JP2005077526A - 銀及び/又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
有機発光素子としては、例えば、基板の上に、TFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)および平坦化層などを介して、第1電極、発光層を含む有機層および第2電極が順に積層されたものが知られている。発光層で発生した光は、基板の側から取り出される場合もあるが、第2電極の側から取り出される場合もある。
通常、金属反射膜または反射電極は、基板上に金属膜をCVD、スパッタリング、電解めっき等により堆積して形成した後、該金属膜上にフォトレジストを塗布、露光、現像してマスクを形成し、該金属膜の非マスク領域を、ウェットエッチング液によるウェットエッチングまたはドライエッチングすることによってパターンを形成した後、マスクとして用いたフォトレジストを、フォトレジスト剥離液によって該金属膜より剥離して形成する。
その後、ドライエッチングの採用により従来とは異なる変質したフォトレジスト層を剥離する必要から、各種アルカノールアミンと1、3−ジメチル−2−イミダゾリジノンとジメチルスルホキシドの組成物(例えば、特許文献5参照)や、各種アルカノールアミンと、極性有機溶剤と、各種防食剤を含む組成物が開発された。
これらの組成物は、ドライエッチング後のレジスト変質層と、基板に固着したフォトレジストとを剥離することができ、ドライエッチング後とウェットエッチング後の両方の基板に対してフォトレジスト剥離液として使用することができる。
この他、剥離能力を強めるためにヒドロキシルアミンをさらに添加する例や、非水剥離液では(1)イソプロピルアルコールによるリンスが必要である、(2)水洗の際に金属表面にアミノ化合物が残存していると金属が腐食される等の欠点があるため、有機アミノ化合物と極性溶媒と水と防食剤からなる水溶性剥離液の例が知られている(例えば、特許文献11、特許文献12参照)。
水酸基を有するアミノ化合物類としては、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、N−ブチルエタノールアミン、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノール、2−(2−アミノエチルアミノ)−2−プロパノール、2−(2−アミノエトキシ)エタノール、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、N,N―ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−(3−アミノプロピル)−N−(2−ヒドロキシエチル)−2−アミノエタノール、トリエタールアミン、トリイソプロパノールアミンが挙げられる。
しかしながら、銀及び/又は銀合金を含む基板に好適に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を再考する中で、アルミニウム及びアルミニウム合金の際に使用している従来のアミノ化合物、例えば、モノエタノールアミンを主成分とするフォトレジスト剥離液を使用すると、高い剥離性を有するが、そのまま用いたのでは、銀及び銀合金を腐食してしまうとの知見を得た。
そこで、本発明者らは、上記課題を総合的に解決すべく鋭意、検討を重ねたところ、有機アミノ化合物のアルキレン鎖の炭素鎖長が長すぎた場合、剥離性が低下し、短いと銀および銀合金に対し腐食性が増加すること、またアルキレン鎖の間に異原子を導入することにより、アルキレン基の炭素鎖長がある程度の長さを有していても、剥離性の低下を防止できるとの知見を得たことから、ある特定の有機アミノ化合物、ならびにモノエタノールアミンについてはある特定の防食剤を添加することによって、フォトレジスト剥離液として使用できることを見出し、さらに研究を進めた結果、本発明を完成させるに至った。
−式(I)
NH2−A−Y−B−Z
式中、A、Bは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数1〜5のアルキレン基であり、Yは、NHまたはOのいずれかであり、Zは、NH2、OH、NH−D−NH2(ここでDは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基である、)である、
で表される化合物、
−式(II)
NH2−A−N(−B−OH)2
式中、A,Bは式(I)と同じである、
で表される化合物、
−式(III)
で表される化合物、
−ピロカテコール、
−ハイドロキノン、
−ピロガロール、
−没食子酸、及び
−没食子酸エステル
からなる群から選択される1種または2種以上と、1種または2種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
さらに、本発明は、非水系である、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
また、本発明は、式(I)、式(II)又は式(III)で表される化合物を含み、極性有機溶剤が、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドである、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
また、本発明は、さらに防食剤を含有する、前記フォトレジスト剥離液に関する。
さらに、本発明は、モノエタノールアミンと、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルからなる群から選択される1種または2種以上とを含有するフォトレジスト剥離液組成物であって、極性有機溶剤が、N−メチル−2−ピロリジノン及び/又は1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンである、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
