CN111630117B - 用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂 - Google Patents
用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111630117B CN111630117B CN201980009166.0A CN201980009166A CN111630117B CN 111630117 B CN111630117 B CN 111630117B CN 201980009166 A CN201980009166 A CN 201980009166A CN 111630117 B CN111630117 B CN 111630117B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chemical formula
- protective coating
- weight
- stripping
- agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title claims abstract description 151
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 188
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 143
- 125000006832 (C1-C10) alkylene group Chemical group 0.000 claims description 49
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 37
- -1 ether compound Chemical class 0.000 claims description 35
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 35
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 18
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 13
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims description 13
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 12
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 11
- PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)(Cl)Cl PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 37
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 36
- 125000006527 (C1-C5) alkyl group Chemical group 0.000 description 28
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 125000006833 (C1-C5) alkylene group Chemical group 0.000 description 23
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 12
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- CZBZUDVBLSSABA-UHFFFAOYSA-N butylated hydroxyanisole Chemical compound COC1=CC=C(O)C(C(C)(C)C)=C1.COC1=CC=C(O)C=C1C(C)(C)C CZBZUDVBLSSABA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000005360 alkyl sulfoxide group Chemical group 0.000 description 6
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 6
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 description 4
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,4-benzodioxine-3-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)O)COC2=C1 HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 3
- 229940075419 choline hydroxide Drugs 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 3
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 3
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008051 alkyl sulfates Chemical class 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 1
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- CWHJODUFSAHARH-UHFFFAOYSA-N methoxymethane;phosphoric acid Chemical group COC.OP(O)(O)=O CWHJODUFSAHARH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D9/00—Chemical paint or ink removers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D11/00—Special methods for preparing compositions containing mixtures of detergents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/43—Solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
本发明涉及一种用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂,具体地说,一种用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂,其可以去除在进行晶圆制备工艺时为保护晶圆的表面被涂布的保护性涂层剂而不损伤晶圆的表面。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂,具体涉及一种用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂,其可以去除在晶圆制备工艺中为保护晶圆的表面而被涂布的保护性涂层剂而不损伤晶圆的表面。
背景技术
在半导体晶圆加工工艺中,切割(dicing)工艺,即锯切工艺,是位于晶圆制备工艺与封装工艺之间且将晶圆分离成各个芯片单元的工艺。
其中,在将半导体晶圆的各个芯片用刀片互相分离的工艺中,落到芯片表面的碎片会造成不良。为了解决所述问题,从前使用的方法是将喷嘴在刀片的两侧与晶圆的水平方向设置,以高压喷射大量的水而立即去除落到芯片表面的碎片。所述方法在半导体芯片尺寸大时,加工时间短、碎片产量少时是有用的,然而,在半导体芯片的尺寸逐渐减小、加工时间的增加、碎片产量增加时,无法立即去除碎片。
对此,为了克服所述问题,韩国专利申请第10-2009-0066314号公开了一种用聚环氧乙烷/聚环氧丙烷(Polyethyleneoxide/Polypropyleneoxide,PEO-PPO)、聚乙二醇)(Polyethyleneglycol,PEG)以及其他添加剂制备的洗涤剂组合物,所述聚环氧乙烷/聚环氧丙烷是非离子表面活性剂。
