JP2009004383A - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】積層構造のサイドエッチングを防止して良好な形状にパターニングすることができる表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１の側から、下地層である平坦化層１３を介して、ＩＴＯなどよりなる密着層１４Ｂ、銀（Ａｇ）または銀を含む合金よりなる反射層１４ＡおよびＩＴＯなどよりなるバリア層１４Ｃをこの順に積層したのち、バリア層１４Ｃの上にマスク４１を形成し、このマスク４１を用いて一括してエッチングすることにより積層構造１４を形成する。エッチングガスとしては、例えばメタン（ＣＨ4 ）を含むものが好ましい。この積層構造１４を陽極として、その上に絶縁膜、発光層を含む有機層、および陰極としての共通電極をこの順に積層して有機発光素子を形成する。積層構造１４は、液晶ディスプレイの反射電極、反射膜あるいは配線としても使用可能である。
【選択図】図６

Description

本発明は、反射電極，反射膜あるいは配線などとして好適な積層構造の製造方法およびこれを用いて製造された積層構造、表示素子ならびに表示装置に関する。

近年、フラットパネルディスプレイの一つとして、有機発光素子を用いた有機発光ディスプレイが注目されている。有機発光ディスプレイは、自発光型であるので視野角が広く、消費電力が低いという特性を有し、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けて開発が進められている。

有機発光素子としては、例えば、基板の上に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）および平坦化層などを介して、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極が順に積層されたものが知られている。発光層で発生した光は、基板の側から取り出される場合もあるが、第２電極の側から取り出される場合もある。

光を取り出す側の電極としては、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）などの透過性を有する導電性材料により構成された透明電極が用いられることが多い。透明電極の構成については、従来より種々の提案がなされている。例えば、ＩＴＯの厚膜化によるコスト上昇を回避するため、銀（Ａｇ）などよりなる金属薄膜と酸化亜鉛（ＺｎＯ）などよりなる高屈折率薄膜とを積層するようにした提案がある（例えば、特許文献１参照。）。この透明電極では、高屈折率薄膜の厚みを５ｎｍ〜３５０ｎｍ、金属薄膜の厚みを１ｎｍ〜５０ｎｍと、高屈折率薄膜を金属薄膜に比較して相対的に厚くして透明性を高めると共に、高屈折率薄膜により金属薄膜の表面での反射を低減するようにしている。

光を取り出さない側の電極には種々の金属電極が用いられることが多い。例えば、光を第２電極の側から取り出す場合には、陽極である第１電極は例えばクロム（Ｃｒ）などの金属により構成される。従来では、例えば、第１電極をクロムよりなる金属材料層とクロムの酸化物よりなる緩衝薄膜層との２層構造とし、金属材料層を構成するクロムの表面粗さを緩衝薄膜層により緩和するようにした提案がある（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００２−３３４７９２号公報 特開２００２−２１６９７６号公報

光を第２電極の側から取り出す場合、発光層で発生した光は、第２電極を通って直接取り出されるものもあるが、第１電極で一度反射してから第２電極を通って放出されるものもある。従来は第１電極をクロムなどにより構成していたので、第１電極における光の吸収率が大きく、第１電極で反射されてから取り出される光の損失が大きいという問題があった。第１電極の光吸収率が有機発光素子に与える影響は大きく、発光効率が低いと同一輝度を得るために必要な電流量が増加する。駆動電流量の増加は、有機発光素子の実用化にとって極めて重要な素子寿命に大きな影響を及ぼす。

そのため、例えば、第１電極を、金属のうちで最も反射率の高い銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成することが考えられる。その場合、銀は極めて反応性に富むので、変質あるいは腐食などを防止するため、例えば上述した従来技術のように銀層の表面に緩衝薄膜層などを設けることが有益であると思われる。

また、このような第１電極の上面には有機膜が直接成膜されるために、不純物を可能な限り取り除く必要があり、更には、電極としてエッチング加工した後には緩衝薄膜層下の銀の側面が露出するために、加工後に残存したマスク（フォトレジスト）を剥離液によって剥離する際に、銀や銀合金が溶け出さないことが必要である。

しかしながら、従来から銀のパターニングに用いられているウェットエッチング技術では、第１電極を銀層の表面に緩衝薄膜層を設けた積層構造とする場合、銀層と緩衝薄膜層とのエッチングレートの差により銀層にサイドエッチングが生じ、前記第１電極の形状不良により有機発光素子の欠陥を招くおそれがある。また、銀層がサイドエッチングされてできた空孔には、酸素あるいは薬液などが残存しやすく、有機発光素子の寿命に大きな影響を与える。

また、第１電極をエッチング加工した後のフォトレジストの剥離液としては、有機溶剤とアミノアルコールを組合わせたもの（例えば、特許文献３，４）が提案されており、一般的にアミノアルコールとして、高い剥離性を有すること、価格が安価であることから２−アミノエタノールが用いられている。

しかしながら、この２−アミノエタノールを用いた場合、緩衝薄膜層上のフォトレジストを完全に取り去ることができず、その不純物のため滅点などの欠陥を生じる可能性が考えられる。更に、２−アミノエタノールを含有したフォトレジスト剥離液を用いて、銀および銀合金をエッチングした後のフォトレジストを剥離した場合、第１電極の側面に露出した銀および銀合金が剥離液によって腐食され、欠陥を生じる可能性がある。
特開平５−２８１７５３公報 米国特許第５４８０５８５号

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、複数の層をエッチングする際にエッチングレートの差に起因するサイドエッチングを防止し、エッチング後の形状を良好にすることができる積層構造の製造方法およびこれを用いた積層構造、表示素子ならびに表示装置を提供することにある。

本発明の第２の目的は、上記の複数層を一括エッチングした後のマスク（フォトレジスト膜）を剥離する際に、複数の層を構成する銀および銀合金に対して腐食性がなく、且つ高い剥離性を有し、滅点の原因となる不純物を除去できる剥離液を使用することで、欠陥を低減し、高い信頼性を得ることのできる積層構造の製造方法およびこれを用いた積層構造、表示素子ならびに表示装置を提供することにある。

本発明による積層構造の製造方法は、基板に複数の層を順に積層する工程と、複数の層の上にマスクを形成する工程と、マスクを用いて複数の層を一括してエッチングする工程とマスクを剥離液で剥離する工程とを含むものである。複数の層を順に形成する工程は、例えば、基板に密着層を形成する工程と、密着層の表面に接して銀層を形成する工程と、銀層の表面に接して銀層を保護するバリア層を形成する工程とを含むものである。

複数の層のうちの一層として、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された銀層を形成することができるが、このときフォトレジストマスクを用いたエッチング後の剥離液としては、前記剥離液は、ジエチレントリアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）−２プロパノール、Ｎ−（３−アミノプロピル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−２−アミノエタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、ジプロピレントリアミン、トリエチレンテトラミンおよびホルモリンのうちの少なくとも一種からなる有機アミノ化合物と、１種または２種以上の極性有機溶剤とを含有する、非水性のフォトレジスト剥離液組成物を用いることが好ましく、更に、このとき有機アミノ化合物の総含有量含有量を、２０質量％以上５０質量％以下、更に、極性有機溶剤を、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンおよびＮ−メチル−２−ピロリジノンのうちの少なくとも一種とすることが望ましい。

本発明による積層構造は、基板に、密着層と、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された銀層と、バリア層とを順に形成したのち、バリア層の上にマスクを形成し、このマスクを用いてバリア層、銀層および密着層を一括してエッチングすることにより形成されたものである。

本発明による表示素子は、基板に、密着層と、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された銀層と、バリア層とを順に形成したのち、バリア層の上にマスクを形成し、このマスクを用いてバリア層、銀層および密着層を一括してエッチングすることにより形成された積層構造を備えたものである。

本発明による表示装置は、基板に複数の表示素子を備えたものであって、表示素子は、密着層と、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された銀層と、バリア層とを順に形成したのち、バリア層の上にマスクを形成し、このマスクを用いてバリア層、銀層および密着層を一括してエッチングすることにより形成された積層構造を備えたものである。

本発明による積層構造の製造方法では、基板に複数の層が順に積層されたのち、これらの複数の層の上にマスクが形成される。続いて、このマスクを用いて複数の層が一括してエッチングされる。このマスクは剥離液により剥離される。

本発明による積層構造、表示素子および表示装置では、バリア層、銀層および密着層が一括してエッチングされることによって、銀層のサイドエッチングが防止される。そして、このとき、マスクの剥離液に水が含まれていると、剥離液に含まれる成分が水と反応してアルカリ性を示すようになり、銀層の側面を腐食したり粒界に入り込み、表示素子の画素内の腐食を進行させるため欠陥が増加するが、特に、上記の非水性の剥離液でマスクを剥離することにより、露出した側面の銀が腐食されることもなく、バリア層表面のマスクおよび不純物が完全に除去されるため、信頼性が向上する。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光ディスプレイとして用いられるものであり、駆動パネル１０と封止パネル２０とが対向配置され、熱硬化型樹脂よりなる接着層３０により全面が貼り合わせられている。駆動パネル１０は、例えば、ガラスなどの絶縁材料よりなる基板１１の上に、ＴＦＴ１２および平坦化層１３を介して、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に設けられている。

ＴＦＴ１２のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続され、ソースおよびドレイン（いずれも図示せず）は、例えば酸化シリコンあるいはＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）などよりなる層間絶縁膜１２Ａを介して設けられた配線１２Ｂに接続されている。配線１２Ｂは、層間絶縁膜１２Ａに設けられた図示しない接続孔を介してＴＦＴ１２のソースおよびドレインに接続され、信号線として用いられる。配線１２Ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）―銅（Ｃｕ）合金により構成されている。なお、ＴＦＴ１２の構成は、特に限定されず、例えば、ボトムゲート型でもトップゲート型でもよい。

平坦化層１３は、ＴＦＴ１２が形成された基板１１の表面を平坦化し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層の膜厚を均一に形成するためのものである。平坦化層１３には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの積層構造１４と配線１２Ｂとを接続する接続孔１３Ａが設けられている。平坦化層１３は、微細な接続孔１３Ａが形成されるため、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化層１３の材料としては、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの無機材料を用いることができる。本実施の形態では、平坦化層１３は、例えばポリイミド等の有機材料により構成されている。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、基板１１の側から、ＴＦＴ１２および平坦化層１３を介して、陽極としての積層構造（第１電極）１４、絶縁膜１５、発光層を含む有機層１６、および陰極としての共通電極（第２電極）１７がこの順に積層されている。共通電極１７の上には、必要に応じて、保護膜１８が形成されている。

積層構造１４は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。そのため、積層構造１４は、例えば、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された反射層１４Ａを含むことが好ましい。銀は金属の中で最も反射率が高く、反射層１４Ａにおける光の吸収損失を小さくすることができるからである。なお、反射層１４Ａを銀により構成するようにすれば反射率を最も高くすることができるので好ましいが、銀と他の金属との合金により構成するようにすれば、化学的安定性および加工精度を高めることができると共に、後述する密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃとの密着性も向上させることができるので好ましい。銀は非常に反応性が高く、加工精度および密着性も低いなど、極めて取り扱いが難しいからである。

反射層１４Ａの積層方向の膜厚（以下、単に膜厚と言う）は、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。膜厚がこの範囲内であれば、高い反射率を得ることができるからである。更に、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であればより好ましい。反射層１４Ａを薄くすることにより表面粗さを小さくすることができ、したがって後述するバリア層１４Ｃの膜厚を薄くして光の取り出し効率を上げることができるからである。また、反射層１４Ａを薄くすることにより、製造途中の熱工程により反射層１４Ａが結晶化して表面の凹凸が激しくなるのを緩和し、反射層１４Ａ表面の凹凸によりバリア層１４Ｃの欠陥が増加するのを阻止することができるからである。

積層構造１４は、例えば、基板１１の側から、密着層１４Ｂ、反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃがこの順に積層されていることが好ましい。密着層１４Ｂは、基板１１の平坦面１１Ａと反射層１４Ａとの間に設けられ、反射層１４Ａが平坦化層１３から剥離するのを防止するものである。バリア層１４Ｃは、反射層１４Ａを構成する銀あるいは銀を含む合金が空気中の酸素あるいは硫黄成分と反応することを防止すると共に、反射層１４Ａを形成した後の製造工程においても反射層１４Ａがダメージを受けることを緩和する保護膜としての機能を有している。また、バリア層１４Ｃは、銀または銀を含む合金よりなる反射層１４Ｂの表面粗さを緩和する表面平坦化膜としての機能をも有している。

積層構造１４は、後述するように、基板１１に、密着層１４Ｂと、反射層１４Ａと、バリア層１４Ｃとを順に形成したのち、バリア層１４Ｃの上にマスクを形成し、このマスクを用いてバリア層１４Ｃ、反射層１４Ａおよび密着層１４Ｂを一括してエッチングすることにより形成されたものである。積層構造１４の側壁面１４Ｄの形状は、図１に示したような連続面に限られず、一部階段状になっていてもよいし、折れ線状、曲線状、あるいは曲線をつないだような形状などの不均一な形状であってもよい。更に、側壁面１４Ｄは、基板１１あるいは平坦化層１３に対して垂直であってもよく、斜めになっていてもよい。

バリア層１４Ｃは、例えば、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む金属化合物または導電性酸化物により構成されていることが好ましい。具体的には、バリア層１４Ｃは、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ；Indium Zinc Oxide ），酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成されていることが好ましい。これらの材料をバリア層１４Ｃとして用いることにより積層構造１４の平坦性を高めることができるので、有機層１６の各層の膜厚が均一になり、有機層１６の膜厚不足による積層構造１４と共通電極１７との短絡の虞がなくなると共に、特に後述の共振器構造を形成する場合には画素内色むらの発生を防いで色再現性を高めることができるので好適であるからである。また、これらの材料は可視光領域における光吸収性が極めて小さいことから、バリア層１４Ｃにおける吸収損失を低減し、光取り出し効率を高めることができるからである。更に、バリア層１４Ｃは、有機層１６への正孔注入効率を高めるという仕事関数調整層としての機能も有しており、反射層１４Ａよりも仕事関数の高い材料により構成されていることが好ましいからである。なかでも、生産性の観点からはＩＴＯおよびＩＺＯが特に好ましい。

バリア層１４Ｃの膜厚は、上述した保護膜としての機能を確保するためには例えば、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。更に、光取り出し効率を高めるためには、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であればより好ましい。

密着層１４Ｂは、例えば、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む金属化合物または導電性酸化物により構成されていることが好ましい。具体的には、密着層１４Ｂは、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ；Indium Zinc Oxide ），酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成されていることが好ましい。バリア層１４Ｃおよび反射層１４Ａをエッチングした後に密着層１４Ｂをエッチングする際に、新たなマスクを形成したりエッチングガスを変更する必要がなく、同じマスクを用いて同じエッチングガスによりパターニングすることができるからである。更に、密着層１４Ｂを構成する材料とバリア層１４Ｃを構成する材料とが、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）のうち少なくとも一つ同じ元素を含むようにすればより好ましく、中でもインジウム（Ｉｎ）を含むようにすれば特に好ましい。

密着層１４Ｂの膜厚は、反射層１４Ａのヒロックあるいは剥離を抑制できる程度であることが好ましい。具体的には、５ｎｍ以上５０ｎｍであることが好ましく、更に１０ｎｍ以上３０ｎｍであればより好ましい。

本実施の形態では、密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃは、例えば両者ともＩＴＯにより構成されている。その他、例えば、密着層１４ＢをＩＴＯ、バリア層１４ＣをＩＺＯによりそれぞれ構成することが可能である。あるいは、密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃは、両者ともＩＺＯにより構成されていてもよい。あるいは、密着層１４ＢをＺｎＯ、バリア層１４ＣをＩＴＯによりそれぞれ構成してもよい。

絶縁膜１５は、積層構造１４と共通電極１７との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域の形状を正確に所望の形状とするためのものである。絶縁膜１５は、例えば、膜厚が６００ｎｍ程度であり、酸化シリコンあるいはポリイミドなどの絶縁材料により構成されている。絶縁膜１５は、積層構造１４の側壁面１４Ｅから上面の周辺部にかけてを覆うように形成され、積層構造１４すなわち有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域に対応して開口部１５Ａが設けられている。

有機層１６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によって構成が異なっている。図２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂにおける有機層１６の構成を拡大して表すものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂの有機層１６は、正孔輸送層１６Ａ，発光層１６Ｂおよび電子輸送層１６Ｃが積層構造１４の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層１６Ａは、発光層１６Ｂへの正孔注入効率を高めるためのものである。本実施の形態では、正孔輸送層１６Ａが正孔注入層を兼ねている。発光層１６Ｂは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものであり、絶縁膜１５の開口部１５Ａに対応した領域で発光するようになっている。電子輸送層１６Ｃは、発光層１６Ｂへの電子注入効率を高めるためのものである。

有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１６Ａは、例えば、膜厚が４５ｎｍ程度であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１６Ｂは、例えば、膜厚が５０ｎｍ程度であり、２，５−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）―Ｎ−フェニルアミノ］］スチリルベンゼン―１，４−ジカーボニトリル（ＢＳＢ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１６Ｃは、例えば、膜厚が３０ｎｍ程度であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）により構成されている。

有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１６Ａは、例えば、膜厚が３０ｎｍ程度であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１６Ｂは、例えば、膜厚が３０ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１６Ｃは、例えば、膜厚が３０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ3 により構成されている。

図３は、有機発光素子１０Ｇにおける有機層１６の構成を拡大して表すものである。有機発光素子１０Ｇの有機層１６は、正孔輸送層１６Ａおよび発光層１６Ｂが積層構造１４の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層１６Ａは、正孔注入層を兼ねており、発光層１６Ｂは、電子輸送層を兼ねている。

有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１６Ａは、例えば、膜厚が５０ｎｍ程度であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１６Ｂは、例えば、膜厚が６０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ3 にクマリン６（Ｃ６；Coumarin６）を１体積％混合したものにより構成されている。

図１ないし図３に示した共通電極１７は、例えば、膜厚が１０ｎｍ程度であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属または合金により構成されている。本実施の形態では、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀との合金（ＭｇＡｇ合金）により構成されている。

共通電極１７は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのすべてを覆うように形成されている。共通電極１７の電圧降下を抑制するため、絶縁膜１５の上には補助電極１７Ａが設けられていることが好ましい。補助電極１７Ａは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの隙間を縫って設けられており、その端部は、基板１１の周辺部に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられた領域を取り囲むように形成された図示しない母線となる幹状補助電極に接続されている。補助電極１７Ａおよび図示しない母線となる幹状補助電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）あるいはクロム（Ｃｒ）のような低抵抗の導電性材料を単層あるいは積層構造としたものにより構成されている。

共通電極１７は、また、半透過性反射層としての機能を兼ねている。すなわち、この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、積層構造１４の反射層１４Ａとバリア層１４Ｃとの界面を第１端部Ｐ１、共通電極１７の発光層１６Ｂ側の界面を第２端部Ｐ２とし、有機層１６およびバリア層１４Ｃを共振部として、発光層１６Ｂで発生した光を共振させて第２端部Ｐ２の側から取り出す共振器構造を有している。このように共振器構造を有するようにすれば、発光層１６Ｂで発生した光が多重干渉を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することにより、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、色純度を向上させることができるので好ましい。また、封止パネル２０から入射した外光についても多重干渉により減衰させることができ、後述するカラーフィルタ２２（図１参照）との組合せにより有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける外光の反射率を極めて小さくすることができるので好ましい。

そのためには、共振器の第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌは数１を満たすようにし、共振器の共振波長（取り出される光のスペクトルのピーク波長）と、取り出したい光のスペクトルのピーク波長とを一致させることが好ましい。光学的距離Ｌは、実際には、数１を満たす正の最小値となるように選択することが好ましい。

（数１）
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（式中、Ｌは第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離、Φは第１端部Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ1 と第２端部Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和（Φ＝Φ1 ＋Φ2 ）（ｒａｄ）、λは第２端部Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬが正となる整数をそれぞれ表す。なお、数１においてＬおよびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）

図１に示した保護膜１８は、例えば、膜厚が５００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下であり、透明誘電体からなるパッシベーション膜である。保護膜１８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ），窒化シリコン（ＳｉＮ）などにより構成されている。

封止パネル２０は、図１に示したように、駆動パネル１０の共通電極１７の側に位置しており、接着層３０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止する封止用基板２１を有している。封止用基板２１は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板２１には、例えば、カラーフィルタ２２が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。

カラーフィルタ２２は、封止用基板２１のどちら側の面に設けられてもよいが、駆動パネル１０の側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２２が表面に露出せず、接着層３０により保護することができるからである。カラーフィルタ２２は、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂを有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。

赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

さらに、カラーフィルタ２２における透過率の高い波長範囲と、共振器構造から取り出す光のスペクトルのピーク波長λとは一致している。これにより、封止パネル２０から入射する外光のうち、取り出す光のスペクトルのピーク波長λに等しい波長を有するもののみがカラーフィルタ２２を透過し、その他の波長の外光が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに侵入することが防止される。

この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。

図４ないし図１４はこの表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図４（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に、ＴＦＴ１２，層間絶縁膜１２Ａおよび配線１２Ｂを形成する。

次に、図４（Ｂ）に示したように、基板１１の全面に、例えばスピンコート法により上述した材料よりなる平坦化層１３を形成し、露光および現像により平坦化層１３を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１３Ａを形成する。そののち、ポリイミドをイミド化させるため、クリーンベーク炉で例えば３２０℃の温度で焼成する。

続いて、図５（Ａ）に示したように、平坦化層１３によって形成された平坦面１１Ａの上に、例えばスパッタ法により、例えばＩＴＯよりなる密着層１４Ｂを例えば２０ｎｍの膜厚で形成する。

そののち、図５（Ｂ）に示したように、密着層１４Ｂの上に、例えばスパッタ法により、例えば銀を含む合金よりなる反射層１４Ａを例えば１００ｎｍの膜厚で形成する。このように、平坦化層１３の上に、密着層１４Ｂを介して反射層１４Ａを形成することにより、反射層１４Ａが下地層としての平坦化層１３から剥離するのを防止することができる。更に、剥離した部分からエッチング液あるいは空気などが侵入し、反射層１４Ａを構成する銀または銀を含む合金がそれらに含まれる酸素や硫黄成分などと反応することを防止することもできる。

次に、図５（Ｃ）に示したように、反射層１４Ａの上に、例えばスパッタ法により、例えばＩＴＯよりなるバリア層１４Ｃを例えば１０ｎｍの膜厚で形成する。このように、反射層１４Ａの成膜後、速やかにバリア層１４Ｃを形成することにより、反射層１４Ａを構成する銀または銀を含む合金が空気中の酸素または硫黄成分と反応することを防止することができると共に、反射層１４Ａを形成した後の製造工程においても反射層１４Ａに対するダメージを緩和し、反射層１４Ｂとバリア層１４Ｃとの界面を清浄に保つことができる。

密着層１４Ａ，反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃを形成したのち、図６（Ａ）に示したように、例えばリソグラフィ技術を用いて、バリア層１４Ｃの上に、例えばフォトレジスト膜よりなるマスク４１を形成する。

続いて、図６（Ｂ）に示したように、このマスク４１を用いて、バリア層１４Ｃ、反射層１４Ａおよび密着層１４Ｂを一括してエッチングする。

その後、図７（Ａ）に示したように、剥離液を用いてマスク４１を除去する。本実施の形態に好適な剥離液は、以下の構成を有するフォトレジスト剥離液組成物からなるものである。

このフォトレジスト剥離液組成物は、化（１）で表される化合物、化（２）で表される化合物および化（３）で表される化合物からなる群から選択された１種または２種以上の有機アミノ化合物と、１種または２種以上の極性有機溶剤とを含有し、且つ、水を含有しない混合溶液であり、更には、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸および没食子酸エステルとからなる群から選択される１種または２種以上の防食剤を添加することができる。

（化１）
ＮＨ2 −Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｚ
（式中、Ａ，Ｂはそれぞれ相互に独立して、直鎖状または分岐鎖状をなす、炭素数１〜５のアルキレン基、ＹはＮＨまたはＯのいずれかであり、ＺはＮＨ2 ，ＯＨ，ＮＨ−Ｄ−ＮＨ2 （ここで、Ｄは直鎖状または分岐鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基）である）

（化２）
ＮＨ2 −Ａ−Ｎ（−Ｂ−ＯＨ）2
( 式中、Ａ，Ｂは化（１）と同じである。)

（式中、R はＨ，炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のヒドロキシアルキル基、または炭素数１〜５のアミノアルキル基である）

上述の、化（１）、化（２）および化（３）で表される化合物からなる群から選択される有機アミノ化合物は、銀および／または銀合金を含む積層構造をパターニングした後に残るマスク（フォトレジスト膜）を除去する際に、後述の特定の防食剤を添加することにより、フォトレジストおよびフォトレジスト変質層の剥離性能、および銀，銀合金に対する腐食性を改善することができる。

ここで、上記化（１）および化（２）中のＡおよびＢの炭素数は、フォトレジスト剥離性および銀に対する腐食性を考慮すると、ＡおよびＢの炭素数が合計して２〜１０が好ましく、さらに好ましくは、２〜６個である。

これらの有機アミノ化合物のうち、ジエチレントリアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）−２プロパノール、Ｎ−（３−アミノプロピル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−２−アミノエタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、ジプロピレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ホルモリンが好ましく、特に、フォトレジストおよびフォトレジスト変質層に対して高い剥離性を有し、更に、銀および銀合金に対する腐食性が小さいアミノアルコールとして、２−（２−アミノエトキシ）エタノールが好ましい。

また、有機アミノ化合物の総含有量は、フォトレジストおよびフォトレジスト変質層の剥離性能、および銀，銀合金に対する腐食性を考慮すると、２０質量％以上５０質量％以下の範囲が好ましい。すなわち、２０質量％未満であると、フォトレジスト変質層の剥離性が低下し、５０質量％より多くなると、銀，銀合金に対する腐食性が問題となる。

また、上記有機アミノ化合物に混合される極性有機溶剤は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、モノエチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルアセトアミド等のアミド系溶剤、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−エチルピロリジノン等のピロリジノン系溶剤、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコールのアルコール系溶剤、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶剤、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン系溶剤、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のラクトン系溶剤が挙げられる。

これらの中で、本実施の形態の極性有機溶剤として好ましいのは、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−エチルピロリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドであり、フォトレジスト変質層の除去性の観点より、更に好ましくは、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシド、より好ましくは１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンおよびＮ−メチル−２−ピロリジノンである。

防食剤としては、アミノ酢酸、酢酸等の有機酸、フロログルシノール、レゾルシノール、フェノール、ベンゾトリアゾール、ピロカテコール、ハイドロキノン、没食子酸、没食子酸エステル、ピロガロールがあり、これらを添加すると、銀および銀合金に対する腐食性がより改善される。

なお、上述のように、有機アミノ化合物の好ましい例として、２−（２−アミノエトキシ）エタノール等を挙げたが、他の有機アミノ化合物として、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン等が挙げられる。しかし、このうち、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン等は、銀および銀合金に対する腐食性は比較的問題はないが、フォトレジスト変質層に対する剥離性が低いという問題がある。これに対して、モノエタノールアミンは、高い剥離性を有するものの、銀および銀合金を腐食するという問題がある。

従って、有機アミノ化合物としてモノエタノールアミンを用いる場合には、極性有機溶剤と共に防食剤が必須であり、上述の防食剤のうち、特にピロカテコール、ハイドロキノン、没食子酸、没食子酸エステルまたはピロガロールを添加することにより、高い剥離性が得られると同時に、銀および銀合金に対する腐食性の問題も解消することが可能になる。

なお、モノエタノールアミンと混合する極性有機溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、モノエチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルアセトアミド等のアミド系溶剤、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−エチルピロリジノン等のピロリジノン系溶剤、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコールのアルコール系溶剤、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶剤、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン系溶剤、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のラクトン系溶剤が挙げられる。好ましくは、Ｎ−メチル−２−ピロジノンおよび／または１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンである。

以上、種々の非水性のフォトレジスト剥離液を用いることができるが、本実施の形態では、例えば、１種類のアミノアルコールを２０〜４０質量％、１種類の極性有機溶剤を１０〜３０質量％、残りを他の種類の極性有機溶剤としたものを用いる。これにより、バリア層１４Ｃ上に残存したマスク４１（フォトレジスト）が除去され、且つ側面に露出した反射層１４Ａを構成する銀および銀合金の腐食も最小限に抑えられるため、表示装置として用いた場合の滅点などの欠陥が少なくなり、信頼性が向上する。

図７に戻って説明を続けると、マスク４１を除去したのち、図７（Ｂ）に示したように、基板１１の全面にわたり、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学的気相成長）法により絶縁膜１５を上述した膜厚で成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて絶縁膜１５のうち発光領域に対応する部分を選択的に除去し開口部１５Ａを形成する。

次に、図８に示したように、絶縁膜１５の上に、基板１１の全面にわたり補助電極１７Ａを形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。

続いて、図９に示したように、例えば蒸着法により、上述した膜厚および材料よりなる有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１６Ａ，有機発光素子１０Ｒの発光層１６Ｂおよび有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１６Ｃを順次成膜し、有機発光素子１０Ｒの有機層１６を形成する。その際、形成予定領域に対応して開口５１Ａを有する金属性の蒸着マスク５１を用い、発光領域、すなわち絶縁膜１５の開口部１５Ａに対応して成膜するようにすることが好ましい。但し、開口部１５Ａにのみ高精度に蒸着することは難しいので、開口部１５Ａ全体を覆い、絶縁膜１５の縁に少しかかるようにしてもよい。

そののち、蒸着マスク５１をずらして、図１０に示したように、有機発光素子１０Ｒの有機層１６と同様にして、上述した膜厚および材料よりなる有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１６Ａおよび発光層１６Ｂを順次成膜し、有機発光素子１０Ｇの有機層１６を形成する。続いて、蒸着マスク５１を再びずらして、同じく図１０に示したように、有機発光素子１０Ｒの有機層１６と同様にして、上述した膜厚および材料よりなる有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１６Ａ，発光層１６Ｂおよび電子輸送層１６Ｃを順次成膜し、有機発光素子１０Ｂの有機層１６を形成する。なお、図１０には、蒸着マスク５１の開口５１Ａが有機発光素子１０Ｂの有機層１６に対向している状態を表している。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１６を形成したのち、図１１に示したように、基板１１の全面にわたり、例えば蒸着法により、上述した膜厚および材料よりなる共通電極１７を形成する。これにより、共通電極１７は、既に形成されている補助電極１７Ａおよび図示しない母線となる幹状補助電極に電気的に接続される。以上により、図１ないし図３に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。

次に、図１２に示したように、共通電極１７の上に、上述した膜厚および材料よりなる保護膜１８を形成する。これにより、図１に示した駆動パネル１０が形成される。

また、図１３（Ａ）に示したように、例えば、上述した材料よりなる封止用基板２１の上に、赤色フィルタ２２Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２２Ｒを形成する。続いて、図１３（Ｂ）に示したように、赤色フィルタ２２Ｒと同様にして、青色フィルタ２２Ｂおよび緑色フィルタ２２Ｇを順次形成する。これにより、封止パネル２０が形成される。

封止パネル２０および駆動パネル１０を形成したのち、図１４に示したように、基板１１の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成した側に、熱硬化型樹脂よりなる接着層３０を塗布形成する。塗布は、例えば、スリットノズル型ディスペンサーから樹脂を吐出させて行うようにしてもよく、ロールコートあるいはスクリーン印刷などにより行うようにしてもよい。次いで、図１に示したように、駆動パネル１０と封止パネル２０とを接着層３０を介して貼り合わせる。その際、封止パネル２０のうちカラーフィルタ２２を形成した側の面を、駆動パネル１０と対向させて配置することが好ましい。また、接着層３０に気泡などが混入しないようにすることが好ましい。そののち、封止パネル２０のカラーフィルタ２２と駆動パネル１０の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの相対位置を整合させてから所定温度で所定時間加熱処理を行い、接着層３０の熱硬化性樹脂を硬化させる。以上により、図１ないし図３に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、例えば、積層構造１４と共通電極１７との間に所定の電圧が印加されると、有機層１６の発光層１６Ｂに電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより、主として発光層１６Ｂの正孔輸送層１６Ａ側の界面において発光が起こる。この光は、第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間で多重反射し、共通電極１７を透過して取り出される。ここでは、バリア層１４Ｃ，反射層１４Ａおよび密着層１４Ｂが一括してエッチングされているので、反射層１４Ａのサイドエッチングが防止され、積層構造１４が良好な形状に形成されている。よって、反射層１４Ａあるいはバリア層１４Ｃの形状不良に起因する有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの欠陥が防止され、寿命が長くなる。

このように、本実施の形態では、密着層１４Ｂ，反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃをこの順に形成したのち、マスク４１を用いて一括してエッチングすることにより、サイドエッチングによる反射層１４Ａあるいはバリア層１４Ｃの形状不良の発生を確実に防止できる。

また、エッチング後のマスク４１を上述のような非水性のフォトレジスト剥離液を用いて剥離するようにしたので、バリア層１４Ｃの表面のレジスト残りがなくなり、側面に露出した銀や銀合金の腐食を防止することができる。従って、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの滅点等の欠陥を低減し、寿命を長くすることが可能になる。よって、積層構造１４が銀または銀を含む合金により構成された反射層１４Ａを含む場合に特に好適であり、積層構造１４の反射率を高めて光取り出し効率を向上させることができる。

更に、マスク４１を何度も作り直さず、１つのマスク４１により密着層１４Ｂ，反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃをエッチングするようにしたので、現像液あるいは剥離液などによるバリア層１４Ｃへのダメージを最小限に抑えると共に、工程数を従来の約３分の１に減らすことができる。よって、優れた性能を有する表示装置を低コストで製造することができる。

〔第２の実施の形態〕
図１５は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。この表示装置は、透過型・反射型併用（半透過型）の液晶ディスプレイとして用いられるものであり、駆動パネル６０と対向パネル７０とが対向配置され、その間に液晶８０が設けられている。

駆動パネル６０は、例えばガラスよりなる基板６１に、画素電極６２がマトリクス状に設けられている。基板６１には、画素電極６２に電気的に接続された駆動素子としてのＴＦＴ６３および配線６３Ａなどを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。基板６１の液晶８０に対向する側には、配向膜６４が全面に設けられ、反対側には偏光板６５が設けられている。また、基板６１の表面とＴＦＴ６３および配線６３Ａとの間には、第１の実施の形態と同様の積層構造１４が設けられている。積層構造１４とＴＦＴ６３および配線６３Ａとの間には、例えば絶縁膜６６が設けられている。

画素電極６２は、例えば透明電極６２Ａと反射電極６２Ｂとを有している。透明電極６２Ａは、例えばＩＴＯにより構成され、反射電極６２Ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）あるいは銀（Ａｇ）により構成されている。反射電極６２Ｂは、透明電極６２Ａの一部領域に重ねるように形成されている。反射電極６２Ｂが形成された領域は、反射型表示領域となり、透明電極６２Ａの反射電極６２Ｂが重ねられていない領域が、透過型表示領域となる。

ＴＦＴ６３のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続され、ソース（図示せず）は信号線としての配線６３Ａに接続され、ドレイン（図示せず）は、画素電極６２に接続されている。配線６３Ａの材料は、第１の実施の形態の配線１３Ｂと同様である。また、ＴＦＴ６３の構成は、第１の実施の形態のＴＦＴ１２と同様、特に限定されない。ＴＦＴ６３および配線６３Ａは、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる保護膜６３Ｂにより被覆されている。

積層構造１４は、本実施の形態では、透明電極６２Ａに入射しなかった入射光を反射させて図示しないバックライトの側へ戻すための反射膜としての役割を有している。密着層１４Ｂ，反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃの材料および膜厚などについては第１の実施の形態と同様である。

配向膜６４は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの斜め蒸着膜により構成されている。この場合、斜め蒸着時の蒸着角度を変えることにより、後述する液晶８０のプレティルト角が制御される。配向膜６４としては、また、ポリイミドなどの有機化合物をラビング（配向）処理した膜を用いることも可能である。この場合、ラビング条件を変更することによりプレティルト角が制御される。

偏光板６５は、図示しないバックライトからの光を一定方向の直線偏光に変える光学素子であり、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムなどを含んで構成されている。

絶縁膜６６は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）により構成されている。なお、絶縁膜６６は、プロセスによってはポリイミド膜を用いることも可能である。

対向パネル７０は、駆動パネル６０の画素電極６２の側に位置しており、ガラスなどよりなる対向基板７１を有している。対向基板７１には、例えば、画素電極６２に対向して、透明電極７２およびカラーフィルタ７３が対向基板７１側から順に積層されて設けられている。また、対向基板７１には、カラーフィルタ７３の境界に沿って、ブラックマトリクスとしての光吸収膜７４が設けられている。対向基板７１の液晶８０に対向する側には、配向膜７５が全面に設けられ、反対側には偏光板７６が設けられている。

透明電極７２は、例えばＩＴＯにより構成されている。カラーフィルタ７３は、第１の実施の形態のカラーフィルタ２２と同様に構成されている。光吸収膜７４は、対向基板７１に入射した外光あるいは配線６４により反射された外光の反射光などを吸収してコントラストを向上させるものであり、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルターにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ）とを交互に積層したものが挙げられる。配向膜７５および偏光板７６は、駆動パネル６０の配向膜６４および偏光板６５と同様に構成されている。

液晶８０は、電圧を印加することにより配向状態が変化して透過率を変化させるものである。駆動時に液晶分子の傾斜する方向が一様でないと明暗のむらが生じるため、これを避けるために、あらかじめ液晶８０にはわずかなプレティルト角が一定方向に与えられている。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、基板６１の平坦面６１Ａに、第１の実施の形態と同様にして、密着層１４Ｂ，反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃをすべて積層したのち一括してエッチングする。その後前記フォトレジスト剥離液を用いてマスクを剥離する。次に、この積層構造１４を覆うように上述した材料よりなる絶縁膜６６を形成し、更に、透明電極６２Ａおよび反射電極６２Ｂを形成して画素電極６２を形成する。続いて、積層構造１４および絶縁膜６６の上に、ＴＦＴ６３および配線６３Ａを形成し、保護膜６３で被覆する。そののち、基板６１の全面に配向膜６４を形成し、ラビング処理を行う。これにより、駆動パネル６０が形成される。

また、対向基板７１の表面に透明電極７２、光吸収膜７４およびカラーフィルタ７３を形成する。次に、対向基板７１の全面に配向膜７５を形成し、ラビング処理を行う。これにより、対向パネル７０が形成される。

次に、駆動パネル６０または対向パネル７０の周辺部分に例えばエポキシ樹脂などよりなるシール材（図示せず）を設け、球状あるいは柱状のスペーサ（図示せず）を設ける。続いて、駆動パネル６０および対向パネル７０を、画素電極６２と透明電極７２とが対向するように位置合わせし、シール材を硬化させることにより貼り合わせ、液晶８０を内部に注入して密封する。そののち、駆動パネル６０に偏光板６５を、対向パネル７０に偏光板７６をそれぞれ貼付する。以上により、図１５に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、例えば、画素電極６２と透明電極７２との間に所定の電圧が印加されると、液晶８０の配向状態が変化して透過率が変化する。図示しないバックライトから透明電極６２Ａに入射した入射光Ｒ１は、液晶８０を透過し、透過光Ｒ２として取り出される。また、バックライトから反射電極６２Ｂまたは積層構造１４に入射した入射光Ｒ３は、反射電極６２Ｂあるいは積層構造１４の反射層１４Ａによって反射され、その反射光Ｒ４がバックライトの側へ戻るが、反射光Ｒ４は、バックライトに設けられた図示しない反射鏡などにより再び画素電極６２に入射する。更に、対向パネル７０側から入射した外光Ｈ１は、反射電極６２Ｂによって反射され、その反射光Ｈ２が取り出される。ここでは、バリア層１４Ｃ，反射層１４Ａおよび密着層１４Ｂが一括してエッチングされているので、反射層１４Ａのサイドエッチングが防止され、バリア層１４Ｃが反射層１４Ａの周囲に庇状に突出するなどの形状不良を生じることなく、積層構造１４が良好な形状に形成されている。よって、例えば、バリア層１４Ｃの庇状の部分が破損してその破片が画素電極６２あるいは液晶８０などに混入することなどが防止される。あるいは、例えば、サイドエッチングにより反射層１４Ａに空孔が生じ、その空孔に薬液などが残存するおそれがなく、表示装置の寿命が長くなる。

このように、本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、密着層１４Ｂ，反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃを順に形成したのち、マスク４１を用いて一括してエッチングし、上記剥離液で剥離したので、反射層１４Ａあるいはバリア層１４Ｃのレジスト残りや腐食の発生を確実に防止し、表示装置の欠陥を低減し、寿命を長くすることができる。また、第１の実施の形態と同様に、積層構造１４が銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された反射層１４Ａを含む場合に特に好適であり、積層構造１４の反射率を高めてバックライト光の利用効率を高めると共に表示装置の電力消費量を低減することができる。更に、工程数を削減し、低コストで優れた性能を有する表示装置を製造することができる。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および膜厚、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および膜厚としてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

また、例えば、上記実施の形態では、密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃが、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む金属化合物または導電性酸化物により構成され、特に、ＩＴＯ，ＩＺＯ，酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成されている場合について説明したが、密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃの一方が上記以外の材料により構成されていてもよい。例えば、バリア層１４Ｃは、透明で光吸収が小さく、反射層１４Ａおよび密着層１４Ｂと一括してエッチング可能な材料であれば、上記の材料に限られない。

更に、例えば、密着層１４Ｂは、スパッタ法のほか、蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属気相成長）法、レーザーアブレーション法、あるいはめっき法などを用いることが可能である。反射層１４Ａについても、同様に、スパッタ法のほか、蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、レーザーアブレーション法、あるいはめっき法などを用いることが可能である。

加えて、上記第１の実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、絶縁膜１５，補助電極１７Ａあるいは保護膜１８などの全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。なお、共通電極１７を半透過性電極でなく透明電極とし、共振器構造を備えない場合についても本発明を適用することができるが、本発明は、積層構造１４での反射率を高めるものであるので、積層構造１４の反射層１４Ａとバリア層１４Ｃとの界面を第１端部Ｐ１、共通電極１７の発光層１６Ｂ側の界面を第２端部Ｐ２とし、有機層１６およびバリア層１４Ｃを共振部として共振器構造を構成する場合の方が、より高い効果を得ることができる。

更にまた、上記第２の実施の形態では、透過型・反射型併用の液晶ディスプレイの場合を例として説明したが、本発明は、他のタイプの液晶ディスプレイにも適用可能である。例えば、図１６に示したように、透過型の液晶ディスプレイにおいて反射膜としての積層構造１４を設けるようにしてもよい。あるいは、図１７に示したように、積層構造１４を反射型の画素電極として用いてもよい。あるいは、第２の実施の形態において、反射電極６２Ｂあるいは配線６３Ａに代えて積層構造１４を設けることも可能である。

加えてまた、上記第２の実施の形態では、液晶表示素子の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層あるいは部材を備える必要はなく、また、他の層あるいは部材を更に備えていてもよい。

更にまた、上記実施の形態では、本発明を有機発光表示装置あるいは液晶表示装置などの表示装置に適用した場合について説明したが、本発明の積層構造は、反射電極あるいは反射膜としての適用に限られず、例えば反射層１４Ａの抵抗が低いという利点を活かして金属配線として用いることも可能である。これにより、銀の腐食を防ぎ、優れた性能を有する金属配線を実現することができる。

加えてまた、本発明の表示素子、特に有機発光素子の用途は、必ずしも表示装置に限定されるものではなく、例えば、表示を目的としない単なる照明などの用途にも適用可能である。

以上説明したように本発明の積層構造の製造方法および本発明の積層構造によれば、複数の層を形成したのちに同じマスクを用いて一括してエッチングするようにしたので、サイドエッチングによる形状不良を防止すると共に、工程数の削減による低コスト化を実現することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した有機発光素子の構成を拡大して表す断面図である。 図１に示した有機発光素子の構成を拡大して表す断面図である。 図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図４に続く工程を表す断面図である。 図５に続く工程を表す断面図である。 図６に続く工程を表す断面図である。 図７に続く工程を表す断面図である。 図８に続く工程を表す断面図である。 図９に続く工程を表す断面図である。 図１０に続く工程を表す断面図である。 図１１に続く工程を表す断面図である。 図１２に続く工程を表す断面図である。 図１３に続く工程を表す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 本発明の変形例に係る表示装置の構成を表す断面図である。 本発明の他の変形例に係る表示装置の構成を表す断面図である。

符号の説明

１０，６０…駆動パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１，６１…基板、１１Ａ，６１Ａ…平坦面、１２，６３…ＴＦＴ、１２Ａ…層間絶縁膜、１２Ｂ，６３Ａ…配線、１３…平坦化層、１３Ａ…接続孔、１４…積層構造（陽極）、１４Ａ…反射層、１４Ｂ…密着層、１４Ｃ…バリア層、１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆ…側壁面、１５…絶縁膜、１５Ａ…開口部、１６…有機層、１６Ａ…正孔輸送層、１６Ｂ…発光層、１６Ｃ…電子輸送層、１７…共通電極（陰極）、１７Ａ…補助電極、１８，６３Ｂ…保護膜、２０…封止パネル、２１…封止用基板、２２，７３…カラーフィルタ、２２Ｒ…赤色フィルタ、２２Ｇ…緑色フィルタ、２２Ｂ…青色フィルタ、３０…接着層、４１…マスク、５１…蒸着マスク、６２…画素電極、６２Ａ，７２…透明電極、６２Ｂ…反射電極、６４，７５…配向膜、６５，７６…偏光板、６６…絶縁膜、７１…対向基板、７４…光吸収膜

Claims (10)

1. 基板に積層構造を形成する工程と、前記積層構造の上に、発光層を含む有機層を形成する工程と、前記基板の全面に共通電極を形成する工程とを含み、
   前記積層構造を形成する工程は、
   基板に、密着層と、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された銀層と、前記銀層を保護するバリア層とを順に積層すると共に、前記密着層および前記バリア層のうち少なくとも一方を、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む金属化合物または導電性酸化物により構成する工程と、
   前記バリア層の上にマスクを形成する工程と、
   前記マスクを用いて、前記バリア層，前記銀層および前記密着層を一括してエッチングする工程と、
   前記マスクを剥離液で剥離する工程と
   を含み、
   前記剥離液は、ジエチレントリアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）−２プロパノール、Ｎ−（３−アミノプロピル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−２−アミノエタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、ジプロピレントリアミン、トリエチレンテトラミンおよびホルマリンのうちの少なくとも一種からなる有機アミノ化合物と、１種または２種以上の極性有機溶剤とを含有し、非水性である
   表示装置の製造方法。
2. 前記密着層および前記バリア層のうち少なくとも一方を、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ），酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成する
   請求項１記載の表示装置の製造方法。
3. 前記密着層を構成する材料と前記バリア層を構成する材料とが、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）のうち少なくとも一つ同じ元素を含む
   請求項１記載の表示装置の製造方法。
4. 前記密着層を構成する材料と前記バリア層を構成する材料とが少なくともインジウム（Ｉｎ）を含む
   請求項３記載の表示装置の製造方法。
5. 前記密着層および前記バリア層を、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ）により構成する
   請求項４記載の表示装置の製造方法。
6. 前記密着層を、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ）により構成し、前記バリア層を、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ）により構成する
   請求項４記載の表示装置の製造方法。
7. 前記密着層および前記バリア層を、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ）により構成する
   請求項４記載の表示装置の製造方法。
8. 前記剥離液は、更に防食剤を含有する
   請求項１記載の表示装置の製造方法。
9. 前記剥離液は、有機アミノ化合物の総含有量が２０質量％以上５０質量％以下である
   請求項１記載の表示装置の製造方法。
10. 前記剥離液は、極性有機溶剤が１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンおよびＮ−メチル−２−ピロリジノンのうちの少なくとも一種を含む
    請求項１記載の表示装置の製造方法。

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