さらに、本発明は、エッチング工程がドライエッチングである、前記銀及び/又は銀合金のパターン形成方法に関する。
さらに、本発明は、表示素子が、銀及び/又は銀合金からなる反射膜または反射電極の上に、発光層を含む有機層及び電極が順に積層され、該発光層で発生した光を電極側から取り出す有機発光素子である、前記表示装置に関する。
また、本発明は、表示素子が、基板に、画素電極と、この画素電極に電気的に接続された駆動素子及び配線とが設けられ、銀及び/又は銀合金からなる反射膜または反射電極が、該基板と該駆動素子および配線との間に設けられてなる液晶表示素子である、前記表示装置に関する。
本発明に用いられる有機アミノ化合物は、そのメカニズムは明確ではないが、化合物の構造中にある特定の炭素数のアルキレン基を複数有するものであり、アルキレン基の炭素鎖長が長すぎた場合、剥離性が低下し、短いと銀および銀合金に対し腐食性が増加するため、本発明の構成のある特定の長さを採用することで、銀及び/又は銀合金を含む基板に適用することができる。
また、ドライエッチング後のフォトレジスト変質層であっても、銀及び/又は銀合金を腐食することなく、良好に剥離することができ、従来困難であるとされてきたドライエッチングを可能とする。
本発明のフォトレジスト剥離液組成物は、式(I)
NH2−A−Y−B−Z
式中、A、Bは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基であり、YはNHまたはOのいずれかであり、ZはNH2、OH,NH−D−NH2(ここでDは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基である、)である、
で表される化合物、式(II)
NH2−A−N(−B−OH)2
式中、A、Bは式(I)と同じである、
で表される化合物、式(III)
で表される化合物、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルとからなる群から選択される1種または2種以上と、1種または2種以上の極性有機溶剤とを含有するフォトレジスト剥離液組成物である。
本発明に用いられるフォトレジスト剥離液組成物は、水を含有しない、非水系であることが好ましい。水を含有する場合、剥離液に含有される成分が水と反応してアルカリ性を示し、銀側面を腐食したり粒界に入り込み画素内の腐食を進行させ、欠陥が増加することがあるからである。
NH2−A−Y−B−Z
式中、A、Bは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基であり、YはNHまたはOのいずれかであり、ZはNH2、OH、NH−D−NH2(ここでDは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基である、)である、
で表される化合物、式(II)
NH2−A−N(−B−OH)2
式中、A、Bは式(I)と同じであり、YはNであり、ZはOHである、
で表される化合物、および式(III)
で表される化合物とからなる群から選択される有機アミノ化合物は、銀及び/又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物の成分として使用できることが判明した。
また、有機アミノ化合物の含有量は、フォトレジスト及びフォトレジスト変質層の剥離性能および銀及び銀合金に対する腐食性を考慮すると、20質量%以上50質量%以下が好ましい。
しかし、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルに類似しており、従来のフォトレジスト剥離液組成物の防食剤と使用されているフロログルシノール(1、3、5−トリヒドロキシベンゼン)、レゾルシノール(1、3−ジヒドロキシベンゼン)、フェノールや、酢酸やアミノ酢酸は、モノエタノールアミンとともに添加しても銀及び銀合金に対する腐食性は改善されない。
〔第1の実施の形態〕
図1にこの表示装置の一断面概略図を示す。
ガラス基板11の上に、TFT12、層間絶縁膜12Aおよび配線12Bを形成する。
次に、基板11の全面に、例えばスピンコート法により平坦化層13を形成し、露光および現像により平坦化層13を所定の形状にパターニングすると共に接続孔13Aを形成する。そののち、ポリイミドをイミド化させるため、クリーンベーク炉で例えば320℃の温度で焼成する。
続いて平坦化層13上に例えばスパッタ法により、Agを含む電極層14として銀もしくは銀合金を例えば100nmの膜厚で積層する。
Agを含む電極層14を形成したのち、例えばリソグラフィ技術を用いて、レジストマスクを作製し、これを用いてAgを含む電極層14をエッチングする。このエッチングはウェットエッチングまたはドライエッチングで行なうことが可能である。
次にフォトレジスト剥離液でレジストを除去する。
次に、絶縁膜15の上に、基板11の全面にわたり補助電極17Aを形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。
続いて、例えば蒸着法により、有機層16を形成する。その際、絶縁膜15の開口部に対して成膜するように、開口を有する金属製の蒸着マスクを用いる。
有機層16を形成した後、基板全面にわたり、例えば蒸着法によりなる共通電極17を形成する。これにより、共通電極17は既に形成されている補助電極17Aおよび図示しない母線となる幹状補助電極に電気的に接続される。
この表示装置では、例えば、Agを含む電極層14と共通電極17との間に所定の電圧が印加されると、有機層16で発光が起こる。
本発明によるフォトレジスト剥離液を用いることで、Agが腐食されることなくレジストが剥離できる。その為、Agの腐食に起因する画素欠陥が従来の剥離液と比較して1/10に低減でき、表示素子の信頼性が向上した。
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。