然而,用所述组合物进行锯切工艺时,可以去除一定尺寸的碎片,但无法完全去除微小的碎片。结果,被残留的微小碎片所引起的刮痕、凿痕等缺陷仍未解决。
因此,需要如下的切割工艺的保护性涂层剂,其在晶圆表面形成涂层并完全防止在以切削工艺为首的加工工艺中发生的刮痕、凿痕、污点、变白或腐蚀等缺陷。
另一方面,对所述半导体切割工艺用保护性涂层剂来说,切割工艺结束后需要重新排列各个芯片并去除各个芯片表面的涂层剂。形成晶圆用的保护性涂层剂的物质因为是形成光致抗蚀剂的物质这类的高分子树脂,所以,可以适用用于剥离光致抗蚀剂的剥离剂。
如上所述的剥离剂中,著名的是美国专利公报第4,617,251号公开的剥离剂。就是说,所述美国专利公报文献公开了一种包含特定胺化合物(例如,(2-(2-氨基乙氧基)乙醇)以及特定极性溶剂(例如,四氢糠醇、异佛尔酮、γ-丁内酯、N,N-二甲基乙酰胺以及其混合物)的正型光致抗蚀剂剥离组合物。
韩国专利公开公报第2001-0018377号提出了一种包括胺化合物、二醇系溶剂、以及全氟烷基环氧乙烷的光致抗蚀剂剥离剂。
韩国专利公开公报第2000-0016878提出了一种剥离溶液,其由烷氧基N-羟烷基链烷酰胺、偶极矩3以上的极性物质、损伤防止剂以及烷醇胺组成的。
然而,现有技术提示的剥离剂是在高温的工艺条件下使用的,因此在环境方面和处理费用方面不利,而且对洗涤残渣方面也是有限的。而且,由于高温的工艺条件,工艺中隐含腐蚀危险性,要使用防腐剂。为了防止腐蚀而使用唑类添加剂时,生物降解能力会减少,结果,会需要额外的废液处理。
因此,需要一种剥离剂,其不但在常温条件下容易去除残存于晶圆表面的保护性涂层剂而且还不造成腐蚀等损伤。
发明内容
技术问题
本发明是斟酌所述内容而提出的,其目的在于提供一种用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂,其可以容易去除在半导体制备工艺中形成于晶圆表面的涂层而不损伤晶圆的表面。
技术方案
为了解决所述技术问题,本发明的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂,剥离在晶圆表面上涂层的保护性涂层剂,
作为一例,所述剥离剂可以包括亲水性溶剂系化合物、醚系化合物、氢氧化物系化合物、以及表面活性剂。
作为一例,所述剥离剂以1:1.3~1.96:0.53~0.8的重量比包括亲水性溶剂系化合物、醚系化合物、以及氢氧化物系化合物。
作为一例,所述亲水性溶剂系化合物可以包括二(C1~C5)烷基亚砜(di(C1~C5)alkyl sulfoxide)、二(C1~C5)烷基酰胺(di(C1~C5)alkyl amide)以及N-(C1~C5)烷基-2-吡咯烷酮(N-alkyl-2-pyrrolidone)中的一种以上,所述醚系化合物可以包括二甘醇单(C1~C5)烷醚(Diethylene glycol mono(C1~C5)alkyl ether)、乙二醇单(C1~C5)烷醚(ethylene glycol mono(C1~C5)alkyl ether)以及二甘醇二(C1~C5)烷醚(Diethyleneglycol di(C1~C5)alkyl ether)中的一种以上,所述氢氧化物系化合物可以包括氢氧化四(C1~C5)烷铵(tetra(C1~C5)alkylammonium hydroxide)、金属氢氧化物(metalhydroxide)以及氢氧化胆碱(choline hydroxide)中的一种以上。
作为本发明的一个优选实施例,所述表面活性剂的平均HLB(Hydrophile-Lipophile Balance)值可以为10~15。
作为本发明的一个优选实施例,所述亲水性溶剂系化合物、所述醚系化合物以及所述氢氧化物系化合物可以占1:1.3~1.96:0.53~0.8的重量比。
作为本发明的一个优选实施例,所述剥离剂可以具有8~14的pH。
作为本发明的一个优选实施例,所述切割工艺用保护性涂层剂可以包括由下面的[化学式10]表示的化合物。
[化学式10]
在所述化学式10中,R13与R14各自独立地为C1~C10亚烷基,R15为C1~C10烷基,R24与R25各自独立地为R0为R9、R10、R11以及R32各自独立地为氢或C1~C10烷基,R12为C1~C10亚烷基,R1为 R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地为C1~C15亚烷基,n、m以及l各自独立地为1~50的整数,R16为C1~C10烷基,R20为C1~C10亚烷基、 R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地为C1~C10亚烷基,R21、R22以及R23各自独立地为C1~C10烷基,A+为R17、R18以及R19各自独立地为氢、芳基或C1~C10烷基。
作为一实施例,所述保护性涂层剂还包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂以及附着促进剂中的一种。
作为本发明的一个优选实施例,由所述化学式10表示的化合物中的R24以及R25可以是
作为本发明的一个优选实施例,由所述化学式10表示的化合物中,
R24可以是
R25可以是
另一方面,本发明的晶圆加工工艺可以包括:第一工序,其用切割工艺用保护性涂层剂对晶圆表面进行涂层;第二工序,其将所述晶圆配置于牵拉装置;第三工序,其对所述晶圆进行切割(dicing);第四工序,其从经过切割工艺被切削的部件中仅甄选良品并排列良品;第五工序,其使用所述用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂从所甄选的良品上剥离所述切割工艺用保护性涂层剂;以及第六工序,其对所述切割工艺用保护性涂层剂被剥离后的良品进行检查。
作为本发明的一个优选实施例,所述第一工序可以在0℃至50℃进行1至60秒,所述第五工序可以在10℃至50℃的温度下进行1分钟至10分钟。
发明效果
对于本发明的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂来说,对形成于晶圆表面的保护性涂层剂用不包括有机溶剂(如:醇)的本发明的剥离剂进行剥离,由此可以不损伤所述晶圆而容易地去除在半导体制备工艺的晶圆加工工艺中形成于晶圆表面上的保护性涂层剂。
还有如下效果,本发明的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂有亲水性而容易与水混合,因此不仅在剥离过程不会发生腐食材料等问题,而且可以不使用如醇这样的有机溶剂而只用水进行洗涤。
具体实施方式
以下,详细说明本发明的实施例,以便本领域技术人员可以容易实施本发明的实施例。本发明可以以各种不同的方式实现而不局限于本发明中说明的实施例。为了更清楚地说明,将与说明无关的部分省略了,在整体说明书中,对相同或类似的构成要素会使用相同的参照符号。
本发明的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂是剥离在切割工艺中使用的保护性涂层剂。
本发明的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂包括亲水性溶剂系化合物、醚系化合物、氢氧化物系化合物、以及表面活性剂。
首先,本发明的亲水性溶剂系化合物可以包括二(C1~C5)烷基亚砜(Di(C1~C5)alkyl sulfoxide)、二(C1~C5)烷基酰胺(di(C1~C5)alkyl amide)以及N-(C1~C5)烷基-2-吡咯烷酮(N-alkyl-2-pyrrolidone)中的一种以上,优选可以包括二(C1~C5)烷基亚砜(Di(C1~C5)alkyl sulfoxide),更加优选可以包括二甲亚砜(Dimethyl sulfoxide)。
此外,本发明的醚系化合物可以包括二甘醇单(C1~C5)烷醚(Diethylene glycolmono(C1~C5)alkyl ether)、乙二醇单(C1~C5)烷醚(ethylene glycol mono(C1~C5)alkyl ether)以及二甘醇二(C1~C5)烷醚(Diethylene glycol di(C1~C5)alkyl ether)中的一种以上,优选可以包括二甘醇单(C1~C5)烷醚(Diethylene glycol mono(C1~C5)alkyl ether),更加优选可以包括二甘醇单甲醚(Diethylene glycol monomethylether)。
