ
れらを含有する有機溶剤溶液等があげられる。これらの
酸化剤の中で、無機過酸化物が好ましく、特に過酸化水
素が好ましい。本発明に使用される酸化剤の濃度は全溶
液中０．１〜６０重量％で有り、好ましくは０．５〜３
０重量％である。その濃度が０．１重量％未満では、所
望の剥離効果が得られず、６０重量％を超えると導電薄
膜材料を腐食する恐れがある。
ト剥離液は、酸化剤とキレート剤とからなるものであ
り、特に好ましくは酸化剤とキレート剤とを含有する水
溶液から構成される。ここで用いられる酸化剤として
は、過酸化水素、オゾン、次亜塩素酸等の無機過酸化
物並びに過酸化ベンゾイル等の有機過酸化物およびこ
れらを含有する有機溶剤溶液等があげられる。これらの
酸化剤の中で、無機過酸化物が好ましく、特に過酸化水
素が好ましい。本発明に使用される酸化剤の濃度は全溶
液中０．１〜６０重量％で有り、好ましくは０．５〜３
０重量％である。その濃度が０．１重量％未満では、所
望の剥離効果が得られず、６０重量％を超えると導電薄
膜材料を腐食する恐れがある。
【０００７】一方、本発明に使用されるキレート剤とし
ては、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、ヒド
ロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（ＤＨＥＤＤ
Ａ）、１，３−プロパンジアミン四酢酸（１，３−ＰＤ
ＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、ト
リエチレンテトラミン六酢酸（ＴＴＮＡ）、ニトリロ三
酢酸（ＮＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（ＨＩ
ＭＤＡ）等のアミノポリカルボン酸類、あるいはこれら
のアンモニウム塩、金属塩、有機アルカリ塩等があげら
れる。さらには、メチルジホスホン酸、アミノトリスメ
チレンホスホン酸、エチリデンジホスホン酸、１−ヒド
ロキシエチリ−１，１−ジホスホン酸、１−ヒドロキシ
プロピリデン−１，１−ジホスホン酸、エチルアミノビ
スメチレンホスホン酸、ドデシルアミノビスメチレンホ
スホン酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、エチレ
ンジアミンビスメチレンホスホン酸、エチレンジアミン
テトラキスメチレンホスホン酸、ヘキサンジアミンテト
ラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペン
タメチレンホスホン酸、１，２−プロパンジアミンテト
ラメチレンホスホン酸等の分子中にホスホン酸基を１個
以上有するホスホン酸系キレート剤、あるいはこれらの
アンモニウム塩、有機アミン塩、アルカリ金属塩等、が
挙げられ、それらの酸化体としては、これらホスホン酸
系キレート剤の内、その分子中に窒素原子を有するもの
が酸化されてＮーオキシド体となっているものが挙げら
れる。本発明に係る縮合リン酸類としては、例えばメタ
リン酸、テトラメタリン酸、ヘキサメタリン酸、トリポ
リリン酸、あるいはこれらのアンモニウム塩、金属塩、
有機アミン塩等があげられる。上記キレート剤は何れも
使用できるが、より好ましくは、分子中にホスホン酸基
を２個以上有するものが挙げられ、さらに好ましくは、
分子中にホスホン酸基を２〜６個有するものが挙げられ
る。具体的には、１，２−プロパンジアミンテトラメチ
レンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレン
ホスホン酸、エチレンジアミンテトラキスメチレンホス
ホン酸等が好ましく、特に好ましくは、１，２−プロパ
ンジアミンテトラメチレンホスホン酸である。
ては、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、ヒド
ロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（ＤＨＥＤＤ
Ａ）、１，３−プロパンジアミン四酢酸（１，３−ＰＤ
ＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、ト
リエチレンテトラミン六酢酸（ＴＴＮＡ）、ニトリロ三
酢酸（ＮＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（ＨＩ
ＭＤＡ）等のアミノポリカルボン酸類、あるいはこれら
のアンモニウム塩、金属塩、有機アルカリ塩等があげら
れる。さらには、メチルジホスホン酸、アミノトリスメ
チレンホスホン酸、エチリデンジホスホン酸、１−ヒド
ロキシエチリ−１，１−ジホスホン酸、１−ヒドロキシ
プロピリデン−１，１−ジホスホン酸、エチルアミノビ
スメチレンホスホン酸、ドデシルアミノビスメチレンホ
