CN111630113B - 切割工艺用保护性涂层剂 - Google Patents

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CN111630113B CN201980009171.1A CN201980009171A CN111630113B CN 111630113 B CN111630113 B CN 111630113B CN 201980009171 A CN201980009171 A CN 201980009171A CN 111630113 B CN111630113 B CN 111630113B
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Abstract

本发明涉及一种用于制备半导体的切割工艺用保护性涂层剂，具体涉及一种切割工艺用保护性涂层剂，其可以被涂布在晶圆等的表面上而在制备工艺中保护晶圆的表面。

Description

切割工艺用保护性涂层剂
技术领域
本发明涉及一种用于制备半导体的切割工艺用保护性涂层剂，具体涉及一种切割工艺用保护性涂层剂，其可以被涂布在晶圆等的表面上而在制备工艺中保护晶圆的表面。
背景技术
在半导体晶圆加工工艺中，切割工艺，即锯切工艺，是介于晶圆制备工艺与封装工艺之间且将所述晶圆以各个芯片单元分离的工艺。
其中，在将半导体晶圆的各个芯片用刀片互相分离的工艺中，落到芯片表面的碎片会造成不良。为了解决所述问题，从前使用的方法是将喷嘴沿着刀片的两侧与晶圆的水平方向设置，以高压喷射大量的水而立即去除落到芯片表面的碎片。所述方法在半导体芯片尺寸大，加工时间短，碎片量少时是有用的，然而，在半导体芯片的尺寸的减小、加工时间的增加、碎片产量增加时，无法立即去除碎片。
对此，为了克服所述问题，韩国专利申请第10-2009-0066314号公开了一种用作为非离子表面活性剂的聚环氧乙烷/聚环氧丙烷(Polyethyleneoxide/Polypropyleneoxide，PEO-PPO)、聚乙二醇(Polyethyleneglycol，PEG)以及其他添加剂制备的洗涤剂组合物。
然而，用所述组合物进行锯切工艺时，可以去除一定大小的碎片，但无法完全去除微小的碎片。结果，被残留的微小碎片所引起的刮痕、凿痕等缺陷仍未解决。
因此，仍然存在着对用于切割工艺的保护性涂层剂的需求，其可以在晶圆表面形成涂层而防止在切割工艺和其他加工工艺中发生的刮痕、凿痕、污点、变白或腐蚀等缺陷。
发明内容
技术问题
本发明是斟酌所述内容而提出的，其目的在于提供一种切割工艺用保护性涂层剂，其在半导体制备工艺中加工晶圆等时保护表面并防止因杂质流入等而发生的表面损伤。
问题的解决方案
为了解决所述技术问题，本发明的切割工艺用保护性涂层剂的特征在于，被涂布在晶圆表面上。
作为一实施例，所述保护性涂层剂可以具有2H～5H的铅笔硬度、2B～5B的粘接力以及8～35％的抗磨性。
作为一实施例，所述保护性涂层剂可以包括由下面的化学式10表示的化合物。
[化学式10]
Figure BDA0002590628280000031
在所述化学式10中，R13与R14各自独立地为C1～C10亚烷基，R15为C1～C10烷基，R24与R25各自独立地为
Figure BDA0002590628280000032
R0为
Figure BDA0002590628280000033
R9、R10、R11以及R32各自独立地为氢或C1～C10烷基，R12为C1～C10亚烷基，R1为
Figure BDA0002590628280000034
Figure BDA0002590628280000035
R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地为C1～C15亚烷基，n、m以及l各自独立地为1～50的整数，R16为C1～C10烷基，R20为C1～C10亚烷基、
Figure BDA0002590628280000036
Figure BDA0002590628280000041
R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地为C1～C10亚烷基，R21、R22以及R23各自独立地为C1～C10烷基，A+为
Figure BDA0002590628280000042
R17、R18以及R19各自独立地为氢、芳基或C1～C10烷基。
作为本发明的一个优选实施例，由所述化学式10表示的化合物的R24与R25可以为
Figure BDA0002590628280000043
作为本发明的一个优选实施例，由所述化学式10表示的化合物的R24可以为
Figure BDA0002590628280000044
R25可以为
Figure BDA0002590628280000045
作为一个实施例，所述保护性涂层剂还可以包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂以及粘接促进剂中的一种以上。
作为一个实施例，所述保护性涂层剂可以包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂以及粘接促进剂。
作为本发明的一个优选实施例，对由所述化学式10表示的化合物100重量份，本发明的保护性涂层剂还可以包括极性有机溶剂8～500重量份、表面调节用添加剂0.08～100重量份、流动性调整剂0.4～200重量份以及附着促进剂0.32～250重量份。
为了解决所述技术问题，本发明的切割工艺用保护性涂层剂组合物包括由下面的化学式1表示的化合物及由下面的化学式2表示的化合物。
[化学式1]
Figure BDA0002590628280000051
在所述化学式1中，R13与R14各自独立地为C1～C10亚烷基，R15为C1～C10烷基，R24与R25各自独立地为
Figure BDA0002590628280000052
R0为
Figure BDA0002590628280000053
R9、R10、R11以及R32各自独立地为C1～C10烷基，R12为C1～C10亚烷基，R1为
Figure BDA0002590628280000061
Figure BDA0002590628280000062
R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地为C1～C15亚烷基，n、m以及l各自独立地为1～50的整数，R20为C1～C10亚烷基、
Figure BDA0002590628280000063
R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地为C1～C10亚烷基，R21、R22以及R23各自独立地为C1～C10烷基，R16为C1～C10烷基，
[化学式2]
Figure BDA0002590628280000064
在所述化学式2中，R17、R18以及R19各自独立地为氢、芳基或C1～C10烷基
作为本发明的一个优选实施例，由所述化学式1表示的化合物的R24与R25可以为
Figure BDA0002590628280000065
作为本发明的一个优选实施例，由所述化学式1表示的化合物的R24可以为
Figure BDA0002590628280000071
R25可以为
Figure BDA0002590628280000072
作为本发明的一个优选实施例，本发明的保护性涂层剂组合物还可以包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂以及粘接促进剂中的一种以上。
进而，本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制备方法可以包括：第一步骤，对由下面的化学式7表示的化合物、由下面的化学式8表示的化合物、由下面的化学式9表示的化合物以及溶剂进行混合与聚合反应而制备第一聚合物；第二步骤，对制备的第一聚合物与由下面的化学式6表示的化合物以及由下面的化学式4表示的化合物中的一种以上进行混合与反应而制备第二聚合物或第三聚合物；以及第三步骤，其对制备的第二聚合物或第三聚合物与由下面的化学式2表示的化合物以及水进行混合与反应而制备由下面的化学式10表示的化合物。
