DD143920A1 - Ausstreifmittel zum entfernen von positivfotolacken - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Ausstreifmittel zura Entfernen von
Positivfotolacken von Halbleitern und/oder metallischen Unterlagen und
findet bevorzugt bei der Reinigung von auf mit Al-Belegungen versehenen
Halbleiterbauelementen von Positivfotolacken Anwendung. Der
normalerweise durch Verwendung alkalischer wäßriger alkalisilikathaltiger
Lösungen zur Fotolackentwicklung erfolgende Angriff
-auf die metallische, insbesondere aus Aluminium bestehende Unterlage,
wird durch den erfindungsgemäß den Lösungen zugegebenen Zusatz in Form
von Ammoniak vollständig bei der Fotolackentfernung unterbunden.
Description
·*- 213 1
Titel der Erfindung . .
Ausstreifmittel zum Entfernen von Positivfotolacken
Die Erfindung betrifft ein Ausstreifmittel zum Entfernen von Positivfotolacken von metallisclien Unterlagen. Das erfindungsgemäße Ausstreifmittel findet vorteilhaft Anwendung zur Entfernung von Positivfotolacken von mit leitbahnen und Kontaktflächen versehenen Halbleiterbauelementen, insbesondere bei Verwendung von Aluminium, dem meistverwendeten Material für derartige Metallbelegungen.
Es ist bekannt, zur Entfernung von Fotolacken von Halbleiterscheiben oder metallischen Unterlagen organische, saure oder alkalische Ausstreifmittel zu verwenden. Derartige organische AusStreifmittel (z. B. Azeton) erfordern im allgemeinen spezielle Sicherheitsmaß nahmen-. Sauere Medien (z, B. HgSO, oder chromschwe^elsäurehaltige Bäder) erfordern z. T. höhere Temperaturen bzw. sina 'für spezielle Materialkombinationen (z. B, Si/SiOg/Al) einsetzbar. Bei anderen Materialien besteht die Gefahr des unkontrollierbaren Ätzens beim Lacklösen. Es ist weiterhin bekannt, daß eine wäßrige alkalische Metallhydroxidlösung zur Fotolaekentfernung geeignet ist. Zum Beispiel wird dies in der US - PS 3.331.718 angegeben. Solch eine Behandlung einer Al-Kombination ist jedoch nur möglich, wenn es sich um große Al-Schichtdicken bzw. unkritische Strukturgrössen handelt, da die Lacklösung und das Al-Ätzen mit vergleichbaren Eaten erfolgt. Ebenfalls sind trockene Potolackentfer-
-Z-
21 3 11
nungsverfahren bekannt (DDE - WP 134.654), bei denen der Fotolack einer Plasmaentladung ausgesetzt wird. Die Verwendung solcher Verfahren zur Fotolackentfernung zwecks Eeinigung der Oberfläche nach erfolgten Behandlungsschritten verbietet sich jedoch aus ökonomischen Gründen bei vorheriger Verwendung naßchemischer Ätz- und Strukturierungsverfahren.
Ziel der Erfindung ·
Es 1st das Ziel der Erfindung, die Mängel des Standes der Technik zu beheben.
Wesen der Erfindung ' _.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein anorganisches alkalisches wäßriges Ausstreifmittel anzugeben, welches den abzulösenden Positivfotolack schnell und sicher entfernt, ohne dabei die metallische, insbesondere aus Aluminium bestehende, Unterlage anzugreifen. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß bekannten,zur Fotolackentwicklung dienenden, alkalischen wäßrigen alkalisilikathaltigen lösungen, die metallischen Unterlagen, insbesondere Aluminium, angreifen, als diesen Angriff verhindernde Komponente Ammoniak der lösung zugegeben ist. Durch diese den alkalischen wäßrigen alkalisilikathaltigen Lösungen zugegebene erfindungsgemäße Komponente, kann überraschenderweise der Angriff der metallischen, insbesondere aus Aluminium bestehenden, Unterlage völlig unterbunden werden, ohne daß die Lackentfernungsgeschwindigkeit reduziert wird. Die Zugabe des Ammoniaks erfolgt vorteilhaft erweise in etwa 25 $iger wäßriger Lösung zu der Lösung des alkalischen Mediums, z. B. Ka3PO^ · 12H20/Na2Si03 · 8H2O. Die Lackablösezeit beträgt für etwa 2/um dicke Positivfotolackschichten, die bis 30 Minuten bei 420 K getempert wurden, etwa 1 Minute. Bei gleichzeitiger Ultraschallbehandlung wird die Ablösezeit weiter reduziert. Um saubere Materialoberflächen zu erhalten, sind abschließende Spülungen notwendig. Dem Fachmann ist es ersichtlich, daß es besonders vorteilhaft ist, über ein die Unterlage nicht angreifendes anorganisches wäßriges aikalisilikathaltiges Ausstreifmittel zu verfügen, da bei 'Verwendung eines solchen Ausstreifmittels
in bezug auf die naßchemisch vorgenommenen Strukturierungsschritte der Unterlage und der Spülungen, die {Technologie im Hinblick auf den Zeit- als auch Änlagenaufwand vereinfacht wird.
Ausführun%sb eisp.i el
Zur näheren Illustration der erfindungsgeinäßen Lösung möge folgendes Ausführungsbeispiel dienen. 250 ml NKOH (25 #ig) wird mit 30 g JTa^PO. · 12H?0 und 30 g NapSiO- . 8Hp0 in H9O
*J ^T Cm J £. Cm
gelöst und auf 1 1 aufgefüllt. Die Lackentfernung erfolgt hei Raumtemperatur durch Eintauchen der noch "belackten, geätzten Substrate (30 Minuten bei 400 K vor dem Ätzen getempert) in obiger Lösung. Unter dem Lack befindet sich Aluminium bzw. eine Al-Schichtkombination. Die Lackablösezeit beträgt 30 see. Eine gleichzeitige Ultraschallbehandlung verkürzt die Lackablösezeit auf ca. 20 see. Abschließend ist eine Spülung in deionisiertem Wasser und Trocknung notwendig. Eine Al-Atzung konnte nicht nachgewiesen werden. Ein längeres Verbleiben der Substrate in der Ausstreiflösung ist völlig unkritisch in bezug auf einen Al-Angriff.
Claims (2)
- -♦ - 213 11Erfindungsansprüche1. Ausstreifmittel zum Entfernen von Positivfotolacken, die auf durch anorganische alkalische wäßrige alkalisilikathaltige lösungen angreifbaren metallischen, insbesondere aus Aluminium bestehenden, Unterlagen aufgebracht sind, gekennzeichnet dadurch, daß den anorganischen alkalischen wäßrigen alkalisilikathaltigen Lösungen als den Angriff der metallischen Unterlage verhindernde Komponente Ammoniak zugegeben ist.
- 2. Ausstreifmittel nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß einer alkalischen alkallsilikathaltigen Lösung Ammoniak in vorzugsweise 25 $iger wäßriger Lösung zugegeben ist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD21311479A DD143920A1 (de) | 1979-05-24 | 1979-05-24 | Ausstreifmittel zum entfernen von positivfotolacken |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD21311479A DD143920A1 (de) | 1979-05-24 | 1979-05-24 | Ausstreifmittel zum entfernen von positivfotolacken |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD143920A1 true DD143920A1 (de) | 1980-09-17 |
Family
ID=5518310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD21311479A DD143920A1 (de) | 1979-05-24 | 1979-05-24 | Ausstreifmittel zum entfernen von positivfotolacken |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD143920A1 (de) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0195106A1 (de) * | 1985-03-22 | 1986-09-24 | Ibm Deutschland Gmbh | Herstellung einer Abhebemaske und ihre Anwendung |
| US5759973A (en) * | 1996-09-06 | 1998-06-02 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Photoresist stripping and cleaning compositions |
| US5817610A (en) * | 1996-09-06 | 1998-10-06 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| WO1999044101A1 (en) * | 1998-02-26 | 1999-09-02 | Alpha Metals, Inc. | Resist stripping process |
| WO1999060448A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-11-25 | Mallinckrodt Inc. | Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
| CN111630117A (zh) * | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Mti株式会社 | 用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂 |
-
1979
- 1979-05-24 DD DD21311479A patent/DD143920A1/de unknown
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