还有,本发明的醚系化合物对于亲水性溶剂系化合物1重量份可以占1.3~1.96的重量份,优选可以占1.47~1.80的重量份,更加优选可以占1.55~1.72的重量份。醚系化合物对亲水性溶剂系化合物1重量份占的重量份小于1.3重量份时,有被本发明的剥离剂所剥离的保护性涂层剂会析出的问题;醚系化合物对亲水性溶剂系化合物1重量份占的重量比超过1.96的重量份时,有可能水溶性减少而剥离剂不会被水所去除。
还有,本发明的氢氧化物系化合物可以包括氢氧化四(C1~C5)烷铵(tetra(C1~C5)alkylammonium hydroxide)、金属氢氧化物(metal hydroxide)以及氢氧化胆碱(choline hydroxide)中的一种以上,优选可以包括氢氧化四(C1~C5)烷铵(tetra(C1~C5)alkylammonium hydroxide),更加优选可以包括氢氧化四甲铵(tetramethylammoniumhydroxide)。
还有,本发明的氢氧化物系化合物对亲水性溶剂系化合物1重量份可以占0.53~0.8重量份,优选可以占0.6~0.74重量份,更加优选可以占0.63~0.7重量份。氢氧化物系化合物对亲水性溶剂系化合物1重量份占的重量份小于0.53重量份时,有剥离性能会减少的问题;氢氧化物系化合物对亲水性溶剂系化合物1重量份占的重量份超过0.8重量份时,有可能碱性会太强而发生腐蚀。
最后,本发明的表面活性剂的平均HLB(Hydrophile-Lipophile Balance)值可以是10~15,优选可以是11~14,更加优选可以是12~13。平均HLB值小于10时,会有洗涤性能降低的问题,平均HLB值超过15时,会有水溶性降低而表面活性剂不被乳化的问题。
还有,本发明的表面活性剂可以包括非离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂中的一种以上,优选作为非离子型表面活性剂,可以包括烷基聚葡糖苷、聚氧化烯烷基醚、聚氧化烯烷基苯基醚、聚氧乙烯烷基辛基醚、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物、聚乙二醇脂肪酸酯以及聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯(polyoxyethylene sorbitan fatty acidester)中的一种以上,作为阴离子型表面活性剂,可以包括烷基醚硫酸盐、烷基硫酸盐、烷基苯磺酸盐、烷基磺基琥珀酸酯(alkyl sulfosuccinate)、烷基醚磷酸盐、烷基磷酸盐、烷基苯磷酸盐以及这些盐中的一种以上,更加优选可以包括作为非离子型表面活性剂的烷基聚葡糖苷和作为阴离子型表面活性剂的烷基醚磷酸盐。
还有,对亲水性溶剂系化合物1重量份,本发明的表面活性剂可以占0.02~0.04重量份,优选可以占0.03~0.037重量份。对亲水性溶剂系化合物1重量份表面活性剂占的重量份小于0.02重量份时,有洗涤性能和渗透力会减少的问题,表面活性剂的重量比超过0.04重量份时,会发生大量的泡沫。
本发明的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂可以具有20~35的有效碱度,优选可以具有22~33的有效碱度,更加优选可以具有25~30的有效碱度,有效碱度小于20时,用剥离剂剥离保护性涂层剂时剥离性能会降低;有效碱度超过35时,会发生腐蚀。
还有,本发明的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂可以具有8~14的pH,优选可以具有9~13的pH,更加优选可以具有10~12的pH,pH小于8时,有用于剥离的时间会增加的问题;pH超过14时,剥离剂会变成强碱性溶液,因而,在处理废水时会发生问题。
进而,被本发明的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂所剥离的切割工艺用保护性涂层剂可以包括由下面的化学式10表示的化合物。
[化学式10]
在所述化学式10中,R13以及R14各自独立地可以为C1~C10亚烷基,优选可以是C1~C5亚烷基,R15可以为C1~C10烷基,更加优选可以为C1~C5烷基。
而且,在所述化学式10中,R24与R25各自独立地可以为
还有,在所述化学式10,R0可以为 优选可以为R9、R10、R11以及R32各自独立地可以为氢或C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基,R12可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5亚烷基。
还有,在所述化学式10中,R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地可以为C1~C15亚烷基,优选可以是C1~C10亚烷基,n、m以及l各自独立地可以为1~50的整数,优选可以为1~20的整数。
在所述化学式10中,R16可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基,R20可以为C1~C10亚烷基、 优选可以为C1~C10亚烷基,更加优选可以为C1~C5亚烷基,R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5亚烷基,R21、R22以及R23各自独立地可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基。
R25可以为
还有,被本发明的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂所剥离的切割工艺用保护性涂层剂可以包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂以及附着促进剂中的一种以上,优选可以包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂以及附着促进剂。而且,切割工艺用保护性涂层剂还可以包括水。
首先,极性有机溶剂用于溶解由化学式10表示的化合物,可以包括醇类溶剂、酮类溶剂以及二醇醚类溶剂中的一种以上,优选可以包括醇类溶剂以及酮类溶剂中的一种以上,更加优选可以包括C1~C10醇类溶剂。
还有,对由化学式10表示的化合物100重量份,极性有机溶剂可以占8~500重量份,优选可以占8~36重量份,还优选可以占9~33重量份,更加优选可以占9.5~31.5重量份。极性有机溶剂的重量份小于8重量份时,有以化学式10表示的化合物会被析出的问题,极性有机溶剂的重量份超过500重量份时,用本发明的保护涂层剂进行涂层时会有涂层状态不良的问题。
其次,表面调节用添加剂起到如下的效果:利用本发明的保护性涂层剂赋予涂层后的表面滑移特性。表面调节用添加剂可以包括硅系表面调节用添加剂,优选可以包括PROTEX International社的MODAREZ K-SE 305、MODAREZ K-SL 106、MODAREZ K-SL 107、BYK社的BYK-331、BYK-333、BYK-348以及BYK-3455中的一种以上。
还有,对由化学式10表示的化合物100重量份,表面调节用添加剂可以占0.08~100重量份,优选可以占0.08~0.6重量份,还优选可以包括0.09~0.55重量份,更加优选可以占0.095~0.525重量份。表面调节用添加剂的重量份小于0.08重量份时,有滑移特性的不足且发生杂质附着的问题;表面调节用添加剂的重量份超过100重量份时,有密合力会减少的问题。
其次,流动性调整剂用于调节本发明涉中保护涂层剂的黏度。流动性添加剂可以包括PROTEX international社的PROX A 300、PROX AM 162 S、SYNTHRO THIX 608、BYK社的BYK-405、BYK-420以及BYK-7420ES中的一种以上。
还有,对由化学式10表示的化合物100重量份,流动性调整剂可以占0.4~200重量份,优选可以占0.4~0.6重量份,还优选可以占0.45~0.55重量份,更加优选可以包括0.475~0.525重量份。流动性调整剂占的重量份小于0.4重量份时,因为黏度低,用本发明的保护性涂层剂进行涂层时涂层厚度会变薄,流动性调整剂占的重量份超过200重量份时,因为黏度高,涂层会缺乏均匀性。
此外,附着促进剂用于提升本发明中保护性涂层剂的密合力,可以包括BYK社的BYK-4509以及BYK-4500中的一种以上。
还有,对由化学式10表示的化合物100重量份,所述附着促进剂可以占0.32~250重量份,优选可以占0.32~1.2重量份,还优选可以占0.36~1.1重量份,更加优选可以占0.38~1.05重量份。附着促进剂占的重量份小于0.32重量份时,密合力会降低;附着促进剂占的重量份超过250重量份时,滑移特性会降低。
