DE2713391C3 - Verfahren zum Herstellen eines Trägermaterials für gedruckte Schaltungen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines Trägermaterials für gedruckte SchaltungenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Trägermaterials für gedruckte Schaltungen,
das mit einer Dünnkupferschicht versehen ist, auf welche eine Abdeckmaskenschicht aufgebracht
wird und in den nicht abgedeckten Bereichen durch Metallabscheidung Leiterzüge aufgebracht werden.
Aus der DE-AS 1 226 181 ist es bekannt, auf ein Trägermaterial eine Kupferfolie mittels eines Klebers
sicher zu befestigen. Zur Verbesserung der Haftung zwischen der Kupferfolie und dem Trägermaterial
wird die Kupferfolie vor dem Aufbringen des Klebers mit einer Oxydschicht auf der zu bindenden Kupferoberfläche
versehen.
Hierdurch wird eine festere Bindung erzielt, als wenn sine unbehandelte Kupferoberfläche benutzt
wird. Wenn jedoch eine derartige oxydierte Kupferfolie verwendet wird, von der Teile des Metalls durch
chemische Ätzung entfernt werden, so bleibt eine Oxydschicht auf der Oberfläche des Trägermaterials
zurück, bei deren Beseitigung durch Verlängerung der Ätzzeit die Gefahr besteht, daß die Teile des Metalls,
die als Schaltung zurückbleiben solien, unter der Schutzschicht angegriffen werden. Es ist auch bekannt,
eine Dünnkupferschicht durch stromlose Metallabscheidung bzw. Aufdampfen auf dem Trägermaterial
herzustellen. Um Unterätzungen, die insbesondere bei schmalen Leiterzügen unerwünscht sind,
zu vermeiden, soll die Dünnkupferschicht eine geringe Dicke aufweisen. Eine derartige geringe Dicke der
Dünnkupferschicht wirkt sich auch gnüstig F.uf den Ätzvorgang im Hinblick auf seine Wirtschaftlichkeit
aus. Um nun eine ausreichende Haftung zwischen der Kupferoberfläche der Dünnkupferschicht und der
darauf aufzubringenden Abdeckschicht, beispielsweise einer im Siebdruck aufgebrachten Abdeckfarbe
bzw. eines Lichtdrucklackes oder eines lichtempfindlichen Trockenfilms zu erreichen und Blasenbildungen
bei der Behandlung in den Galvanikbädern oder dergleichen zu vermeiden, ist es aus der Veröffentlichung
von G. Herrmann, »Leiterplatten«, erschienen im E. Leuze Verlag, insbesondere Seite 126, bekannt,
die Kupferoberfläche der Dünnkupferschicht chemisch anzuätzen oder mechanisch aufzurauhen.
Dieses bekannte Verfahren weist jedoch eine Reihe von Nachteilen auf, die von großer Umständlichkeit
und geringer Wirtschaftlichkeit bis zu ungenügender Zuverlässigkeit reichen. Im Hinblick auf die geringe
Materialstärke der Dünnkupferschicht können die Material abtragenden Verfahren zur Vermeidung einer
Verletzung der Dünnkupferschicht nicht oder nicht wirtschaftlich benutzt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die der Abdeckmaskenschicht zugewandte Oberfläche der
Dünnkupferschicht auf wirtschaftliche Weise so zu behandeln, daß einerseits eine sichere Haftung der
Abdeckmaskenschicht erreicht wird und daß andererseits die Dünnkupferschicht nicht verletzt wird.
Erfindungsgemäß erfolgt die Lösung dieser Verfahrensaufgabe dadurch, daß das mit der Dünnkupferschicht
versehene Trägermaterial durch ein oder mehrere Walzenpaare geführt wird, wobei einzelnen
oder allen Walzen oder der Oberfläche der Kupferschicht eine Aufschlämmung zugeführt wird, die
Quarzmehl beziehungsweise Glasstaub od. dgl. enthält, um so durch Einpressen der Mehl- oder Staubpartikel
die Oberfläche mikrorauh zu machen.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird in vorteilhafter Weise erreicht, daß die der Abdeckmaskenschicht
zugewandte Oberfläche der Dünnkupferschicht praktisch ohne Abtragen des Kupfermaterials
so gleichmäßig aufgerauht wird, daß eine sichere Haftung der Abdeckmaskenschicht erzielt werden kann,
wobei sich keine Tendenz zur Blasenbildung zeigt. Bei der Zuführung der Aufschlämmung zu allen Walzen
erfolgt zwar auch eine Aufrauhung der Rückseite des Trägermaterials. Dies hat jedoch für die weitere Verarbeitung
der herzustellenden Schaltungsplatte keinen Nachteil, so daß ein derartiges Aufrauhen ohne
weiteres in -Kauf genommen werden kann.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Für die mechanische Bearbeitung wird das Trägermaterial mit der Dünnkupferschicht zwischen einem
vorzugsweise jedoch mehreren Paaren von mit einem Gummi oder anderen geeigneten Überzug versehenen
Walzen geführt, wobei gleichzeitig den Walzen bzw.
der Kupferoberfläche eine Aufschlämmung von feinkörnigem
Material, wie Quarzmehl oder Glasstaub zugeführt wird. Dadurch wird durch Einpressen der
Körner die Aufrauhung der Dünnkupferschichtoberfläche bewirkt.