[化学式7]
Figure BDA0002590628280000073
在所述化学式7中，R1为
Figure BDA0002590628280000081
Figure BDA0002590628280000082
R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地为C1～C15亚烷基，n、m以及l各自独立地为1～50的整数，
[化学式8]
O＝C＝N-R0-N＝C＝O
在所述化学式8中，R0为
Figure BDA0002590628280000083
Figure BDA0002590628280000084
R9、R10、R11以及R32各自独立地为氢或C1～C10烷基，R12为C1～C10亚烷基，
[化学式9]
Figure BDA0002590628280000085
在所述化学式9中，R13与R14各自独立地为C1～C10亚烷基，R15为C1～C10烷基，
[化学式6]
Figure BDA0002590628280000091
在所述化学式6中，R20为C1～C10亚烷基、
Figure BDA0002590628280000092
Figure BDA0002590628280000093
R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地为C1～C10亚烷基，R21、R22以及R23各自独立地为C1～C10烷基，
[化学式4]
R16-OH
在所述化学式4中，R16为C1～C10烷基，
[化学式2]
Figure BDA0002590628280000094
在所述化学式2中，R17、R18以及R19各自独立地为氢、芳基或C1～C10烷基，
[化学式10]
Figure BDA0002590628280000095
在所述化学式10中，R13与R14各自独立地为C1～C10亚烷基，R15为C1～C10烷基，R24与R25各自独立地为
Figure BDA0002590628280000101
R0为
Figure BDA0002590628280000102
R9、R10、R11以及R32各自独立地为氢或C1～C10烷基，R12为C1～C10亚烷基，R1为
Figure BDA0002590628280000103
Figure BDA0002590628280000104
R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地为C1～C15亚烷基，n、m以及l各自独立地为1～50的整数，R16为C1～C10烷基，R20为C1～C10亚烷基、
Figure BDA0002590628280000105
Figure BDA0002590628280000106
R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地为C1～C10亚烷基，R21、R22以及R23各自独立地为C1～C10烷基，A+为
Figure BDA0002590628280000111
R17、R18以及R19各自独立地为氢、芳基或C1～C10烷基。
作为本发明的一个优选实施例，在所述第二步骤可以对制备的第一聚合物与由下面的化学式4表示的化合物进行混合与反应而制备第二聚合物，在所述第三步骤可以对制备的第二聚合物与由所述化学式2表示的化合物与水进行混合与反应而制备由下面的化学式10表示的化合物。
[化学式10]
Figure BDA0002590628280000112
在所述化学式10中，R13与R14各自独立地为C1～C10亚烷基，R15为C1～C10烷基，R24以及R25为
Figure BDA0002590628280000113
R0为
Figure BDA0002590628280000114
R9、R10、R11以及R32各自独立地为C1～C10烷基，R12为C1～C10亚烷基，R1为
Figure BDA0002590628280000121
Figure BDA0002590628280000122
R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地为C1～C15亚烷基，n、m以及l各自独立地为1～50的整数，R16为C1～C10烷基，A+为
Figure BDA0002590628280000123
R17、R18以及R19各自独立地为氢、芳基或C1～C10烷基。
作为本发明的一个优选实施例，第二步骤可以包括第2-1步骤和第2-2步骤，在第2-1步骤，对制备的第一聚合物与由所述化学式6表示的化合物进行混合与反应而制备第三中间聚合物，在第2-2步骤，对制备的第三中间聚合物与由所述化学式4表示的化合物进行混合与反应而制备第三聚合物，还有，在第三步骤可以对制备的第三聚合物与由所述化学式2表示的化合物与水进行混合与反应而制备由所述化学式10表示的化合物。
[化学式10]
Figure BDA0002590628280000124
在所述化学式10中，R13与R14各自独立地为C1～C10亚烷基，R15为C1～C10烷基，R24为
Figure BDA0002590628280000131
R25为
Figure BDA0002590628280000132
R0为
Figure BDA0002590628280000133
R9、R10、R11以及R32各自独立地为C1～C10烷基，R12为C1～C10亚烷基，R1为
Figure BDA0002590628280000134
Figure BDA0002590628280000135
R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地为C1～C15亚烷基，n、m以及l各自独立地为1～50的整数，R16为C1～C10烷基，R20为C1～C10亚烷基、
Figure BDA0002590628280000136
Figure BDA0002590628280000137
R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地为C1～C10亚烷基，R21、R22以及R23各自独立地为C1～C10烷基，A+为
Figure BDA0002590628280000141
R17、R18以及R19各自独立地为氢、芳基或C1～C10烷基。
作为本发明的一个优选实施例，所述保护性涂层剂相对于由所述化学式7表示的化合物100重量可以包括由所述化学式8表示的化合物101～153重量份、由所述化学式9表示的化合物11～18重量、由所述化学式4表示的化合物29～45重量份、由所述化学式5表示的化合物8～13重量份、由所述化学式6表示的化合物33～51重量份。
另外，在本发明的化合物的表述中，*记号指的是化学键部位，以由所述化学式7表示的化合物作为一个例子来说明，在构成R1的
Figure BDA0002590628280000142
中，*记号指的是与化学式7的-OH互相连结的部分。
发明的有益效果
本发明的切割工艺用保护性涂层剂在半导体制备工艺的包括晶圆切削工艺的加工工艺中可以基本上防止在晶圆表面上发生的损伤或由于杂质发生的污染。
还有，所述保护性涂层剂具有被热或紫外线(UV)所固化的性质，然而固化后不受热或紫外线的影响，而且具有耐水性与硬度，在制备工艺中不受水的影响而可以防止晶圆表面被碎片损伤，制备工艺结束后也可以由碱性溶液容易地去除。
具体实施方式
以下，配合附图而详细说明本发明的实施例，以便本领域普通技术人员可以容易实施本发明的实施例，本发明可以以多种不同的方式实现而不局限于本发明中说明的实施例。在附图中，为了更清楚地说明，将与说明无关的部分省略了，在整体说明书中，对相同或类似的构成要素会使用相同的参照符号。
本发明的切割工艺用保护性涂层剂可以包括由下面的化学式1表示的化合物以及由下面的化学式2表示的化合物。
[化学式1]
Figure BDA0002590628280000151