スホン酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、エチレ
ンジアミンビスメチレンホスホン酸、エチレンジアミン
テトラキスメチレンホスホン酸、ヘキサンジアミンテト
ラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペン
タメチレンホスホン酸、１，２−プロパンジアミンテト
ラメチレンホスホン酸等の分子中にホスホン酸基を１個
以上有するホスホン酸系キレート剤、あるいはこれらの
アンモニウム塩、有機アミン塩、アルカリ金属塩等、が
挙げられ、それらの酸化体としては、これらホスホン酸
系キレート剤の内、その分子中に窒素原子を有するもの
が酸化されてＮーオキシド体となっているものが挙げら
れる。本発明に係る縮合リン酸類としては、例えばメタ
リン酸、テトラメタリン酸、ヘキサメタリン酸、トリポ
リリン酸、あるいはこれらのアンモニウム塩、金属塩、
有機アミン塩等があげられる。上記キレート剤は何れも
使用できるが、より好ましくは、分子中にホスホン酸基
を２個以上有するものが挙げられ、さらに好ましくは、
分子中にホスホン酸基を２〜６個有するものが挙げられ
る。具体的には、１，２−プロパンジアミンテトラメチ
レンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレン
ホスホン酸、エチレンジアミンテトラキスメチレンホス
ホン酸等が好ましく、特に好ましくは、１，２−プロパ
ンジアミンテトラメチレンホスホン酸である。
【０００８】本発明で使用される上記キレート剤は、単
独でも２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。
独でも２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。
【０００９】上記キレート剤の濃度は特に制限はない
が、通常、全容液中０．０１〜５重量％の濃度で使用さ
れ、特に好ましくは０．０５〜３重量％使用される。濃
度が０．０１重量％未満では、所望の洗浄効果が得られ
ず、一方５重量％を越えると導電薄膜材料を腐食する恐
れがある。
が、通常、全容液中０．０１〜５重量％の濃度で使用さ
れ、特に好ましくは０．０５〜３重量％使用される。濃
度が０．０１重量％未満では、所望の洗浄効果が得られ
ず、一方５重量％を越えると導電薄膜材料を腐食する恐
れがある。
【００１０】本発明の剥離液のｐＨは特に制限はない。
通常、ｐＨ３〜１２の範囲で使用されるが、エッチング
条件、使用される無機質基体の種類等により選択すれば
良い。アルカリ性で使用する場合は、アンモニア、アミ
ン、テトラメチルアンモニウム水酸化物の如き第四級ア
ンモニウム水酸化物等を添加すれば良く、酸性で使用す
る場合は、有機酸、無機酸等を添加すれば良い。
通常、ｐＨ３〜１２の範囲で使用されるが、エッチング
条件、使用される無機質基体の種類等により選択すれば
良い。アルカリ性で使用する場合は、アンモニア、アミ
ン、テトラメチルアンモニウム水酸化物の如き第四級ア
ンモニウム水酸化物等を添加すれば良く、酸性で使用す
る場合は、有機酸、無機酸等を添加すれば良い。
【００１１】また本剥離液の濡れ性を向上させるため
に、界面活性剤を添加しても何等差し支えなく、カチオ
ン系、ノニオン系、アニオン系の何れの界面活性剤も使
用できる。
に、界面活性剤を添加しても何等差し支えなく、カチオ
ン系、ノニオン系、アニオン系の何れの界面活性剤も使
用できる。
【００１２】本発明の剥離方法を実施する際の温度は、
通常は常温〜８０°Ｃの範囲であり、エッチングの条件
や、使用される無機質基体により適宜選択すればよい。
本発明の剥離方法において使用される無機質基体として
は、シリコン、非晶性ーシリコン、ポリシリコン、シリ
コン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミニウム、アルミニ
ウム合金、チタン、チタンータングステン、窒化チタ
ン、タングステン、タンタル、タンタル化合物、タンタ
ル合金、クロム、クロム酸化物、クロム合金ＩＴＯ（イ
ンジウム−錫酸化物）等半導体配線材料あるいはガリウ
ムー砒素、ガリウムーリン、インジウムーリン等の化合
物半導体、さらにＬＣＤのガラス基板等があげられる。
通常は常温〜８０°Ｃの範囲であり、エッチングの条件
や、使用される無機質基体により適宜選択すればよい。
本発明の剥離方法において使用される無機質基体として
は、シリコン、非晶性ーシリコン、ポリシリコン、シリ
コン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミニウム、アルミニ
ウム合金、チタン、チタンータングステン、窒化チタ
ン、タングステン、タンタル、タンタル化合物、タンタ