この表示装置は、透過型・反射型併用(半透過型)の液晶ディスプレイとして用いられるものであり、駆動パネル60と対向パネル70とが対向配置され、その間に液晶80が設けられている。駆動パネル60は、例えばガラスよりなる基板61に、画素電極62がマトリクス状に設けられている。基板61には、画素電極62に電気的に接続された駆動素子としてのTFT63および配線63Aなどを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。
基板61の液晶80に対向する側には、配向膜64が全面に設けられ、反対側には偏光板65が設けられている。
配向膜64は、例えば、ポリイミドなどの有機化合物をラビング(配向)処理した膜を用いる。この場合、ラビング条件を変更することによりプレティルト角が制御される。
偏光板65は、図示しないバックライトからの光を一定方向の直線偏光に変える光学素子であり、例えばポリビニルアルコール(PVA)フィルムなどを含んで構成されている。
対向基板71には、例えば、画素電極62に対向して、透明電極72およびカラーフィルタ73が対向基板71側から順に積層されて設けられている。
また、対向基板71には、カラーフィルタ73の境界に沿って、ブラックマトリクスとしての光吸収膜74が設けられている。対向基板71の液晶80に対向する側には、配向膜75が全面に設けられ、反対側には偏光板76が設けられている。
光吸収膜74は、対向基板71に入射した外光あるいは配線64により反射された外光の反射光などを吸収してコントラストを向上させるものであり、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が1以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルターにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属,金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を1層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。
液晶80は、電圧を印加することにより配向状態が変化して透過率を変化させるものである。駆動時に液晶分子の傾斜する方向が一様でないと明暗のむらが生じるため、これを避けるために、あらかじめ液晶80にはわずかなプレティルト角が一定方向に与えられている。
まず、基板61に画素電極62及びAgを含む電極層14を例えばスパッタ法で成膜する。その後、フォトリソ工程を用いてレジストのパターンを形成する。
その後、フォトレジストにより形成されたパターンをマスクとしてAgを含む電極層14のエッチングを行なう。エッチングは薬液を用いたウェットエッチングやドライエッチングを用いることが出来る。その後、第一の実施例記載のフォトレジスト剥離液でレジストを除去する。
更に画素電極62のパターンを形成する為にレジストパターンを同様に形成し、エッチング後上記フォトレジスト剥離液でレジストを除去する。
また、対向基板71の表面に透明電極72、光吸収膜74およびカラーフィルタ73を形成する。次に、対向基板71の全面に配向膜75を形成し、ラビング処理を行う。これにより、対向パネル70が形成される。
本発明のフォトレジスト剥離液を用いることで、反射膜であるAgを含む電極層14の表面に対する腐食が無くなり、腐食などによる反射率低下に起因する表示装置の信頼性が向上する。
1.式(I)、式(II)、式(III)で表される化合物と極性有機溶剤とを含有し、非水系のフォトレジスト剥離液
(1)フォトレジスト及びフォトレジスト変質層剥離性評価
ガラス基板上に銀合金を成膜し、銀合金上に塗布、露光、現像したフォトレジストをマスクとして、ドライエッチングを行い、パターンを形成し、フォトレジスト及びフォトレジスト変質層剥離性評価基板を得た。続いてその基板をフォトレジスト剥離液中に70℃、10分間浸漬後、超純水による流水リンス処理後、窒素ブローによる乾燥を行った後、光学顕微鏡及び電子顕微鏡によってフォトレジスト及びフォトレジスト剥離性評価を行った。その結果を表1に示す。
ガラス基板上に銀合金を成膜し、銀合金に対する腐食性評価基板を得た。続いてその基板をフォトレジスト剥離液中に70℃、10分間浸漬後、超純水による流水リンス処理後、窒素ブローによる乾燥を行った後、光学顕微鏡及び電子顕微鏡によって銀合金に対する腐食性評価を行った。その結果を表1に示す。
本組成物について、フォトレジスト除去性と、銀合金に対する腐食性について、1と同様に実験評価し、その結果を表2に示した。
12・・・・・TFT
12A・・・・層間絶縁膜
12B・・・・配線
13・・・・・平坦化層
13A・・・・接続孔
14・・・・・電極層
15・・・・・絶縁膜
15A・・・・開口部
16・・・・・有機層
17・・・・・共通電極
17A・・・・補助電極
21・・・・・封止用基板
30・・・・・接着層
60・・・・・駆動パネル
61・・・・・基板
62・・・・・画素電極
63・・・・・TFT
63A・・・・配線
63B・・・・保護膜
64・・・・・配向膜
65・・・・・偏光板
70・・・・・対向パネル
71・・・・・対向基板
72・・・・・透明電極
73・・・・・カラーフィルタ
74・・・・・光吸収膜
75・・・・・配向膜
76・・・・・偏光板
80・・・・・液晶
Claims (13)
- 銀および/または銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、
−式(I)
NH2−A−Y−B−Z
式中、A、Bは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数1〜5のアルキレン基であり、Yは、NHまたはOのいずれかであり、Zは、NH2、OH、NH−D−NH2(ここでDは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基である、)である、
で表される化合物、
−式(II)
NH2−A−N(−B−OH)2
式中、A,Bは式(I)と同じである、
で表される化合物、
−式(III)
で表される化合物、
−ピロカテコール、
−ハイドロキノン、
−ピロガロール、
−没食子酸、及び
−没食子酸エステル
からなる群から選択される1種または2種以上と、1種または2種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物。 - 非水系である、請求項1に記載のフォトレジスト剥離液組成物。
- 式(I)、式(II)又は式(III)で表される化合物が、ジエチレントリアミン、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノール、2−(2−アミノエチルアミノ)−2−プロパノール、N−(3−アミノプロピル)−N−(2−ヒドロキシエチル)−2−アミノエタノール、2−(2−アミノエトキシ)エタノール、ジプロピレントリアミン、トリエチレンテトラミン、モルホリンである、請求項1または2に記載のフォトレジスト剥離液組成物。
- 式(I)、式(II)又は式(III)で表される化合物の総含有量が、20質量%以上50質量%以下である、請求項1〜3のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液組成物。
- 式(I)、式(II)又は式(III)で表される化合物を含み、極性有機溶剤が、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドである、請求項1〜4のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液組成物。
- さらに防食剤を含有する、請求項3〜5のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液。
- モノエタノールアミンと、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルからなる群から選択される1種または2種以上とを含有する、請求項1または2に記載のフォトレジスト剥離液組成物。
- 極性有機溶剤が、N−メチル−2−ピロリジノン及び/又は1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンである、請求項7に記載のフォトレジスト剥離液組成物。
- 基板上の所定領域に銀及び/又は銀合金からなる金属反射膜または反射電極を形成する工程と、該金属反射膜または反射電極上にフォトレジストを用いてマスク形成を行い、非マスク領域の該金属反射膜または反射電極をエッチングする工程と、前記フォトレジストを請求項1〜8のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液組成物を用いて該金属反射膜または反射電極上から剥離する工程を含む、銀及び/又は銀合金のパターン形成方法。
- エッチング工程がドライエッチングである、請求項9に記載の銀及び/又は銀合金のパターン形成方法。
- 基板に複数の表示素子を備えた表示装置であって、前記表示素子は基板上に銀及び/又は銀合金を含む層を形成した後、該積層した膜上にフォトレジストを用いてマスクを形成し、このマスクを用いて前記積層した膜をエッチングし、前記マスクを形成したフォトレジストを、請求項1〜8のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液組成物で剥離することにより形成された、銀及び/又は銀合金からなる反射膜または反射電極を備えた表示装置。
- 表示素子が、銀及び/又は銀合金からなる反射膜または反射電極の上に、発光層を含む有機層及び電極が順に積層され、該発光層で発生した光を電極側から取り出す有機発光素子である、請求項11に記載の表示装置。
- 表示素子が、基板に、画素電極と、この画素電極に電気的に接続された駆動素子及び配線とが設けられ、銀及び/又は銀合金からなる反射膜または反射電極が、該基板と該駆動素子および配線との間に設けられてなる液晶表示素子である、請求項11に記載の表示装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007029767A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | ホトリソグラフィ用洗浄剤およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法 |
JP2007536565A (ja) * | 2004-05-07 | 2007-12-13 | ドウジン セミケム カンパニー リミテッド | (フォト)レジスト除去用組成物 |
JP2007536566A (ja) * | 2004-05-07 | 2007-12-13 | ドウジン セミケム カンパニー リミテッド | (フォト)レジスト除去用組成物 |
JP2008262960A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Daisho Denshi:Kk | 発光素子搭載用有機配線基板及びその製造方法 |
WO2010061701A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 出光興産株式会社 | 防食性フォトレジスト剥離剤組成物 |
KR101403515B1 (ko) * | 2006-06-22 | 2014-06-09 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 제거용 조성물 |
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---|---|---|---|---|
JPS5880638A (ja) * | 1981-11-10 | 1983-05-14 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジスト用剥離液 |
JPS6350838A (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 剥離液 |
JPS63208043A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-29 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジスト用水溶性剥離液 |
US6326130B1 (en) * | 1993-10-07 | 2001-12-04 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion |
US5545353A (en) * | 1995-05-08 | 1996-08-13 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Non-corrosive photoresist stripper composition |
JP2911792B2 (ja) * | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
TW426816B (en) * | 1996-04-17 | 2001-03-21 | Ekc Technology Inc | Hydroxylamine-gallic compound composition and process |
JP3993272B2 (ja) * | 1997-05-02 | 2007-10-17 | 大日本印刷株式会社 | 厚膜パターン形成方法 |
JP2000008184A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 多層導電膜のエッチング方法 |
JP2000100558A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP3161705B2 (ja) * | 1999-01-20 | 2001-04-25 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト用剥離液 |
JP2001356496A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
JP2002196510A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト用剥離液 |
JP2002202617A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Tosoh Corp | レジスト剥離用組成物 |
JP4474776B2 (ja) * | 2001-01-22 | 2010-06-09 | 東ソー株式会社 | レジスト剥離剤 |
JP4470328B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2010-06-02 | 東ソー株式会社 | レジスト剥離剤 |
JP4483114B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2010-06-16 | 東ソー株式会社 | レジスト剥離剤 |
JP2002357908A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液 |
JP4867092B2 (ja) * | 2001-07-04 | 2012-02-01 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤組成物 |
JP4620298B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2011-01-26 | パイオニア株式会社 | 銀若しくは銀合金配線及びその形成方法並びに表示パネル基板 |
JP2003140364A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-14 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 銅配線基板向けレジスト剥離液 |
JP2003156859A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007536565A (ja) * | 2004-05-07 | 2007-12-13 | ドウジン セミケム カンパニー リミテッド | (フォト)レジスト除去用組成物 |
JP2007536566A (ja) * | 2004-05-07 | 2007-12-13 | ドウジン セミケム カンパニー リミテッド | (フォト)レジスト除去用組成物 |
WO2007029767A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | ホトリソグラフィ用洗浄剤およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法 |
KR101403515B1 (ko) * | 2006-06-22 | 2014-06-09 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 제거용 조성물 |
JP2008262960A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Daisho Denshi:Kk | 発光素子搭載用有機配線基板及びその製造方法 |
WO2010061701A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 出光興産株式会社 | 防食性フォトレジスト剥離剤組成物 |
TWI470380B (zh) * | 2008-11-28 | 2015-01-21 | Idemitsu Kosan Co | Anti - corrosive photoresist release agent composition |
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