在所述化学式1中，R13与R14可以各自独立地为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式1中，R15可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在所述化学式1中，R24与R25可以各自独立地为
Figure BDA0002590628280000161
在所述化学式1中，R0可以为
Figure BDA0002590628280000162
Figure BDA0002590628280000163
优选可以为
Figure BDA0002590628280000164
R9、R10、R11以及R32可以各自独立地为氢或C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基，R12可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式1中，R1可以为
Figure BDA0002590628280000165
Figure BDA0002590628280000166
优选可以为
Figure BDA0002590628280000167
还有，在所述化学式1中，R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8可以各自独立地为C1～C15亚烷基，优选可以为C1～C10亚烷基，n、m以及l可以各自独立地为1～50的整数，可以各自独立地为1～20的整数。
还有，在所述化学式1中，R16可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基，R20可以为C1～C10亚烷基、
Figure BDA0002590628280000171
Figure BDA0002590628280000172
优选可以为C1～C10亚烷基，更加优选可以为C1～C5亚烷基，R27、R28、R29、R30以及R31可以各自独立地为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C10亚烷基，R21、R22以及R23可以各自独立地为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
[化学式2]
Figure BDA0002590628280000173
在所述化学式2中，R17、R18以及R19可以各自独立地为氢、芳基或C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在所述化学式1表示的化合物，优选地，R24与R25可以为
Figure BDA0002590628280000174
在所述化学式1表示的化合物，优选地，R24可以为
Figure BDA0002590628280000181
R25可以为
Figure BDA0002590628280000182
还有，本发明的保护性涂层剂组合物还可以包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂以及附着促进剂中的一种以上，优选地，所述保护性涂层剂组合物还可以包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性添加剂以及附着促进剂。
本发明的切割工艺用保护性涂层剂可以包括由下面的化学式10表示的化合物。
[化学式10]
Figure BDA0002590628280000183
在所述化学式10中，R13与R14分别各自独立地为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基，R15可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在所述化学式10中，R24与R25可以各自独立地为
Figure BDA0002590628280000184
Figure BDA0002590628280000191
还有，在所述化学式10中，R0可以为
Figure BDA0002590628280000192
Figure BDA0002590628280000193
优选可以为
Figure BDA0002590628280000194
R9、R10、R11以及R32可以各自独立地为氢或C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基，R12可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式10中，R1可以为
Figure BDA0002590628280000195
Figure BDA0002590628280000196
优选可以为
Figure BDA0002590628280000197
还有，在所述化学式10中，R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8可以各自独立地为C1～C15亚烷基，优选可以为C1～C10亚烷基，n、m以及l可以各自独立地为1～50的整数，优选可以为1～20的整数。
还有，在所述化学式10中，R16可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基，R20可以为C1～C10亚烷基、
Figure BDA0002590628280000201
Figure BDA0002590628280000202
优选可以为C1～C10亚烷基，更加优选可以为C1～C5亚烷基，R27、R28、R29、R30以及R31可以各自独立地为C1～C10亚烷基，R21、R22以及R23可以各自独立地为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在所述化学式10中，A+可以为
Figure BDA0002590628280000203
R17、R18以及R19可以各自独立地为氢、芳基或C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在由化学式10表示的化合物，优选地，R24与R25可以为
Figure BDA0002590628280000204
在由化学式10表示的化合物中，优选地，R24可以为
Figure BDA0002590628280000205
R25可以为
Figure BDA0002590628280000206
进而，本发明的切割工艺用保护性涂层剂还可以包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂以及附着促进剂中的一种以上，优选可以包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂以及附着促进剂，而且，本发明的切割工艺用保护性涂层剂还可以包括水。
首先，极性有机溶剂用于溶解由化学式10表示的化合物，可以包括醇类溶剂、酮类溶剂以及二醇醚系溶剂中的一种以上，优选可以包括醇类溶剂与酮类溶剂中的一种以上，更加优选可以包括C1～C10醇类溶剂。
而且，相对于由化学式10表示的化合物100重量份，极性有机溶剂可以占8～500重量份，优选可以占8～36重量份，更加优选可以占9～33重量份。如果含量少于8重量份，由化学式10表示的化合物会析出；如果超过500重量份，用本发明的保护性涂层剂进行涂布时会有不适合进行涂层的问题。
其次，表面调节用添加剂用于给与用本发明的保护性涂层剂来涂布后的表面滑移特性，可以包括硅系表面调节用添加剂，优选可以包括PROTEX International社的MODAREZK-SE 305、MODAREZ K-SL 106、MODAREZ K-SL 107、BYK社的BYK-331、BYK-333、BYK-348以及BYK-3455中的一种以上。
而且，相对于由化学式10表示的化合物100重量份，表面调节用添加剂可以占0.08～100重量份，优选可以占0.08～0.6重量份，更加优选可以包括0.09～0.55重量份。表面调节用添加剂的重量份小于0.08重量份时，因滑移特性的不足而会发生杂质附着的问题；表面调节用添加剂的重量份超过100重量份时，密合力会减少。
