JP2001356496A - フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 - Google Patents
フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法Info
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- JP2001356496A JP2001356496A JP2000179308A JP2000179308A JP2001356496A JP 2001356496 A JP2001356496 A JP 2001356496A JP 2000179308 A JP2000179308 A JP 2000179308A JP 2000179308 A JP2000179308 A JP 2000179308A JP 2001356496 A JP2001356496 A JP 2001356496A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌの腐蝕を阻止又は大幅に抑制し、なおか
つ優れた剥離・除去性を維持する。 【解決手段】 一般式ＨＯ−（Ｃn Ｈ2nＯ）m −Ｒ（Ｒ
は水素又は炭素数１〜４のアルキル基、ｎは２〜３の整
数、ｍは１〜３の整数）で表わされる極性有機溶剤とヒ
ドロキシルアミンと水とヒドロキシルアミン安定化剤と
を主成分としてフォトレジスト剥離剤組成物を構成す
る。
つ優れた剥離・除去性を維持する。 【解決手段】 一般式ＨＯ−（Ｃn Ｈ2nＯ）m −Ｒ（Ｒ
は水素又は炭素数１〜４のアルキル基、ｎは２〜３の整
数、ｍは１〜３の整数）で表わされる極性有機溶剤とヒ
ドロキシルアミンと水とヒドロキシルアミン安定化剤と
を主成分としてフォトレジスト剥離剤組成物を構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォ
トレジスト剥離剤組成物及びその使用方法、詳しくは、
半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形成する
時に不要となったフォトレジストを高性能で除去し、か
つ、配線材料の腐食を発生させないフォトレジスト剥離
剤組成物及びその使用方法に関するものである。
液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォ
トレジスト剥離剤組成物及びその使用方法、詳しくは、
半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形成する
時に不要となったフォトレジストを高性能で除去し、か
つ、配線材料の腐食を発生させないフォトレジスト剥離
剤組成物及びその使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】剥離剤組成物は、半導体集積回路、液晶
パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォトレ
ジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又は
付随する電極部の製造は、以下のように行われる。ま
ず、シリコン、ガラス等の基板上にＡｌ等の金属膜をＣ
ＶＤやスパッタ等の方法で積層させる。その上面にフォ
トレジストを膜付けし、それを露光、現像等の処理でパ
ターン形成する。パターン形成されたフォトレジストを
マスクとして金属膜をエッチングする。その後、不要と
なったフォトレジストを剥離剤組成物を用いて剥離・除
去する。その操作を繰り返すことで素子の形成が行われ
る。
パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォトレ
ジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又は
付随する電極部の製造は、以下のように行われる。ま
ず、シリコン、ガラス等の基板上にＡｌ等の金属膜をＣ
ＶＤやスパッタ等の方法で積層させる。その上面にフォ
トレジストを膜付けし、それを露光、現像等の処理でパ
ターン形成する。パターン形成されたフォトレジストを
マスクとして金属膜をエッチングする。その後、不要と
なったフォトレジストを剥離剤組成物を用いて剥離・除
去する。その操作を繰り返すことで素子の形成が行われ
る。
【０００３】従来、剥離剤組成物としては、有機アルカ
リ、無機アルカリ、有機酸、無機酸、極性溶剤等の単一