最后,对由化学式10表示的化合物100重量份,水可以占24~48重量份,优选可以占27~44重量份,更加优选可以占28.5~42重量份。水占的重量份小于24重量份时,在晶圆上用保护性涂层剂进行涂层时,涂层厚度会变厚,在剥离时会有问题;水占的重量份超过48重量份时,有固化不良的问题。
另一方面,被本发明的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂所剥离的切割工艺用保护性涂层剂是可以根据如下的制备方法制成的。
本发明的切割工艺用保护性涂层剂制备方法包括第一步骤至第三步骤。
首先,作为第一步骤,可以混合由下面的化学式7表示的化合物、由下面的化学式8表示的化合物、由下面的化学式9表示的化合物以及溶剂进行混合与聚合反应而制备第一聚合物。
[化学式7]
还有,在所述化学式7中,R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地可以为C1-C15亚烷基,优选可以为C1-C10亚烷基。
在所述化学式1中,n、m、以及l各自独立地可以为1-50的整数,优选可以为1-20的整数。
[化学式8]
O=C=N-RO-N=C=O
还有,在所述化学式8中,R9、R10、R11以及R32各自独立地可以为氢或C1-C10烷基,优选可以为C1-C5烷基。
而且,在所述化学式8中,R12可以为C1-C10亚烷基,优选可以为C1-C5亚烷基。
[化学式9]
在所述化学式9,R13以及R14各自独立地可以为C1-C10亚烷基,优选可以为C1-C5亚烷基。
还有,在所述化学式9,R15可以为C1-C10烷基,优选可以为C1-C5烷基。
在第一步骤使用的溶剂可以包括N-甲基-2-吡咯烷酮NMP(N-methyl-2-pyrrolidone)、N,N-二甲基甲酰胺DMF(N,N-dimethylformamide)、N,N-二甲基乙酰胺DMA(N,N-dimethylacetamide)、以及甲基乙基酮MEK(methyl ethyl ketone)中的一种以上,优选可以包括N-甲基-2-吡咯烷酮NMP(N-methylpyrrolidone)。
还有,在第一步骤中,对由化学式7表示的化合物100重量份,由化学式8表示的化合物可以占101~153重量份,优选可以占114~140重量份,更加优选可以占120~134重量份。由化学式8表示的化合物占的重量份小于101重量份时,固化后的附着力会变弱;由化学式8表示的化合物占的重量份超过153重量份时,涂层后晶圆表面的可见性会降低。
还有,在第一步骤中,对由化学式7表示的化合物100重量份,由化学式9表示的化合物可以占11~18重量份,优选可以占13~17重量份,更加优选可以占14~16重量份。由化学式9表示的化合物占的重量份小于11重量份时,对水的可分散性会降低;由化学式9表示的化合物占的重量份超过18重量份时,在固化后,耐水性会变弱。
还有,在第一步骤中,对由化学式7表示的化合物100重量份,溶剂可以占40~61重量份,优选可以占45~56重量份,更加优选可以占39~45重量份。溶剂占的重量份小于40重量份时,因为黏度过高而涂层会缺乏均匀性,溶剂占的重量份超过61重量份时,因为黏度太低而涂层时会变不良。
还有,在第一步骤中,可以通过在80~150℃的温度下,优选在80~140℃的温度下,以150~250rpm(优选以170~230rpm)进行1小时至3小时(优选1.5小时至2.5小时)进行混合和/或聚合反应制备第一聚合物。
这时,被制备的第一聚合物可以是由下面的化学式5表示的化合物。
[化学式5]
在所述化学式5中,R13以及R14各自独立地可以为C1-C10亚烷基,优选可以为C1-C5亚烷基。
还有,所述化学式5中,R15可以为C1-C10烷基,优选可以为C1-C5烷基。
在所述化学式5中,R26可以为R0可以为优选可以为R9、R10、R11以及R32各自独立地可以为氢或C1-C10烷基,优选可以是C1-C5烷基;R12可以为C1-C10亚烷基,优选可以是C1-C5亚烷基。
还有,在所述化学式5中,R1可以为 优选可以为R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地可以为C1-C15亚烷基,优选可以为C1-C10亚烷基;n、m以及l各自独立地可以为1-50的整数,优选可以为1-20的整数。
其次,在本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制备方法的第二步骤,可以通过对在第一步骤制备的第一聚合物与由所下面的化学式6表示的化合物、由下面的化学式4表示的化合物中的一种以上进行混合使其反应,制备第二聚合物或第三聚合物。
[化学式6]
在所述化学式6中,R20可以为C1~C10亚烷基、 优选可以为C1~C10亚烷基,更加优选可以为C1~C5亚烷基。还有,R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5亚烷基。
还有,在所述化学式6中,R21、R22以及R23各自独立地可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基。
[化学式4]
R16-OH
在所述化学式4中,R16可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基。
具体说明通过本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制备方法中第二步骤制备第二聚合物的方法,可以通过对已制备的第一聚合物与由所述化学式4表示的化合物进行混合使其反应而制备第二聚合物,被制备的第二聚合物可以是由下面的化学式1-1表示的化合物。
[化学式1-1]
在所述化学式1-1,R13以及R14各自独立地可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5亚烷基。
还有,在所述化学式1-1,R15可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基。
还有,在所述化学式1-1,R0可以为 优选可以为R9、R10、R11以及R32各自独立地可以为氢或C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基,R12可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5亚烷基。
在所述化学式1-1,R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地可以为C1~C15亚烷基,优选可以为C1~C10亚烷基,n、m以及l各自独立地可以为1~50的整数,优选可以为1~20的整数。
还有,在所述化学式1-1,R16可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基,R20可以为C1~C10亚烷基、 优选可以为C1~C10亚烷基,更加优选可以为C1~C5亚烷基,R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5亚烷基,R21、R22以及R23各自独立地可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基。
还有,在第二步骤中制备第二聚合物时,对由化学式7表示的化合物100重量份,由化学式4表示的化合物可以占29~45重量份,优选可以占33~41重量份,更加优选可以占34~39重量份。由化学式4表示的化合物占的重量份小于29重量份时,硬化后还会有黏性;由化学式4表示的化合物的重量份超过45重量份时,硬化后涂层的厚度会变薄。
还有,在第二步骤制备第二聚合物时,可以在70~110℃的温度(优选在80~100℃的温度)下,以150~250rpm(优选以170~230rpm)进行10分钟~40分钟(优选20分钟~30分钟)混合和/或反应而制备第二聚合物。
另外,具体说明通过本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制备方法而制备第三聚合物的方法,所述方法可以包括第2-1步骤以及第2-2步骤。
在本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制备方法的第2-1步骤,可以对已制备的第一聚合物与由所述化学式6表示的化合物进行混合使其反应而制备第三中间聚合物,所制备的第三中间聚合物可以是由下面的化学式3表示的化合物。
[化学式3]
在所述化学式3中,R13以及R14各自独立地可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5亚烷基。