ル合金、クロム、クロム酸化物、クロム合金ＩＴＯ（イ
ンジウム−錫酸化物）等半導体配線材料あるいはガリウ
ムー砒素、ガリウムーリン、インジウムーリン等の化合
物半導体、さらにＬＣＤのガラス基板等があげられる。
【００１３】本発明の剥離方法は、所定パターンをレジ
ストで形成された上記導電薄膜の不要部分をドライエッ
チング除去し、その際に生じるレジスト残渣を、上述し
た剥離液で除去するものであるが、ドライエッチング
後、所望により、灰化処理を行い、しかる後にドライエ
ッチングにより生じた残渣を、上述した剥離液で除去す
ることもできる。ここで言う灰化処理（アッシング）と
は、例えば有機高分子よりなるレジストをプラズマ中で
発生する酸素プラズマにより、燃焼反応でＣＯ、ＣＯ2
として除去するものである。具体的な方法としては、一
対の電極間に介在される容器内に、被処理基板とアッシ
ングガスを封入し、前記電極に高周波電力を印加し、前
記容器内にアッシングガスのプラズマを発生させ、この
プラズマ中の活性イオンと基板表面の物質とを反応させ
てレジストを気化させることにより、レジストを除去す
る。
ストで形成された上記導電薄膜の不要部分をドライエッ
チング除去し、その際に生じるレジスト残渣を、上述し
た剥離液で除去するものであるが、ドライエッチング
後、所望により、灰化処理を行い、しかる後にドライエ
ッチングにより生じた残渣を、上述した剥離液で除去す
ることもできる。ここで言う灰化処理（アッシング）と
は、例えば有機高分子よりなるレジストをプラズマ中で
発生する酸素プラズマにより、燃焼反応でＣＯ、ＣＯ2
として除去するものである。具体的な方法としては、一
対の電極間に介在される容器内に、被処理基板とアッシ
ングガスを封入し、前記電極に高周波電力を印加し、前
記容器内にアッシングガスのプラズマを発生させ、この
プラズマ中の活性イオンと基板表面の物質とを反応させ
てレジストを気化させることにより、レジストを除去す
る。
【００１４】本発明による剥離液を使用した後のリンス
としては、アルコールの様な有機溶媒を使用する必要は
なく、水でリンスするだけで充分である。
としては、アルコールの様な有機溶媒を使用する必要は
なく、水でリンスするだけで充分である。
【００１５】
【実施例】次に実施例および比較例により本発明を更に
具体的に説明する。但し、本発明はこれらの実施例によ
り制限されるものではない。図−１にレジスト膜をマス
クとしてドライエッチングを行い、Ａｌ合金（Ａｌ−Ｃ
ｕ）配線体５を形成し、さらに酸素プラズマにより灰化
処理を行った後のＡｌ合金回路素子の一部の断面図を示
した。シリコン基板１の上に酸化膜２が形成され、酸化
膜２上に、配線体であるＡ１合金５が形成され、側壁に
レジスト残渣６が残存している。なお、バリアメタルと
して、チタン３、窒化チタン４が存在している。
具体的に説明する。但し、本発明はこれらの実施例によ
り制限されるものではない。図−１にレジスト膜をマス
クとしてドライエッチングを行い、Ａｌ合金（Ａｌ−Ｃ
ｕ）配線体５を形成し、さらに酸素プラズマにより灰化
処理を行った後のＡｌ合金回路素子の一部の断面図を示
した。シリコン基板１の上に酸化膜２が形成され、酸化
膜２上に、配線体であるＡ１合金５が形成され、側壁に
レジスト残渣６が残存している。なお、バリアメタルと
して、チタン３、窒化チタン４が存在している。
【００１６】実施例１ （１）フォトレジスト剥離液の調製 超純水９４８ｇ（９４．８ｇ）に酸化剤として、高純度
過酸化水素５０ｇ（５重量％）、キレート剤として１，
２−プロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸２ｇを
添加し攪拌して均一にし、フォトレジスト剥離液を調製
した。 （２）上記剥離液によるフォトレジストの剥離 シリコン基板上に、Ａｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ）配線体を設
け、その上にレジストを塗布しフォトリソグラフィ−に
より、パターンを形成し、これをマスクとしてフッ素系
ガスを使用して、ドライエッチング処理を行った。さら
に酸素プラズマにより、灰化処理を行った後のＡｌ合金
回路素子の断面図を図１に示す。この図１によれば、Ａ
ｌ合金配線体の側壁には、レジスト残渣が残存してい
る。その後、このＡｌ合金回路素子を上記（１）で調製
したフォトレジスト剥離液に５０℃で５分間浸漬し、超
純水でリンスして乾燥した。しかる後に、走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）で表面状態を観察し、レジスト残渣の剥
離性およびＡｌ合金の腐食について下記の判定基準にし
たがって、評価した。その結果、レジスト残渣は完全に
除去され、Ａｌ合金の腐食は全く認められなかった。な
