JP4208924B2 - 非水性、非腐食性マイクロエレクトロニクス洗浄組成物 - Google Patents
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Description
本発明は、マイクロエレクトロニクス基板を洗浄するための方法および、アミノ酸不含、非水性、本質的に非腐食性の洗浄用組成物に関し、特に銅金属被覆を特徴とするマイクロエレクトロニクス基板、並びに、アルミニウム金属被覆を特徴とする基板に有用であり、それらとの適合性が改良された、そのような洗浄組成物に関する。本発明はまた、フォトレジストのストリッピング、並びに、エッチング由来の残渣およびプラズマ工程で生成される有機、有機金属および無機化合物の洗浄のための、かかる洗浄組成物の使用にも関する。
マイクロエレクトロニクス分野で製造ラインの下流またはバックエンドの洗浄剤として使用するための、多数のフォトレジストストリッパーおよび残渣除去剤が提唱されてきた。製造工程では、フォトレジストの薄膜をウエーハー基板に堆積させ、回路設計を薄膜上で画像化する。焼付けに続き、非重合レジストをフォトレジスト現像剤で除去する。次いで、生じる画像を、反応性プラズマエッチングガスまたは化学腐食液により、一般的に誘電性または金属である下層の材料に転写する。腐食ガスまたは化学腐食液は、基板のフォトレジスト非保護領域を選択的に攻撃する。
本発明のバックエンドフォトレジストストリッパーおよび洗浄組成物は、本質的に銅およびアルミニウムに対して非腐食性であり、少なくとも1種の極性有機溶媒、少なくとも1種のヒドロキシル化有機アミン、および、多数のヒドロキシル官能基を有する腐食阻害化合物(それは、式:
T1−[(CR1R2)m−(CR3R4)n]p−(CR5R6)q−T2
式中、R1およびR2の少なくとも一方はOHであり、R1およびR2の一方がOHではない場合、それは、H、アルキルまたはアルコキシから選択され、mは1またはそれ以上の整数であり、R3およびR4は、H、アルキルまたはアルコキシから選択され、nは0またはそれ以上の正の整数であり、pは1またはそれ以上の整数であり;R5およびR6の少なくとも一方はOHであり、R5およびR6の一方がOHではない場合、それは、H、アルキルまたはアルコキシから選択され、qは1またはそれ以上の整数であり;T1およびT2は、H、アルキル、ヒドロキシアルキル、ポリヒドロキシアルキル、アミノアルキル、カルボニルアルキルまたはアミド基から選択されるか、または、T1およびT2は、連結して一つの脂肪族の環または縮合環構造から選択される構造を形成している、の化合物である)の少なくとも1種を含む、アミノ酸不含、非水性、非腐食性洗浄組成物により提供される。本発明の組成物は、数々の他の選択的成分も含有してもよい。本発明の洗浄組成物は、幅広い範囲のpHおよび温度の工程/操作条件に渡って使用でき、フォトレジスト、プラズマエッチング/灰化後の残渣、犠牲的光吸収材料、および抗反射性被覆(ARC)を効果的に除去するのに使用できる。加えて、清浄化が非常に困難な試料、例えば、高度に架橋したまたは固まったフォトレジストおよびチタン(例えば、チタン、酸化チタンおよび窒化チタン)またはタンタル類(例えば、タンタル、酸化タンタルおよび窒化タンタル)含有構造を、本発明の洗浄組成物により容易に清浄化できることが分かってきた。
本発明のバックエンドフォトレジストストリッパーおよび洗浄組成物は、本質的に銅およびアルミニウムに対して非腐食性であり、1種またはそれ以上の極性有機溶媒、1種またはそれ以上の有機ヒドロキシル化アミン、および、多数のヒドロキシル官能基を有する腐食阻害化合物(それは、式:
T1−[(CR1R2)m−(CR3R4)n]p−(CR5R6)q−T2
式中、R1およびR2の少なくとも一方はOHであり、R1およびR2の一方がOHではない場合、それは、H、アルキルまたはアルコキシから選択され、mは1またはそれ以上の整数であり、R3およびR4は、H、アルキルまたはアルコキシから選択され、nは0またはそれ以上の正の整数であり、pは1またはそれ以上の整数であり;R5およびR6の少なくとも一方はOHであり、R5およびR6の一方がOHではない場合、それは、H、アルキルまたはアルコキシから選択され、qは1またはそれ以上の整数であり;T1およびT2は、H、アルキル、ヒドロキシアルキル、ポリヒドロキシアルキル、アミノアルキル、カルボニルアルキルまたはアミド基から選択されるか、または、T1およびT2は、連結して一つの脂肪族の環または縮合環構造から選択される構造を形成している、の化合物である)の1種またはそれ以上を含む、アミノ酸不含、非水性の組成物により提供される。「非水性」は、組成物が実質的に水を含まず、一般的に他の成分からの不純物として存在する水を有するのみであり、一般的に組成物重量の約3%を超えない量で有することを意味する。
T1−[(CR1R2)m−(CR3R4)n]p−(CR5R6)q−T2