溶剤、これらの混合溶液が用いられている。また、フォ
トレジスト剥離性を向上させるために、アミンと水との
混合液を剥離剤として用いることも良く知られている。
リ、無機アルカリ、有機酸、無機酸、極性溶剤等の単一
溶剤、これらの混合溶液が用いられている。また、フォ
トレジスト剥離性を向上させるために、アミンと水との
混合液を剥離剤として用いることも良く知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】例えば、現在、良く知
られているアルカノールアミンと溶剤と水の混合物から
なる剥離剤では、プラズマ状態に曝されることにより変
質したフォトレジスト膜の剥離・除去性は優れるもの
の、熱変質したフォトレジスト膜の剥離・除去性が劣
る。更に、Ａｌを腐蝕しやすいので好ましくない。
られているアルカノールアミンと溶剤と水の混合物から
なる剥離剤では、プラズマ状態に曝されることにより変
質したフォトレジスト膜の剥離・除去性は優れるもの
の、熱変質したフォトレジスト膜の剥離・除去性が劣
る。更に、Ａｌを腐蝕しやすいので好ましくない。
【０００５】剥離性向上の目的とＡｌの防食性を向上さ
せる目的で、アルカノールアミンとヒドロキシルアミン
と水の混合物からなる剥離剤が知られている。例えば、
特許第２９１１７９２号公報には、ヒドロキシルアミン
類と水と２５℃における酸解離定数が７．５〜１３のア
ミン類と水溶性有機溶剤と防食剤からなるフォトレジス
ト剥離液が記載されている。また、特許第２６９１９５
２号公報には、ヒドロキシルアミンと該ヒドロキシルア
ミンと混和性のある少なくとも１種のアルカノールアミ
ンからなるフォトレジスト剥離液が記載されている。ま
た、特開平９−２９６２００号公報には、ヒドロキシル
アミンと該ヒドロキシルアミンと混和性のある少なくと
も１つのアルコールアミン化合物と没食子酸からなるフ
ォトレジスト剥離液が記載されている。
せる目的で、アルカノールアミンとヒドロキシルアミン
と水の混合物からなる剥離剤が知られている。例えば、
特許第２９１１７９２号公報には、ヒドロキシルアミン
類と水と２５℃における酸解離定数が７．５〜１３のア
ミン類と水溶性有機溶剤と防食剤からなるフォトレジス
ト剥離液が記載されている。また、特許第２６９１９５
２号公報には、ヒドロキシルアミンと該ヒドロキシルア
ミンと混和性のある少なくとも１種のアルカノールアミ
ンからなるフォトレジスト剥離液が記載されている。ま
た、特開平９−２９６２００号公報には、ヒドロキシル
アミンと該ヒドロキシルアミンと混和性のある少なくと
も１つのアルコールアミン化合物と没食子酸からなるフ
ォトレジスト剥離液が記載されている。
【０００６】しかしながら、これらアルカノールアミン
とヒドロキシルアミンを含む剥離剤は、熱変質したフォ
トレジスト膜の剥離・除去性が十分でなく、更に、Ａｌ
の防食性も十分満足できるものではない。
とヒドロキシルアミンを含む剥離剤は、熱変質したフォ
トレジスト膜の剥離・除去性が十分でなく、更に、Ａｌ
の防食性も十分満足できるものではない。
【０００７】これらの点に鑑み、本発明者は種々の実験
を重ねた結果、アルカノールアミンが熱変質したフォト
レジスト膜の剥離・除去性を低下させ、更に、Ａｌの防
食性も低下させることを見出した。
を重ねた結果、アルカノールアミンが熱変質したフォト
レジスト膜の剥離・除去性を低下させ、更に、Ａｌの防
食性も低下させることを見出した。
【０００８】本発明は、上記の知見に基づいてなされた
もので、本発明の目的は、極性有機溶剤とヒドロキシル
アミンと水とヒドロキシルアミン安定化剤を剥離剤組成
物の主成分とすることにより、Ａｌの腐蝕を阻止又は大
幅に抑制し、なおかつ、熱変質したフォトレジスト膜に
対して優れた剥離・除去性を有することができるフォト
レジスト剥離剤組成物及びその使用方法を提供すること
にある。
もので、本発明の目的は、極性有機溶剤とヒドロキシル
アミンと水とヒドロキシルアミン安定化剤を剥離剤組成
物の主成分とすることにより、Ａｌの腐蝕を阻止又は大
幅に抑制し、なおかつ、熱変質したフォトレジスト膜に
対して優れた剥離・除去性を有することができるフォト
レジスト剥離剤組成物及びその使用方法を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、一般式
ＨＯ−（Ｃn Ｈ2nＯ）m −Ｒ（Ｒは水素又は炭素数１〜
４のアルキル基、ｎは２〜３の整数、ｍは１〜３の整
数）で表わされる極性有機溶剤とヒドロキシルアミンと