おＳＥＭ観察による評価基準は次の通りである。 （剥離状態）◎：完全に除去された。 ○：ほぼ完全に除去された。 △：一部残存が認められた。 ×：大部分残存していた。 （腐食状態）◎：腐食が全く認められなかった。 ○：腐食がほとんど認められなかった。 △：クレーター状あるいはピット状の腐食が認められた。 ×：Ａｌ合金層の全面に荒れが認められ、 さらに、Ａｌ合金層の後退が認められた。 実施例２〜９ 実施例１と同様にＡｌ合金回路素子を制作し、表１およ
び表２に示す組成の剥離液に表１および表２に示す処理
条件で浸漬した後、超純水でリンスを行い、乾燥した。
側面壁に残存するレジスト残渣の剥離性及び，Ａ１合金
層の表面の腐食状態についてＳＥＭ観察を行った。結果
を表ー１および表２に示した。
過酸化水素５０ｇ（５重量％）、キレート剤として１，
２−プロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸２ｇを
添加し攪拌して均一にし、フォトレジスト剥離液を調製
した。 （２）上記剥離液によるフォトレジストの剥離 シリコン基板上に、Ａｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ）配線体を設
け、その上にレジストを塗布しフォトリソグラフィ−に
より、パターンを形成し、これをマスクとしてフッ素系
ガスを使用して、ドライエッチング処理を行った。さら
に酸素プラズマにより、灰化処理を行った後のＡｌ合金
回路素子の断面図を図１に示す。この図１によれば、Ａ
ｌ合金配線体の側壁には、レジスト残渣が残存してい
る。その後、このＡｌ合金回路素子を上記（１）で調製
したフォトレジスト剥離液に５０℃で５分間浸漬し、超
純水でリンスして乾燥した。しかる後に、走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）で表面状態を観察し、レジスト残渣の剥
離性およびＡｌ合金の腐食について下記の判定基準にし
たがって、評価した。その結果、レジスト残渣は完全に
除去され、Ａｌ合金の腐食は全く認められなかった。な
おＳＥＭ観察による評価基準は次の通りである。 （剥離状態）◎：完全に除去された。 ○：ほぼ完全に除去された。 △：一部残存が認められた。 ×：大部分残存していた。 （腐食状態）◎：腐食が全く認められなかった。 ○：腐食がほとんど認められなかった。 △：クレーター状あるいはピット状の腐食が認められた。 ×：Ａｌ合金層の全面に荒れが認められ、 さらに、Ａｌ合金層の後退が認められた。 実施例２〜９ 実施例１と同様にＡｌ合金回路素子を制作し、表１およ
び表２に示す組成の剥離液に表１および表２に示す処理
条件で浸漬した後、超純水でリンスを行い、乾燥した。
側面壁に残存するレジスト残渣の剥離性及び，Ａ１合金
層の表面の腐食状態についてＳＥＭ観察を行った。結果
を表ー１および表２に示した。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】比較例１〜６ 表３に示す組成の剥離液に表３に示す処理条件で浸漬し
た後、超純水でリンスを行い、乾燥した。側面壁に残存
するレジスト残渣の剥離性及び，Ａ１合金層の表面の腐
食状態について、実施例と同様に上記の判定基準に従い
ＳＥＭ観察により評価を行った。結果を表３に示した。
た後、超純水でリンスを行い、乾燥した。側面壁に残存
するレジスト残渣の剥離性及び，Ａ１合金層の表面の腐
食状態について、実施例と同様に上記の判定基準に従い
ＳＥＭ観察により評価を行った。結果を表３に示した。
【００２０】
【表３】
【００２１】実施例１０ 実施例１と同じ方法で、シリコン基板上に、Ａｌ合金
（Ａｌ−Ｃｕ）配線体を設け、その上にレジストを塗布
しフォトリソグラフィ−により、パターンを形成し、こ
れをマスクとしてフッ素系ガスを使用して、ドライエッ
チング処理を行った。マスク形成されたレジストおよび
ドライエッチング時に発生したレジスト残渣物を実施例
１と同じ組成のフォトレジスト剥離液に５０℃で５分間
浸漬し、超純水でリンスして乾燥した。しかる後に、Ｓ
ＥＭで表面状態を観察し、マスク形成されたレジストお
よびレジスト残渣の剥離性およびＡｌ合金の腐食につい
て上記の判定基準にしたがって、評価した。その結果、
マスク形成されたレジストおよびレジスト残渣は完全に
除去され、Ａｌ合金の腐食は全く認められなかった。
（Ａｌ−Ｃｕ）配線体を設け、その上にレジストを塗布
しフォトリソグラフィ−により、パターンを形成し、こ
れをマスクとしてフッ素系ガスを使用して、ドライエッ
チング処理を行った。マスク形成されたレジストおよび
ドライエッチング時に発生したレジスト残渣物を実施例
１と同じ組成のフォトレジスト剥離液に５０℃で５分間
浸漬し、超純水でリンスして乾燥した。しかる後に、Ｓ
ＥＭで表面状態を観察し、マスク形成されたレジストお