式中、R1およびR2の少なくとも一方はOHであり、R1およびR2の一方がOHではない場合、それは、H、アルキルまたはアルコキシから選択され、mは1またはそれ以上の整数であり、R3およびR4は、H、アルキルまたはアルコキシから選択され、nは0またはそれ以上の正の整数であり、pは1またはそれ以上の整数であり;R5およびR6の少なくとも一方はOHであり、R5およびR6の一方がOHではない場合、それは、H、アルキルまたはアルコキシから選択され、qは1またはそれ以上の整数であり;T1およびT2は、H、アルキル、ヒドロキシアルキル、ポリヒドロキシアルキル、アミノアルキル、カルボニルアルキルまたはアミド基から選択されるか、または、T1およびT2は、連結して一つの脂肪族の環または縮合環構造から選択される構造を形成している、の化合物である。好ましくは、アルキル、アルコキシ、ヒドロキシアルキル、ポリヒドロキシアルキル、アミノアルキル、カルボニルアルキルおよびアミド基は、約1個ないし6個、好ましくは約1個ないし4個の炭素原子を有するものである。適する腐食阻害剤の例には、以下が含まれるがこれらに限定されるわけではない:アラビトール、エリスリトール、キシリトール、マンニトール、ソルビトール、エチレングリコール、グリセロール、1,4−ブタンジオール、1,2−シクロペンタンジオール、1,2−シクロヘキサンジオールおよびメチルペンタンジオール。
NMP=N−メチルピロリジノン
SFL=スルホラン
DMSO=ジメチルスルホキシド
DEA=ジエタノールアミン
MIPA=モノイソプロパノールアミン
XYL=キシリトール
D−MANN=D−マンニトール
D−SORB=D−ソルビトール
EG=エチレングリコール
GLY=グリセロール
BUT=1,4−ブタンジオール
MPD=メチルペンタンジオール
CPD=トランス1,2−シクロペンタンジオール
組成物10:腐食試験−どちらの処理後でも、目立つ電解腐食は見られない;
洗浄試験−2分未満で洗浄。
組成物11:腐食試験−第1腐食試験では、目立つ電解腐食は見られない;第2腐食試験後、まだ許容できる範囲のわずかな電解腐食が見られる
洗浄試験−2分未満で洗浄。
組成物12:腐食試験−第1腐食試験では、目立つ電解腐食は見られない;水性溶液処置後、電解腐食によりAl層がエッチングで除かれた
洗浄試験−2分未満で洗浄。
組成物13:腐食試験−第1腐食試験では、目立つ電解腐食は見られない;電解腐食によりAl層が穏やかにエッチングで除かれた;水性溶液処理後、まだ許容できる。
洗浄試験−2分未満で洗浄。
Claims (6)
- マイクロエレクトロニクス基板からフォトレジストおよび残渣を洗浄するための、アミノ酸不含、非水性の洗浄組成物であって、
極性有機溶媒としてのN−メチルピロリジノンおよびジメチルスルホキシド、
有機ヒドロキシル化アミン化合物としてのモノイソプロパノールアミン、
および、腐食阻害量のソルビトール、
を含み、有機溶媒成分が、組成物重量の60%ないし90%を占め、モノイソプロパノールアミン成分が組成物重量の3%ないし12%を占め、腐食阻害ソルビトール成分が組成物重量の1%ないし12%の量で組成物中に存在する、
洗浄組成物。 - 組成物重量の30%までの量で2−(2−エトキシエトキシ)エタノールをさらに含む、請求項1に記載のアミノ酸不含、非水性の洗浄組成物。
- マイクロエレクトロニクス基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法であって、基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄するのに十分な時間、該基板を洗浄組成物と接触させることを含み、該洗浄組成物は請求項1の組成物を含むものである、方法。
- マイクロエレクトロニクス基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法であって、基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄するのに十分な時間、該基板を洗浄組成物と接触させることを含み、該洗浄組成物は請求項2の組成物を含むものである、方法。
- 洗浄しようとするマイクロエレクトロニクス基板が、銅金属被覆の存在を特徴とする、請求項3に記載の方法。
- 洗浄しようとするマイクロエレクトロニクス基板が、銅金属被覆の存在を特徴とする、請求項4に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US63414104P | 2004-12-08 | 2004-12-08 | |
PCT/US2005/006247 WO2006062534A1 (en) | 2004-12-08 | 2005-02-25 | Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleaning compositions |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007514983A JP2007514983A (ja) | 2007-06-07 |
JP4208924B2 true JP4208924B2 (ja) | 2009-01-14 |
Family
ID=34961521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006547639A Expired - Fee Related JP4208924B2 (ja) | 2004-12-08 | 2005-02-25 | 非水性、非腐食性マイクロエレクトロニクス洗浄組成物 |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7951764B2 (ja) |
EP (1) | EP1836535A1 (ja) |
JP (1) | JP4208924B2 (ja) |
KR (1) | KR20060064441A (ja) |
CN (1) | CN1784487B (ja) |
BR (1) | BRPI0515810A (ja) |
CA (1) | CA2591483A1 (ja) |
IL (1) | IL183648A (ja) |
MY (1) | MY141293A (ja) |
NO (1) | NO20073122L (ja) |
TW (1) | TWI353381B (ja) |
WO (1) | WO2006062534A1 (ja) |
ZA (1) | ZA200704029B (ja) |
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-
2005
- 2005-02-21 KR KR1020050014185A patent/KR20060064441A/ko active Search and Examination
- 2005-02-25 CN CN2005800000871A patent/CN1784487B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-25 CA CA002591483A patent/CA2591483A1/en not_active Abandoned
- 2005-02-25 BR BRPI0515810-9A patent/BRPI0515810A/pt not_active IP Right Cessation
- 2005-02-25 WO PCT/US2005/006247 patent/WO2006062534A1/en active Application Filing
- 2005-02-25 JP JP2006547639A patent/JP4208924B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-25 EP EP05723913A patent/EP1836535A1/en not_active Withdrawn
- 2005-02-25 MY MYPI20050741A patent/MY141293A/en unknown
- 2005-02-25 US US11/720,084 patent/US7951764B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-23 TW TW094108971A patent/TWI353381B/zh active
-
2007
- 2007-05-18 ZA ZA200704029A patent/ZA200704029B/xx unknown
- 2007-06-04 IL IL183648A patent/IL183648A/en not_active IP Right Cessation
- 2007-06-18 NO NO20073122A patent/NO20073122L/no not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9983481B2 (en) | 2014-08-20 | 2018-05-29 | Lg Chem, Ltd. | Stripper composition for removing photoresists and method for stripping photoresists using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ZA200704029B (en) | 2008-05-28 |
CN1784487B (zh) | 2012-10-03 |
US7951764B2 (en) | 2011-05-31 |
WO2006062534A1 (en) | 2006-06-15 |
CN1784487A (zh) | 2006-06-07 |
IL183648A0 (en) | 2007-09-20 |
IL183648A (en) | 2013-02-28 |
TW200619380A (en) | 2006-06-16 |
TWI353381B (en) | 2011-12-01 |
EP1836535A1 (en) | 2007-09-26 |
NO20073122L (no) | 2007-08-28 |
BRPI0515810A (pt) | 2008-08-05 |
US20080103078A1 (en) | 2008-05-01 |
KR20060064441A (ko) | 2006-06-13 |
MY141293A (en) | 2010-04-16 |
JP2007514983A (ja) | 2007-06-07 |
CA2591483A1 (en) | 2006-06-15 |
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