还有,在所述化学式3中,R15可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基。
还有,在所述化学式3中,R26可以为
R25可以为
在所述化学式3中,R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地可以为C1~C15亚烷基,优选可以为C1~C10亚烷基,n、m以及l各自独立地可以为1~50的整数,优选可以为1~20的整数。
还有,在所述化学式3中,R20可以为C1~C10亚烷基、优选可以为C1~C10亚烷基,更加优选可以为C1~C5亚烷基,R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C10亚烷基,R21、R22以及R23各自独立地可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基。
还有,在第2-1步骤制备第三中间聚合物时,相对于由化学式7表示的化合物100重量份,由所述化学式6表示的化合物可以占33~51重量份,优选可以占37~47重量份,更加优选可以占39~45重量份。由所述化学式6表示的化合物的含量少于33重量份时,固化后涂层表面的均匀性会差,由所述化学式6表示的化合物的含量超过51重量份时,制备后会产生析出物。
还有,在第二步骤制备第三中间聚合物时,可以在80℃~150℃的温度(优选在80℃~140℃的温度)下,以150~250rpm(优选以170rpm~230rpm)进行60分钟~120分钟(优选75分钟~105分钟)的混合和/或反应而制备第三中间聚合物。
在本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制备方法的第2-2步骤中,可以对在第2-1步骤制备的第三中间聚合物与由所述化学式4表示的化合物进行混合并使其反应而制备第三聚合物,被制备的第三聚合物可以是由下面的化学式1-2表示的化合物。
[化学式1-2]
在所述化学式1-2中,R13以及R14各自独立地可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5亚烷基。
还有,在所述化学式1-2中,R15可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基。
在所述化学式1-2,R24可以为
R25可以为
还有,在所述化学式1-2中,R0可以为 优选可以为R9、R10、R11以及R32各自独立地可以为氢或C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基,R12可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5亚烷基。
还有,在所述化学式1-2中,R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地可以为C1~C15亚烷基,优选可以为C1~C10亚烷基,n、m以及l各自独立地可以为1~50的整数,优先可以为1~20的整数。
还有,在所述化学式1-2中,R16可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基,R20可以为C1~C10亚烷基、 优选可以为C1~C10亚烷基,更加优选可以为C1~C5亚烷基,R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5亚烷基,R21、R22以及R23各自独立地可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基。
还有,在第2-2步骤中制备第三聚合物时,相对于由化学式7表示的化合物100重量份,由化学式4表示的化合物可以占29~45重量份,优选可以占33~41重量份,更加优选可以占34~39重量份。由化学式4表示的化合物的含量少于29重量份时,固化后会留下黏附感,由化学式4表示的化合物的含量超过45重量份时,固化后涂层的厚度会变薄。
还有,在第2-2步骤中制备第三聚合物时,可以在70℃~110℃的温度(优选在80℃~110℃的温度)下,以150~250rpm(优选以170~230rpm)进行10分钟~40分钟(优选20分钟~30分钟)的混合和/或反应而制备第三聚合物。
最后,在切割工艺用保护性涂层剂的制备方法的第三步骤中,可以使已制备的第二聚合物或第三聚合物与由下面的化学式2表示的化合物与水进行混合,使其反应而制备由下面的化学式10表示的化合物。
[化学式2]
在所述化学式2中,R17、R18以及R19各自独立地可以为氢、芳基或C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基。
[化学式10]
在所述化学式10中,R13以及R14各自独立地可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5亚烷基,R15可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基。
还有,在所述化学式10中,R0可以为 优选可以为R9、R10、R11以及R32各自独立地可以为氢或C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基,R12可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5亚烷基。
还有,在所述化学式10中,R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地可以为C1~C15亚烷基,优选可以为C1~C10亚烷基,n、m以及l各自独立地可以为1~50的整数,优选可以是1~20的整数。
还有,在所述化学式10中,R16可以为C1~C10烷基,优选可以为C1~C5烷基,R20可以为C1~C10亚烷基、优选可以为C1~C10亚烷基,更加优选可以为C1~C5亚烷基,R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地可以为C1~C10亚烷基,优选可以是C1~C10亚烷基,R21、R22以及R23各自独立地可以为C1~C10亚烷基,优选可以为C1~C5烷基。
R25可以为
还有,在第三步骤中制备由所述化学式10表示的化合物时,相对于由化学式7表示的化合物100重量份,由化学式2表示的化合物可以占8~13重量份,优选可以占9~12重量份,更加可以占9.5~11重量份。由化学式2表示的化合物的含量少于8重量份时,在水分散作用上会有困难;由化学式2表示的化合物的含量超过11重量份时,由化学式2表示的化合物在去除涂层后也还会残留。
在第三步骤制备由所述化学式10表示的化合物时,相对于由化学式7表示的化合物100重量份,水可以占533~800重量份,优选可以占600~733重量份,更加优选可以占632~700重量份。水的含量少于533重量份时,黏独会太强;水的含量超过800重量份时,由化学式1表示的化合物含量会大幅降低而涂层厚度会变薄。
还有,在第四步骤,可以通过对由所述化学式2表示的化合物与水在10℃~50℃的温度(优选在15℃~30℃的温度)下,以400rpm至700rpm(优选以500rpm至600rpm),进行10分钟至120分钟(优选10分钟至60分钟)的混合而制备混合物。对制备的混合物在10℃~50℃的温度(优选在15℃至30℃的温度)下,以400rpm至700rpm(优选以500rpm至600rpm),与第二聚合物或第三聚合物进行1小时至5小时,优选1小时至2小时的混合使其反应而制备由所述化学式10表示的化合物。
另一方面,在本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制备方法,极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂、附着促进剂和水可以与已制备的由化学式10表示的化合物混合。
另外,作为一个例子,本发明中用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂可以用于如下的晶圆加工工艺。
晶圆加工工艺可以包括:第一工序,其在晶圆表面用所述本发明的切割工艺用保护性涂层剂进行涂层;第二工序,其在牵拉装置上配置所述晶圆;第三工序,其对所述晶圆进行切割(dicing);第四工序,其从经过切割工艺中被切削的部品中仅选别良品而排列良品;第五工序,其从所述被甄选的良品中,以本发明的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂剥离本发明的切割工艺用保护性涂层剂;以及第六工序,其对所述切割工艺用保护性涂层剂被剥离后的良品进行检查。