よびレジスト残渣の剥離性およびＡｌ合金の腐食につい
て上記の判定基準にしたがって、評価した。その結果、
マスク形成されたレジストおよびレジスト残渣は完全に
除去され、Ａｌ合金の腐食は全く認められなかった。
【００２２】
【発明の効果】本発明の剥離液を使用することにより、
無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエ
ッチング後に残存するフォトレジストおよびレジスト残
渣、もしくはドライエッチング後にアッシングを行い残
存するフォトレジスト残渣を、短時間に容易に剥離で
き、その際配線材料を全く腐食せずに超微細加工が可能
であり、更にリンス液としてアルコールの様な有機溶媒
を使用する必要がなく、水のみでリンスすることがで
き、高精度の回路配線を製造できる。
無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエ
ッチング後に残存するフォトレジストおよびレジスト残
渣、もしくはドライエッチング後にアッシングを行い残
存するフォトレジスト残渣を、短時間に容易に剥離で
き、その際配線材料を全く腐食せずに超微細加工が可能
であり、更にリンス液としてアルコールの様な有機溶媒
を使用する必要がなく、水のみでリンスすることがで
き、高精度の回路配線を製造できる。
【図１】実施例および比較例で用いたエッチング処理を
行い、さらにアッシング処理を行ったＡｌ合金回路素子
の断面図である。
行い、さらにアッシング処理を行ったＡｌ合金回路素子
の断面図である。
１：シリコン基板 ２：酸化膜 ３：バリアメタル（チタン） ４：バリアメタル（窒化チタン） ５：Ａｌ合金配線体 ６：レジスト残渣
Claims (5)
- 【請求項１】 酸化剤０．１〜６０重量％および、キレ
ート剤０．０１〜５重量％含んでなるフォトレジスト剥
離液。 - 【請求項２】 酸化剤が、過酸化水素である請求項１記
載のフォトレジスト剥離液。 - 【請求項３】 キレート剤が、ホスホン酸系キレート剤
である請求項１記載のフォトレジスト剥離液。 - 【請求項４】 無機質基体上に、フォトレジスト膜を塗
布し、次いでマスク形成を行い、非マスク領域をドライ
エッチングし、ドライエッチング時に発生するレジスト
残渣および／またはマスク形成されたフォトレジストを
請求項１に記載の剥離液を用いて剥離することを特徴と
するフォトレジストの剥離方法。 - 【請求項５】 無機質基体上に、フォトレジスト膜を塗
布し、次いでマスク形成を行い、非マスク領域をドライ
エッチングし、マスク形成されたフォトレジストをさら
にアッシングを行い、ドライエッチング時に発生したレ
ジスト残渣を請求項１に記載の剥離液を用いて剥離する
ことを特徴とするフォトレジストの剥離方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32241398A JP2000147794A (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | フォトレジスト剥離液 |
| TW088119599A TW467953B (en) | 1998-11-12 | 1999-11-10 | New detergent and cleaning method of using it |
| PCT/JP1999/006291 WO2000030162A1 (fr) | 1998-11-12 | 1999-11-11 | Detergent et procede de nettoyage au moyen de ce detergent |
| KR1020007007710A KR100681547B1 (ko) | 1998-11-12 | 1999-11-11 | 신규 세정제와 이를 이용한 세정방법 |
| EP99972369A EP1049141A4 (en) | 1998-11-12 | 1999-11-11 | DETERGENT AND CLEANING METHOD USING THE DETERGENT |
| CNB998021172A CN1155055C (zh) | 1998-11-12 | 1999-11-11 | 清洗剂以及使用它的清洗方法 |
| US09/581,118 US6686322B1 (en) | 1998-11-12 | 1999-11-11 | Cleaning agent and cleaning process using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32241398A JP2000147794A (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | フォトレジスト剥離液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000147794A true JP2000147794A (ja) | 2000-05-26 |