水とヒドロキシルアミン安定化剤とを主成分とするよう
に構成されている。
めに、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、一般式
ＨＯ−（Ｃn Ｈ2nＯ）m −Ｒ（Ｒは水素又は炭素数１〜
４のアルキル基、ｎは２〜３の整数、ｍは１〜３の整
数）で表わされる極性有機溶剤とヒドロキシルアミンと
水とヒドロキシルアミン安定化剤とを主成分とするよう
に構成されている。
【００１０】上記のフォトレジスト剥離剤組成物におい
て、極性有機溶剤の含有量が３０〜９０重量％、望まし
くは４９〜９０重量％、水の含有量が５〜３０重量％、
望ましくは５〜２０重量％、ヒドロキシルアミンの含有
量が５〜３０重量％、望ましくは１０〜３０重量％、ヒ
ドロキシルアミン安定化剤の含有量が０．０１〜１０重
量％、望ましくは０．０５〜５重量％である。
て、極性有機溶剤の含有量が３０〜９０重量％、望まし
くは４９〜９０重量％、水の含有量が５〜３０重量％、
望ましくは５〜２０重量％、ヒドロキシルアミンの含有
量が５〜３０重量％、望ましくは１０〜３０重量％、ヒ
ドロキシルアミン安定化剤の含有量が０．０１〜１０重
量％、望ましくは０．０５〜５重量％である。
【００１１】極性有機溶剤の含有量が下限未満の場合
は、フォトレジスト又は熱変質したフォトレジスト膜の
除去性が低下するという不都合があり、一方、上限を超
える場合は、他の剥離剤成分の含有量が低下するため、
フォトレジスト又は熱変質したフォトレジスト膜の除去
性が低下するという不都合がある。また、水の含有量が
下限未満の場合は、熱変質したフォトレジスト膜の除去
性が低下するという不都合があり、一方、上限を超える
場合は、他の剥離剤成分の含有量が低下するため、フォ
トレジスト又は熱変質したフォトレジスト膜の除去性が
低下するという不都合がある。ヒドロキシルアミンの含
有量が下限未満の場合は、フォトレジスト又は熱変質し
たフォトレジスト膜の除去性が低下するという不都合が
あり、一方、上限を超える場合は、他の剥離剤成分の含
有量が低下するため、フォトレジスト又は熱変質したフ
ォトレジスト膜の除去性が低下するという不都合があ
る。また、ヒドロキシルアミン安定化剤の含有量が下限
未満の場合は、ヒドロキシルアミンの安定性が悪いとい
う不都合があり、一方上限を超える場合は、他の剥離剤
成分の含有量が低下するため、フォトレジスト又は熱変
質したフォトレジスト膜の除去性が低下するという不都
合がある。
は、フォトレジスト又は熱変質したフォトレジスト膜の
除去性が低下するという不都合があり、一方、上限を超
える場合は、他の剥離剤成分の含有量が低下するため、
フォトレジスト又は熱変質したフォトレジスト膜の除去
性が低下するという不都合がある。また、水の含有量が
下限未満の場合は、熱変質したフォトレジスト膜の除去
性が低下するという不都合があり、一方、上限を超える
場合は、他の剥離剤成分の含有量が低下するため、フォ
トレジスト又は熱変質したフォトレジスト膜の除去性が
低下するという不都合がある。ヒドロキシルアミンの含
有量が下限未満の場合は、フォトレジスト又は熱変質し
たフォトレジスト膜の除去性が低下するという不都合が
あり、一方、上限を超える場合は、他の剥離剤成分の含
有量が低下するため、フォトレジスト又は熱変質したフ
ォトレジスト膜の除去性が低下するという不都合があ
る。また、ヒドロキシルアミン安定化剤の含有量が下限
未満の場合は、ヒドロキシルアミンの安定性が悪いとい
う不都合があり、一方上限を超える場合は、他の剥離剤
成分の含有量が低下するため、フォトレジスト又は熱変
質したフォトレジスト膜の除去性が低下するという不都
合がある。
【００１２】これらのフォトレジスト剥離剤組成物にお
いて、極性有機溶剤としては、エチレングリコールモノ
エチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブ
チルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエー
テル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルから
なる群より選ばれた１種又は２種以上を用いることがで
きる。
いて、極性有機溶剤としては、エチレングリコールモノ
エチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブ
チルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエー
テル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルから
なる群より選ばれた１種又は２種以上を用いることがで
きる。
【００１３】上記のフォトレジスト剥離剤組成物におい
て、ヒドロキシルアミン安定化剤としては、チオ硫酸ア
ンモニウム、トリエチルフォスフィン、トリフェニルフ
ォスフィン、ベンゾトリアゾール、チオシアン酸アンモ
ニウム、メルカプトベンゾトリアゾール、チオフェノー
ル、カテコール、ピロガロール、没食子酸からなる群よ
り選ばれた１種又は２種以上を用いることができる。
て、ヒドロキシルアミン安定化剤としては、チオ硫酸ア
ンモニウム、トリエチルフォスフィン、トリフェニルフ
ォスフィン、ベンゾトリアゾール、チオシアン酸アンモ
ニウム、メルカプトベンゾトリアゾール、チオフェノー
ル、カテコール、ピロガロール、没食子酸からなる群よ
り選ばれた１種又は２種以上を用いることができる。
【００１４】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の使
用方法は、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線
を形成する場合に不要となったフォトレジストを、上記
の本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を用いて剥離・
除去して配線を形成することを特徴としている。
用方法は、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線
を形成する場合に不要となったフォトレジストを、上記
の本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を用いて剥離・
除去して配線を形成することを特徴としている。
【００１５】
【実施例】以下に実施例及び比較例を示し、本発明の特
徴とするところをより一層明確にする。 比較例１〜１６、実施例１〜１２ ガラス上に１μm の膜厚で膜付けされたフォトレジスト
を１００℃で２．５分間ベークし露光した後、２．３８
％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド）水溶液で現像しレジストパターンを形成した。さ
らに、１９０℃で２．５分間ベークしたフォトレジスト
を剥離対象物とした。この剥離対象物を表１、表２に示
す組成を有する剥離剤組成物中に３０℃で３０秒間浸漬
した後、純水で洗浄し、Ｎ2 ガスを用いたエアーガンで
純水を吹き飛ばし、自然乾燥させた。光学顕微鏡にてフ
ォトレジスト除去程度を観察し、フォトレジスト剥離性
を比較した。結果を表１、表２に示す。なお、表１は比
較例を、表２は実施例を示している。表１、表２におい
て、◎印は「レジスト残渣無し」、○印は「ほぼレジス
ト残渣なし」、×印は「レジスト残渣が多く観察され
る」、××印は「レジストパターンが残る」を示してい
る。
徴とするところをより一層明確にする。 比較例１〜１６、実施例１〜１２ ガラス上に１μm の膜厚で膜付けされたフォトレジスト
を１００℃で２．５分間ベークし露光した後、２．３８
％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド）水溶液で現像しレジストパターンを形成した。さ
らに、１９０℃で２．５分間ベークしたフォトレジスト
を剥離対象物とした。この剥離対象物を表１、表２に示
す組成を有する剥離剤組成物中に３０℃で３０秒間浸漬
した後、純水で洗浄し、Ｎ2 ガスを用いたエアーガンで
純水を吹き飛ばし、自然乾燥させた。光学顕微鏡にてフ
ォトレジスト除去程度を観察し、フォトレジスト剥離性
を比較した。結果を表１、表２に示す。なお、表１は比
較例を、表２は実施例を示している。表１、表２におい
て、◎印は「レジスト残渣無し」、○印は「ほぼレジス
ト残渣なし」、×印は「レジスト残渣が多く観察され
る」、××印は「レジストパターンが残る」を示してい
る。
【００１６】一方、シリコン窒化膜上のＡｌ配線基板を
表１、表２に示す組成を有する剥離剤組成物中に４０℃
で１０分間浸漬した後、純水で洗浄し、Ｎ2 ガスを用い
たエアーガンで純水を吹き飛ばし、自然乾燥させた。走
査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてＡｌ配線側面を観察し、Ａ
ｌ防食性を比較した。結果を表１、表２に示す。表１、
表２において、○印は「Ａｌ腐蝕無し」、×印は「Ａｌ