所述第一工序可以在0℃~50℃的温度下进行1秒~60秒,优选可以在15℃~35℃温度下进行20秒~50秒。
还有,第五工序可以在10℃~50℃的温度下进行1分钟至10分钟,优选可以在20℃至40℃的温度下进行1分钟至5分钟。
而且,第五工序可以包括被保护性涂层剂所涂布的晶圆浸渍于注入有剥离剂的容器中而去除保护涂层剂的方法。
虽然本发明已以实施例揭露如上,然而其并非用以限定本发明,本领域技术人员在不脱离本发明的基本特性的范围之内,当可做些许的变动与润饰。比如说,在本发明的实施例中具体解释的各种构成要素是可以变形实施的。与这些变动与润饰有关的区别都应解释为包括于本发明后附的权利要求书所限定的范围。
<实施例>
准备例1:制备切割工艺用保护性涂层剂
(1)在反应器中投入了由下面的化学式7-1表示的化合物、由下面的化学式8-1表示的化合物、由下面的化学式9-1表示的化合物以及N-甲基吡咯烷酮NMP(N-methlpyrrolidone)后,加热反应器而将反应器内部温度调节为100℃。然后,以200rpm进行两个小时的混合进行聚合反应而制备了第一聚合物。
这时,相对于由下面的化学式7-1表示的化合物100重量份,使用了由下面的化学式8-1表示的化合物126.7重量份、由下面的化学式9-1表示的化合物14.8重量份以及N-甲基吡咯烷酮NMP(N-methlpyrrolidone)50.5重量份。
[化学式7-1]
[化学式8-1]
O=C=N-RO-N=C=O
[化学式9-1]
在所述化学式9-1,R13以及R14-为亚甲基,R15为乙基。
(2)在已制备的第一聚合物中投入了由下面的化学式6-1表示的化合物并在90℃的温度下以200rpm进行90分钟的混合,使其反应而制备了第三中间聚合物。
这时,相对于用所述化学式7-1表示的化合物100重量份,使用了用以下化学式6-1表示的化合物42重量份。
[化学式6-1]
在所述化学式6-1中,R20为–CH2CH2CH2-,R21、R22以及R23为甲基。
(3)在90℃的温度下,在已制备的第三中间聚合物中投入了由下面的化学式4-1表示的化合物,并以200rpm进行25分钟的混合与反应而制备了第三聚合物。
这时,对用所述化学式7-1表示的化合物100重量份,使用了用下面的化学式4-1表示的化合物36.8重量份。
[化学式4-1]
R16-OH
在所述化学式4-1中,R16为乙基。
(4)将由下面的化学式2-1表示的化合物与水在25℃的温度下,以550rpm进行1个小时的混合而制备了混合物。在已制备的第三聚合物中投入所述混合物,在25℃的温度下,以550rpm进行1个小时的混合使其反应而制备了由下面的化学式10-1表示的化合物。
这时,相对于由所述化学式7-1表示的化合物100重量份,使用了由下面的化学式2-1表示的化合物10.1重量份以及水666.3重量份。
[化学式2-1]
在所述化学式2-1中,R17、R18以及R19为乙基。
[化学式10-1]
在所述化学式10-1中,R13与R14为亚甲基,R15为乙基,R24为
R25为
R0为R9、R10以及R11为甲基,R12为亚甲基,R1为R2为–CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-,R3为–CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-,n为7,R16为乙基,R20为–CH2CH2CH2-,R21、R22以及R23为甲基,A+为R17、R18以及R19为乙基。
准备例2
根据与准备例1相同的方法制备了最终化合物,但是,使用的是由下面的化学式8-2表示的化合物而不是由所述化学式8-1表示的化合物,由此制备了由下面的化学式10-2表示的化合物而不是由所述化学式10-1表示的化合物。
[化学式8-2]
O=C=N-RO-N=C=O
[化学式10-2]
在所述化学式10-1中,R13以及R14为亚甲基,R15为乙基,
R25为
–CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-,R3为–CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-,n为7,R16为乙基,R20为–CH2CH2CH2-,R21、R22以及R23为甲基,A+为R17、R18以及R19为乙基。
准备例3
根据准备例1相同的方法制备了最终化合物,但是,使用的是由下面的化学式8-3表示的化合物而不是由所述化学式8-1表示的化合物,由此制备了由下面的化学式10-3表示的化合物而不是由所述化学式10-1表示的化合物。
[化学式8-3]
O=C=N-R0-N=C=O
[化学式10-3]
在所述化学式(10-3)中,R13与R14为亚甲基,R15为乙基,R24为
R25为
–CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-,R3为–CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-,n为7,R16为乙基,R20为–CH2CH2CH2-,R21、R22以及R23为甲基,A+为R17、R18以及R19为乙基。
准备制备例1
相对于由准备例1制备的由化学式10-1表示的化合物100重量份,将作为极性有机溶剂的四氢糠醇30重量份、表面调节用添加剂(BYK社,BYK-331)0.5重量份、流动性添加剂(PROTEX international社,PROX AM 162 S)0.5重量份、附着促进剂(BYK社,BYK-4500)1重量份以及水40重量份在25℃的温度下以500rpm混合60分钟而制备了切割工艺用保护性涂层剂。
准备制备例2
相对于由准备例2制备的由化学式10-2表示的化合物100重量份,将作为极性有机溶剂的四氢糠醇30重量份、表面调节用添加剂(BYK社,BYK-331)0.5重量份、流动性调整剂(PROTEX international社,PROX AM 162 S)0.5重量份、附着促进剂(BYK社,BYK-4500)1重量份以及水40重量份在25℃的温度下以500rpm混合60分钟而制备了切割工艺用保护性涂层剂。
准备制备例3
相对于由准备例3制备的由化学式10-3表示的化合物100重量份,将作为极性有机溶剂的四氢糠醇30重量份、表面调节用添加剂(BYK社,BYK-331)0.5重量份、流动性调整剂(PROTEX international社,PROX AM 162 S)0.5重量份、附着促进剂(BYK社,BYK-4500)1重量份以及水40重量份在25℃的温度下以500rpm混合60分钟而制备了切割工艺用保护性涂层剂。
实施例1:制造切割工艺用剥离剂
混合亲水性溶剂系化合物30g、醚系化合物49g、氢氧化物系化合物20g以及表面活性剂1g而制备了用于切割工艺的剥离剂。
这时,所述亲水性溶剂系化合物为二甲亚砜,所述醚系化合物为二甘醇单甲醚,所述氢氧化物系化合物为氢氧化四甲铵,所述表面活性剂为甲醚磷酸酯。
实施例2~9:制造切割工艺用剥离剂
根据与实施例1相同的方法制备了切割工艺用剥离剂。但是,如下面的表1中所记载的,变更被使用的化合物的含量而制备了用于切割工艺的剥离剂。
比较例1:制造切割工艺用剥离剂
根据与实施例1相同的方法制备了切割工艺用剥离剂。但是,如下面的表1中所记载的,排除亲水性溶剂系化合物而制备了用于切割工艺的剥离剂。
比较例2:制造切割工艺用剥离剂
根据与实施例1相同的方法制备了切割工艺用剥离剂。但是,如下面的表1中所记载的,排除醚系化合物而制备了用于切割工艺的剥离剂。
比较例3:制造切割工艺用剥离剂
根据与实施例1相同的方法制备了切割工艺用剥离剂。但是,如下面的表1中所记载的,排除氢氧化物系化合物而制备了用于切割工艺的剥离剂。
[表1]
实验例1
将在制备准备例1~3中制备的保护性涂层剂分别在晶圆以1μm的厚度涂布,使其热固化,在晶圆表面上形成了保护性涂层剂。将被保护性涂层剂所涂布的晶圆在常温下,分别浸渍于在实施例1至9以及比较例1至3制备的剥离剂中3分钟。然后,从剥离剂中取出晶圆,分别用超纯水洗20秒后用氮干燥。将被干燥的晶圆以肉眼或显微镜观察且确认涂布在晶圆表面上的保护性涂层剂的滞留量。这时,残渣量多时表示为0,残渣量少时表示为△,没有残渣时表示为X,将其结果在表2至表4中表示。
[表2]
[表3]
[表4]
可以确认的是,如表2至表4中所记载,如果亲水性溶剂系化合物、醚系化合物和氢氧化物系化合物中的至少一种不包括在本发明的剥离剂成分中,去除保护性涂层剂后的残渣量多。
还可以确认的是,包括于本发明的剥离剂的亲水性溶剂系化合物、醚系化合物以及氢氧化物系化合物的重量比脱离本发明中的重量比范围时,去除保护性涂层剂以后也可以发现有些残渣。
实验例2