Im Anschluß daran wird die Oberfläche in bekannter Weise von Quarzmehlrückständen gereinigt, beispielsweise
durch Abspülen mit Wasser unter hohem Druck.
Es ist bekannt, daß eine oxydative Behandlung zur Ausbildung eines Schutzfilms auf der Dünnkupferschichtoberfläche
führt, der diese bei der weiteren Verarbeitung vor mechanischer Beschädigung ebenso
wie vor Fingerabdrücken und dergleichen bewahrt, die bei der Aufbringung der Abdeckmaskenschicht
sich nachteilig auswirken können. Zur oxydativen Behandlung sind eine Vielzahl von an sich bekannten
Produkten, wie beispielsweise Ebonol, geeignet. In vorteilhafter Weise werden wäßrige Lösungen benutzt,
die Natriumchlorid Trinatriumphosphat und Natriumhydroxyd enthalten. Diese Lösungen können
in bekannter Weise eine Benetzersubstanz oder an-
dere Zusätze enthalten.
Eine geeignete Oxydationslösung besteht aus
160 g/l Natriumchlorit
10 g/l Trinatriumphosphat
IC g/l Natriumhydroxyd
in Wasser, vorzugsweise destilliertem Wasser.
10 g/l Trinatriumphosphat
IC g/l Natriumhydroxyd
in Wasser, vorzugsweise destilliertem Wasser.
Grundsätzlich kann die oxydative Behandlung mit der mechanischen Behandlung in aufeinanderfolgenden
Sch/itten kombiniert werden, wobei eis sich als vorteilhaft erwiesen hat, die oxydative Behandlung
der mechanischen folgen zu lassen. Besonders zweckmäßig aber hat sich erwiesen, beide Schritte zu vereinigen
und die Oxydationsmittellösung der Aufschlämmung von Quarzmehl beziehungsweise Glasstaub
od. dgl. zuzusetzen.
Das mit der Oxydschicht geschützte Trägermaterial kann in dieser Form ohne Gefahr über längere Zeiträume
gelagert oder sogleich durch Aufbringen der Abdeckmaskenschicht weiterverarbeitet werden.
Die Oxydschicht kann in einem späteren Verfahrensschritt, beispielsweise durch Tauchen in verdünnte
Schwefelsäure, entfernt werden.
Claims (6)
1. Verfahren zum Herstellen eines Trägermaterials für gedruckte Schaltungen, das mit einer
Dünnkupferschicht versehen ist, auf welche eine Abdeckmaskenschicht aufgebracht wird und in
den nicht abgedeckten Bereichen durch Metallabscheidung Leiterzüge aufgebracht werden, dadurch
gekennzeichnet, daß das mit der Dünnkupferschicht versehene Trägermaterial durch ein oder mehrere Walzenpaare geführt wird,
wobei einzelnen oder allen Walzen oder der Oberfläche der Kupferschicht eine Aufschlämmung zugeführt
wird, die Quarzmehl beziehungsweise Glasstaub oder dergleichen enthält, um so durch
Einpressen der Mehl- oder Staubpartikel die Oberfläche mikrorauh zu machen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche mit einer Oxydschicht
ausgestattet ist, die diese gegen Einflüsse beim Lagern beziehungsweise bei der Weiterverarbeitung
bis zum Aufbringen der Abdeckschicht schützt.
3. Verfahren zum Herstellen eines Trägermaterial
nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Dünnkupferschicht
zusätzlich mit einem Oxydationsmittel behandelt wird, welches der Glasstaub- oder
Quarzmehlmischung zugesetzt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Oxydationsmittel eine wäßrige
Lösung von Natriumchlorit, Trinatriumphosphat und Natriumhydroxyd verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung
160 g/l Natriumchlorit
10 g/l Trinatriumphosphat
10 g/l Natriumhydroxyd
in Wasser enthält.
in Wasser enthält.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Walzenrollen
aus elastischem Material bestehen beziehungsweise mit einem Überzug aus solchem versehen
sind.
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| OGA | New person/name/address of the applicant | ||
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