其次，流动性调整剂用于调节本发明保护性涂层剂的黏度，可以包括PROTEXinternational社的PROX A 300、PROX AM 162 S、SYNTHRO THIX 608、BYK社的BYK-405、BYK-420以及BYK-7420ES中的一种以上。
而且，相对于化学式10表示的化合物100重量份，流动性调整剂可以占0.4～200重量份，优选可以占0.4～0.6重量份，更加优选可以占0.45～0.55重量份。流动性调整剂占的重量份小于0.4重量份时，因为黏度低，用本发明的保护性涂层剂进行涂层时涂层厚度会变薄，流动性调整剂占的重量份超过200重量份时，因为黏度高，涂层会缺乏均匀性。
再次，附着促进剂用于提高本发明的保护性涂层剂的密合力，可以包括BYK社的BYK-4509与BYK-4500中的一种以上。
而且，相对于由化学式10表示的化合物100重量份，附着促进剂可以占0.32～250重量份，优选可以占0.32～1.2重量份，更加优选可以占0.36～1.1重量份。附着促进剂占的重量份小于0.32重量份时，密合力会降低；附着促进剂占的重量份超过250重量份时，滑移特性会降低。
最后，相对于由化学式10表示的化合物100重量份，水可以占24～48重量份，优选可以占27～44重量份，更加优选可以占28.5～42重量份。水占的重量份小于24重量份时，在晶圆上用保护性涂层剂进行涂层时，涂层厚度会变厚，在剥离时会有困难；水占的重量份超过48重量份时，固化工作上会有问题。
另一方面，本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制备方法包括第一步骤至第三步骤。
首先，在第一步骤可以对由下面的化学式7表示的化合物，由下面的化学式8表示的化合物，由所述化学式9表示的化合物以及溶剂进行混合与聚合反应而制备第一聚合物。
[化学式7]
Figure BDA0002590628280000231
在所述化学式7中，R1可以为
Figure BDA0002590628280000232
Figure BDA0002590628280000233
优选可以为
Figure BDA0002590628280000234
还有，在所述化学式7中，R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8可以各自独立地为C1～C15亚烷基，优选可以为C1～C10亚烷基。
还有，在所述化学式7中，n、m以及1可以各自独立地为1～50的整数，优选可以为1～20的整数。
[化学式8]
O＝C＝N-R0-N＝C＝O
在所述化学式8中，R0可以为
Figure BDA0002590628280000241
Figure BDA0002590628280000242
优选可以为
Figure BDA0002590628280000243
还有，在所述化学式8中，R9、R10、R11以及R32可以各自独立地为氢或C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在化学式8中，R12可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
[化学式9]
Figure BDA0002590628280000244
在所述化学式9中，R13与R14可以各自独立地为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式9中，R15可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
在第一步骤使用的溶剂可以包括NMP(N-methylpyrrolidone，N-甲基-2-吡咯烷酮)、DMF(N，N-dimethylformamide，N,N-二甲基甲酰胺)、DMA(N，N-dimethylacetamide，N,N-二甲基乙酰胺)以及MEK(methyl ethyl ketone，甲基乙基酮)中的一种以上，优选可以包括NMP(N-methylpyrrolidone，N-甲基-2-吡咯烷酮)。
还有，在第一步骤，相对于由化学式7表示的化合物100重量份，由所述化学式8表示的化合物可以占101～153重量份，优选可以占114～140重量份，更加优选可以占120～134重量份。由化学式8表示的化合物占的重量份小于101重量份时，固化后的附着力会变弱；由化学式8表示的化合物占的重量份超过153重量份时，涂层后晶圆表面的可见性会降低。
还有，在第一步骤，相对于由化学式7表示的化合物100重量份，由化学式9表示的化合物可以占11～18重量份，优选可以占13～17重量份，更加优选可以占14～16重量份。由化学式9表示的化合物占的重量份小于11重量份时，对水的可分散性会降低；由化学式9表示的化合物占的重量份超过18重量份时，在固化后，耐水性会变弱。
还有，在第一步骤，相对于由化学式7表示的化合物100重量份，溶剂可以占40～61重量份，优选可以占45～56重量份，更加优选可以占39～45重量份。溶剂占的重量份小于40重量份时，因为黏度太高而涂层会缺乏均匀性，溶剂占的重量份超过61重量份时，因为黏度太低而涂层时会有困难。
还有，在第一步骤中，可以通过在80～150℃的温度下，优选在80～140℃的温度下，以150～250rpm，优选以170～230rpm进行1小时至3小时，优选1.5小时至2.5小时进行混合和/或聚合反应制备第一聚合物。
这时，被制备的第一聚合物可以为由下面的化学式5表示的化合物。
[化学式5]
Figure BDA0002590628280000261
在所述化学式5中，R13与R14可以各自独立地为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
而且，在所述化学式5中，R15可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在所述化学式5中，R26可以为
Figure BDA0002590628280000262
R0可以为
Figure BDA0002590628280000263
优选可以为
Figure BDA0002590628280000264
R9、R10、R11以及R32可以各自独立地为氢或C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基，R12可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式5中，R1可以为
Figure BDA0002590628280000271
Figure BDA0002590628280000272
优选可以为
Figure BDA0002590628280000273
R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8可以各自独立地为C1～C15亚烷基，优选可以为C1～C10亚烷基，n、m以及l各自独立地为可以为1～50的整数，优选可以为1～20的整数。
其次，在本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制备方法中第二步骤，可以通过在第一步骤制备的第一聚合物与由下面的化学式6表示的化合物以及由下面的化学式4表示的化合物中的一种以上进行混合与反应而制备第二聚合物或第三聚合物。
[化学式6]
Figure BDA0002590628280000274
在所述化学式6中，R20可以为C1～C10亚烷基、
Figure BDA0002590628280000275
优选可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。还有，R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地为可以C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式6中，R21、R22以及R23-各自独立地为可以C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
[化学式4]
R16-OH
在所述化学式4中，R16可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
具体说明通过本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制备方法中第二步骤制备第二聚合物的方法，可以对制备的第一聚合物与由所述化学式4表示的化合物进行混合与反应而制备第二聚合物，而被制备的第二聚合物可以为由下面的化学式1-1表示的化合物。
[化学式1-1]
Figure BDA0002590628280000281
在所述化学式1-1，R13与R14各自独立地为可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式1-1，R15可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在所述化学式1-1，R24与R25可以为
Figure BDA0002590628280000291
还有，在所述化学式1-1，R0可以为
Figure BDA0002590628280000292
Figure BDA0002590628280000293
优选可以为
Figure BDA0002590628280000294
R9、R10、R11以及R32各自独立地为可以氢或C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基，R12可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式1-1，R1可以为
Figure BDA0002590628280000295
Figure BDA0002590628280000296
优选可以为
Figure BDA0002590628280000297
还有，在所述化学式1-1，R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地可以为C1～C15亚烷基，优选可以为C1～C10亚烷基，n、m以及l各自独立地可以为1～50的整数，优选可以为1～20的整数。
还有，在所述化学式1-1，R16可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基，R20可以为C1～C10亚烷基、
Figure BDA0002590628280000301
Figure BDA0002590628280000302
优选可以为C1～C10亚烷基，更加优选可以为C1～C5亚烷基，R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基，R21、R22以及R23各自独立地可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在第二步骤制备第二聚合物时，相对于由化学式7表示的化合物100重量份，由化学式4表示的化合物可以占29～45重量份，优选可以占33～41重量份，更加优选可以占34～39重量份。由化学式4表示的化合物占的重量份小于29重量份时，固化后还会有黏附感；由化学式4表示的化合物的重量份超过45重量份时，固化后涂层的厚度会变薄。
还有，在第二步骤制备第二聚合物时，可以在70～110℃的温度下，优选在80～100℃的温度下，以150～250rpm，优选以170～230rpm进行10分钟～40分钟，优选20分钟～30分钟混合和/或反应而制备第二聚合物。
具体说明通过本发明切割工艺用保护性涂层剂的制备方法中第二步骤而制备第三聚合物的方法，所述第二步骤可以包括第2-1步骤以及第2-2步骤。
在本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制备方法的第2-1步骤，可以对已制备的第一聚合物与由所述化学式6表示的化合物进行混合与反应而制备第三中间聚合物，而制备的第三中间聚合物可以为由下面的化学式3表示的化合物。
[化学式3]
Figure BDA0002590628280000311
在所述化学式3中，R13与R14各自独立地可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式3中，R15可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在所述化学式3中，R26可以为
Figure BDA0002590628280000312
R25可以为
Figure BDA0002590628280000313
还有，在所述化学式3中，R0可以为
Figure BDA0002590628280000314
Figure BDA0002590628280000321
优选可以为
Figure BDA0002590628280000322
R9、R10、R11以及R32各自独立地可以为氢或C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基，R12可以是C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式3中，R1可以为
Figure BDA0002590628280000323
Figure BDA0002590628280000324
优选可以为
Figure BDA0002590628280000325
还有，在所述化学式3中，R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地可以为C1～C15亚烷基，优选可以是C1～C10亚烷基，n、m以及l各自独立地可以为1～50的整数，优选可以为1～20的整数。
还有，在所述化学式3中，R20可以为C1～C10亚烷基、
Figure BDA0002590628280000326
优选可以为C1～C10亚烷基，更加优选可以为C1～C5亚烷基，R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基，R21、R22以及R23各自独立地可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在第2-1步骤制备第三中间聚合物时，相对于由化学式7表示的化合物100重量份，由所述化学式6表示的化合物可以占33～51重量份，优选可以占37～47重量份，更加优选可以占39～45重量份。由所述化学式6表示的化合物的含量少于33重量份时，固化后涂层表面的均匀性会差，由所述化学式6表示的化合物的含量超过51重量份时，制备后会产生析出。
还有，在第二步骤制备第三中间聚合物时，可以在80℃～150℃的温度下，优选在80℃～140℃的温度下，以150～250rpm，优选以170rpm～230rpm进行60分钟～120分钟，优选75分钟～105分钟的混合和/或反应而制备第三中间聚合物。
在本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制备方法的第2-2步骤中，可以对在第2-1步骤制备的第三中间聚合制与由所述化学式4表示的化合物进行混合与反应而制备第三聚合物，被制备的第三聚合物可以为由下面的化学式1-2表示的化合物。
[化学式1-2]
Figure BDA0002590628280000331
在所述化学式1-2，R13与R14各自独立地可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式1-2，R15可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在所述化学式1-2，R24可以为
Figure BDA0002590628280000341
R25可以为
Figure BDA0002590628280000342
还有，在所述化学式1-2，R0可以为
Figure BDA0002590628280000343
Figure BDA0002590628280000344
优选可以为
Figure BDA0002590628280000345
R9、R10、R11以及R32各自独立地可以为氢或C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基，R12可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式1-2，R1可以为
Figure BDA0002590628280000346
Figure BDA0002590628280000347
优选可以为
Figure BDA0002590628280000351
还有，在所述化学式1-2，R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地可以为C1～C15亚烷基，优选可以为C1～C10亚烷基，n、m以及l各自独立地可以为1～50的整数，优选可以为1～20的整数。
还有，在所述化学式1-2，R16可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基，R20可以为C1～C10亚烷基、
Figure BDA0002590628280000352
Figure BDA0002590628280000353
优选可以为C1～C10亚烷基，更加优选可以为C1～C5亚烷基，R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地可以为C1～C10亚烷基，R21、R22以及R23各自独立地可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在第2-2步骤制备第三聚合物，相对于由化学式7表示的化合物100重量份，由化学式4表示的化合物可以占29～45重量份，优选可以占33～41重量份，更加优选可以占34～39重量份。由化学式4表示的化合物的含量少于29重量份时，固化后还会留下黏附感，由化学式4表示的化合物的含量超过45重量份时，固化后涂层的厚度会变薄。
还有，在第2-2步骤中制备第三聚合物时，可以在70℃～110℃的温度下，优选在80℃～100℃的温度下，以150～250rpm，优选以170～230rpm进行10分钟～40分钟，优选20分钟～30分钟的混合和/或反应而制备第三聚合物。
最后，切割工艺用保护性涂层剂的制备方法的第三步骤中，可以对已制备的第二聚合物或第三聚合物与由下面的化学式2表示的化合物与水进行混合和反应而制备由下面的化学式10表示的化合物。
[化学式2]
Figure BDA0002590628280000361
在所述化学式2中，R17、R18以及R19各自独立地可以为氢、芳基或C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
[化学式10]
Figure BDA0002590628280000362
在所述化学式10中，R13与R14各自独立地可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基，R15可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在所述化学式10中，R24与R25各自独立地可以为
Figure BDA0002590628280000363
Figure BDA0002590628280000371
还有，在所述化学式10中，R0可以为
Figure BDA0002590628280000372
Figure BDA0002590628280000373
优选可以为
Figure BDA0002590628280000374
R9、R10、R11以及R32各自独立地可以为氢或C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基，R12可以为C1～C10亚烷基，优选可以为C1～C5亚烷基。
还有，在所述化学式10中，R1可以为
Figure BDA0002590628280000375
Figure BDA0002590628280000376
优选可以为
Figure BDA0002590628280000377
还有，在所述化学式10中，R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地可以为C1～C15亚烷基，优选可以为C1～C10亚烷基，n、m以及l各自独立地可以为1～50的整数，优选可以为1～20的整数。
还有，在所述化学式10中，R16可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基，R20可以为C1～C10亚烷基、
Figure BDA0002590628280000381
Figure BDA0002590628280000382
优选可以为C1～C10亚烷基，更加优选可以为C1～C5亚烷基，R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地可以为C1～C10亚烷基，R21、R22以及R23各自独立地可以为C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
还有，在所述化学式10中，A+可以为
Figure BDA0002590628280000383
R17、R18以及R19各自独立地可以为氢、芳基或C1～C10烷基，优选可以为C1～C5烷基。
进一步具体说明切割工艺用保护性涂层剂的制备方法中的第三步骤，在通过对在第二步骤制备的第二聚合物与由所述化学式2表示的化合物与水进行混合和反应而制备的由下面的化学式10表示的化合物，R24与R25可以为
Figure BDA0002590628280000384
在通过第二步骤制备的第三聚合物与由所述化学式2表示的化合物与水进行混合和反应而制备的由下面的化学式10表示的化合物，R24可以为
Figure BDA0002590628280000385
R25可以为
Figure BDA0002590628280000391
还有，在第三步骤制备由所述化学式10表示的化合物时，相对于由化学式7表示的化合物100重量份，由化学式2表示的化合物可以占8～13重量份，优选可以占9～12重量份，更加优选可以占9.5～11重量份。由化学式2表示的化合物的含量少于8重量份时，在水分散作用上会有困难；由化学式2表示的化合物的含量超过11重量份时，由化学式2表示的化合物在去除涂层后也会残留。
还有，在第三步骤制备由所述化学式10表示的化合物时，相对于由化学式7表示的化合物100重量份，水可以占533～800重量份，优选可以占600～733重量份，更加优选可以占632～700。水的含量少于533重量份时，黏附感会太强；水的含量超过800重量份时，由化学式1表示的化合物含量会大幅降低而涂层厚度会变薄。
还有，在第四步骤，可以通过对由所述化学式2表示的化合物与水在10℃～50℃的温度下，优选在15℃～30℃的温度下，以400rpm至700rpm，优选以500rpm至600rpm，进行10分钟至120分钟，优选10分钟至60分钟的混合而制备混合物。对制备的混合物在10℃～50℃的温度下，优选在15℃至30℃的温度下，以400rpm至700rpm，优选以500rpm至600rpm，与第二聚合物或第三聚合物进行1小时至5小时，优选1小时至2小时的混合和反应而制备由所述化学式10表示的化合物。
在本发明的切割工艺用保护性涂层剂的制造方法，可以将极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂、附着促进剂以及水与已制备的由化学式10表示的化合物混合。
作为一个例子，如此制备的切割工艺用保护性涂层剂可以适用于如下的晶圆加工工艺。
晶圆加工工艺可以包括：第一工序，其在晶圆表面用所述本发明的保护性涂层剂进行涂层；第二工序，其在牵拉装置上配置所述晶圆；第三工序，其对所述晶圆进行切割工艺(dicing)；第四工序，从切割工艺中被切削的部品中仅甄选良品而排列良品；第五工序，其从所述被选别的良品中剥离本发明的切割工艺用保护性涂层剂；以及第六工序，其对所述切割工艺用保护性涂层剂被剥离后的良品进行检查。
所述第一工序可以在0℃～50℃的温度下进行1秒～60秒，优选可以在15℃～35℃温度下进行20秒～50秒。
本发明的切割工艺用涂层剂的适用范围不局限于半导体制备工艺，也可以较佳使用于玻璃制备工艺，在其制备工艺中会发生由表面的刮痕造成的损伤或因杂质造成的污染。
虽然本发明已以实施例记载如上，然而其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员在不脱离本发明的基本特性的范围之内，当可做些许的变更与润饰。比如说，在本发明的实施例中具体描述的各种构成要素可以变形实施的。与这些变更与润饰有关的区别都应解释为包括于本发明后附的权利要求书所限定的范围。
实施例
实施例1：制备切割工艺用保护性涂层剂
(1)在反应器内投入了由下面的化学式7-1表示的化合物、由下面的化学式8-1表示的化合物、由下面的化学式9-1表示的化合物以及N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)后，加热反应器而将反应器内部的温度调节为100℃。然后，以200rpm的搅拌速度进行两个小时的混合与聚合反应而制备了第一聚合物。
这时，相对于由下面的化学式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化学式8-1表示的化合物126.7重量份、由下面的化学式9-1表示的化合物14.8重量份以及N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)50.5重量份。
[化学式7-1]
Figure BDA0002590628280000411
在所述化学式7-1中，R1为
Figure BDA0002590628280000412
R2为-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，R3为-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2，n为7。
[化学式8-1]
O＝C＝N-R0-N＝C＝O
在所述化学式8-1中，R0为
Figure BDA0002590628280000421
R9、R10以及R11为甲基，R12为亚甲基。
[化学式9-1]
Figure BDA0002590628280000422
在所述化学式9-1中，R13与R14为亚甲基，R15为乙基。
(2)在已制备的第一聚合物中投入了由下面的化学式6-1表示的化合物，并在90℃的温度下以200rpm的搅拌速度进行90分钟的混合与反应而制备了第三中间聚合物。
这时，对由所述化学式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化学式6-1表示的化合物42重量份。
[化学式6-1]
Figure BDA0002590628280000423
在所述化学式6-1中，R20为–CH2CH2CH2-，R21、R22以及R23为甲基。
(3)在90℃的温度下，在已制备的第三中间聚合物中投入了由下面的化学式4-1表示的化合物，并以200rpm的搅拌速度进行25分钟的混合与反应而制备了第三聚合物。
这时，相对于由所述化学式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化学式4-1表示的化合物36.8重量份。
[化学式4-1]
R16-OH
在所述化学式4-1中，R16为乙基。
(4)对由下面的化学式2-1表示的化合物与水在25℃的温度下，以550rpm的搅拌速度进行1个小时的混合而制备了混合物。在已制备的第三聚合物投入了所述混合物，在25℃的温度下，以550rpm的搅拌速度进行1个小时的混合与反应而制备了由下面的化学式10-1表示的化合物。
这时，相对于由所述化学式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化学式2-1表示的化合物10.1重量份以及水666.3重量份。
[化学式2-1]
Figure BDA0002590628280000431
在所述化学式2-1中，R17、R18以及R19为乙基。
[化学式10-1]
Figure BDA0002590628280000432
在所述化学式10-1中，R13与R14为亚甲基，R15为乙基，R24为
Figure BDA0002590628280000441
R25为
Figure BDA0002590628280000442
R0为
Figure BDA0002590628280000443
R9、R10以及R11为甲基，R12为亚甲基，R1为
Figure BDA0002590628280000444
R2为–CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，R3为–CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，n为7，R16为乙基，R20为–CH2CH2CH2-，R21、R22以及R23为甲基，A+为
Figure BDA0002590628280000445
R17、R18以及R19为乙基。
实施例2～13：制备切割工艺用保护性涂层剂
根据与实施例1相同的方法制备了切割工艺用保护性涂层剂。但是，如下面的表1中所记载的，变更所使用的化合物的量而制备了切割工艺用保护性涂层剂。
[表1]
Figure BDA0002590628280000446
Figure BDA0002590628280000451
实施例14：制备切割工艺用保护性涂层剂
(1)在反应器内投入了由下面的化学式7-1表示的化合物，由下面的化学式8-1表示的化合物，由下面的化学式9-1表示的化合物以及N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)后，加热反应器而将反应器内部的温度调节为100℃。然后，以200rpm的搅拌速度进行2个小时的混合与聚合反应而制备了第一聚合物。
这时，相对于由下面的化学式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化学式8-1表示的化合物126.7重量份、由下面的化学式9-1表示的化合物14.8重量份以及N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)50.5重量份。
[化学式7-1]
Figure BDA0002590628280000461
在所述化学式7-1中，R1为
Figure BDA0002590628280000462
R2为-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，R3为-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，n为9。
[化学式8-1]
O＝C＝N-R0-N＝C＝O
在所述化学式8-1中，R0为
Figure BDA0002590628280000463
R9、R10以及R11为甲基，R12为亚甲基。
[化学式9-1]
Figure BDA0002590628280000464
在所述化学式9-1中，R13与R14为亚甲基，R15为乙基。
(2)在90℃的温度下，在已制备的第一聚合物中投入了由下面的化学式4-1表示的化合物，并以200rpm的搅拌速度进行25分钟的混合与反应而制备了第二聚合物。
这时，相对于由所述化学式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化学式4-1表示的化合物36.8重量份。
[化学式4-1]
R16-OH
在所述化学式4-1中，R16为乙基。
(3)对由下面的化学式2-1表示的化合物与水在25℃的温度下以550rpm的搅拌速度进行一个小时的混合而制备了混合物。在已制备的第二聚合物中投入所述混合物并在25℃的温度下以550rpm的搅拌速度进行一个小时的混合与反应而制备了由下面的化学式10-2表示的化合物。
这时，相对于由所述化学式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化学式2-1表示的化合物10.1重量份和水666.3重量份。
[化学式2-1]
Figure BDA0002590628280000471
在所述化学式2-1中，R17、R18以及R19为乙基。
[化学式10-2]
Figure BDA0002590628280000481
在化学式10-2中，R13与R14为亚甲基，R15为乙基，R24以及R25为
Figure BDA0002590628280000482
R0为
Figure BDA0002590628280000483
R9、R10以及R11为甲基，R12为亚甲基，R1为
Figure BDA0002590628280000484
R2为–CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，R3为–CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，n为9，R16为乙基，R20为–CH2CH2CH2-，R21、R22以及R23为甲基，A+为
Figure BDA0002590628280000485
R17、R18以及R19为乙基。
制备例1～13
相对于在实施例1-13中制备的由化学式10-1表示的化合物100重量份，投入了作为极性有机溶剂的异丙醇10重量份、表面调节用添加剂(BYK社，BYK-333)0.1重量、流动性调整剂(PROTEX international社、PROX A300)0.5重量份、附着促进剂(BYK社，BYK-4509)0.4重量份以及水30重量份。然后，在25℃的温度下以500rpm的搅拌速度进行60分钟的混合而制备了用于切割工艺的保护性涂层剂。
制备例14
相对于在实施例14中制备的由化学式10-2表示的化合物100重量份，投入了作为极性有机溶剂的四氢糠醇30重量份、表面调节用添加剂(BYK社，BYK-331)0.5重量份、流动性调整剂(PROTEX international社，PROX AM 162S)0.5重量份、附着促进剂(BYK社，BYK-4500)1重量份以及水40重量份。然后，在25℃的温度下以500rpm的搅拌速度进行60分钟的混合而制备了用于切割工艺的保护性涂层剂。
实验例1
使用在制备例1～14中制备的切割工艺用保护性涂层剂对晶圆实施了旋涂。然后，在120℃的温度下进行了一分钟的热固化。对此，测定如下的物性并在表2中显示了所述测定结果。
(1)铅笔硬度
将用于测定铅笔硬度的铅笔以45°的角度插入硬度测定器(CORE TECH)并在施加一定的荷重(1kg)的同时推着所述铅笔进行了铅笔硬度测定。使用的铅笔是由Mitsubishi社制造的铅笔，其为表示H至9H、F、HB、B至6B硬度的铅笔。
(2)黏附力
根据ASTM D 3359，在被固化的涂层上用切割器(cutter)形成格子形状的划痕后，并在其上坚固地粘附3M胶带后，用一定的力将胶带数次剥离并观察了涂层与基材之间的贴紧的程度。这时，在经涂布的支撑体表面上以1mm间隔以11X11呈十字形地切割而形成100个正方形，在其上附着所述胶带(3M胶带)后急剧地拉下去而对其表面进行了评价。这时，剩下的方眼为100个时以5B表示，95个以上以4B表示85个以上以3B表示，65个以上以2B表示，35个以上以1B，其以下以0B表示。
(3)抗磨性(％)
为了测定涂层膜的抗磨性，用Taber Type Abrasion Tester(QM600T，Qmesys)对各涂层膜施加500g的荷重并以70rpm的速度进行从50次到300次的磨损。然后，使用UV-Visible Spectrometer(UV-2450，Shimadzu)在600nm波长领域测定透过率而评价抗磨性。涂层膜的抗磨性程度是通过如下定义透过率损失％(Transmittance Loss％)而决定的，透过率损失％越大，试样抗磨性越不佳。
Transmittance Loss％＝100(B-A)/B
A＝测定试样的抗磨性后在600nm波长的透过率(％)
B＝测定试样的抗磨性前在600nm波长的透过率(％)
[表2]
Figure BDA0002590628280000501
Figure BDA0002590628280000511
如所述表2中的记载，在制备例1与14中被制备的切割工艺用保护性涂层剂不但具有优秀的铅笔硬度与黏附力，而且其透过率损失也更低(更佳的抗磨性)。
还有，在制备例1-3中被制备的切割工艺用保护性涂层剂比在制备例4～5中被制备的切割工艺用保护性涂层剂具有更加优秀的铅笔硬度与黏附力，还具有更低的透过率损失。
还有，在制备例1、6～7中被制备的切割工艺用保护性涂层剂比在制备例8～9中被制备的切割工艺用保护性涂层剂具有更加优秀的铅笔硬度与黏附力，也具有更低的透过率损失。
还有，在制备例1、10～11中被制备的切割工艺用保护性涂层剂比在制备例12～13中被制备的切割工艺用保护性涂层剂具有更高的铅笔硬度与黏附力，还有更低的脱过率损失。
本领域普通技术人员可以容易实施对本发明的简单变更或润饰，而所述变更或润饰都可以解释为包括于本发明后附的权利要求书所限定的范围。

Claims (8)

1.一种切割工艺用保护性涂层剂，其被涂布在晶圆表面上，其特征在于，
所述保护性涂层剂且具有2H～5H的铅笔硬度、2B～5B的黏附力以及8～35％的抗磨性，并且，
所述保护性涂层剂包括由下面的化学式10表示的化合物：
[化学式10]
Figure FDA0003270134150000011
在所述化学式10中，R13与R14各自独立地为C1～C10亚烷基，R15为C1～C10烷基，R24与R25各自独立地为
Figure FDA0003270134150000012
，R0为
Figure FDA0003270134150000013
R9、R10、R11以及R32各自独立地为氢或C1～C10烷基，R12为C1～C10亚烷基，R1为
Figure FDA0003270134150000021
Figure FDA0003270134150000022
R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自独立地为C1～C15的亚烷基，n、m以及l各自独立地为1～50的整数，R16为C1～C10烷基，R20为C1～C10亚烷基、
Figure FDA0003270134150000023
Figure FDA0003270134150000024
R27、R28、R29、R30以及R31各自独立地为C1～C10亚烷基，R21、R22以及R23各自独立地为C1～C10烷基，A+为
Figure FDA0003270134150000025
R17、R18以及R19各自独立地为氢、芳基或C1～C10烷基。
2.如权利要求1所述的切割工艺用保护性涂层剂，其中，
所述保护性涂层剂还包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂以及附着促进剂中的一种以上。
3.如权利要求1所述的切割工艺用保护性涂层剂，其中，
所述保护性涂层剂包括极性有机溶剂、表面调节用添加剂、流动性调整剂以及附着促进剂。
4.如权利要求3所述的切割工艺用保护性涂层剂，所述保护性涂层剂相对于由所述化学式10表示的化合物100重量份包括极性有机溶剂8～500重量份、表面调节用添加剂0.08～100重量份、流动性调整剂0.4～200重量份以及附着促进剂0.32～250重量份。
5.如权利要求1所述的切割工艺用保护性涂层剂，其中，
由所述化学式10表示的化合物的R24与R25为
Figure FDA0003270134150000031
6.如权利要求1所述的切割工艺用保护性涂层剂，其中，
由所述化学式10表示的化合物的R24为
Figure FDA0003270134150000032
R25为
Figure FDA0003270134150000033
7.一种晶圆切割工艺，其包括：
第一工序，其在晶圆表面上涂布权利要求1至权利要求6中任何一项所述的切割工艺用保护性涂层剂；
第二工序，其将所述晶圆配置于牵拉装置；以及
第三工序，其将所述晶圆切割。
8.如权利要求7所述的晶圆切割工艺，其中，所述第一工序在0～50℃下进行1～60秒。
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