腐蝕がありＡｌ線幅の減少が確認される」を示してい
る。
表１、表２に示す組成を有する剥離剤組成物中に４０℃
で１０分間浸漬した後、純水で洗浄し、Ｎ2 ガスを用い
たエアーガンで純水を吹き飛ばし、自然乾燥させた。走
査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてＡｌ配線側面を観察し、Ａ
ｌ防食性を比較した。結果を表１、表２に示す。表１、
表２において、○印は「Ａｌ腐蝕無し」、×印は「Ａｌ
腐蝕がありＡｌ線幅の減少が確認される」を示してい
る。
【００１７】一方、表１、表２に示す組成を有する剥離
剤組成物を１００℃で１５時間還流させ、その後ヒドロ
キシルアミン含有量を測定し、還流前後のヒドロキシル
アミン含有量の差からヒドロキシルアミンの安定性を評
価した。表１、表２において、○印は「還流前後のヒド
ロキシルアミン含有量の差が２重量％未満」、×印は
「還流前後のヒドロキシルアミン含有量の差が２重量％
以上」を示している。なお、表１、表２において、ＭＥ
Ａはモノエタノールアミンを示し、ＭＤＥＡはＮ−メチ
ル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミンを示し、ＢＤＧはジエ
チレングリコールモノブチルエーテル（ブチルジグリコ
ール）を示し、ＤＥＧＭＥＥはジエチレングリコールモ
ノエチルエーテルを示し、ＤＰＧＭＢＥはジプロピレン
グリコールモノブチルエーテルを示し、ＤＰＧＭＥＥは
ジプロピレングリコールモノエチルエーテルを示し、Ｐ
ＧＭＢＥはプロピレングリコールモノブチルエーテルを
示し、ＰＧＭＥＥはプロピレングリコールモノエチルエ
ーテルを示し、ＥＧＭＢＥはエチレングリコールモノブ
チルエーテルを示し、ＥＧＭＥＥはエチレングリコール
モノエチルエーテルを示している。
剤組成物を１００℃で１５時間還流させ、その後ヒドロ
キシルアミン含有量を測定し、還流前後のヒドロキシル
アミン含有量の差からヒドロキシルアミンの安定性を評
価した。表１、表２において、○印は「還流前後のヒド
ロキシルアミン含有量の差が２重量％未満」、×印は
「還流前後のヒドロキシルアミン含有量の差が２重量％
以上」を示している。なお、表１、表２において、ＭＥ
Ａはモノエタノールアミンを示し、ＭＤＥＡはＮ−メチ
ル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミンを示し、ＢＤＧはジエ
チレングリコールモノブチルエーテル（ブチルジグリコ
ール）を示し、ＤＥＧＭＥＥはジエチレングリコールモ
ノエチルエーテルを示し、ＤＰＧＭＢＥはジプロピレン
グリコールモノブチルエーテルを示し、ＤＰＧＭＥＥは
ジプロピレングリコールモノエチルエーテルを示し、Ｐ
ＧＭＢＥはプロピレングリコールモノブチルエーテルを
示し、ＰＧＭＥＥはプロピレングリコールモノエチルエ
ーテルを示し、ＥＧＭＢＥはエチレングリコールモノブ
チルエーテルを示し、ＥＧＭＥＥはエチレングリコール
モノエチルエーテルを示している。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】表１の比較例の結果から、アミン類又はア
ルカノールアミンを成分として有する剥離剤組成物は全
てフォトレジスト剥離性が悪いことがわかる。また、ヒ
ドロキシルアミンを成分として有する剥離剤組成物はヒ
ドロキシルアミンの安定性が悪い事が分かる。
ルカノールアミンを成分として有する剥離剤組成物は全
てフォトレジスト剥離性が悪いことがわかる。また、ヒ
ドロキシルアミンを成分として有する剥離剤組成物はヒ
ドロキシルアミンの安定性が悪い事が分かる。
【００２１】これに対して、表２の実施例の結果から、
アミン類又はアルカノールアミンを成分としない剥離剤
組成物は全てＡｌの腐蝕を阻止でき、優れたフォトレジ
スト剥離性が示すことがわかる。また、ヒドロキシルア
ミン安定化剤を成分として有する為、ヒドロキシルアミ
ンの安定性が良い事が分かる。
アミン類又はアルカノールアミンを成分としない剥離剤
組成物は全てＡｌの腐蝕を阻止でき、優れたフォトレジ
スト剥離性が示すことがわかる。また、ヒドロキシルア
ミン安定化剤を成分として有する為、ヒドロキシルアミ
ンの安定性が良い事が分かる。
【００２２】つぎに、本発明のフォトレジスト剥離剤組
成物の使用方法の一例について説明する。半導体基板上
又は液晶ガラス基板上に金属薄膜をＣＶＤやスパッタ等
により形成させる。その上面にフォトレジストを膜付け
した後、露光、現像等の処理でパターン形成する。パタ
ーン形成されたフォトレジストをマスクとして金属薄膜
をエッチングする。その後、不要となったフォトレジス
トを本発明の剥離剤組成物を用いて剥離・除去して配線
等が形成された半導体素子が製造される。
成物の使用方法の一例について説明する。半導体基板上
又は液晶ガラス基板上に金属薄膜をＣＶＤやスパッタ等
により形成させる。その上面にフォトレジストを膜付け
した後、露光、現像等の処理でパターン形成する。パタ
ーン形成されたフォトレジストをマスクとして金属薄膜
をエッチングする。その後、不要となったフォトレジス
トを本発明の剥離剤組成物を用いて剥離・除去して配線
等が形成された半導体素子が製造される。
【００２３】
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、つぎのような効果を奏する。 （１） 一般式ＨＯ−（Ｃn Ｈ2nＯ）m −Ｒ（Ｒは水素
又は炭素数１〜４のアルキル基、ｎは２〜３の整数、ｍ
は１〜３の整数）で表わされる極性有機溶剤とヒドロキ
シルアミンと水とヒドロキシルアミン安定化剤を主成分
とすることによりＡｌの腐蝕を阻止又は大幅に抑制する
ことができ、なおかつ、熱変質したフォトレジスト膜に
対して優れた剥離・除去性を有する。
で、つぎのような効果を奏する。 （１） 一般式ＨＯ−（Ｃn Ｈ2nＯ）m −Ｒ（Ｒは水素
又は炭素数１〜４のアルキル基、ｎは２〜３の整数、ｍ
は１〜３の整数）で表わされる極性有機溶剤とヒドロキ
シルアミンと水とヒドロキシルアミン安定化剤を主成分
とすることによりＡｌの腐蝕を阻止又は大幅に抑制する
ことができ、なおかつ、熱変質したフォトレジスト膜に
対して優れた剥離・除去性を有する。
フロントページの続き (72)発明者 安江 秀国 兵庫県龍野市龍野町中井236 ナガセ化成 工業株式会社播磨工場内 (72)発明者 宝山 隆博 兵庫県龍野市龍野町中井236 ナガセ化成 工業株式会社播磨工場内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA26 AA27 LA03 5F046 MA02
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式ＨＯ−（Ｃn Ｈ2nＯ）m −Ｒ（Ｒ
は水素又は炭素数１〜４のアルキル基、ｎは２〜３の整
数、ｍは１〜３の整数）で表わされる極性有機溶剤とヒ
ドロキシルアミンと水とヒドロキシルアミン安定化剤と
を主成分とすることを特徴とするフォトレジスト剥離剤
組成物。 - 【請求項２】 極性有機溶剤が、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエー
テル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリ
コールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルか
らなる群より選ばれた１種又は２種以上である請求項１
記載のフォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項３】 ヒドロキシルアミン安定化剤が、チオ硫
酸アンモニウム、トリエチルフォスフィン、トリフェニ
ルフォスフィン、ベンゾトリアゾール、チオシアン酸ア
ンモニウム、メルカプトベンゾトリアゾール、チオフェ
ノール、カテコール、ピロガロール、没食子酸からなる
群より選ばれた１種又は２種以上である請求項１又は２
記載のフォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項４】 極性有機溶剤の含有量が３０〜９０重量
％、水の含有量が５〜３０重量％、ヒドロキシルアミン
の含有量が５〜３０重量％、ヒドロキシルアミン安定化
剤の含有量が０．０１〜１０重量％である請求項１、２
又は３記載のフォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項５】 半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に
配線を形成する場合に不要となったレジストを、請求項
１〜４のいずれか記載のフォトレジスト剥離剤組成物を
用いて剥離・除去して配線を形成することを特徴とする
フォトレジスト剥離剤組成物の使用方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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