Family
ID=18143398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32241398A Pending JP2000147794A (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | フォトレジスト剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000147794A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000171985A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 液晶パネル用基板の洗浄方法 |
| JP2006173566A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-29 | Kao Corp | 剥離剤組成物 |
| JP2008191624A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | チタンを使用した基板向け残渣除去用組成物 |
| WO2008114616A1 (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 洗浄用組成物、半導体素子の製造方法 |
| CN110908254A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-03-24 | 苏州珮凯科技有限公司 | 8寸晶圆制造光刻机核心零部件cup的固化光阻去除液及其去除固化光阻的方法 |
-
1998
- 1998-11-12 JP JP32241398A patent/JP2000147794A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000171985A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 液晶パネル用基板の洗浄方法 |
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| JP4628209B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2011-02-09 | 花王株式会社 | 剥離剤組成物 |
| US8007593B2 (en) | 2005-07-21 | 2011-08-30 | Kao Corporation | Remover compositions |
| KR101275757B1 (ko) | 2005-07-21 | 2013-06-14 | 가오 가부시키가이샤 | 박리제 조성물 |
| JP2008191624A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | チタンを使用した基板向け残渣除去用組成物 |
| WO2008114616A1 (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 洗浄用組成物、半導体素子の製造方法 |
| US7977292B2 (en) | 2007-03-16 | 2011-07-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning composition and process for producing semiconductor device |
| CN101632042B (zh) * | 2007-03-16 | 2012-06-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 洗涤用组合物、半导体元件的制造方法 |
| JP5146445B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2013-02-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 洗浄用組成物、半導体素子の製造方法 |
| CN110908254A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-03-24 | 苏州珮凯科技有限公司 | 8寸晶圆制造光刻机核心零部件cup的固化光阻去除液及其去除固化光阻的方法 |
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