在甜甜圈形状的SUS环上附着了利用丙烯酸类聚合物的安装胶带(mount tape)。在35℃至40℃的加热板(hot plate)上,在安装胶带露出的附着部上分别滴加3ml在实施例1至9以及比较例1至3制备的剥离剂上,过了40分钟后观察了安装胶带的损伤程度。这时,膨润现象极为严重时以0表示,膨润现象严重时以△表示,膨润现象几乎没有时以X表示,并将其结果在表5中显示。
[表5]
可以确认的是,如表5中所记载的,如果亲水性溶剂系化合物、醚系化合物和氢氧化物系化合物中的至少一种不包括在本发明的剥离剂中则会发生极为严重的膨润现象。
还可以确认的是,如果本发明的剥离剂成分的重量比,即亲水性溶剂系化合物、醚系化合物以及氢氧化物系化合物的重量比脱离本发明的重量比范围,也会发生严重的膨润现象。
本领域技术人员可以容易实施对本发明的简单变动或润饰,而所述变动或润饰都可以解释为包括于本发明后附的权利要求书所限定的范围。
Claims (7)
1.一种用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂, 其特征在于,
所述剥离剂用于剥离在晶圆上涂布的保护性涂层剂,
其中,所述剥离剂包括亲水性溶剂系化合物、醚系化合物、氢氧化物系化合物以及表面活性剂,并且
所述剥离剂以1:1.3~1.96:0.53~0.8的重量比包括所述亲水性溶剂系化合物、所述醚系化合物、以及所述氢氧化物系化合物。
2.如权利要求1所述的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂, 其中,
所述保护性涂层剂是用于切割工艺的保护性涂层剂。
3.如权利要求2所述的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂,其中,
所述切割工艺用保护性涂层剂包括由下面的化学式10表示的化合物:
[化学式10]
4.如权利要求2所述的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂,其中,
所述保护性涂层剂还包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂以及附着促进剂中的一种以上。
5.如权利要求2所述的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂,其中,
所述保护性涂层剂还包括极性有机溶剂、表面调节用涂层剂、流动性调整剂以及附着促进剂。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0007027 | 2018-01-19 | ||
KR1020180007027A KR101928830B1 (ko) | 2018-01-19 | 2018-01-19 | 웨이퍼 가공용 보호코팅제 박리용 박리제 |
KR10-2018-0148337 | 2018-01-19 | ||
KR1020180148337A KR102038056B1 (ko) | 2018-01-19 | 2018-11-27 | 다이싱 공정용 보호코팅제 박리용 박리제 |
PCT/KR2019/000802 WO2019143202A1 (ko) | 2018-01-19 | 2019-01-18 | 다이싱 공정용 보호코팅제 박리용 박리제 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111630117A CN111630117A (zh) | 2020-09-04 |
CN111630117B true CN111630117B (zh) | 2023-04-04 |
Family
ID=67302258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980009166.0A Active CN111630117B (zh) | 2018-01-19 | 2019-01-18 | 用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6927619B2 (zh) |
CN (1) | CN111630117B (zh) |
TW (1) | TWI677543B (zh) |
WO (1) | WO2019143202A1 (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5091103A (en) * | 1990-05-01 | 1992-02-25 | Alicia Dean | Photoresist stripper |
CN101223265A (zh) * | 2005-07-21 | 2008-07-16 | 花王株式会社 | 剥离剂组合物 |
CN103119105A (zh) * | 2010-09-27 | 2013-05-22 | 伊士曼化工公司 | 用于从基片去除物质的包含至少一种单酰胺和/或至少一种二酰胺的聚合物或单体组合物及其使用方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD143920A1 (de) * | 1979-05-24 | 1980-09-17 | Uwe Jungstand | Ausstreifmittel zum entfernen von positivfotolacken |
DE19653585A1 (de) * | 1996-12-20 | 1998-06-25 | Bayer Ag | Colöserfreie, wäßrige, anionische Polyurethandispersionen, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung |
US6531436B1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-03-11 | Shipley Company, L.L.C. | Polymer removal |
JP3984488B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2007-10-03 | 日本ペイント株式会社 | 硬化性塗料組成物および塗膜形成方法 |
KR100440484B1 (ko) * | 2001-10-17 | 2004-07-14 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
KR100964801B1 (ko) * | 2003-06-26 | 2010-06-22 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트박리방법 |
US20070243773A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-10-18 | Phenis Michael T | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
CN101017333A (zh) * | 2006-02-06 | 2007-08-15 | 东进世美肯株式会社 | 正型光致抗蚀剂剥离剂组合物 |
TWI338026B (en) * | 2007-01-05 | 2011-03-01 | Basf Electronic Materials Taiwan Ltd | Composition and method for stripping organic coatings |
KR101413380B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2014-06-30 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 반도체 다이의 제조방법, 상기 방법으로 제조된 반도체다이를 포함하는 반도체 소자 |
WO2009145526A2 (en) * | 2008-05-29 | 2009-12-03 | Dongwoo Fine-Chem. Co., Ltd. | Protective film composition for wafer dicing |
JP2010287884A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-12-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2011045890A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Kansai Paint Co Ltd | レーザー加工方法 |
US8883701B2 (en) * | 2010-07-09 | 2014-11-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for wafer dicing and composition useful thereof |
JP5956224B2 (ja) * | 2011-05-24 | 2016-07-27 | 東京応化工業株式会社 | 剥離用組成物および剥離方法 |
US8987181B2 (en) * | 2011-11-08 | 2015-03-24 | Dynaloy, Llc | Photoresist and post etch residue cleaning solution |
BE1020269A5 (nl) * | 2012-01-17 | 2013-07-02 | Taminco | Gebruik van vervangende oplosmiddelen voor n-methylpyrrolidon (nmp). |
WO2013118536A1 (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-15 | 東京応化工業株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
KR102103169B1 (ko) * | 2012-10-05 | 2020-04-22 | 린텍 가부시키가이샤 | 보호막 형성층이 형성된 다이싱 시트 및 칩의 제조 방법 |
JP6092034B2 (ja) * | 2013-07-30 | 2017-03-08 | 日東電工株式会社 | 表面保護フィルムおよび光学部材 |
JP6159220B2 (ja) * | 2013-10-17 | 2017-07-05 | 東京応化工業株式会社 | 剥離用組成物及び剥離方法 |
KR101947091B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2019-02-12 | 저지앙 마이크로테크 머테리얼 컴퍼니 리미티드 | 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 절단하는 방법 |
KR102423325B1 (ko) * | 2016-03-01 | 2022-07-20 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 반도체 기판 또는 장치의 세정액 및 세정 방법 |
CN109074005A (zh) * | 2016-05-13 | 2018-12-21 | 株式会社杰希优 | 抗蚀剂的剥离液 |
KR101893582B1 (ko) * | 2016-08-12 | 2018-10-05 | (주)엠티아이 | 웨이퍼 가공용 박리제 조성물 및 이를 포함하는 박리제 |
KR101764167B1 (ko) * | 2017-01-26 | 2017-08-02 | (주)엠티아이 | 레이저 스크라이빙 공정의 웨이퍼 보호용 코팅제 조성물 |
KR101928830B1 (ko) * | 2018-01-19 | 2018-12-13 | (주)엠티아이 | 웨이퍼 가공용 보호코팅제 박리용 박리제 |
-
2019
- 2019-01-18 TW TW108102021A patent/TWI677543B/zh active
- 2019-01-18 CN CN201980009166.0A patent/CN111630117B/zh active Active
- 2019-01-18 JP JP2020514737A patent/JP6927619B2/ja active Active
- 2019-01-18 WO PCT/KR2019/000802 patent/WO2019143202A1/ko active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5091103A (en) * | 1990-05-01 | 1992-02-25 | Alicia Dean | Photoresist stripper |
CN101223265A (zh) * | 2005-07-21 | 2008-07-16 | 花王株式会社 | 剥离剂组合物 |
CN103119105A (zh) * | 2010-09-27 | 2013-05-22 | 伊士曼化工公司 | 用于从基片去除物质的包含至少一种单酰胺和/或至少一种二酰胺的聚合物或单体组合物及其使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI677543B (zh) | 2019-11-21 |
JP6927619B2 (ja) | 2021-09-01 |
TW201932549A (zh) | 2019-08-16 |
CN111630117A (zh) | 2020-09-04 |
JP2020532880A (ja) | 2020-11-12 |
WO2019143202A1 (ko) | 2019-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3240018B1 (en) | Cleaner composition and preparation of thin substrate | |
CN111630117B (zh) | 用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂 | |
KR20150016430A (ko) | 망상형 고분자 용해용 조성물 | |
TWI712685B (zh) | 洗淨劑組成物以及薄型基板之製造方法 | |
KR101928830B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 보호코팅제 박리용 박리제 | |
TWI649381B (zh) | 晶片加工用剝離液組合物及包含其的剝離劑 | |
KR102038056B1 (ko) | 다이싱 공정용 보호코팅제 박리용 박리제 | |
KR20190113316A (ko) | 실록산계 접착제 제거용 조성물 및 이를 이용한 박형 웨이퍼의 제조방법 | |
JP3514051B2 (ja) | シリコンウエハー保護膜用樹脂組成物 | |
CN111630113B (zh) | 切割工艺用保护性涂层剂 | |
WO2023243661A1 (ja) | 接着剤用洗浄剤組成物 | |
WO2023243666A1 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
CN102298277A (zh) | 一种用于厚膜光刻胶的清洗液 | |
KR101449053B1 (ko) | 포토레지스트 잔류물 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리 방법 | |
WO2023228996A1 (ja) | 接着剤用洗浄剤組成物 | |
WO2010064558A1 (ja) | シアノアクリレート系接着剤剥離用組成物、および該接着剤の除去方法 | |
CN108535971B (zh) | 光致抗蚀剂去除用剥离液组合物 | |
JP6862027B2 (ja) | ウェハ加工用保護コーティング剤組成物、及びそれを含む保護コーティング剤 | |
KR20210007688A (ko) | 웨이퍼 다이싱 가공용 보호 유기 코팅제 조성물 및 이를 포함하는 보호 코팅제 | |
JP2008007620A (ja) | アルカリ洗浄液 | |
WO2019220711A1 (ja) | 洗浄剤、洗浄剤の製造方法、および対象物の処理方法 | |
CN117730398A (zh) | 切割保护层用的树脂组合物及半导体晶圆的加工方法 | |
CN115236953A (zh) | 用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法 | |
CN104345583B (zh) | 一种用于去除光阻残留物的清洗液 | |
JP2024531941A (ja) | レジスト剥離液組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |